江苏微导纳米科技股份有限公司_江苏微导纳米科技股份有限公司科创板首次公开发行股票招股说明书（上会稿）

本次股票发行后拟在科创板市场上市，该市场具有较高的投资风险。科创板公司具有研发投入大、经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点，投资者面临较大的市场风险。投资者应充分了解科创板市场的投资风险及本公司所披露的风险因素，审慎作出投资决定。
江苏微导纳米科技股份有限公司
Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co. Ltd.江苏省无锡市新吴区漓江路11号（经营场所：无锡市新吴区新硕路9-6号厂房）首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书（上会稿）本公司的发行申请尚需经上海证券交易所和中国证监会履行相应程序。
本招股说明书不具有据以发行股票的法律效力，仅供预先披露之用。投资者应当以正式公告的招股说明书作为投资决定的依据。
保荐人（主承销商）江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）声明
中国证监会、上海证券交易所对本次发行所作的任何决定或意见，均不表明其对注册申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证，也不表明其对发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。
根据《证券法》的规定，股票依法发行后，发行人经营与收益的变化，由发行人自行负责；投资者自主判断发行人的投资价值，自主作出投资决策，自行承担股票依法发行后因发行人经营与收益变化或者股票价格变动引致的投资风险。
发行人及全体董事、监事、高级管理人员承诺招股说明书及其他信息披露
资料不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。
发行人控股股东、实际控制人承诺本招股说明书不存在虚假记载、误导性
陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。
公司负责人和主管会计工作的负责人、会计机构负责人保证招股说明书中
财务会计资料真实、完整。
发行人及全体董事、监事、高级管理人员、发行人的控股股东、实际控制
人以及保荐人、承销的证券公司承诺因发行人招股说明书及其他信息披露资料
有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资者在证券发行和交易中遭受损失的，将依法赔偿投资者损失。
保荐人及证券服务机构承诺因其为发行人本次公开发行制作、出具的文件
有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，将依法赔偿投资者损失。
1-1-1江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
本次发行概况
发行股票类型 人民币普通股（A 股）
本次发行股数不低于发行后总股本的10.00%，发行股数发行股数
不超过10225.0177万股，本次发行不涉及老股转让每股面值人民币1.00元
每股发行价格【】元
预计发行日期【】年【】月【】日拟上市的证券交易所和板块上海证券交易所科创板
发行后总股本不超过51126.0000万股
保荐人、主承销商浙商证券股份有限公司
招股说明书签署日期【】年【】月【】日
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重大事项提示
公司特别提请投资者注意，在作出投资决策之前，务必仔细阅读本招股说明书正文内容，并特别关注以下重要事项。
一、特别风险提示
（一）经营业绩波动甚至出现亏损的风险
报告期内，公司的营业收入分别为21581.56万元、31255.41万元和
42791.71万元，公司扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为
5289.30万元、5098.54万元和2668.90万元。根据2022年1-6月经审阅的财务数据，公司扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润为-4949.19万元。
公司在光伏新型高效电池和半导体各细分领域的产品、技术方面存在持续
加强投入的需求，相关投入会对公司经营业绩造成影响。如果未来由于新产品开发持续投入但未能及时实现产业转化，或出现市场竞争加剧、下游客户投资需求变化，以及在手订单由于生产、验收周期受新冠疫情等因素影响未能及时转化为收入等情形，可能使公司面临一定的经营压力，从而导致公司未来业绩存在大幅波动甚至出现亏损的风险。
（二）技术迭代及新产品开发风险
随着技术和应用领域的不断发展，下游客户对薄膜沉积设备工艺路线、材料类型、技术指标等要求也不断变化，因此会对产品提出新的要求。公司需要不断紧跟行业技术发展趋势、及时研发可满足行业技术要求的产品。
如果公司未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，如无法持续提供满足电池降本增效需求的产品、无法响应新型高效电池（TOPCon、HJT 等）或半导体制造工艺制程继续提高等
新的应用需求，可能导致公司设备无法满足下游生产制造商的需要，从而可能对公司的经营业绩造成不利影响。
（三）新产品验证进度及市场发展不及预期的风险
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公司薄膜沉积设备主要应用于光伏电池片、半导体晶圆的生产环节，直接影响光伏电池片的光电转换效率以及半导体器件性能，是下游客户产线的关键工艺设备。因此，客户对公司新产品的验证要求较高、验证周期较长，公司用于新型高效电池和半导体各细分领域的新产品存在验证进度不及预期的风险。
在光伏领域，新型高效电池如 TOPCon、HJT 在 2022 年以来扩产计划加速，但因技术成熟度、投资成本等限制性因素，规模化量产尚存在不确定性。在半导体领域，我国在先进制程的设备制造产业起步较晚，目前国内先进产线关键设备的国产化仍处于起步和发展阶段。如果国内新型高效电池和先进制程晶圆制造产线发展不及预期，公司未来销售增长将受到限制。
（四）存货跌价的风险
报告期各期末，公司存货分别为27355.57万元、34315.42万元和
40296.81万元，占总资产的比例分别为45.51%、31.06%和29.70%；发出商品
分别为19565.09万元、28805.98万元和28674.13万元，占期末存货的比例分别为71.52%、83.94%和71.16%，为存货的主要组成部分。
公司存货账面价值较高，主要是由于公司发出商品的验收周期相对较长导致。公司已按照会计政策的要求并结合存货的实际状况计提了存货跌价准备，但仍不能排除市场环境发生变化，或其他难以预计的原因，导致存货无法顺利实现销售，或者存货价格出现大幅下跌的情况，使得公司面临存货跌价风险。
（五）毛利率下降的风险
报告期内，公司主营业务毛利率分别为53.97%、51.89%、45.83%。公司主营业务毛利率变动主要受产品销售价格、原材料采购价格、市场竞争程度、技
术更新换代及政策变动等因素的影响。同时，随着公司产品种类增加，不同产品的售价及成本存在一定差异，不同产品销售收入占比的结构性变化也会对公司主营业务毛利率产生较大影响。若未来上述影响因素发生重大不利变化，公司毛利率将会面临下降的风险，从而对公司盈利能力造成不利影响。
二、关于公司2021年度主营业务收入结构变化的提示
2019-2020年，公司专用设备销售收入占主营业务收入的比例分别为
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93.59%、95.74%，均为 ALD 设备销售收入，是公司主营业务收入的主要构成。
2021年公司配套产品及服务中的设备改造业务增幅较大，导致专用设备销售收
入占比下降至70.29%；同时受市场电池技术过渡期间下游厂商扩产节奏短期调
整及公司新产品推出的影响，2021年公司专用设备收入结构有所变化。
（一）2021年公司专用设备销售收入占比下降
报告期内，公司形成主营业务收入的产品类别以专用设备为主。2021年度，因设备改造业务收入的大幅增长，公司专用设备销售收入占主营业务收入的比例由2020年的95.74%下降至70.29%，配套产品及服务收入占比由2020年的
4.26%上升至29.71%。
设备改造业务主要是针对客户对专用设备的功能需求，重新对工艺和产品方案进行设计，并按照设计方案对核心部件进行生产后，经安装调试满足客户产线具体的参数和配置要求。公司目前的设备改造集中在光伏领域设备，设备改造的内容主要包括尺寸改造、工艺改造等。
近年来，光伏电池片呈大尺寸化发展趋势。2019年光伏电池片市场以
156mm 尺寸为主；2020 年 156mm 的尺寸占比大幅下降，158mm 和 166mm 尺寸合
计比例达到 77.8%。当时公司客户产线设备大多为适配 158mm 或以下电池片生产，因此设备改造需求增加。
公司臭氧工艺取得突破后，较原水工艺相比可增加硅片的少数载流子寿命，增强薄膜钝化效果，使存量产线生产的电池光电转换效率提升。客户出于提升产品市场竞争力的考虑将在役设备由原水工艺改造为臭氧工艺。
公司设备改造业务主要是匹配客户改造需求开展，2021年设备改造业务收入增幅较大，导致2021年公司专用设备销售收入占比下降。截至2022年6月末，公司专用设备在手订单合计15.04亿元，设备改造业务在手订单合计1.22亿元，受专用设备、改造业务订单结构的影响，未来主营业务收入结构仍有可能会出现变化。
（二）2021 年公司专用设备中 ALD 设备的销售收入占比下降
2019-2020 年，公司专用设备销售收入均为 ALD 设备。2021 年，公司新增
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PECVD 设备、PEALD 二合一设备销售收入，ALD 设备、PECVD 设备、PEALD 二合一设备销售收入占比分别为 53.70%、23.71%、22.59%。
2020-2021 年，随着 PERC 电池技术量产平均光电转换效率趋近理论极限，
而新型高效电池技术有望在短期内形成产业化应用方案，下游厂商对于大规模新建 PERC 电池产线的意愿有所放缓，扩产节奏短期调整。ALD 设备订单数量的短期减少主要是受到市场电池技术路线过渡阶段的暂时性影响。
公司 PECVD 设备、PEALD 二合一设备于 2020 年开发完成，一方面公司可以在 PERC 产线上为客户同时提供 ALD、PECVD、PEALD 二合一多种镀膜解决方案，另一方面有助于公司为 TOPCon 等新型电池提供技术和产品储备。相关产品开发完成时，新型高效电池的具体技术路线尚未成为行业共识，设备产品在新型高效电池产业化应用的成熟度也有待提高，因此公司首先将其在 PERC 电池领域进行推广，因新产品符合部分下游客户的工艺选择从而取得了相应订单并于
2021 年实现销售，导致公司 2021 年 ALD 设备销售占比有所下降。
三、财务报告审计截止日后的主要财务信息及经营状况
自财务报告审计截止日（2021年12月31日）至本招股说明书签署日，公司主要经营状况正常，主要原材料采购情况、主要产品销售情况、主要客户及供应商的构成情况、主要税收政策等方面均未发生重大不利变化。公司2022年1-6月主要财务数据如下：
单位：万元
项目2022年1-6月2021年1-6月同比变动
营业收入15561.3117156.66-9.30%
营业成本10228.768691.4217.69%
销售费用2196.871456.2350.86%
管理费用1711.491037.2165.01%
研发费用6183.744225.3646.35%
归属于母公司所有者的净利润-3925.032290.13-271.39%扣除非经常损益后归属于母公
-4930.651569.30-414.19%司所有者的净利润
注：上述2022年1-6月财务数据未经审计，但已经天职国际审阅。
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公司2022年1-6月营业收入为15561.31万元，较上年度同比下降9.30%；
2022年1-6月归属于母公司所有者的净利润为-3925.03万元，较上年度同比
下降271.39%；2022年1-6月扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利
润为-4930.65万元，较上年度同比下降414.19%。
公司2022年1-6月营业收入、扣除非经常性损益后归属于母公司所有者
的净利润较上年度同比下降，主要原因为：（1）2022年上半年我国新冠肺炎疫情呈多点散发情形，尤其是2022年第二季度无锡及周边地区受疫情因素影响较大，客户现场工作受到影响，导致营业收入较上年度同比略有下降；（2）
2022年上半年公司营业收入主要为专用设备销售收入，该类业务毛利率与上年
度相比不存在较大变化，毛利率较高的设备改造业务收入占比降低，导致综合毛利率较上年同期有所下降；（3）2022年1-6月，公司新增订单设备台数超过
2021年全年总和，截至2022年6月末的在手订单金额超过16亿元，订单规模
持续增长，同时公司在光伏新型高效电池和半导体各细分领域的产品、技术方面持续加强研发。公司因此扩充了管理、销售、研发等人员，并提高了相关投入，导致期间费用较上年度同期大幅增长。
公司财务报告审计截止日后主要财务信息及经营情况详见本招股说明书
“第八节财务会计信息与管理层分析”之“十六、财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况”。
1-1-7江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
目录
声明....................................................1
本次发行概况................................................2
重大事项提示................................................3
一、特别风险提示..............................................3
二、关于公司2021年度主营业务收入结构变化的提示.............................4
三、财务报告审计截止日后的主要财务信息及经营状况..............................6
目录....................................................8
第一节释义................................................13
一、一般释义...............................................13
二、行业专用释义.............................................16
第二节概览................................................19
一、发行人及本次发行的中介机构基本情况..................................19
二、本次发行概况.............................................19
三、发行人主要财务数据及财务指标.....................................20
四、发行人的主营业务经营情况.......................................21
五、发行人技术先进性、模式创新性、研发技术产业化情况以及未来发展战略.....................................................22
六、发行人选择的具体上市标准.......................................23
七、发行人关于《上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定》
的情况说明................................................23
八、发行人公司治理特殊安排........................................24
九、募集资金用途.............................................24
第三节本次发行概况............................................26
一、本次发行基本情况...........................................26
二、本次发行的有关当事人.........................................26
三、发行人与本次发行有关的保荐人、承销机构、证券服务机构及其负责人、
高级管理人员、经办人员之间的关系.....................................28
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四、有关本次发行并上市的重要日期.....................................28
五、保荐人相关子公司拟参与战略配售情况..................................29
第四节风险因素..............................................30
一、技术风险...............................................30
二、经营风险...............................................30
三、财务风险...............................................32
四、内控风险...............................................34
五、法律风险...............................................35
六、其他风险...............................................36
第五节发行人基本情况...........................................39
一、基本情况...............................................39
二、发行人的设立及股本和股东的变化情况..................................39
三、发行人的股权结构...........................................50
四、发行人控股子公司、参股公司及分公司的简要情况.............................50
五、持有发行人5%以上股份的主要股东及实际控制人的基本情况.................51
六、发行人股本情况............................................62
七、发行人的董事、监事、高级管理人员及核心技术人员............................75
八、已制定或实施的股权激励及相关安排...................................89
九、发行人员工及其社会保障情况......................................89
第六节业务与技术.............................................92
一、公司的主营业务及主要产品情况.....................................92
二、公司所处行业的基本情况.......................................108
三、公司市场地位及竞争状况.......................................134
四、公司主要产品的产销情况及主要原材料采购情况.............................146
五、主要资产情况............................................155
六、技术与研发情况...........................................157
七、特许经营权与资质情况........................................170
八、境外经营情况............................................171
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第七节公司治理与独立性.........................................172
一、公司治理概述............................................172
二、股东大会、董事会及监事会依法运作情况................................172
三、公司报告期内违法违规行为及受到处罚的情况..............................175
四、公司报告期内资金占用和对外担保情况.................................175
五、公司内部控制制度的自我评估和鉴证意见................................175
六、公司独立经营情况..........................................176
七、同业竞争..............................................178
八、关联方...............................................181
九、关联交易..............................................184
十、关联交易制度安排及审议情况.....................................189
第八节财务会计信息与管理层分析.....................................193
一、报告期内财务报表..........................................193
二、注册会计师的审计意见、关键审计事项及与财务会计信息相关的重要性水
平判断标准...............................................198
三、财务报表编制基础..........................................200
四、主要会计政策和会计估计.......................................200
五、主要税项..............................................219
六、分部信息..............................................221
七、经注册会计师核验的非经常性损益情况.................................221
八、主要财务指标............................................222
九、对发行人未来盈利（经营）能力或财务状况可能产生影响的主要因素及重
要指标分析...............................................223
十、经营成果分析............................................226
十一、资产状况分析...........................................255
十二、偿债能力、流动性与持续经营能力分析................................273
十三、资本性支出分析..........................................289
十四、资产负债表日后事项、或有事项及其他重要事项............................290
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十五、盈利预测.............................................290
十六、财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况............................290
第九节募集资金运用与未来发展规划....................................296
一、募集资金运用概况..........................................296
二、募集资金运用情况..........................................298
三、未来发展规划............................................304
第十节投资者保护............................................309
一、信息披露和投资者关系相关情况....................................309
二、报告期实际股利分配情况及发行后的股利分配政策............................310
三、本次发行完成前滚存利润的分配安排..................................313
四、股东投票机制的建立情况.......................................313
五、承诺事项..............................................314
第十一节其他重要事项..........................................317
一、重大合同..............................................317
二、发行人对外担保有关情况.......................................320
三、对发行人产生重大影响的诉讼或仲裁事项................................320
四、发行人控股股东、实际控制人和董事、监事、高级管理人员和核心技术人
员作为一方当事人的重大诉讼或仲裁事项..................................322
五、发行人董事、监事、高级管理人员和核心技术人员近3年涉及行政处罚、
被司法机关立案侦查、被中国证监会立案调查情况..............................322
六、发行人控股股东、实际控制人报告期内是否存在重大违法行为.............322
七、其他涉及国家安全、公共安全、生态安全、生产安全、公众健康安全等领
域的重大违法行为............................................322
八、前次申请情况............................................322
第十二节相关声明............................................327
一、发行人全体董事、监事、高级管理人员声明...............................327
二、发行人控股股东、实际控制人声明...................................328
三、保荐机构（主承销商）声明......................................329
1-1-11江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
四、发行人律师声明...........................................332
五、会计师事务所声明..........................................333
六、资产评估机构声明..........................................334
七、验资机构声明............................................335
第十三节附件..............................................336
一、备查文件..............................................336
二、备查文件查阅............................................336
附录1：专利权、商标、软件著作权等清单.................................337
附录2：承诺事项............................................344
1-1-12江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
第一节释义
一、一般释义
本招股说明书中，除非文义另有所指，下列缩略语和术语具有如下涵义：
微导纳米、发行
人、本公司、股份指江苏微导纳米科技股份有限公司
公司、公司
微导有限、有限公指江苏微导纳米装备科技有限公司司
公司本次申请在境内首次公开发行人民币普通股（A 股）的行本次发行指为
公司本次申请在境内首次公开发行人民币普通股（A 股）并于本次发行并上市指上海证券交易所科创板上市的行为江苏微导纳米科技股份有限公司首次公开发行股票并在科创板本招股说明书指上市招股说明书
万海盈投资指无锡万海盈投资合伙企业（有限合伙）
聚海盈管理指无锡聚海盈管理咨询合伙企业（有限合伙）
德厚盈投资指无锡德厚盈投资合伙企业（有限合伙）
上海君联晟灏指上海君联晟灏创业投资合伙企业（有限合伙）
江阴毅达指江阴毅达高新创业投资合伙企业（有限合伙）
无锡毓立指无锡毓立创业投资合伙企业（有限合伙）
中小企业发展基金指中小企业发展基金（江苏有限合伙）
北京君联晟源指北京君联晟源股权投资合伙企业（有限合伙）
江苏人才四期指江苏人才创新创业投资四期基金（有限合伙）无锡新通指无锡新通科技有限公司上海亿钏指上海亿钏科技有限公司
冯源绘芯指平潭冯源绘芯股权投资合伙企业（有限合伙）
锦润博纳指江苏锦润博纳企业管理中心（有限合伙）聚隆景润指深圳市聚隆景润科技有限公司问鼎投资指宁波梅山保税港区问鼎投资有限公司瑞庭投资指宁波梅山保税港区瑞庭投资有限公司瑞华投资指香港瑞华投资有限公司
中小企业发展基金（绍兴）股权投资合伙企业（有限合伙）（执中芯聚源绍兴基金指行事务合伙人为：中芯聚源股权投资管理（天津）合伙企业（有限合伙））
1-1-13江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
疌泉荣芯指江苏疌泉君海荣芯投资合伙企业（有限合伙）
无锡新动能指无锡高新区新动能产业发展基金（有限合伙）
高瓴航恒指珠海高瓴航恒股权投资合伙企业（有限合伙）
高瓴裕润指北京高瓴裕润股权投资基金合伙企业（有限合伙）
宁德时代 指 宁德时代新能源科技股份有限公司（股票代码：300750.SZ）
欣导投资指江苏欣导创业投资合伙企业（有限合伙）
上海卓遨指上海卓遨企业管理合伙企业（有限合伙）
常州煜玺指常州煜玺创业投资合伙企业（有限合伙）
先导智能 指 无锡先导智能装备股份有限公司（股票代码：300450.SZ）泰坦新动力指珠海泰坦新动力电子有限公司无锡先为指无锡先为科技有限公司
开益禧指开益禧（无锡）有限公司恒云太指江苏恒云太信息科技有限公司容导精密指常州容导精密装备有限公司
无锡鼎鸣指无锡鼎鸣管理咨询合伙企业（有限合伙）天芯微指江苏天芯微半导体设备有限公司先导控股指先导控股有限公司
上海寓馨指上海寓馨企业管理合伙企业（有限合伙）
芯链融创指芯链融创集成电路产业发展（北京）有限公司泰州中来光电科技有限公司（系苏州中来光伏新材股份有限公泰州中来指司（股票代码：300393.SZ）子公司）
通威太阳能 指 通威股份有限公司（股票代码：600438.SH）及其关联方
天合光能 指 天合光能股份有限公司（股票代码：688599.SH）及其关联方
晶科能源 指 晶科能源股份有限公司（股票代码：688223.SH）及其关联方
晶澳太阳能科技股份有限公司（股票代码：002459.SZ）及其关晶澳太阳能指联方
阿特斯 指 阿特斯阳光电力集团股份有限公司（CISQ.O）及其关联方顺风光电指江苏顺风光电科技有限公司及其关联方
隆基绿能科技股份有限公司（股票代码：601012.SH）及其关联隆基股份指方
上海爱旭新能源股份有限公司（股票代码：600732.SH）及其关爱旭股份指联方商洛比亚迪指商洛比亚迪实业有限公司
1-1-14江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
理想晶延指理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司无锡松煜指无锡松煜科技有限公司深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司（股票代码：捷佳伟创指
300724.SZ）
红太阳指湖南红太阳光电科技有限公司拉普拉斯指深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
北方华创 指 北方华创科技集团股份有限公司（股票代码：002371.SZ）
拓荆科技 指 拓荆科技股份有限公司（股票代码：688072.SH）
中微半导体设备（上海）股份有限公司（股票代码：中微公司指
688012.SH）
Lam/泛林半导体 指 美国泛林半导体（Lam Research Corporation）
ASM/先晶半导体 指 荷兰先晶半导体公司（ASM International N.V）
AMAT/应用材料 指 美国应用材料公司（Applied Materials Inc.）
TEL/东京电子 指 东京电子有限公司（Tokyo Electron Ltd. ）
日本国际电气（Kokusai Electric），原日立国际电气半导体设备KE/日本国际电气 指部门，2017 年由 KKR 收购德国商先创太阳能光伏科技公司（Centrotherm PhotovoltaicsCentrotherm/商先创 指
AG）
《公司章程》指公司现行有效的公司章程《公司章程（草公司2021年第四次临时股东大会审议通过的《江苏微导纳米科指案）》技股份有限公司章程（草案）》
《公司法》指《中华人民共和国公司法》及其不时修订
《证券法》指《中华人民共和国证券法》及其不时修订
《上市规则》指《上海证券交易所科创板股票上市规则》及其不时修订国务院指中华人民共和国国务院财政部指中华人民共和国财政部科技部指中华人民共和国科学技术部工信部指中华人民共和国工业和信息化部商务部指中华人民共和国商务部国家发改委指中华人民共和国国家发展和改革委员会中国证监会指中国证券监督管理委员会上交所指上海证券交易所
保荐人、保荐机
构、主承销商、浙指浙商证券股份有限公司商证券
1-1-15江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
德恒律师指北京德恒律师事务所
天职国际指天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）
报告期指2019年、2020年、2021年报告期各期末指2019年末、2020年末、2021年末
元、万元、亿元指人民币元、人民币万元、人民币亿元
二、行业专用释义
Atomic Layer Deposition，是一种可以将物质以单原子层形式一ALD、原子层沉积 指层一层地镀在基底表面的工艺
Photovoltaic Power System（太阳能光伏发电系统），是一种利用光伏指半导体材料的光生伏特效应，将太阳光辐射能直接转换为电能的新型发电系统晶硅太阳能电池指采用晶体硅作为半导体材料的太阳能光伏电池
常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，按照产品可分为半导体指
集成电路、分立器件、光电子和传感器
Integrated Circuit，指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源原件按一定的电路互
IC、集成电路 指
联并集成在半导体晶片上，封装在一个外壳内，执行特定功能的电路或系统
Flexible Electronics，是一种技术的通称，是将有机/无机材料电柔性电子指
子器件制作在柔性/可延性基板上的新兴电子技术
一种检测镀膜效果的指标，测得的结果为不均匀度，不均匀度越薄膜厚度均匀性指低，均匀性水平越高，薄膜质量越好设备运行率指一台机器设备实际的生产数量与理论生产数量的比值
自限性指在前驱体已经与所有可用的位点反应之后，反应停止Micro Electro Mechanical System（微机电系统），是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电
MEMS 指 路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统
BOM 表 指 Bill of Material，物料清单晶圆指用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料舟指由石英或金属连接而成承载晶圆的装置
Water Vapor Transmission Rate（水汽渗透率），指单位时间内单WVTR 指
位面积渗透的水汽质量，为材料阻水能力的测量指标Light Emitting Diode（发光二极管），一种常用的发光器件，通LED 指过电子与空穴复合释放能量发光
Organic Light Emitting Diode，属于一种电流型的有机发光器件，OLED 指 是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与注入的电流成正比
LCD 指 Liquid Crystal Display，液态晶体显示器件
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钝化膜指降低载流子复合概率的薄膜
通过选择折射率和厚度，使通过的光相互抵消，达到减少反射损减反膜指失目的的薄膜
Chemical Vapor Deposition（化学气相沉积法），利用气态或蒸CVD 指 汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition（等离子体增强化学气相沉积），CVD 的一种，在沉积室利用辉光放电使其电离后PECVD 指在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法
Low Pressure Chemical Vapor Deposition（低压化学汽相沉积），LPCVD 指
CVD 的一种Metal-organic Chemical Vapor Deposition（金属有机化合物化学MOCVD 指气相沉积），CVD 的一种Physical Vapor Deposition（物理气相沉积），利用物理过程实现PVD 指
物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程Thermal Atomic Layer Deposition（热原子层沉积），一种原子层TALD 指沉积技术Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition（等离子体增强原子层PEALD 指沉积），一种原子层沉积技术Spatial Atomic Layer Deposition（空间原子层沉积），一种原子SALD 指层沉积技术
TMA 指 三甲基铝，一种前驱体材料Al-BSF 指 铝背场电池，一种传统的电池结构Passivated Emitter and Rear Cell，钝化发射极和背面电池技术，PERC 指一种电池结构
Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化物钝化接触，一种电TOPCon 指池结构Heterojunction with Intrinsic Thin Layer（具有本征薄层异质HJT 指结），又称为 HJT/SHJ，一种异质结太阳能电池Interdigitated Back Contact（叉型背接触电池），一种高效晶硅太IBC 指阳能电池结构
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将 P 型半导体与 N 型半P-N 结 指 导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为 P-N 结
k、介电常数 指 希腊文 Kappa，描述一种材料保有电荷的能力高 k、High-k 指 具有高 k 性质的材料可以比其他材料能够更好的存储电荷
栅、栅极 指 Gate，用来打开或闭合晶体管，包括有多晶硅栅、金属栅等栅介质 指 Gate dielectric，是用来将栅从电流通道隔离出来的绝缘体底层Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写，由 N-MOS 和 P-MOS 器件构成的一类芯片，其多CMOS 工艺 指
晶硅栅极结构有助于降低器件的阈值电压，从而在低电压下运行，是制造大规模集成电路芯片使用的一种器件结构可编程逻辑器件（Programmable Logic Device，即 PLD），一种逻辑芯片指集成电路器件
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存储芯片指嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用
Shallow Trench Isolation，是一种常用在传统 CMOS 硅工艺中隔浅层沟道隔离指离器件的工艺技术
Multiple Patterning，将一层图形光掩模拆成两层或多层光掩模，多重曝光指
分先后制作，实现精度更高的图形制造Field-effect Transistor，即场效应晶体管，包含源、栅、漏极的晶场效应晶体管指体管。其行为由源极经过栅极流向漏极的多数载流子电流决定。
电流由栅极下的横向电场控制
2015年12月12日在巴黎气候变化大会上通过、2016年4月22
《巴黎协定》指日在纽约签署的气候变化协定，该协定为2020年后全球应对气候变化行动作出安排太阳能电池的电荷载流子数目与照射在太阳能电池表面一定能量光电转换效率指的光子数目的比率
Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器，采用动态DRAM 指存储单元的随机存储器
Equivalent oxide thickness，即 EOT，是指将任意电介质材料的薄等效氧化物厚度指
层厚度氧化物换算为具有相同单位面积电容的 SiO2的厚度
在集成电路片上淀积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互金属互联指相隔离的元件按一定要求互连成所需电路
CPIA 指 中国光伏行业协会
Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导体SEMI 指装备与材料产业协会
IRENA 指 International Renewable Energy Agency，国际可再生能源机构长度的度量单位，国际单位制符号为 μm，1 微米等于千分之一μm/微米 指毫米
长度的度量单位，国际单位制符号为 nm，1 纳米等于一百万分nm/纳米 指之一毫米
KW、MW、GW 指 千瓦、兆瓦、吉瓦，1MW=1000KW，1GW=1000MW注：本招股说明书中部分合计数与各加数直接相加之和在尾数上有差异，这些差异是由四舍五入造成的。
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第二节概览
本概览仅对招股说明书全文做扼要提示。投资者作出投资决策前，应认真阅读招股说明书全文。
一、发行人及本次发行的中介机构基本情况
（一）发行人基本情况江苏微导纳米科技股份有发行人名称成立日期2015年12月25日限公司
注册资本40900.9823万元法定代表人王磊无锡市新吴区漓江路11无锡市新吴区新硕路注册地址号（经营场所：无锡市新主要生产经营地
9-6号吴区新硕路9-6号厂房）
无锡万海盈投资合伙企业王燕清、倪亚兰、王控股股东实际控制人（有限合伙）磊在其他交易场所（申行业分类 C35 专用设备制造业 不适用
请）挂牌或上市的情况
（二）本次发行的有关中介机构保荐人浙商证券股份有限公司主承销商浙商证券股份有限公司发行人律师北京德恒律师事务所其他承销机构无
天职国际会计师事务所（特沃克森（北京）国际资产审计机构评估机构殊普通合伙）评估有限公司
二、本次发行概况
（一）本次发行的基本情况
股票种类 人民币普通股（A 股）
每股面值人民币1.00元
不超过10225.0177万
发行股数占发行后总股本比例不低于10%股
不超过10225.0177万
其中：发行新股数量占发行后总股本比例不低于10%股股东公开发售股不适用占发行后总股本比例不适用份数量
发行后总股本不超过51126.0000万股
每股发行价格【】元
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发行市盈率【】倍
发行前每股净资产【】元发行前每股收益【】元
发行后每股净资产【】元发行后每股收益【】元
发行市净率【】倍采用网下向询价对象配售和网上向社会公众投资者资金申购定价发行方式发行相结合的方式或证券监管机构认可的其他方式（包括但不限于向投资者战略配售、采取超额配售等）符合资格的询价对象以及已开立上海证券交易所股票账户并开通科创板交易的境内自然人、法人、战略投资者（其中包括保荐机发行对象构相关子公司等）等科创板市场投资者，但法律、法规及上海证券交易所业务规则禁止购买者除外承销方式余额包销拟公开发售股份股东名无称
本次发行的承销及保荐费、审计及验资费、律师费、用于本次发发行费用的分摊原则
行的信息披露费、发行手续费等发行相关费用由发行人承担
募集资金总额【】万元
募集资金净额【】万元基于原子层沉积技术的光伏及柔性电子设备扩产升级项目基于原子层沉积技术的半导体配套设备扩产升级项目募集资金投资项目集成电路高端装备产业化应用中心项目补充流动资金
本次发行费用主要包括承销及保荐费【】万元、审计及验资费
发行费用概算【】万元、律师费【】万元、用于本次发行的信息披露费【】万元，发行手续费及其他【】万元
（二）本次发行上市的重要日期
刊登发行公告日期【】年【】月【】日
开始询价推介日期【】年【】月【】日
刊登定价公告日期【】年【】月【】日
申购日期和缴款日期【】年【】月【】日
股票上市日期【】年【】月【】日
三、发行人主要财务数据及财务指标
报告期内，公司经审计的主要会计数据和财务指标如下：
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2021年12月31日2020年12月31日2019年12月31日
主要财务指标
/2021年度/2020年度/2019年度
资产总额（万元）135691.33110486.1160103.83归属于母公司所有者权益
88349.9464556.9123674.30（万元）
资产负债率34.89%41.57%60.61%
营业收入（万元）42791.7131255.4121581.56
净利润（万元）4611.375701.445455.11归属于母公司所有者的净
4611.375701.445455.11利润（万元）扣除非经常性损益后归属
于母公司所有者的净利润2668.905098.545289.30（万元）
基本每股收益（元）0.111.201.21
稀释每股收益（元）0.111.201.21
加权平均净资产收益率6.43%21.44%119.98%经营活动产生的现金流量
-7631.22827.59-4384.19净额（万元）
现金分红（万元）---
研发投入占营业收入比例22.68%17.19%14.41%
四、发行人的主营业务经营情况
公司以原子层沉积（ALD）技术为核心，主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产和销售，向下游客户提供先进薄膜沉积设备、配套产品及服务。
自成立以来，公司通过不断吸纳国内外优秀人才和研发投入，已在微、纳米级薄膜沉积核心技术领域具有丰富的技术积累。公司将基础研发与行业应用紧密结合，以下游客户的实际需求为导向，产品率先用于光伏电池片生产过程中的薄膜沉积环节。在成功将 ALD 技术应用于光伏领域后，公司开发了对技术水平和工艺要求更高的半导体薄膜沉积设备，并实现了国产 ALD 设备在 28nm集成电路制造关键工艺（高介电常数栅氧层材料沉积环节）中的突破。
在此基础上，公司继续深化开发薄膜沉积技术在下一代光伏电池、半导体各细分应用（集成电路、先进存储等）、柔性电子等应用领域的技术和产品储备，并已在下游行业多家知名公司进行产品验证。
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报告期内，公司主营业务收入构成情况如下：
单位：万元
2021年度2020年度2019年度
产品类别金额占比金额占比金额占比
专用设备30047.4870.29%29916.7995.74%20194.6993.59%配套产品及
12703.1629.71%1331.484.26%1382.876.41%
服务
合计42750.64100.00%31248.27100.00%21577.56100.00%
五、发行人技术先进性、模式创新性、研发技术产业化情况以及未来发展战略
公司在原子层沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备
工艺反应气体控制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺
设备能量控制技术、基于原子层沉积的高效电池技术等前沿科技领域持续构筑和强化技术壁垒。
在光伏领域，公司目前 ALD 量产设备镀膜速率已经突破 10000 片/小时。
镀膜效果以沉积 Al2O3 薄膜进行测量，其薄膜厚度均匀度达到片内不均匀性≤
3%、片与片之间不均匀性≤3%、批与批之间不均匀性≤3%。公司产品具备优
良的产能提升能力与产品性能，在保障光电转换效率的同时，有效帮助下游电池片厂商大幅降低了设备投资额与生产消耗成本。
在半导体领域，公司是国内首家成功将量产型 High-k 原子层沉积设备应用于 28nm 节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司。设备总体表现和工艺关键性能参数达到国际同类水平，并已获得客户重复订单认可，成功解决了一项半导体设备“卡脖子”难题。除此之外，公司已经开展在半导体其他细分领域以及柔性电子领域中的应用。
公司荣获工信部2021年第三批专精特新“小巨人”企业、2021年苏南国
家自主创新示范区独角兽企业、2020年度江苏省小巨人企业（制造类）等荣誉称号，并被认定为江苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江苏省外国专家工作室、江苏省博士后创新实践基地、江苏省研究生工作站、江苏省省级企业技术中心。在不断完善自有研发平台建设、持续巩固自身研发实力的同时，公
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司与上海交通大学、南京大学、芬兰赫尔辛基大学等知名院校建立了良好的合作关系，共同推进 ALD 技术的创新发展。截至本招股书签署日，公司已取得
94项国家授权专利，其中发明专利13项、实用新型专利72项、外观设计专利
9项，并拥有软件著作权19项。
公司是国内少数能在短期内快速反馈并协助客户解决产线上 ALD 技术问题
的设备厂商之一，具备承担下一代光伏电池设备和高端先进制程半导体设备项目的技术储备和人才基础。公司将通过自主创新，不断提高设备的技术水平和产品的竞争力，拓展并深化核心技术应用，不断打造高端装备制造商的优质品牌，推动高端技术装备的国产化、产业化。
六、发行人选择的具体上市标准
（一）市值结论
发行人2021年9月底引入投资者，投后估值为75.40亿元。综合外部股权融资估值以及采用可比上市公司比较法得到的评估结果，发行人预计市值不低于30亿元。
（二）财务指标
2021年度，发行人的营业收入为42791.71万元。
（三）标准适用判定
发行人选择的上市标准为《上海证券交易所科创板股票发行上市审核规则》
第三章第二十二条第（四）项：预计市值不低于人民币30亿元，且最近一年营业收入不低于人民币3亿元。
根据本节之分析，发行人满足其所选择的上市标准。
七、发行人关于《上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定》的情况说明
（一）公司符合行业领域要求
公司□新一代信息技术公司主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产和
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所属销售，向下游客户提供先进薄膜沉积设备、配套产品及服□高端装备行业务。报告期内主要用于光伏、半导体等领域。
领域□新材料根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业属于“C35 专用设备制造业”。
□新能源
根据《国民经济行业分类与代码》（GBT/4754-2017），公司所□节能环保 处行业属于“C3562 半导体器件专用设备制造（指生产集成电路、二极管（含发光二极管）、三极管、太阳能电池片的设
□生物医药备的制造）”。
□符合科创板定位公司属于高新技术产业和战略性新兴产业中的“高端装备领的其他领域域”。
（二）公司符合科创属性要求科创属性评价标准一是否符合指标情况最近三年累计研发投入占最近三年公司最近三年研发投入累计为
累计营业收入比例≥5%，或最近三□是□否18186.52万元，占最近三年累计营年累计研发投入金额≥6000万元业收入的比重为19.02%。
截至2021年12月31日，发行人研研发人员占当年员工总数的比例≥发人员188名，员工总人数511名，□是□否
10%研发人员占当年员工总数的比例为
36.79%，大于10%。
形成主营业务收入的发明专利（含公司形成主营业务收入的发明专利共□是□否国防专利）≥5项计13项。
公司最近三年营业收入分别为2.16
最近三年营业收入复合增长率≥亿元、3.13亿元、4.28亿元，最近三20%，或最近一年营业收入金额≥3□是□否年营业收入复合增长率为40.81%，
亿元不低于20%，且最近一年营业收入金额大于3亿元。
八、发行人公司治理特殊安排发行人未针对公司治理建立特殊安排。
九、募集资金用途
经公司2021年第四次临时股东大会审议通过，本次募集资金总额扣除发行费用后，拟全部用于公司主营业务相关的项目及主营业务发展所需资金，具体如下：
单位：万元序号项目名称项目总投资额募集资金投资额基于原子层沉积技术的光伏及柔性电子设备
126421.0225000.00
扩产升级项目基于原子层沉积技术的半导体配套设备扩产
263310.8050000.00
升级项目
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序号项目名称项目总投资额募集资金投资额
3集成电路高端装备产业化应用中心项目11811.7410000.00
4补充流动资金15000.0015000.00
合计116543.56100000.00
如公司本次公开发行 A 股股票实际募集资金相对于项目所需资金存在不足，不足部分公司将通过自有资金、银行借款等途径解决。如果本次募集资金最终超过项目所需资金，超出部分将用于偿还公司银行贷款和补充公司流动资金。
在募集资金到位前，公司将根据各募集资金投资项目的实际付款进度，通过自有资金或银行贷款等方式支付上述项目款项。募集资金到位后用于支付相关项目剩余款项及根据监管机构的要求履行相关程序后置换先期投入资金。关于本次募集资金用途内容参见本招股说明书“第九节募集资金运用与未来发展规划”。
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第三节本次发行概况
一、本次发行基本情况
股票种类 人民币普通股（A 股）
每股面值人民币1.00元
本次发行股数不低于发行后总股本的10%，发行股数不超过发行股数
10225.0177万股，本次发行不涉及老股转让
每股发行价格【】元
发行人高管、员工拟参
【】与战略配售情况
保荐机构将安排相关子公司参与本次发行战略配售，具体按照上保荐人相关子公司拟参交所相关规定执行。保荐机构及相关子公司后续将按要求进一步与战略配售情况明确参与本次发行战略配售的具体方案，并按规定向上交所提交相关文件【】元（按【】年【】月【】日经审计的扣除非经常性损益前后发行后每股收益孰低的归属于母公司股东的净利润除以发行后总股本计算）【】倍（每股收益按发行前一年经审计的扣除非经常性损益前后发行市盈率孰低的归属于母公司股东的净利润除以发行后总股本计算）【】元（按照发行前一期经审计的归属于母公司所有者权益除以发行前每股净资产发行前总股本计算）【】元（按照本次发行后归属于母公司所有者权益除以发行后总股本计算，其中，发行后归属于母公司所有者权益按照【】年发行后每股净资产
【】月【】日经审计的归属于母公司所有者权益和本次募集资金净额之和计算）
发行市净率【】倍（按发行后每股净资产为基础计算）采用网下向询价对象配售和网上向社会公众投资者资金申购定价发行方式发行相结合的方式或证券监管机构认可的其他方式（包括但不限于向投资者战略配售、采取超额配售等）符合资格的询价对象以及已开立上海证券交易所股票账户并开通科创板交易的境内自然人、法人、战略投资者（其中包括保荐机发行对象构相关子公司等）等科创板市场投资者，但法律、法规及上海证券交易所业务规则禁止购买者除外承销方式余额包销拟上市地点上海证券交易所
预计募集资金总额【】万元
预计募集资金净额【】万元
本次发行费用主要包括承销及保荐费【】万元、审计及验资费
发行费用概算【】万元、律师费【】万元、用于本次发行的信息披露费【】万元，发行手续费及其他【】万元二、本次发行的有关当事人
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（一）发行人
名称：江苏微导纳米科技股份有限公司
法定代表人：王磊无锡市新吴区漓江路11号（经营场所：无锡市新吴区新硕路9-6住所：
号厂房）
联系电话：0510-81975986
联系传真：0510-81163648
联系人：龙文
（二）保荐机构（主承销商）
名称：浙商证券股份有限公司
法定代表人：吴承根
住所：浙江省杭州市江干区五星路201号
联系电话：0571-87902568
联系传真：0571-87901974
保荐代表人：张建、彭浩
项目协办人：汪淡远
其他经办人员：周光灿、金晓芳、龚震华、宋未忆
（三）发行人律师
名称：北京德恒律师事务所
负责人：王丽
住所： 北京市西城区金融街 19 号富凯大厦 B 座 12 层
联系电话：010-52682888
联系传真：010-52682999
经办律师：李源、张露文、刘璐、王金波
（四）会计师事务所（验资机构）
名称：天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）
负责人：邱靖之
住所：北京海淀区车公庄西路19号外文文化创意园12号楼
1-1-27江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
联系电话：010-88827791
联系传真：010-88018737
经办会计师：郭海龙、李雯敏、周一惠
（五）资产评估机构
名称：沃克森（北京）国际资产评估有限公司
负责人：徐伟建
住所：北京市海淀区车公庄西路19号37幢三层305-306
联系电话：010-52596085
联系传真：010-88019300
经办评估师：姜海成、尚银波
（六）股票登记机构
名称：中国证券登记结算有限责任公司上海分公司
地址：上海市浦东新区陆家嘴东路166号中国保险大厦3楼
联系电话：021-68870587
（七）收款银行
名称：【】
账号【】
开户行【】
三、发行人与本次发行有关的保荐人、承销机构、证券服务机构及
其负责人、高级管理人员、经办人员之间的关系
发行人与本次发行有关的保荐人、承销机构、证券服务机构及其负责人、
高级管理人员、经办人员之间不存在直接或间接的股权关系或其他权益关系。
四、有关本次发行并上市的重要日期
刊登发行公告日期【】年【】月【】日
开始询价推介日期【】年【】月【】日
刊登定价公告申购日期【】年【】月【】日
1-1-28江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
申购日期和缴款日期【】年【】月【】日
股票上市日期【】年【】月【】日
五、保荐人相关子公司拟参与战略配售情况
保荐机构将安排相关子公司参与本次发行战略配售，具体按照上交所相关规定执行。保荐机构及相关子公司后续将按要求进一步明确参与本次发行战略配售的具体方案，并按规定向上交所提交相关文件。
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第四节风险因素
一、技术风险
（一）技术迭代及新产品开发风险
详见本招股说明书“重大事项提示”之“一、（二）技术迭代及新产品开发风险”。
（二）核心技术人员流失或不足的风险
公司后续将加大 ALD 技术在新型高效电池、半导体等领域应用推广的投入力度，若公司不能提供更好的发展空间、更具市场竞争力的薪酬待遇以及更适合的研发条件，将无法持续吸引相关领域的顶尖人才加盟，公司将面临技术人才不足的风险。在行业高速发展、国产替代趋势加快的大背景下，甚至有可能发生现有核心技术人员流失的情形，对公司的产品研发与盈利能力产生不利影响。
（三）核心技术泄密的风险
公司以自主研发与核心技术作为发展的源动力，如果未来关键技术人员流失或其他原因导致在生产经营过程中核心技术及相关数据、图纸等保密信息泄
露进而导致核心技术泄露，将会在一定程度上影响公司的市场竞争力，对公司的生产经营和发展产生不利影响。
二、经营风险
（一）新产品验证进度及市场发展不及预期的风险
详见本招股说明书“重大事项提示”之“一、（三）新产品验证进度及市场发展不及预期的风险”。
（二）主要客户集中度较高的风险
报告期内，公司对前五名客户的销售金额合计分别为13221.75万元、
29893.03万元、35987.72万元，占公司主营业务收入的比例分别为61.28%、
1-1-30江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
95.66%、84.18%。如果未来公司无法进一步开拓新的客户及新的业务领域，或
部分客户经营情况不利，或由于选择其他技术路线，从而降低对公司产品的采购，将会影响公司的财务业绩。
（三）行业周期波动和产业政策变化的风险
公司的经营状况与下游行业的发展密切相关，未来如果光伏行业政策变化等因素导致行业景气度下降或者产能严重过剩，进而影响下游企业对公司产品的需求，可能对公司的经营业绩产生不利影响。此外，公司正在开拓产品在半导体、柔性电子等领域的应用，如果由于国际政治和经济形势引起的对尖端技术的封锁或者由于下游行业的周期性波动等，导致上述行业固定资产投资及对设备需求的下降，也将会影响公司经营业绩。
（四）国内市场竞争加剧的风险
近年来 ALD 技术因其良好的市场空间和丰富的应用场景受到关注，在巨大发展潜力的吸引下，国内竞争者开始出现，竞争也趋于激烈。未来随着国内竞争企业的增加，可能压缩公司的利润空间，并导致公司市场份额下滑，对公司生产经营产生不利影响。
（五）国际贸易摩擦加剧影响公司供应链安全的风险
报告期内，公司进口的核心元器件采购金额分别为2824.44万元、1905.19万元、4653.51万元，占采购总额的比例分别为21.18%、7.87%、15.80%。
2020年初至今，新冠肺炎疫情对全球经济发展和世界政经格局造成重大冲击，
同时叠加全球产业链和供应链重新调整及贸易保护主义，如果由于上述因素可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司零部件的供应，或者由于国产替代的元器件无法达到境外相关产品的质量和技术标准，进而影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，进而对公司的经营产生不利影响。
（六）供应商未来可能发生较大变化的风险
公司部分产品尚处于市场开拓阶段，如后续新产品在下游市场形成突破，公司向与该产品相关的重要供应商采购原材料的数量与金额将大幅增长，从而
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可能导致公司供应商出现较大的变动，进而导致公司在供应商管理的过程中面临较大的风险，或可能引发公司产品质量控制能力的下降，对经营业绩及品牌影响力产生不利影响。
（七）经营业绩受突发疫情事件影响的风险目前，我国国内新型冠状病毒肺炎疫情总体已经得到有效控制，但仍存在散发情形，且海外疫情未见明显好转。若国内疫情反复、海外疫情控制进度缓慢，可能会对经济造成不利影响，并对公司下游市场造成负面冲击，下游客户或存在产线采购、招标、开工等推迟的情形，可能会对公司业务开展构成不利影响。
（八）海外市场开拓与贸易环境变化风险
报告期内，公司主营业务收入中，境外收入金额分别为275.39万元、87.41万元、1464.28万元，占同期主营业务收入的比例分别为1.28%、0.28%、
3.43%。如海外区域的贸易政策、监管政策发生重大不利变化，或受不可控的其
他政治、经济因素影响，致使海外市场需求出现大幅波动，将可能影响公司海外市场的开拓。
（九）季度业绩波动风险
客户采购存在非均匀、非连续等特征，这导致公司各季度间的订单签订金额存在较大波动。此外，受产品开发和生产周期、下游市场环境、客户经营状况等因素影响，公司各订单从合同签订、发货到最终验收的周期也存在较大差异，从而使得公司各季度的营业收入波动较大。而与此同时，公司的期间费用支出有较强刚性。由此导致了公司各季度经营业绩存在波动，甚至可能出现单个季度亏损的风险。
三、财务风险
（一）经营业绩波动甚至出现亏损的风险
详见本招股说明书“重大事项提示”之“一、（一）经营业绩波动甚至出现亏损的风险”。
1-1-32江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
（二）存货跌价的风险
详见本招股说明书“重大事项提示”之“一、（四）存货跌价的风险”。
（三）毛利率下降的风险
详见本招股说明书“重大事项提示”之“一、（五）毛利率下降的风险”。
（四）应收账款和合同资产无法回收的风险
报告期内，随着公司业务规模及营业收入的快速增长，应收账款和合同资产也大幅增加。报告期各期末，公司应收账款和合同资产分别为6809.03万元、
6876.58万元和12207.62万元，占总资产的比例分别为11.33%、6.22%和
9.00%；2019年末、2020年末和2021年末，发行人账龄为1年以上的应收账款
及合同资产账面余额分别为402.30万元、3126.47万元和1066.09万元，占同期应收账款及合同资产账面余额的比例分别为5.56%、40.43%和7.58%。
随着公司业务规模的扩大，公司的客户数量逐步增加，应收账款及合同资产的金额及占比可能会进一步增加。如果出现下游行业波动、客户自身财务状况恶化等因素导致应收账款不能按期回收，并导致需要计提较大金额的坏账准备或无法回收发生坏账的情况，将对公司经营业绩、经营性现金流等产生不利影响。
（五）经营性现金流风险
报告期内，公司经营活动现金流量净额分别为-4384.19万元、827.59万元、-7631.22万元，公司经营活动现金流量净额与净利润存在偏离，主要由于订单增长以及发出商品验收周期较长，从而导致存货规模增加，且预收款项不足以完全覆盖公司为订单生产所支付的全部成本和费用。从短期看，公司流动性风险较小，但从中长期看，若经营性现金流持续不佳，可能对公司业务发展造成较大不利影响。
（六）税收优惠政策变化的风险
公司为高新技术企业，自2019年起的三年内执行15%的企业所得税税率。
另外，根据国务院《关于印发进一步鼓励软件企业和集成电路产业发展若干政
1-1-33江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）策的通知》（国发[2011]4号）和财政部、国家税务总局《关于软件产品增值税政策的通知》（财税[2011]100号）的规定，公司销售设备所匹配的嵌入式软件产品享受增值税即征即退的优惠政策。
根据《中华人民共和国企业所得税法》及其实施条例，财政部、国家税务总局和科学技术部印发的《关于完善研究开发费用税前加计扣除政策的通知》（财税[2015]119号）、《关于提高研究开发费用税前加计扣除比例的通知》（财税[2018]99号），财政部和国家税务总局印发的《关于进一步完善研发费用税前加计扣除政策的公告》（财税[2021]13号）等规定，公司在2019年度、2020年度享受研发费用加计扣除75%的所得税优惠，在2021年度享受研究开发费用加计扣除100%的所得税优惠。
报告期内，公司各期税收优惠金额分别为900.66万元、2640.85万元、
2201.04万元，占利润总额比重分别为14.69%、43.61%、54.23%。如果相关税
收优惠政策取消、优惠力度下降，或者公司不再满足享受前述税收优惠的条件，将对公司的经营业绩产生不利影响。
（七）研发投入未能有效转化的风险
报告期内，公司研发费用分别为3109.05万元、5373.47万元、9704.00万元。随着在光伏领域持续投入以及半导体领域产业化不断推进，公司研发人员以及研发项目投入增加，导致研发费用呈持续上升趋势。若研发费用持续增加，但研发投入未能有效实现成果转化，将对公司的经营业绩产生不利影响。
（八）设备改造业务收入下滑的风险
报告期内，公司设备改造业务收入分别为21.12万元、224.42万元、
12253.63万元，占主营业务收入的比例分别为0.10%、0.72%、28.66%，销售
收入及其占比有所提升。公司设备改造业务收入变动主要与市场电池片尺寸变化趋势、公司新工艺开发及应用情况等因素相关，若未来上述因素的变化情况对下游客户设备改造需求产生重大不利影响，公司设备改造业务收入将会面临下降的风险，从而影响公司的经营业绩。
四、内控风险
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（一）实际控制人不当控制的风险
王燕清、倪亚兰、王磊组成的家族通过万海盈投资、聚海盈管理、德厚盈
投资间接控制公司67.34%股份，王燕清、倪亚兰、王磊系公司的实际控制人。
公司股权的集中度较高，如果实际控制人利用其持股优势对公司发展战略、经营决策、人事安排、利润分配和对外投资等重大事项进行非正常干预或控制，则可能损害公司及公司中小股东的利益。
（二）公司管理风险
随着本次募集资金的运用和公司经营规模的迅速增长，公司的生产规模、产品结构和涉及的市场领域都将发生较大变化，公司的管理水平在机制建立、战略规划、组织设计、运营管理、资金管理和内部控制等方面将面临较大的挑战。如果后续公司的管理水平无法匹配或适应公司的发展速度及规模，可能会对公司的经营产生不利影响。
五、法律风险
（一）专利侵权诉讼的相关风险
2019 年 5 月 9 日，NCD 株式会社以公司生产销售的“Al2O3原子层沉积设备-夸父系列原子层沉积镀膜系统”落入其 ZL201110434373.6 号发明专利“用于薄膜沉积的方法和系统”的保护范围为由向江苏省苏州市中级人民法院提起诉讼。2020年5月6日，江苏省苏州市中级人民法院出具了《民事判决书》
（（2019）苏 05 知初 339 号），该判决书驳回了 NCD 株式会社的诉讼请求。
2020 年 5 月 29 日，NCD 株式会社向最高人民法院提起上诉，请求撤销江
苏省苏州市中级人民法院（2019）苏05知初339号民事判决，并发回重审。
2020年8月3日，最高人民法院出具了《中华人民共和国最高人民法院上诉案件应诉通知书》《中华人民共和国最高人民法院举证通知书》，通知发行人应诉并告知举证期限。截至本招股说明书签署日，该案二审正在审理中。
若公司最终败诉，或者未来如果 NCD 株式会社扩大专利侵权诉讼的范围或提出更多的赔偿要求，有可能对公司的收入和利润产生不利影响。
1-1-35江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
（二）知识产权争议风险
公司 ALD 设备目前主要应用于光伏领域，未来扩大在半导体设备行业的应用。半导体设备行业是典型的技术密集型行业，为了保持技术优势和竞争力，防止技术外泄风险，已掌握先进技术的半导体设备企业通常会通过申请专利等方式设置较高的进入壁垒。未来随着公司业务的发展，一方面存在竞争对手主张公司侵犯其知识产权权利或申请公司专利无效的情形，另一方面也存在公司的知识产权被侵权的可能。上述原因均可能导致公司产生知识产权纠纷，对公司的正常经营活动产生不利影响。
（三）产品质量控制风险
公司产品所涉及的技术工艺较为复杂，产品性能指标与原材料对工艺的匹配程度息息相关，若选择的原材料不能匹配特定工艺，将会对产品的质量产生不利影响；同时，下游客户对产品的定制化程度较高，创新设计内容较多，对设备质量有着严苛的要求，公司不能排除因某种不确定或不可控因素导致产品出现质量问题，从而给公司带来法律、声誉及经济方面的风险。
六、其他风险
（一）募集资金使用风险
1、募投项目实施的风险
本次发行募集资金拟投资项目的可行性分析系基于当前较为良好的市场环
境及公司充足的技术储备，在市场需求、技术发展、市场价格、原材料供应等方面未发生重大不利变化的假设前提下作出的。若在项目实施过程中，外部环境出现重大变化，将导致募投项目不能如期实施，或实施效果与预期值产生偏离的风险。
2、募投项目新增产能的消化风险
本次募投项目达产后，公司将新增年产 120 台光伏、柔性电子领域的 ALD设备，以及年产 40 套半导体领域 ALD 设备的生产规模。上述新增生产规模结合了公司对光伏、半导体、柔性电子领域市场开拓情况的预估，如果公司下游市场增长或公司市场开拓未及预期，将有可能导致部分生产与检测设备闲置、
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人员冗余，无法充分发挥全部生产能力，增加费用负担，从而影响公司的经营业绩。
3、募投项目新增折旧和摊销影响公司盈利能力的风险
根据募集资金使用计划，本次募集资金投资项目建成后，资产规模将大幅增加，导致各年折旧和摊销费用相应增加。募投项目建成达产后，公司每年将新增固定资产折旧3878.13万元，新增无形资产和其他资产摊销169.44万元，年新增折旧摊销额合计4047.57万元，占2021年度公司营业收入的9.46%；年新增折旧摊销对净利润影响3440.43万元，占2021年度净利润的74.61%。因此，若募集资金投资项目不能较快产生效益以弥补新增固定资产投资带来的折旧和无形资产产生的摊销，则募投项目的投资建设将在一定程度上影响公司未来的净利润和净资产收益率。
（二）整体变更时存在未弥补亏损的风险
以2019年10月31日为审计基准日整体变更为股份公司时，公司的未分配利润为-486.14万元，存在未弥补亏损。微导有限成立于2015年12月25日，成立时间相对较短，研发投入大、研发周期长、研发不确定性较高。因此，公司成立初期阶段，未分配利润持续为负。随着公司产品推向市场实现销售，且实现的利润规模已覆盖整体变更时存在的未弥补亏损，未弥补亏损的情形已经消除。
（三）生产经营场所租赁风险
公司目前的生产经营场所均通过租赁方式取得，且不存在短期内租赁期限即将到期的情形，但不排除未来出现租赁合同无法继续履行、到期无法续租的情况，若出现该等情形，公司需要租赁或新建厂房并进行搬迁，可能给公司的生产经营、财务状况造成一定的不利影响。
（四）对赌协议的风险
2019年12月，上海君联晟灏、江阴毅达、无锡毓立、中小企业发展基金、北京君联晟源、江苏人才四期、无锡新通（SS）、上海亿钏与发行人、发行人
实际控制人王燕清、倪亚兰、王磊以及原股东 LI WEI MIN、LI XIANG、胡彬、
1-1-37江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）潘景伟、万海盈投资、聚海盈管理、德厚盈投资签署《关于江苏微导纳米科技股份有限公司的增资协议》《江苏微导纳米科技股份有限公司的股东协议》，协议中约定了关于上述新增机构股东的特殊权利条款。2020年5月、2021年11月，各方分别签署了《江苏微导纳米科技股份有限公司的股东协议之补充协议》《江苏微导纳米科技股份有限公司的股东协议之补充协议二》，约定上述新增机构股东放弃相关特殊权利条款但附有在发行人未能在约定时间内实现合格 IPO的自动恢复条款。
如果发生特殊权利条款恢复效力的情况，公司实际控制人的回购义务将触发，现有股东持股比例可能发生一定变化。
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第五节发行人基本情况
一、基本情况注册中文名称江苏微导纳米科技股份有限公司
注册英文名称 Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co. Ltd.注册资本40900.9823万元法定代表人王磊微导有限成立日期2015年12月25日整体变更设立日期2019年12月10日无锡市新吴区漓江路11号（经营场所：无锡市新吴区新硕路住所
9-6号厂房）
邮政编码214000
联系电话0510-81975986
传真号码0510-81163648
互联网网址 www.leadmicro.com
电子信箱 wen.long@leadmicro.com信息披露及投资者关系部门证券部负责人龙文
电话号码0510-81975986
二、发行人的设立及股本和股东的变化情况
（一）发行人的设立
1、有限公司设立情况2015年12月11日，王燕清、潘景伟、胡彬、刘兵武共同签署《江苏微导纳米装备科技有限公司公司章程》，约定微导有限注册资本为2000.00万元，王燕清、潘景伟、胡彬、刘兵武分别认缴出资1735.40万元、147.00万元、88.20
万元、29.40万元，均为货币出资。
2015年12月25日，微导有限取得了无锡工商行政管理局新区分局核发的《营业执照》。微导有限设立时的股权结构如下：
单位：万元
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序号股东名称认缴出资额实缴出资额认缴比例
1王燕清1735.40-86.77%
2潘景伟147.00-7.35%
3胡彬88.20-4.41%
4刘兵武29.40-1.47%
合计2000.00-100.00%
2、股份公司设立情况
2019年12月3日，微导有限董事会通过决议，同意微导有限以2019年10月31日为基准日，将经天职国际审计的净资产59597806.03元按照1:0.7551的比例折合成股份公司股本4500万元，每股面值1元，共计4500万股，其余部分14597806.03元计入股份公司资本公积。同日，微导纳米的发起人股东签署《江苏微导纳米科技股份有限公司发起人协议》。
2019年12月5日，微导纳米全体发起人召开股份公司创立大会暨2019年第一次临时股东大会，审议通过了《关于江苏微导纳米装备科技有限公司以账面净资产折股整体变更为股份公司的议案》等议案。
2019年12月5日，天职国际出具了《江苏微导纳米科技股份有限公司验资报告》（天职业字[2019]37647号），经审验，截至2019年12月5日，公司已收到全体股东以其拥有的微导有限净资产折合的实收资本4500万元，余额
14597806.03元计入资本公积。
2019年12月10日，微导纳米取得了无锡市市场监督管理局核发的《营业执照》。2019年12月20日，微导纳米取得无锡市高新区（新吴区）商务局出具的《外商投资企业变更备案回执》（锡高管商资备201900507）。
整体变更完成后，微导纳米的股东及其出资情况如下：
单位：万股序号股东名称持股数量持股比例出资方式
1万海盈投资2907.270364.60%净资产折股
2 LI WEI MIN 535.3963 11.90% 净资产折股
3聚海盈管理472.479410.50%净资产折股
1-1-40江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号股东名称持股数量持股比例出资方式
4 LI XIANG 251.9808 5.60% 净资产折股
5胡彬157.42513.50%净资产折股
6潘景伟112.42502.50%净资产折股
7德厚盈投资63.02311.40%净资产折股
合计4500.0000100.00%-
3、整体变更时存在的未弥补亏损情况
以2019年10月31日为审计基准日整体变更为股份公司时，公司的未分配利润为-486.14万元，存在未弥补亏损。
（1）基准日未分配利润为负的形成原因
2019年12月2日，天职国际出具天职业字[2019]37204号《审计报告》，确
认截至股改基准日2019年10月31日，微导有限的账面净资产值为5959.78万元，实收资本4202.00万元，资本公积2243.92万元，未分配利润为-486.14万元。未分配利润为负的主要原因是公司前期经营规模较小，设立初期将主要资金投入 ALD 应用技术研发、人才引进，研发费用等相关费用较高，且受当时ALD 设备市场尚不成熟、市场规模较小、公司 ALD 设备产品验收周期长等因素影响，销售收入不能覆盖同期发生的研发、生产、人力等较大的成本费用支出。
（2）整体变更后的变化情况和发展趋势
随着公司 ALD 设备技术不断成熟，下游市场规模不断扩大，公司 ALD 设备在光伏领域不断突破，取得丰富的研发成果，相关产品陆续推向市场，技术水平和产品质量得到市场认可，公司盈利规模不断提升。
报告期内公司的财务经营状况和发展趋势如下：
2021年12月31日2020年12月31日2019年12月31日
主要财务指标
/2021年度/2020年度/2019年度
营业收入（万元）42791.7131255.4121581.56
净利润（万元）4611.375701.445455.11
未分配利润（万元）10862.406712.171608.82
1-1-41江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
公司未分配利润为负的情形已消除，与报告期内盈利水平的变动相匹配，对公司的业务发展和未来盈利能力不构成不利影响。
（3）整体变更的具体方案及相应的会计处理
2019年12月3日，微导有限董事会通过决议，同意微导有限以2019年10月31日为基准日，将经天职国际审计的净资产59597806.03元按照1:0.7551的比例折合成股份公司股本4500万元，每股面值1元，共计4500万股，其余部分1459.78万元计入股份公司资本公积。同日，微导纳米的发起人股东签署《江苏微导纳米科技股份有限公司发起人协议》，微导有限原全体股东作为发起人，按各自出资比例持有股份公司相应数额的股份。
相应的会计处理如下：
单位：万元
借：实收资本4202.00
资本公积2243.92
未分配利润-486.14
贷：股本4500.00
资本公积——股本溢价1459.78
随着光伏、半导体市场需求的快速增长，以及公司市场竞争力的不断增强，公司的持续经营能力也在不断提高，具体分析详见招股说明书“第八节财务会计信息与管理层分析”之“十二、偿债能力、流动性与持续经营能力分析”之
“（八）持续经营能力分析”相关内容。
（二）报告期内的股本和股东变化情况
1、报告期初公司股权结构
报告期初，微导有限的股东及其出资情况如下：
单位：万元序号股东名称认缴出资额实缴出资额出资比例出资方式
1万海盈投资2672.72442672.724463.60%货币
441.1765441.176510.50%技术
2 LI WEI MIN
58.764758.76471.40%货币
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序号股东名称认缴出资额实缴出资额出资比例出资方式
352.9412352.94128.40%技术
3聚海盈管理
88.249688.24962.10%货币
147.0588147.05883.50%技术
4 LI XIANG
88.235388.23532.10%货币
5胡彬147.0000147.00003.50%货币
6潘景伟147.0000147.00003.50%货币
7德厚盈投资58.849658.84961.40%货币
合计4202.00004202.0000100.00%-
2、2019年6月，股权转让
2019年6月20日，微导有限董事会通过决议，同意潘景伟将其持有的微导
有限1.00%的股权（认缴出资额42.02万元，实缴出资额42.02万元）以42.02万元的价格转让给万海盈投资。同日，潘景伟与万海盈投资签署《股权转让协议》。
此次股权转让完成后，微导有限的股东及其出资情况如下：
单位：万元序号股东名称认缴出资额实缴出资额出资比例出资方式
1万海盈投资2714.74442714.744464.60%货币
441.1765441.176510.50%技术
2 LI WEI MIN
58.764758.76471.40%货币
352.9412352.94128.40%技术
3聚海盈管理
88.249688.24962.10%货币
147.0588147.05883.50%技术
4 LI XIANG
88.235388.23532.10%货币
5胡彬147.0000147.00003.50%货币
6潘景伟104.9800104.98002.50%货币
7德厚盈投资58.849658.84961.40%货币
合计4202.00004202.0000100.00%-
3、2019年10月，以货币资金补正无形资产出资
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因聚海盈管理用于出资的专利技术相关技术发明人在研发过程中存在利用
微导纳米资源的可能性，同期以专利技术出资的还有 LI WEI MIN、LI XIANG。
为夯实公司注册资本，2019年10月28日，微导有限董事会通过决议，同意由由聚海盈管理以货币资金补正其以无形资产出资资本金352.9412万元，王燕清以货币资金补正股东 LI WEI MIN 及 LI XIANG 无形资产出资资本金合计
588.2353万元。同日，微导有限全体股东出具声明，一致同意并确认上述出资完成后，微导有限各股东出资额及其出资比例保持不变；微导有限全体股东对截至声明出具日的各股东出资额及出资比例均无异议，不存在股权纠纷或潜在纠纷及争议；微导有限的注册资本、实收资本保持不变；LI WEI MIN、LI
XIANG 以及聚海盈管理用于出资的相关专利技术产权仍归微导有限所有，相关专利技术产权不存在纠纷或潜在纠纷及争议。
2019年11月27日，天职国际出具了《江苏微导纳米装备科技有限公司验资报告》（天职业字[2019]37475号），经审验，截至2019年10月30日，微导有限已收到王燕清与聚海盈管理以货币缴纳的补正无形资产出资资本金合计
941.1765万元。该等补正出资金额全部计入资本公积。
4、2019年12月，微导有限整体变更为股份有限公司
详见本节之“二、发行人的设立及股本和股东的变化情况”之“（一）发行人的设立”之“2、股份公司设立情况”。
5、2019年12月，股改后第一次增资
2019年12月20日，微导纳米通过2019年第二次临时股东大会决议，同意
微导纳米注册资本增加246.3158万元，由上海君联晟灏、北京君联晟源、江阴毅达、中小企业发展基金、江苏人才四期、无锡毓立、无锡新通（为国有股东，标注“SS”）、上海亿钏以货币方式出资，增资后的注册资本为 4746.3158 万元。
此次增资价格为每股63.33元，合计增资15600.0000万元，其中246.3158万元计入注册资本、15353.6842万元计入资本公积。王燕清、倪亚兰、王磊、微导纳米及公司原股东分别与上述新增股东签署了增资协议及股东协议。
此次增资完成后，微导纳米的股东及其出资情况如下：
单位：万股
1-1-44江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号股东名称持股数量持股比例
1万海盈投资2907.270361.25%
2 LI WEI MIN 535.3963 11.28%
3聚海盈管理472.47949.95%
4 LI XIANG 251.9808 5.31%
5胡彬157.42513.32%
6潘景伟112.42502.37%
7德厚盈投资63.02311.33%
8上海君联晟灏52.63161.11%
9江阴毅达47.36841.00%
10无锡毓立47.36841.00%
11中小企业发展基金31.57890.67%
12北京君联晟源26.31580.55%
13江苏人才四期15.78950.33%
14 无锡新通（SS） 15.7895 0.33%
15上海亿钏9.47370.20%
合计4746.3158100.00%
6、2020年12月，股改后第二次增资
2020年12月24日，微导纳米通过2020年第三次临时股东大会决议，同意
微导纳米注册资本增加237.4746万元，由冯源绘芯、锦润博纳、聚隆景润、问鼎投资、瑞庭投资以货币方式出资，增资后的注册资本为4983.7904万元。此次增资价格为每股147.48元，合计增资35023.4209万元，其中237.4746万元计入注册资本、34785.9463万元计入资本公积。微导纳米分别与上述新增股东签署了股份认购协议。
此次增资完成后，微导纳米的股东及其出资情况如下：
单位：万股序号股东名称持股数量持股比例
1万海盈投资2907.270358.33%
2 LI WEI MIN 535.3963 10.74%
1-1-45江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号股东名称持股数量持股比例
3聚海盈管理472.47949.48%
4 LI XIANG 251.9808 5.06%
5胡彬157.42513.16%
6潘景伟112.42502.26%
7问鼎投资81.36541.63%
8瑞庭投资67.80461.36%
9德厚盈投资63.02311.26%
10上海君联晟灏52.63161.06%
11江阴毅达47.36840.95%
12无锡毓立47.36840.95%
13锦润博纳33.90230.68%
14聚隆景润33.90230.68%
15中小企业发展基金31.57890.63%
16北京君联晟源26.31580.53%
17冯源绘芯20.50000.41%
18江苏人才四期15.78950.32%
19 无锡新通（SS） 15.7895 0.32%
20上海亿钏9.47370.19%
合计4983.7904100.00%
7、2021年1月，股改后第一次股权转让
2021年1月19日，瑞庭投资与瑞华投资签署《股份转让协议》，约定瑞庭
投资将其持有的67.8046万股股份（占公司股份总额1.3605%）按每股人民币
147.48元的价格转让至瑞华投资，转让价款合计100000195元。瑞庭投资与瑞
华投资均为曾毓群所实际控制的企业，本次股份转让原因系同一控制下企业之间的投资结构调整，转让价格根据瑞庭投资入股价格确定。
此次股权转让完成后，微导纳米的股东及其出资情况如下：
单位：万股序号股东名称持股数量持股比例
1-1-46江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号股东名称持股数量持股比例
1万海盈投资2907.270358.33%
2 LI WEI MIN 535.3963 10.74%
3聚海盈管理472.47949.48%
4 LI XIANG 251.9808 5.06%
5胡彬157.42513.16%
6潘景伟112.42502.26%
7问鼎投资81.36541.63%
8瑞华投资67.80461.36%
9德厚盈投资63.02311.26%
10上海君联晟灏52.63161.06%
11江阴毅达47.36840.95%
12无锡毓立47.36840.95%
13锦润博纳33.90230.68%
14聚隆景润33.90230.68%
15中小企业发展基金31.57890.63%
16北京君联晟源26.31580.53%
17冯源绘芯20.50000.41%
18江苏人才四期15.78950.32%
19 无锡新通（SS） 15.7895 0.32%
20上海亿钏9.47370.19%
合计4983.7904100.00%
8、2021年6月，股改后第三次增资
2021年6月15日，微导纳米召开2021年第二次临时股东大会，同意公司
进行资本公积转增股本，以现有股份总数4983.7904万股为基数，以资本公积
19935.1616万元向全体股东每10股转增40股，共计转增19935.1616万股，资
本公积转增股本后公司股本总额为24918.952万股，注册资本为24918.952万元。
此次资本公积转增股本完成后，微导纳米股东及其持股情况如下：
1-1-47江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
单位：万股序号股东名称持股数量持股比例
1万海盈投资14536.351558.33%
2 LI WEI MIN 2676.9815 10.74%
3聚海盈管理2362.39709.48%
4 LI XIANG 1259.9040 5.06%
5胡彬787.12553.16%
6潘景伟562.12502.26%
7问鼎投资406.82701.63%
8瑞华投资339.02301.36%
9德厚盈投资315.11551.26%
10上海君联晟灏263.15801.06%
11江阴毅达236.84200.95%
12无锡毓立236.84200.95%
13锦润博纳169.51150.68%
14聚隆景润169.51150.68%
15中小企业发展基金157.89450.63%
16北京君联晟源131.57900.53%
17冯源绘芯102.50000.41%
18江苏人才四期78.94750.32%
19 无锡新通（SS） 78.9475 0.32%
20上海亿钏47.36850.19%
合计24918.9520100.00%
9、2021年9月，股改后第四次增资
2021年9月24日，微导纳米通过2021年第三次临时股东大会决议，同意
微导纳米以现有股份总数24918.952万股为基数，以资本公积14951.3712万元向全体股东每10股转增6股，共计转增14951.3712万股，本次资本公积转增股本后公司股本总额为39870.3232万股，注册资本为39870.3232万元。
同时，在资本公积转增后的股本总额上，增加注册资本1030.6591万元，
1-1-48江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
由无锡新动能、中芯聚源绍兴基金、疌泉荣芯、高瓴航恒、高瓴裕润以货币方
式认缴出资，增资后的注册资本为40900.9823万元。此次增资价格为每股
18.4348元，合计增资19000.00万元，其中1030.6591万元计入注册资本、
17969.3409万元计入资本公积。
此次增资完成后，微导纳米股东及其持股情况如下：
单位：万股序号股东名称股份数额持股比例
1万海盈投资23258.162456.86%
2 LI WEI MIN 4283.1704 10.47%
3聚海盈管理3779.83529.24%
4 LI XIANG 2015.8464 4.93%
5胡彬1259.40083.08%
6潘景伟899.40002.20%
7问鼎投资650.92321.59%
8中芯聚源绍兴基金542.45231.33%
9瑞华投资542.43681.33%
10德厚盈投资504.18481.23%
11上海君联晟灏421.05281.03%
12江阴毅达378.94720.93%
13无锡毓立378.94720.93%
14锦润博纳271.21840.66%
15聚隆景润271.21840.66%
16中小企业发展基金252.63120.62%
17北京君联晟源210.52640.51%
18冯源绘芯164.00000.40%
19高瓴航恒135.61300.33%
20高瓴裕润135.61300.33%
21江苏人才四期126.31600.31%
22 无锡新通（SS） 126.3160 0.31%
1-1-49江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号股东名称股份数额持股比例
23无锡新动能108.49040.27%
24疌泉荣芯108.49040.27%
25上海亿钏75.78960.19%
合计40900.9823100.00%
（三）报告期内的重大资产重组情况
报告期内，公司未发生重大资产重组行为。
三、发行人的股权结构
截至本招股说明书签署日，公司的股权结构图如下：
四、发行人控股子公司、参股公司及分公司的简要情况
截至本招股说明书签署日，公司不存在控股子公司及分公司，参股公司1家。参股公司具体情况如下：
名称芯链融创集成电路产业发展（北京）有限公司成立日期2020年8月27日
1-1-50江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
注册地 北京市北京经济技术开发区荣华中路 19 号院 1 号楼 B 座 3 层 312 室注册资本10000万元人民币法定代表人康劲
与集成电路、半导体技术有关的技术开发、技术服务、技术转让、技术咨询、技术检测；产品设计；设备租赁。（市场主体依法自主选择经营项目，经营范围开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）发行人持有芯链融创4.00%股权，其他包括中巨芯科技股份有限公司、上海新阳半导体材料股份有限公司、安集微电子科技（上海）股份有限公司等股权结构
23家主体各持有芯链融创4.00%股权，北京京仪自动化装备技术股份有限
公司持有3.7%股权，中关村芯链集成电路制造产业联盟持有0.3%股权。
五、持有发行人5%以上股份的主要股东及实际控制人的基本情况
（一）控股股东和实际控制人
1、发行人控股股东
万海盈投资直接持有公司23258.1624万股股份，占公司总股本的比例为
56.86%，为公司控股股东。万海盈投资基本情况如下：
名称无锡万海盈投资合伙企业（有限合伙）住所无锡市新吴区行创四路7号企业类型有限合伙企业
认缴出资额13190.9209万元
实缴出资额12715.9209万元
统一社会信用代码 91320214MA1W4B4N3A执行事务合伙人王磊成立日期2018年2月14日合伙期限2018年2月14日至2068年2月14日利用自有资产对外投资。（依法须经批准的项目，经相关部门经营范围批准后方可开展经营活动）
主营业务实业投资、投资控股
截至本招股说明书签署日，万海盈投资的出资结构如下：
单位：万元
1-1-51江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号合伙人姓名认缴出资额出资比例合伙人类型
1王磊10552.736780.00%普通合伙人
2倪亚兰2638.184220.00%有限合伙人
合计13190.9209100.00%-
根据天职国际出具的《无锡万海盈投资合伙企业（有限合伙）审计报告》（天职业字[2022]15235号），截至2021年12月31日，万海盈投资单体的总资产为12715.10万元，净资产为12714.10万元；2021年度万海盈投资单体实现营业收入0元，净利润为-0.02万元。
2、发行人实际控制人
王燕清、倪亚兰、王磊组成的家族通过万海盈投资、聚海盈管理、德厚盈
投资间接控制公司67.34%的股份，同时王磊担任公司董事长、倪亚兰担任公司董事。王燕清、倪亚兰系夫妻关系，王磊系王燕清、倪亚兰之子，王燕清、倪亚兰、王磊系公司的实际控制人。
万海盈投资、聚海盈管理、德厚盈投资分别持有公司56.86%、9.24%、
1.23%的股份。王磊系万海盈投资的普通合伙人，持有万海盈投资80.00%的财
产份额；王磊系聚海盈管理的普通合伙人，持有聚海盈管理74.28%的财产份额；
王燕清系德厚盈投资的普通合伙人，持有德厚盈投资21.00%的财产份额；同时倪亚兰系万海盈投资的有限合伙人，持有万海盈投资20.00%的财产份额；王磊系德厚盈投资的有限合伙人，持有德厚盈投资79.00%的财产份额。
王燕清先生，1966年4月出生，中国国籍，无境外永久居留权，住所为江苏省无锡市新区****，身份证号为32022219660407****，毕业于常州无线电工业学校模具设计与制造专业。其主要任职经历为：1986年至1999年任无锡县无线电二厂设备助理工程师；2000年创立无锡先导电容器设备厂（后改名为“常州煜玺创业投资合伙企业（有限合伙）”）；2002年设立无锡先导自动化设
备有限公司（后改名为“无锡先导智能装备股份有限公司”），任董事长、总经理；2011年12月至今任先导智能董事长、总经理。
倪亚兰女士，1970年11月出生，中国国籍，无境外永久居留权，初中学历，住所为江苏省无锡市新区****，身份证号为32022219701107****。其主要
1-1-52江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
任职经历为：2002年至2011年11月，担任无锡先导自动化设备有限公司总经理办公室助理；2011年5月至2016年1月，担任无锡嘉鼎投资有限公司（上海卓遨前身）总经理；2016年1月至2020年12月，担任上海卓遨执行事务合伙人；2012年2月至今，担任欣导投资总经理；2015年12月至2019年12月，担任微导有限董事；2017年12月至2019年12月，担任微导有限总经理；2019年12月至今，担任公司董事。
王磊先生，1993年11月出生，中国国籍，无境外永久居留权，住所为江苏省无锡市新区****，身份证号为32028319931112****，本科学历，毕业于新泽西州立大学计算机和数学专业。其主要任职经历为：2017年6月至2017年9月就职于喜开理（中国）有限公司；2017年9月至2018年2月就职于恒云太；
2018年2月至今任先导智能董事；2018年10月至2019年12月，担任微导有
限董事长；2019年12月至今，担任公司董事长。
3、发行人控股股东、实际控制人的一致行动人
聚海盈管理的普通合伙人为王磊，王磊持有聚海盈管理74.28%的财产份额；
德厚盈投资的普通合伙人为王燕清，王燕清、王磊分别持有德厚盈投资的
21.00%、79.00%的财产份额。聚海盈管理、德厚盈投资为公司控股股东、实际
控制人的一致行动人。
（二）控股股东和实际控制人控制的其他企业的基本情况
1、发行人控股股东控制的其他企业的基本情况
除本公司外，公司控股股东万海盈投资持有天芯微67.33%股权，倪亚兰担任天芯微董事长兼总经理、王磊担任天芯微董事。
天芯微成立于2019年8月，从事硅外延设备的研发、生产和销售，目前处于研发阶段。
2、发行人实际控制人控制的其他企业的基本情况
公司的实际控制人为王燕清、倪亚兰、王磊，除本公司、本公司控股股东及其控制的企业外，实际控制人控制的其他企业情况如下：
序号关联方名称控制情况主营业务
1-1-53江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号关联方名称控制情况主营业务
王磊持有74.28%的财产份额并担任执行事
1聚海盈管理投资持股企业
务合伙人
王燕清持有21%的财产份额并担任执行事务
2德厚盈投资投资持股企业合伙人，王磊持有79%的财产份额王燕清为实际控制人并担任董事长兼总经
锂电、光伏和 3C 电理，王磊担任董事；截至2022年6月30子等领域的自动化
3先导智能日，欣导投资、上海卓遨及常州煜玺创业投
设备研发、生产和
资合伙企业（有限合伙）合计控制31.82%销售。
的股份
未实际经营，拟从事总装产线、焊装
江苏安导智能装先导智能持有100%的股权，王燕清担任执
4产线、模组和
备有限公司行董事兼总经理
PACK 产线设备的
研发、制造
未实际经营，拟从无锡光导精密科先导智能持有100%的股权，王燕清担任执事激光智能设备、
5
技有限公司行董事兼总经理激光器及其部件的
研发、制造
未实际经营，拟从事视觉测量、通用
江苏立导科技有先导智能持有100%的股权，王燕清担任执
6组装、智能检测、限公司行董事兼总经理
3D 点胶等设备的研
发、制造
未实际经营，拟从江苏氢导智能装先导智能持有100%的股权，王燕清担任执
7事燃料电池整线设
备有限公司行董事兼总经理
备研发、制造
上海先导慧能技未实际经营，拟从
8先导智能持有100%的股权
术有限公司事技术服务
LEAD主要负责先导智能
INTELLIGENT
9先导智能持有100%的股权产品在美国的售后
EQUIPMENT（USA）LLC 服务
LEAD
INTELLIGENT
10 EQUIPMENT 先导智能持有 100%的股权 投资持股企业
（EUROPE）
B.V.LEAD
INTELLIGENT 主要负责先导智能
LEAD INTELLIGENT EQUIPMENT
11 EQUIPMENT 产品在欧洲的售后
（EUROPEAN）B.V.持有 100%的股权（SWEDEN） 服务
AB
LEAD
INTELLIGENT 主要负责先导智能
LEAD INTELLIGENT EQUIPMENT
12 EQUIPMENT 产品在欧洲的售后
（EUROPEAN）B.V.持有 100%的股权
（DEUTSCHLA 服务ND）GMBH主要从事能量回收
先导智能持有100%的股权，王燕清担任执
13泰坦新动力型化成、分容、分
行董事兼经理选等锂电池后端自
1-1-54江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号关联方名称控制情况主营业务动化生产线装备
未实际经营，拟从珠海先导新动力泰坦新动力持有100%的股权，王燕清担任事研发、制造、销
14
电子有限公司执行董事兼经理售锂电池化成、分容及整线设备等
未实际经营，拟从广东贝导智能科泰坦新动力持有100%的股权，王燕清担任
15事智能物流、仓储
技有限公司执行董事兼经理设备
未实际经营，拟从江苏先导汇能技先导智能持有100%的股权，王燕清担任董事研发制造电子设
16
术研究有限公司事长兼总经理备整机装配专用设备
江苏先导汇能技术研究有限公司持有51%的无锡先导先进技
财产份额并担任执行事务合伙人，常州海拓未实际经营，拟从
17术研发合伙企业
创业投资合伙企业（有限合伙）持有49%的事技术研发（有限合伙）财产份额珠海横琴先导智
先导智能持有100%的股权，王燕清担任执
18能企业管理有限投资持股企业
行董事兼经理公司
未实际经营，拟从海南先导智创技先导智能持有100%的股权，王燕清担任执
19事软件开发相关的
术咨询有限公司行董事兼总经理，倪亚兰担任监事技术咨询
王燕清持有40%的股权，王磊持有30%的股先导控股有限公
20权，倪亚兰持有30%的股权，倪亚兰担任执投资持股企业
司行董事兼总经理
上海弘导科技有先导控股有限公司持有100%的股权，王磊
21投资持股企业
限公司担任执行董事，倪亚兰担任总经理江苏元夫半导体先导控股有限公司持有100%的股权，王燕
22暂未开展业务
科技有限公司清担任执行董事兼总经理江苏元夫半导体
江苏元夫半导体科技有限公司持有100%的
23科技（日本）有暂未开展业务
股权限公司
珠海横琴先发企先导控股有限公司持股100%，倪亚兰担任
24投资持股企业
业管理有限公司执行董事兼经理
珠海荣导控股有先导控股有限公司持股100%，倪亚兰担任
25投资持股企业
限公司执行董事兼经理
无锡卓纳企业管先导控股有限公司持有99%的股权，倪亚兰
26投资持股企业
理有限公司持有1%的股权并担任执行董事兼总经理无锡芯迈管理咨
无锡卓纳企业管理有限公司持有20.33%的27询合伙企业（有投资持股企业财产份额并担任执行事务合伙人限合伙）
无锡鼎鸣管理咨无锡卓纳企业管理有限公司持有5%的财产28询合伙企业（有份额并担任执行事务合伙人，万海盈投资持投资持股企业限合伙）有95%的财产份额上海湛集商务咨先导控股有限公司担任执行事务合伙人并持29询合伙企业（有投资持股企业有80%的财产份额限合伙）
1-1-55江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号关联方名称控制情况主营业务
先导控股有限公司持有38.81%的股权，无锡展心管理咨询合伙企业（有限合伙）持有从事半导体外延设
30无锡先为22.10%的股权，上海雍溪企业管理合伙企业备的研发制造，目（有限合伙）持有21.25%的股权，王燕清前处于研发阶段担任执行董事兼总经理先为科技（日拟从事半导体外延
31无锡先为持股100%的股权
本）株式会社设备的研发常州先亚创业投先导控股有限公司担任执行事务合伙人并持32资合伙企业（有有10%的财产份额，倪亚兰持有90%的财产投资持股企业限合伙）份额常州海拓创业投先导控股有限公司担任执行事务合伙人并持33资合伙企业（有有10%的财产份额，常州先亚创业投资合伙投资持股企业限合伙）企业（有限合伙）持有90%的财产份额
江苏锂导创业投王燕清持股94%并担任执行董事，倪亚兰担
34投资持股企业
资有限公司任总经理
江苏锂导创业投资有限公司持有0.23%的财
产份额并担任执行事务合伙人，常州长导创业投资合伙企业（有限合伙）持有99.49%35欣导投资的财产份额，厦门磁导科技合伙企业（有限投资持股企业合伙）持有0.23%的财产份额，无锡创导企业管理合伙企业（有限合伙）持有0.06%的财产份额
欣导投资持有100%的股权，王燕清担任执
36开益禧投资持股企业
行董事、倪亚兰担任总经理从事物联网技术的
开益禧持有85%的股权，无锡汇海盈投资合研发和增值电信服
37恒云太伙企业（有限合伙）持有5%的股权，王燕务，主要提供数据清担任董事长，王磊、倪亚兰担任董事中心及云基础服务从事物联网技术的
江苏先云信息技恒云太持有100%的股权，倪亚兰担任执行研发和增值电信服
38
术有限公司董事兼总经理务，主要提供数据中心及云基础服务从事物联网技术的
欣导投资持有85%的股权，无锡汇海盈投资江苏同云盛信息研发和增值电信服
39合伙企业（有限合伙）持股5%，王燕清担
技术有限公司务，主要提供数据任董事长，王磊、倪亚兰担任董事中心及云基础服务常州长导创业投
江苏锂导创业投资有限公司持有0.01%的财40资合伙企业（有投资持股企业产份额并担任执行事务合伙人限合伙）
江苏锂导创业投资有限公司持有0.1%的财厦门磁导科技合
产份额并担任执行事务合伙人，常州长导创41伙企业（有限合投资持股企业业投资合伙企业（有限合伙）持有99.9%的
伙）财产份额
江苏锂导创业投资有限公司持有0.1%的财无锡创导企业管
产份额并担任执行事务合伙人，常州长导创42理合伙企业（有投资持股企业业投资合伙企业（有限合伙）持有99.9%的限合伙）财产份额
43扶绥至普投资有王燕清持股100%并担任执行董事兼总经投资持股企业
1-1-56江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号关联方名称控制情况主营业务
限公司理，倪亚兰担任监事扶绥至普投资有限公司持有0.04%的财产份常州煜玺创业投
额并担任执行事务合伙人，扶绥洛杰投资合44资合伙企业（有投资持股企业伙企业（有限合伙）持有99.96%的财产份限合伙）额
扶绥洛杰投资合王燕清持有99%的财产份额并担任执行事务45伙企业（有限合合伙人，扶绥至普投资有限公司持有1%的投资持股企业伙）财产份额上海皓长信息科
46王燕清持有100%的出资投资持股企业
技中心
无锡赤心管理咨上海鹊昂信息科技中心持有99.38%的财产47询合伙企业（有份额并担任执行事务合伙人，倪亚兰持有投资持股企业限合伙）0.62%的财产份额无锡汇海盈投资
王燕清持有80%的财产份额并担任执行事务48合伙企业（有限投资持股企业合伙人，王磊持有20%的财产份额合伙）无锡宝德宏投资
王燕清持有80%的财产份额并担任执行事务49合伙企业（有限投资持股企业合伙人，倪亚兰持有20%的财产份额合伙）
上海晟创科技有王燕清持有70%的股权并担任执行董事，倪
50投资持股企业
限公司亚兰持有30%的股权，王磊担任监事LEAD
INTELLIGENT
51上海晟创科技有限公司持有100%的股权投资持股企业
INTERNATIONA
L PTE. LTD.无锡协鼎管理咨
王燕清持有30.44%的财产份额并担任执行52询合伙企业（有投资持股企业事务合伙人限合伙）无锡同鼎管理咨
王燕清持有22.77%的财产份额并担任执行53询合伙企业（有投资持股企业事务合伙人限合伙）上海颢凌电子科
54倪亚兰持有100%的出资投资持股企业
技中心
倪亚兰持有20%的财产份额并担任执行事务合伙人，王磊持有15%的财产份额，珠海横
55上海寓馨琴先胜企业管理合伙企业（有限合伙）持有投资持股企业
15%财产份额，先导控股有限公司持有50%
的财产份额
倪亚兰持有40%的财产份额并担任执行事务上海雍溪企业管合伙人，王磊持有30%的财产份额珠海横56理合伙企业（有投资持股企业琴先胜企业管理合伙企业（有限合伙）持有限合伙）
30%财产份额
上海铱炜信息科
倪亚兰持有1.61%的财产份额并担任执行事57技中心（有限合投资持股企业务合伙人
伙）
上海铱炜信息科技中心（有限合伙）担任执
58上海卓遨行事务合伙人并持有16.94%的财产份额，投资持股企业
上海皓长信息科技中心持有70.56%的财产
1-1-57江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号关联方名称控制情况主营业务份额，上海颢凌电子科技中心持有0.44%的财产份额
无锡展心管理咨倪亚兰持有1%的财产份额并担任执行事务59询合伙企业（有合伙人，先导控股有限公司持有65.92%的投资持股企业限合伙）财产份额
上海灏鹰科技有王磊持股80%并担任执行董事，上海弘导科
60投资持股企业
限公司技有限公司持股20%
EAGLE VISION
INTELLIGENT
61上海灏鹰科技有限公司持有100%的股权投资持股企业
TECHNOLOGY
PTE. LTD.无锡芯创能科技
王磊持有80%的财产份额并担任执行事务合62合伙企业（有限投资持股企业伙人，倪亚兰持有20%的财产份额合伙）
无锡芯创投资管无锡芯创能科技合伙企业（有限合伙）持有
63投资持股企业
理有限公司60%的股权，王磊持有40%的股权无锡芯创投资管理有限公司持股1.24%并担无锡芯创智享股
任执行事务合伙人，上海寓馨持股
64权投资合伙企业投资持股企业
48.88%，先导控股有限公司持股47.38%，（有限合伙）
倪亚兰持股2.50%
无锡芯创一号创无锡芯创投资管理有限公司持股1%并担任
65业投资合伙企业执行事务合伙人，上海寓馨持股49%，先投资持股企业（有限合伙）导控股有限公司持股50%常州清雅创业投
倪亚兰持有10%的财产份额并担任执行事务66资合伙企业（有投资持股企业合伙人，王燕清持有90%的财产份额限合伙）珠海横琴先胜企
倪亚兰持有10%的财产份额并担任执行事务
67业管理合伙企业投资持股企业合伙人，王磊持有90%的财产份额（有限合伙）
（三）控股股东和实际控制人直接或间接持有发行人的股份是否存在质押或其他有争议的情况
截至本招股说明书签署日，控股股东万海盈投资和实际控制人直接或间接持有的公司股份不存在被质押或其他有争议的情况。
（四）持有发行人5%以上股份的股东
1、万海盈投资
万海盈投资的情况详见本招股说明书“第五节发行人基本情况”之“五、持有发行人5%以上股份的主要股东及实际控制人的基本情况”之“（一）控股股东和实际控制人”。
2、LI WEI MIN
1-1-58江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
LI WEI MIN 直接持有公司 4283.1704 万股股份，占公司总股本的比例为
10.47%。
LI WEI MIN，芬兰国籍，护照号为 FP295****，其简历详见本节之“七、发行人的董事、监事、高级管理人员及核心技术人员”之“（一）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简介”之“1、董事会成员”。
3、聚海盈管理
聚海盈管理直接持有公司3779.8352万股股份，占公司总股本的比例为
9.24%，系公司员工持股平台。其基本情况如下：
企业名称无锡聚海盈管理咨询合伙企业（有限合伙）住所无锡市行创四路7号
企业类型港、澳、台投资有限合伙企业
认缴出资额443.19075万元
统一社会信用代码 91320200MA1NDT2K6E执行事务合伙人王磊成立日期2017年2月16日合伙期限2017年2月16日至2067年2月15日
企业管理咨询（不含投资咨询）。（依法须经批准的项目，经经营范围相关部门批准后方可开展经营活动）
登记状态存续（在营、开业、在册）
截至本招股说明书签署日，聚海盈管理合伙人共计26名，具体情况如下：
单位：万元序合伙人认缴财产实缴财产出资出资出资来源合伙人性质号名称份额份额比例方式
1王磊329.2023329.202374.28%货币自有资金普通合伙人
自有资金及向
2赵昂璧29.560829.56086.67%货币有限合伙人
王磊个人借款自有资金及向
3左敏29.560829.56086.67%货币有限合伙人
王磊个人借款自有资金及向
4张鹤29.517329.51736.66%货币有限合伙人
王磊个人借款自有资金及向
5韩方虎5.89445.89441.33%货币有限合伙人
王磊个人借款
6吴兴华1.801.800.41%货币自有资金有限合伙人
1-1-59江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序合伙人认缴财产实缴财产出资出资出资来源合伙人性质号名称份额份额比例方式
7龙文1.511.510.34%货币自有资金有限合伙人
8许所昌1.501.500.34%货币自有资金有限合伙人
9俞潇莹1.201.200.27%货币自有资金有限合伙人
10张密超1.201.200.27%货币自有资金有限合伙人
11韩明新1.201.200.27%货币自有资金有限合伙人
12钱虎文1.001.000.23%货币自有资金有限合伙人
13张文章1.001.000.23%货币自有资金有限合伙人
14马锁1.001.000.23%货币自有资金有限合伙人
15陈佳男0.750.750.17%货币自有资金有限合伙人
16李鹏0.750.750.17%货币自有资金有限合伙人
17袁红霞0.750.750.17%货币自有资金有限合伙人
18王新征0.750.750.17%货币自有资金有限合伙人
19胡磊0.750.750.17%货币自有资金有限合伙人
20严大0.750.750.17%货币自有资金有限合伙人
21周芸福0.750.750.17%货币自有资金有限合伙人
22韩亚军0.630.630.14%货币自有资金有限合伙人
23李勇0.630.630.14%货币自有资金有限合伙人
24糜珂0.630.630.14%货币自有资金有限合伙人
25董曦0.630.630.14%货币自有资金有限合伙人
26方鑫0.2750.2750.06%货币自有资金有限合伙人
合计443.19075443.19075100.00%---
（1）人员离职后股份安排根据聚海盈管理全体合伙人签署的《无锡聚海盈管理咨询合伙企业（有限合伙）合伙协议之补充协议》（以下简称“《补充协议》”）：公司上市前，合伙人触发本合伙企业退伙机制的，除执行事务合伙人书面同意保留其所持本合伙企业的合伙份额外，该合伙人应以向执行事务合伙人或执行事务合伙人指定的任意第三人（若该第三人非为合伙企业的合伙人，则其他有限合伙人同意放弃优先权）出让合伙财产份额的方式完成退伙。
1-1-60江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
（2）股份锁定期安排
聚海盈管理、聚海盈管理有限合伙人龙文和俞潇莹、聚海盈管理有限合伙人许所昌和吴兴华及聚海盈管理其他全体合伙人的锁定期安排参见本招股说明
书“第十节投资者保护”之“五、承诺事项”之“（一）本次发行前股东所持
股份的限售安排、自愿锁定股份、延长锁定期限以及股东持股及减持意向等承诺”。
同时，根据《补充协议》：“全体合伙人一致同意，自本协议签署之日起至公司上市之日起36个月内原则上不得转让合伙企业份额，除非经执行事务合伙人书面同意且不违反公司向中国证券监督管理委员会/上海证券交易所或深圳证
券交易所提交上市申请时合伙人做出的相关承诺；在公司上市满36个月之后，除本协议规定的情形外，本合伙企业的合伙人持有的合伙份额所对应的公司股份可以自由流通，合伙人有权转让合伙企业的合伙份额或通过本合伙企业减持公司股份，再由本合伙企业进行定向减资的方式退出；但合伙人在进行上述转让或减持前，应提前至少30日向本合伙企业的执行事务合伙人发送书面通知，明确其拟转让或减少其在本合伙企业持有的合伙份额、转让或减持时间及安排。
合伙企业应当根据其要求减持，减资价款在依法代扣相关税费后由合伙企业支付给该合伙人。前述通知应载明具体减持股份、减持时间和方式。
全体合伙人一致同意，自公司向中国证券监督管理委员会/上海证券交易所或深圳证券交易所提交上市申请时，全体合伙人应根据中国证券监督管理委员会及上海证券交易所/深圳证券交易所相关监管要求签署相应文件，承诺自公司上市后36个月内不转让其持有的合伙企业份额。”
（3）登记备案程序
聚海盈管理系微导纳米员工持股平台，其26名合伙人均为公司员工，资金来源系公司内部员工的自有资金或个人借款，不存在《中华人民共和国证券投资基金法》及《私募投资基金监督管理暂行办法》规定的通过非公开方式募集
资金的情形，亦不存在委托管理人管理其日常经营及对外投资等事宜的情形，无需按照《中华人民共和国证券投资基金法》《私募投资基金监督管理暂行办法》
以及《私募投资基金管理人登记和基金备案办法（试行）》等相关规定办理私募
1-1-61江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）基金备案手续。
六、发行人股本情况
（一）本次发行前后的股本情况
公司本次发行前总股本40900.9823万股，按照本次发行10225.0177万股计算，本次发行后总股本为51126.0000万股。本次发行前后股本结构如下：
序本次发行前本次发行后
号股东名称股份数量（万股）持股比例股份数量（万股）持股比例
1万海盈投资23258.162456.86%23258.162445.49%
2 LI WEI MIN 4283.1704 10.47% 4283.1704 8.38%
3聚海盈管理3779.83529.24%3779.83527.39%
4 LI XIANG 2015.8464 4.93% 2015.8464 3.94%
5胡彬1259.40083.08%1259.40082.46%
6潘景伟899.40002.20%899.40001.76%
7问鼎投资650.92321.59%650.92321.27%
8中芯聚源绍兴基金542.45231.33%542.45231.06%
9瑞华投资542.43681.33%542.43681.06%
10德厚盈投资504.18481.23%504.18480.99%
11上海君联晟灏421.05281.03%421.05280.82%
12江阴毅达378.94720.93%378.94720.74%
13无锡毓立378.94720.93%378.94720.74%
14锦润博纳271.21840.66%271.21840.53%
15聚隆景润271.21840.66%271.21840.53%
16中小企业发展基金252.63120.62%252.63120.49%
17北京君联晟源210.52640.51%210.52640.41%
18冯源绘芯164.00000.40%164.00000.32%
19高瓴航恒135.61300.33%135.61300.27%
20高瓴裕润135.61300.33%135.61300.27%
21江苏人才四期126.31600.31%126.31600.25%
1-1-62江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序本次发行前本次发行后
号股东名称股份数量（万股）持股比例股份数量（万股）持股比例
22 无锡新通（SS） 126.3160 0.31% 126.3160 0.25%
23无锡新动能108.49040.27%108.49040.21%
24疌泉荣芯108.49040.27%108.49040.21%
25上海亿钏75.78960.19%75.78960.15%
本次发行流通股--10225.017720.00%
合计40900.9823100.00%51126.0000100.00%
（二）本次发行前的前十大股东持股情况
截至本招股说明书签署日，公司前十大股东的持股情况如下表所示：
序号股东名称持股数量（万股）持股比例
1万海盈投资23258.162456.86%
2 LI WEI MIN 4283.1704 10.47%
3聚海盈管理3779.83529.24%
4 LI XIANG 2015.8464 4.93%
5胡彬1259.40083.08%
6潘景伟899.40002.20%
7问鼎投资650.92321.59%
8中芯聚源绍兴基金542.45231.33%
9瑞华投资542.43681.33%
10德厚盈投资504.18481.23%
合计37735.812392.26%
（三）本次发行前的前十名自然人股东及其在发行人处担任的职务
序号股东名称持股数量（万股）持股比例在公司处主要任职
1 LI WEI MIN 4283.1704 10.47% 副董事长、首席技术官
2 LI XIANG 2015.8464 4.93% 董事、副总经理
3胡彬1259.40083.08%副总经理
4潘景伟899.40002.20%监事会主席
1-1-63江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
（四）发行人的国有股东
截至本招股说明书签署日，发行人国有股东共 1 名，为无锡新通（SS）。
上述国有股东持有发行人126.3160万股，占总股本的0.31%，具体情况如下：
股东名称持股数量（万股）持股比例持有人类别
无锡新通（SS） 126.3160 0.31% 国有法人股2020年6月23日，江苏省政府国有资产监督管理委员会出具《江苏省国资委关于江苏微导纳米科技股份有限公司国有股东标识管理事项的批复》（苏国资复[2020]32号）。根据该批复，其在证券登记结算公司登记的证券账户将标注“SS”标识。
（五）最近一年发行人新增股东的情况
1、首次申报前一年公司新增股东情况
序号股东名称持股数量（万股）持股比例取得时间
1无锡新动能108.49040.27%2021年9月
2疌泉荣芯108.49040.27%2021年9月
3高瓴航恒135.61300.33%2021年9月
4高瓴裕润135.61300.33%2021年9月
5中芯聚源绍兴基金542.45231.33%2021年9月
合计1030.65912.52%-
2、新增股东的变化数量、价格及定价依据
2021年9月，公司新增注册资本1030.6591万元，增资后的注册资本为
40900.9823万元，分别由新股东无锡新动能、中芯聚源绍兴基金、疌泉荣芯、高瓴航恒、高瓴裕润认缴。本次增资价格为每股18.4348元，合计增资
19000.00万元，其中1030.6591万元计入注册资本、17969.3409万元计入资本公积。该增资价格系充分考虑了公司未来的发展前景后，由投资者与公司协商确定。具体参见本节“二、发行人的设立及股本和股东的变化情况”之“（二）报告期内的股本和股东变化情况”之“9、2021年9月，股改后第四次增资”。
3、最近一年发行人新增股东的基本情况
1-1-64江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
发行人申报前一年内新增股东为无锡新动能、中芯聚源绍兴基金、疌泉荣
芯、高瓴航恒和高瓴裕润，该等新增股东基本情况如下：
（1）无锡新动能
*无锡新动能基本信息
无锡新动能的基本情况如下：
企业名称无锡高新区新动能产业发展基金（有限合伙）
住所无锡市新吴区金城东路333-1-808企业类型有限合伙企业
统一社会信用代码 91320214MA1WW5AW1T
执行事务合伙人无锡新投金石创业投资管理有限公司（委派代表：周剑）成立日期2018年07月12日股权投资，利用自有资金进行对外投资。（依法须经批准的项经营范围目，经相关部门批准后方可开展经营活动）基金编号 SEN946
无锡新动能各合伙人及其出资情况如下：
序号合伙人名称财产份额（万元）出资比例合伙人类型无锡新投金石创业投资管理有限
15000.001.00%普通合伙人
公司无锡市新区科技金融创业投资集
2195000.0039.00%有限合伙人
团有限公司
3无锡市新发集团有限公司150000.0030.00%有限合伙人
无锡太湖国际科技园投资开发有
4150000.0030.00%有限合伙人
限公司
合计500000.00100.00%-
*无锡新动能普通合伙人的基本信息
无锡新动能的普通合伙人为无锡新投金石创业投资管理有限公司，实际控制人为无锡国家高新技术产业开发区（无锡市新吴区）国有资产监督管理办公室（以下简称“新吴区国资办”）。无锡新投金石创业投资管理有限公司基本信息如下：
名称无锡新投金石创业投资管理有限公司
住所 无锡市新吴区清源路 18 号 530 大厦 A317
1-1-65江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
企业类型有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）注册资本2000万元人民币
统一社会信用代码 91320214MA1TCXKH7H法定代表人周剑成立日期2017年11月30日股权投资；投资管理；利用自有资金对外投资。（依法须经经营范围批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
（2）中芯聚源绍兴基金
*中芯聚源绍兴基金基本信息
中芯聚源绍兴基金的基本情况如下：
企业名称中小企业发展基金（绍兴）股权投资合伙企业（有限合伙）住所浙江省绍兴市越城区皋埠街道银桥路326号1幢4楼406室企业类型有限合伙企业
统一社会信用代码 91330602MA2JR9H91D
中芯聚源股权投资管理（天津）合伙企业（有限合伙）（委派代执行事务合伙人表：孙玉望）成立日期2020年12月23日
一般项目：股权投资；创业投资（限投资未上市企业）（除依法经营范围须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）。
基金编号 SNN898
中芯聚源绍兴基金各合伙人及其出资情况如下：
序号合伙人名称财产份额（万元）出资比例合伙人类型
中芯聚源股权投资管理（天津）
13600.001.00%普通合伙人
合伙企业（有限合伙）
2国家中小企业发展基金有限公司100000.0027.78%有限合伙人
绍兴市重点产业股权投资基金有
390000.0025.00%有限合伙人
限公司
中芯晶圆股权投资（宁波）有限
484960.0023.60%有限合伙人
公司绍兴滨海新区集成电路产业股权
540000.0011.11%有限合伙人
投资基金合伙企业（有限合伙）
6中信证券投资有限公司30000.008.33%有限合伙人
7中信建投投资有限公司10000.002.78%有限合伙人8共青城兴芯投资合伙企业（有限1440.000.40%有限合伙人
1-1-66江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
合伙）
合计360000.00100.00%-
*中芯聚源绍兴基金普通合伙人的基本信息
中芯聚源绍兴基金无实际控制人，其普通合伙人为中芯聚源股权投资管理（天津）合伙企业（有限合伙）。中芯聚源股权投资管理（天津）合伙企业（有限合伙）基本信息如下：
名称中芯聚源股权投资管理（天津）合伙企业（有限合伙）
住所 天津市西青经济技术开发区赛达新兴产业园 F1 座 512 室企业类型有限合伙企业
统一社会信用代码 91310000342309905X
执行事务合伙人中芯聚源股权投资管理（上海）有限公司（委派代表：孙玉望）成立日期2015年06月09日
股权投资管理，资产管理，投资咨询（除经纪）。（依法须经批准经营范围的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
（3）疌泉荣芯
*疌泉荣芯基本信息
疌泉荣芯的基本情况如下：
企业名称江苏疌泉君海荣芯投资合伙企业（有限合伙）
住所 无锡市新吴区清源路 18 号大学科技园 530 大厦 D507-2企业类型有限合伙企业
统一社会信用代码 91320214MA20PKLH4X
执行事务合伙人无锡君海新芯投资咨询有限公司（委派代表：陈浩）成立日期2019年12月26日股权投资；投资管理。（依法须经批准的项目，经相关部门批经营范围准后方可开展经营活动）
基金编号 SJP631
疌泉荣芯各合伙人及其出资情况如下：
序号合伙人名称财产份额（万元）出资比例合伙人类型
1无锡君海新芯投资咨询有限公1642.431.00%普通合伙人
1-1-67江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号合伙人名称财产份额（万元）出资比例合伙人类型司
SK 海力士（无锡）投资有限公
260000.0036.53%有限合伙人
司南京浦口智思集成电路产业基
320000.0012.18%有限合伙人
金合伙企业（有限合伙）江苏疌泉太湖国联新兴成长产
420000.0012.18%有限合伙人
业投资企业（有限合伙）无锡高新区新动能产业发展基
520000.0012.18%有限合伙人金（有限合伙）江苏省政府投资基金（有限合
620000.0012.18%有限合伙人
伙）北京信银嘉盛股权投资合伙企
712600.007.67%有限合伙人业（有限合伙）
8上海寓馨5000.003.04%有限合伙人北京君联创业投资中心（有限
95000.003.04%有限合伙人
合伙）
合计162242.43100.00%-
*疌泉荣芯普通合伙人的基本信息
疌泉荣芯的普通合伙人为无锡君海新芯投资咨询有限公司，实际控制人为君联资本管理股份有限公司、SK Semiconductor Investments Company Limited。
无锡君海新芯投资咨询有限公司基本信息如下：
名称无锡君海新芯投资咨询有限公司
住所 无锡市新吴区清源路 18 号大学科技园 530 大厦 D507-1
企业类型有限责任公司（法人独资）注册资本2000万元人民币
统一社会信用代码 91320214MA1YQUWK0R法定代表人陈浩成立日期2019年07月19日投资咨询；股权投资；企业管理咨询。（依法须经批准的项经营范围目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
（4）高瓴航恒
*高瓴航恒基本信息
高瓴航恒的基本情况如下：
1-1-68江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
企业名称珠海高瓴航恒股权投资合伙企业（有限合伙）珠海市横琴新区环岛东路1889号17栋201室-1050号（集中住所办公区）企业类型有限合伙企业
统一社会信用代码 91440400MA560R5K0R
执行事务合伙人深圳高瓴天成三期投资有限公司（委派代表：马翠芳）成立日期2021年03月02日一般项目：以自有资金从事投资活动。（除依法须经批准的项经营范围目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）截至2022年3月31日，高瓴航恒各合伙人及其出资情况如下：
序号合伙人名称财产份额（万元）出资比例合伙人类型
1深圳高瓴天成三期投资有限公司1.000.04%普通合伙人
深圳高瓴慕祺股权投资基金合伙
21262.92550.10%有限合伙人企业（有限合伙）厦门高瓴瑞祺股权投资基金合伙
3917.77536.41%有限合伙人企业（有限合伙）深圳高瓴恒祺股权投资基金合伙
4159.3006.32%有限合伙人企业（有限合伙）深圳高瓴思祺股权投资基金合伙
590.9903.61%有限合伙人企业（有限合伙）深圳高瓴坤祺股权投资基金合伙
689.0103.53%有限合伙人企业（有限合伙）
合计2521.00100.00%-
*高瓴航恒普通合伙人的基本信息
截至2022年3月31日，高瓴航恒的普通合伙人为深圳高瓴天成三期投资有限公司，实际控制人为张海燕、马翠芳和曹伟。深圳高瓴天成三期投资有限公司基本信息如下：
名称深圳高瓴天成三期投资有限公司
住所深圳市福田区福田街道口岸社区福田南路38号广银大厦1316-03企业类型有限责任公司注册资本25000万元人民币
统一社会信用代码 91440300MA5FPFMJ2M法定代表人马翠芳成立日期2019年7月12日
1-1-69江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）一般经营项目是：投资咨询；投资兴办实业；创业投资业务。（法经营范围律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）
（5）高瓴裕润
*高瓴裕润基本信息
高瓴裕润的基本情况如下：
企业名称北京高瓴裕润股权投资基金合伙企业（有限合伙）住所北京市朝阳区利泽西街6号院3号楼15层1501内3企业类型有限合伙企业
统一社会信用代码 91110105MA01WGTY9C
执行事务合伙人北京高瓴裕清投资管理有限公司（委派代表：马翠芳）成立日期2020年10月16日
非证券业务的投资；股权投资；投资管理、咨询；企业管理咨询；
会议服务。（不得从事下列业务：1、发放贷款；2、公开交易证券类投资或金融衍生品交易；3、以公开方式募集资金；4、对除被投资企业以外的企业提供担保。）（“1、未经有关部门批准，不得以公开方式募集资金；2、不得公开开展证券类产品和金融衍生品交易活经营范围动；3、不得发放贷款；4、不得对所投资企业以外的其他企业提供担保；5、不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益”；市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）基金编号 SSG819
截至2022年3月31日，高瓴裕润各合伙人及其出资情况如下：
序号合伙人名称财产份额（万元）出资比例合伙人类型
1北京高瓴裕清投资管理有限公司5000.001.51%普通合伙人珠海高瓴裕涵股权投资基金（有
263800.0019.24%有限合伙人限合伙）
3瑞元资本管理有限公司55000.0016.59%有限合伙人淄博昭涵股权投资合伙企业（有
454030.0016.29%有限合伙人限合伙）
5博时资本管理有限公司45000.0013.57%有限合伙人
宁德时代新能源科技股份有限公
630000.009.05%有限合伙人
司珠海高瓴裕泽股权投资基金（有
725800.007.78%有限合伙人限合伙）
8北京朝阳科技创新基金有限公司15000.004.52%有限合伙人
1-1-70江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）青岛陆联股权投资合伙企业（有
912000.003.62%有限合伙人限合伙）平阳箴言鼎淳股权投资合伙企业
1010000.003.02%有限合伙人（有限合伙）淄博昭浩股权投资合伙企业（有
115690.001.72%有限合伙人限合伙）淄博昭懿股权投资合伙企业（有
125280.001.59%有限合伙人限合伙）北京高瓴裕清投资中心（有限合
135000.001.51%有限合伙人
伙）
合计331600.00100.00%-
*高瓴裕润普通合伙人的基本信息
截至2022年3月31日，高瓴裕润的普通合伙人为北京高瓴裕清投资管理有限公司，实际控制人为朱秀花、马翠芳和曹伟。北京高瓴裕清投资管理有限公司基本信息如下：
名称北京高瓴裕清投资管理有限公司
住所北京市朝阳区利泽西街6号院3号楼15层1501-1企业类型其他有限责任公司注册资本1010万元人民币
统一社会信用代码 91110105MA01N31Y6Q法定代表人马翠芳成立日期2019年10月12日投资管理。（“1、未经有关部门批准，不得以公开方式募集资金；2、不得公开开展证券类产品和金融衍生品交易活动；3、不得
发放贷款；4、不得对所投资企业以外的其他企业提供担保；5、不经营范围得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益”；市场主体
依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）截至本招股说明书签署日，新增股东不存在股份代持的情形；新增股东与发行人其他股东关联关系见本招股说明书“第五节发行人基本情况”之“六、发行人股本情况”之“（六）本次发行前各股东间的关联关系及关联股东的各自持股比例”；除上述情况外，新增股东与发行人其他股东、董事、监事、高级管理人员、本次发行中介机构及其负责人、高级管理人员、经办人员不存在关联关系。
1-1-71江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
（六）本次发行前各股东间的关联关系及关联股东的各自持股比例
截至本招股说明书签署日，公司各股东间的关联关系及关联股东的各自持股比例如下：
王燕清、倪亚兰、王磊通过万海盈投资、聚海盈管理、德厚盈投资分别控
制公司56.86%、9.24%、1.23%的股份。同时，实际控制人王燕清、倪亚兰、王磊通过无锡毓立、疌泉荣芯间接持有公司股份比例合计为0.10%。
公司股东上海君联晟灏、北京君联晟源的普通合伙人均系拉萨君祺企业管理有限公司。本次发行前，上海君联晟灏、北京君联晟源分别持有公司1.03%、
0.51%的股份。
公司股东江阴毅达、江苏人才四期的普通合伙人均系南京毅达股权投资管
理企业（有限合伙），南京毅达股权投资管理企业（有限合伙）受中小企业发展基金的普通合伙人江苏毅达股权投资基金管理有限公司控制。本次发行前，江阴毅达、中小企业发展基金、江苏人才四期分别持有公司0.93%、0.62%、
0.31%的股份。
曾毓群及其一致行动人李平为宁德时代实际控制人（截至2021年12月31日曾毓群通过瑞庭投资持有宁德时代24.43%的股份，李平持有宁德时代4.80%的股份），通过宁德时代控制公司股东问鼎投资100%股份；曾毓群持有公司股东瑞华投资100%股权。本次发行前，问鼎投资、瑞华投资分别持有公司1.59%、
1.33%的股份。
公司股东无锡新通（SS）、无锡新动能的实际控制人均为新吴区国资办。
本次发行前，无锡新通（SS）、无锡新动能分别持有公司 0.31%、0.30%的股份。
疌泉荣芯的实际控制人为君联资本管理股份有限公司、SK Semiconductor
Investments Company Limited，上海君联晟灏和北京君联晟源均系君联资本管理股份有限公司对外投资控制的企业。本次发行前，疌泉荣芯、上海君联晟灏和北京君联晟源分别持有公司0.27%、1.03%和0.51%股份。
公司股东高瓴航恒实际控制人为张海燕、马翠芳和曹伟。公司股东高瓴裕润的实际控制人为朱秀花、马翠芳和曹伟。本次发行前，高瓴航恒、高瓴裕润分别持有公司0.33%、0.33%的股份。
1-1-72江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
其他关联关系：*问鼎投资的股东宁德时代为高瓴裕润有限合伙人；*无锡新动能为疌泉荣芯有限合伙人。
除上述情况外，本次发行前公司股东之间不存在其他关联关系。
（七）战略投资者情况公司股东中无战略投资者。
（八）对赌协议及其清理情况
2019年12月，上海君联晟灏、江阴毅达、无锡毓立、中小企业发展基金、北京君联晟源、江苏人才四期、无锡新通（SS）、上海亿钏以增资方式取得公司股份，系公司引入的机构股东（以下简称“增资方”）。
增资方与发行人、发行人实际控制人王燕清、倪亚兰、王磊以及原股东 LI
WEI MIN、LI XIANG、胡彬、潘景伟、万海盈投资、聚海盈管理、德厚盈投资
之间约定了相关特殊权利，主要包括股权回购、共同售股权、优先购买权/优先认购权、股权转让限制、反稀释、优先清算权、最优惠待遇等条款。其中股权回购条款义务人为发行人的实际控制人，发行人不作为最终责任承担主体。
2020年5月、2021年11月，增资方与发行人、发行人实际控制人王燕清、倪亚兰、王磊以及原股东 LI WEI MIN、LI XIANG、胡彬、潘景伟、万海盈投
资、聚海盈管理、德厚盈投资分别签署补充协议，明确增资方放弃享有前述股权回购、共同售股权、优先购买权/优先认购权、股权转让限制、反稀释、优先
清算权、最优惠待遇等特殊权利条款，该等特殊权利条款仅在发行人 IPO 未被受理、或 IPO 申请材料被撤回或 IPO 申请被终止审查或不予以注册或否决，从而导致公司未能在约定时间内实现合格 IPO（即在 2022 年 12 月 31 日之前向中国证券监督管理委员会或上海证券交易所/深圳证券交易所递交合格 IPO 的申请材料并取得受理通知书，并在 2023 年 12 月 31 日之前成功完成合格 IPO）时自动恢复履行。
综上所述，与增资方签署的对赌条款仅在未能在约定时间内实现合格 IPO时自动恢复履行。在发行人本次发行上市审核期间及上市后，相关特殊权利条款的效力仍处于无效状态，不会对发行人实际控制权稳定、持续经营能力和股
1-1-73江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
东权益造成重大不利影响。
（九）股东中私募投资基金备案情况
截至本招股说明书签署日，发行人共计25名股东，包括4名自然人股东、
20名境内机构股东和1家境外机构股东。其中，上海君联晟灏、江阴毅达、无
锡毓立、中小企业发展基金、北京君联晟源、江苏人才四期、冯源绘芯、中芯
聚源绍兴基金、疌泉荣芯、无锡新动能、高瓴裕润均系私募投资基金，且均完成私募投资基金备案，已纳入金融产品监管，具体情况如下：
基金管理人管理人登记股东基金编号基金备案日期管理人登记编号时间上海君联君联资本管理股份有
SGR337 2019.07.08 P1000489 2014.03.17晟灏限公司南京毅达股权投资管
江阴毅达 SCU058 2018.05.18 P1032972 2016.08.15
理企业（有限合伙）苏州协立股权投资管
无锡毓立 SJL799 2019.12.20 P1066645 2018.01.09
理中心（有限合伙）中小企业江苏毅达股权投资基
SR1700 2016.12.19 P1001459 2014.04.29发展基金金管理有限公司北京君联君联资本管理股份有
SEF172 2018.08.13 P1000489 2014.03.17晟源限公司江苏人才南京毅达股权投资管
SET515 2018.11.28 P1032972 2016.08.15
四期理企业（有限合伙）
冯源投资（平潭）有
冯源绘芯 SNL252 2020.12.10 P1071503 2020.11.09限公司中芯聚源股权投资管中芯聚源
SNN898 2021.02.01 理（天津）合伙企业 P1030872 2016.02.04绍兴基金（有限合伙）无锡君海联芯投资管
疌泉荣芯 SJP631 2020.02.11 P1070069 2019.08.13理有限公司无锡新动无锡新投金石创业投
SEN946 2018.11.30 P1069035 2018.09.17能资管理有限公司珠海高瓴股权投资管
高瓴裕润 SSG819 2021.07.30 P1002820 2014.5.26理有限公司
除上述机构股东外，公司机构股东中的其他股东具体情况如下：
万海盈投资、德厚盈投资为发行人实际控制人及其一致行动人的持股平台，聚海盈管理为微导纳米员工持股平台，问鼎投资、聚隆景润系上市公司的全资子公司，无锡新通（SS）系国有独资公司，瑞华投资系自然人独资公司，锦润博纳、上海亿钏系自然人出资设立的持股平台，出资均直接来源于其股东或合伙人，不属于私募投资基金，无需取得私募基金登记。高瓴航恒不存在《中华
1-1-74江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）人民共和国证券投资基金法》及《私募投资基金监督管理暂行办法》规定的通
过非公开方式募集资金的情形，亦不存在委托管理人管理其日常经营及对外投资等事宜的情形，无需按照《中华人民共和国证券投资基金法》《私募投资基金监督管理暂行办法》以及《私募投资基金管理人登记和基金备案办法（试行）》等相关规定办理私募基金备案手续。
综上所述，截至本招股说明书签署日，发行人共计25名股东，其中上海君联晟灏、江阴毅达、无锡毓立、中小企业发展基金、北京君联晟源、江苏人才
四期、冯源绘芯、中芯聚源绍兴基金、疌泉荣芯、无锡新动能、高瓴裕润等11
家股东属于《证券投资基金法》《私募投资基金监督管理暂行办法》和《私募投资基金管理人登记和基金备案办法（试行）》等法律法规所规范的私募投资基金
管理人或私募投资基金，该等股东均已完成私募基金备案登记。
（十）三类股东情况
截至本招股说明书签署日，发行人机构股东均不属于契约型基金、信托计划、资产管理计划等“三类股东”，不存在根据法律、法规或者其章程、合伙协议需要终止或解散的情形；发行人自然人股东具有完全民事行为能力，不存在权利能力受到限制的情形。
七、发行人的董事、监事、高级管理人员及核心技术人员
（一）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简介
1、董事会成员
公司董事会由6名董事组成。董事会成员基本情况如下：
姓名职位提名人本届任职期限王磊董事长万海盈投资自2019年12月至2022年12月倪亚兰董事万海盈投资自2019年12月至2022年12月副董事长、
LI WEI MIN LI WEI MIN 自 2019 年 12 月至 2022 年 12 月首席技术官
LI XIANG 董事、副总经理 LI XIANG 自 2019 年 12 月至 2022 年 12 月黄培明独立董事胡彬自2019年12月至2022年12月
1-1-75江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
姓名职位提名人本届任职期限朱和平独立董事万海盈投资自2019年12月至2022年12月
（1）王磊王磊先生，其简历详见本节“五、持有发行人5%以上股份的主要股东及实际控制人的基本情况”之“（一）控股股东和实际控制人”之“2、发行人实际控制人”。
（2）倪亚兰倪亚兰女士，其简历详见本节“五、持有发行人5%以上股份的主要股东及实际控制人的基本情况”之“（一）控股股东和实际控制人”之“2、发行人实际控制人”。
（3）LI WEI MIN
LI WEI MIN 先生，中文名为“黎微明”，1967 年 12 月出生，芬兰国籍，博士研究生学历，毕业于芬兰赫尔辛基大学无机化学专业。其主要任职经历为：
2000 年 6 月至 2007 年 4 月就职于芬兰 ASM Microchemistry Ltd.，任高级工艺工程师；2007 年 4 月至 2010 年 2 月就职于芬兰 Silecs，任应用经理；2010 年 2 月至 2015 年 10 月就职于芬兰 Picosun，任应用总监；2015 年 12 月至 2016 年 1 月就职于先导智能，实际未担任职务；2015年12月至2019年12月，任微导有限董事；2016年2月至2019年12月，任微导有限首席技术官；2019年12月至今，任公司首席技术官并历任公司董事、副董事长。
（4）LI XIANG
LI XIANG 先生，中文名为“李翔”，1981 年 4 月出生，新加坡国籍，博士研究生学历，毕业于新加坡南洋理工大学电气与电子工程专业。其主要任职经历为：2010年1月至2012年6月，就职于新加坡科学技术研究院微电子研究所，任研发科学家；2012 年 7 月至 2015 年 2 月，就职于 Picosun Asia Pte. Ltd.，任董事总经理；2015年3月至2015年10月，就职于新加坡格罗方德半导体股份有限公司，任主任工程师；2015年12月至2016年1月，就职于先导智能，实际未履行职务；2015年12月至2019年12月，任微导有限董事；2016年2月至 2019 年 12 月，任微导有限应用总监、ALD 事业部副总经理、研发部副总经
1-1-76江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
理、联席首席技术官；2019年12月至今，任公司董事、副总经理。
（5）黄培明
黄培明女士，1976年4月出生，中国国籍，无境外永久居留权，硕士研究生学历，毕业于美国伊利诺伊理工大学国际法与跨国法专业、中国政法大学诉讼法专业。其主要任职经历为：2000年5月至2002年1月就职于上海市鸿祥律师事务所，历任助理、律师；2002年2月至2007年6月就职于上海市沪中律师事务所，任律师；2007年7月至2014年8月就职于上海市勋业律师事务所，任合伙人；2014年9月至2017年9月就职于上海铭森律师事务所，历任合伙人、副主任；2017年10月至2021年2月就职于上海正策律师事务所，任高级合伙人；2021年2月至今就职于上海市金石律师事务所，任高级合伙人；2019年12月至今任公司独立董事。现兼任江苏保时龙科技股份有限公司董事；江苏雅克科技股份有限公司、江苏中设集团股份有限公司、上海罗曼照明科技股份有限公司和上海飞科电器股份有限公司独立董事。
（6）朱和平
朱和平先生，1964年4月出生，中国国籍，无境外永久居留权，博士研究生学历，中国注册会计师协会会员，毕业于华中科技大学管理学专业。其主要任职经历为：1985年8月至1994年12月就职于新疆财经大学财经学院，历任助教、讲师；1994年12月至今就职于江南大学商学院，历任讲师、副教授、教授；2019年12月至今任公司独立董事。现兼任江苏百川高科新材料股份有限公司、无锡航亚科技股份有限公司、无锡新洁能股份有限公司和无锡华东重型机械股份有限公司独立董事。
2、监事会成员
公司监事会由3名监事组成。公司监事会成员基本情况如下：
姓名职位提名人本届任职期限潘景伟监事会主席万海盈投资自2019年12月至2022年12月樊利平监事江阴毅达自2019年12月至2022年12月姜倩倩职工代表监事职工代表大会自2019年12月至2022年12月
（1）潘景伟
1-1-77江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
潘景伟先生，1983年11月出生，中国国籍，无境外永久居留权，硕士研究生学历，毕业于浙江大学材料科学与工程专业。其主要任职经历为：2009年
6月至2011年11月就职于常州天合光能有限公司，任工艺总主管；2011年11月至2015年10月就职于常州比太科技有限公司，任研发部副总工程师；2015年12月至2019年12月，任微导有限监事、技术总监兼质量部经理；2019年
12月至今，任公司监事会主席、技术总监。
（2）樊利平
樊利平先生，1971年12月出生，中国国籍，无境外永久居留权，硕士研究生学历，毕业于南京大学工商管理专业。其主要任职经历为：1993年8月至
1995年3月，就职于江苏兴中会计师事务所，任审计助理；1995年4月至2000年12月，就职于江苏长江会计师事务所，历任审计助理、经理；2001年1月至
2008年7月，就职于江苏众天信会计师事务所，任部门经理；2008年8月至
2014年1月，就职于江苏高科技投资集团有限公司，历任高级投资经理、部门经理；2014年2月至今，就职于江苏毅达股权投资基金管理有限公司，任合伙人；2018年3月至今，就职于江阴毅达，任执行事务合伙人；2019年12月至今任公司监事。
（3）姜倩倩
姜倩倩女士，1995年6月出生，中国国籍，无境外永久居留权，本科学历，毕业于三亚学院人力资源管理专业。其主要任职经历为：2017年6月至2019年
12月，任微导有限销售助理；2019年12月至今，任公司职工代表监事、销售助理。
3、高级管理人员
公司高级管理人员的基本情况如下表所示：
姓名职位本届任职期限
ZHOU REN 总经理 自 2021 年 7 月至 2022 年 12 月胡彬副总经理自2019年12月至2022年12月LI WEI MIN 副董事长、首席技术官 自 2019 年 12 月至 2022 年 12 月
LI XIANG 董事、副总经理 自 2019 年 12 月至 2022 年 12 月
1-1-78江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
姓名职位本届任职期限龙文董事会秘书自2019年12月至2022年12月俞潇莹财务负责人自2019年12月至2022年12月
（1）ZHOU REN
ZHOU REN 先生，中文名为“周仁”。1963 年 1 月出生，美国国籍，硕士研究生学历，毕业于美国丹佛大学计算机科学专业。其主要任职经历为：1989年 7 月至 1994 年 4 月，担任美国 AG Associates 软件资深工程师；1994 年 5 月至 1996 年 4 月，担任美国 Novellus System 软件主任工程师；1996 年 5 月至1997 年 8 月，担任美国 CVC Inc 系统控制部经理；1997 年 9 月至 2006 年 5 月，
担任美国 Lam 工程资深总监并历任资深软件经理，软件总监；2006 年 6 月至
2010年8月，担任中微半导体设备（上海）股份有限公司执行总监并历任资深总监；2010 年 9 月至 2012 年 3 月，担任美国 KLA Tencor 工程资深总监；2012年4月至2014年8月，光达光电设备科技（嘉兴）有限公司工程副总经理；
2014年9月至2020年7月，历任拓荆科技工程副总经理、顾问；2020年8月
至2021年6月，历任公司半导体事业部副总经理、首席运营长；2021年7月至今，担任公司总经理。
（2）胡彬
胡彬先生，1983年1月出生，中国国籍，无境外永久居留权，本科学历，毕业于东南大学机械设计制造及其自动化专业。其主要任职经历为：2005年7月至2006年6月就职于苏州富士胶片映像机器有限公司，任技术部工装工程师；
2006年6月至2007年6月，就职于华进科技（江苏）有限公司，任制程工程师；
2007年6月至2009年2月，就职于铁姆肯（无锡）轴承有限公司，任热处理部
工装工程师；2009年2月至2009年11月，就职于南京圣本科技有限公司，任研发部主管；2009年12月至2011年11月，历任无锡先导自动化设备有限公司机械工程师、机械研发部副经理；2011年12月至2018年2月，任先导智能副总经理；2018年7月至2019年12月，就职于微导有限，任常务副总经理；
2019年12月至2021年6月，任公司总经理；2021年7月至今，任公司副总经
理、光伏事业部总经理。
1-1-79江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
（3）LI WEI MIN
详见本节之“七、发行人的董事、监事、高级管理人员与核心技术人员”
之“（一）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简介”之“1、董事会成员”的相关内容。
（4）LI XIANG
详见本节之“七、发行人的董事、监事、高级管理人员与核心技术人员”
之“（一）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简介”之“1、董事会成员”的相关内容。
（5）龙文
龙文先生，1988年9月出生，中国国籍，无境外永久居留权，北京大学硕士研究生学历，毕业于北京大学软件工程专业。其主要任职经历为：2015年7月至2017年2月就职于北京天星资本股份有限公司，任投资经理；2017年3月至2019年3月就职于苏州翼朴股权投资基金管理有限公司，任投资经理；2019年10月至2019年12月，任微导有限董事会秘书；2019年12月至今，任公司董事会秘书。
（6）俞潇莹
俞潇莹女士，1984年1月出生，中国国籍，无境外永久居留权，本科学历，毕业于淮阴工学院财务管理专业。其主要任职经历为：2006年12月至2008年
5月就职于国美电器无锡分公司，任财务；2008年5月至2016年4月就职于三
达精密五金制造（无锡）有限公司，任财务主管；2016年4月至2019年6月就职于先导智能，任财务副经理；2019年7月至2019年12月任微导有限财务经理；2019年12月至今任公司财务负责人。
4、核心技术人员
公司现有4名核心技术人员，相关核心技术人员的个人基本情况如下：
（1）LI WEI MIN
详见本节之“七、发行人的董事、监事、高级管理人员与核心技术人员”
之“（一）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简介”之“1、董事会成员”的相关内容。
1-1-80江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
（2）LI XIANG
详见本节之“七、发行人的董事、监事、高级管理人员与核心技术人员”
之“（一）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简介”之“1、董事会成员”的相关内容。
（3）许所昌
许所昌先生，1985年9月出生，中国国籍，无境外永久居留权，博士研究生学历，毕业于中国科学院大连化学物理研究所物理化学专业。其主要任职经历为：2016年6月至2018年9月，就职于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，任研发工程师；2018年10月至2019年12月，任微导有限研发主管；
2019年12月至今，历任公司研发主管、研发经理、工艺副总监。
（4）吴兴华
吴兴华先生，1980年8月出生，中国台湾籍，硕士研究生学历，毕业于中山大学物理专业。其主要任职经历为：2007年12月至2012年2月，就职于中国台湾工业技术研究院，任工程师；2012年3月至2016年7月，就职于昱晶能源科技股份有限公司，任副经理；2016年9月至2019年12月，就职于泰州中来光电科技有限公司，任研发经理、生产厂长；2019年12月至今，任公司光伏事业部副总经理。
（二）发行人与董事、监事、高级管理人员及核心技术人员所签定
的对投资者作出价值判断和投资决策有重大影响的协议，以及有关协议的履行情况
1、公司与董事、监事、高级管理人员及核心技术人员所签订的协议
公司董事、监事（除机构股东委派的监事樊利平外）、高级管理人员、核心
技术人员均与公司签订《劳动合同》或《聘任协议》，核心技术人员均与公司签订《员工保密协议》《竞业限制协议》。
2、上述协议的履行情况
截至本招股说明书签署日，公司董事、监事、高级管理人员及核心技术人员与公司签署的上述协议履行情况良好。
1-1-81江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
（三）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的任职变动情况及原因
1、董事的任职变动情况
最近两年，发行人董事未发生变动，公司非独立董事为王磊、倪亚兰、LIWEI MIN、LI XIANG，独立董事为黄培明、朱和平。
2、监事的任职变动情况
最近两年，公司监事未发生变动，公司股东代表监事为潘景伟、樊利平，职工代表监事为姜倩倩。
3、高级管理人员的任职变动情况
2019年12月，微导有限整体变更为股份有限公司，由胡彬担任公司总经
理、LI WEI MIN 担任公司首席技术官、LI XIANG 担任公司副总经理、龙文担
任公司董事会秘书、俞潇莹担任公司财务负责人。
2021 年 7 月，微导纳米新任命 ZHOU REN 为公司总经理，全面负责公司
的日常经营管理。胡彬担任公司副总经理，继续负责光伏事业部的经营管理活动。该项调整主要为优化公司管理层结构，进一步提高公司经营能力。
4、核心技术人员的任职变动情况
公司核心技术人员中 LI WEI MIN、LI XIANG、许所昌、吴兴华最近两年
持续在公司任职，未发生变动。2021年1月，原核心技术人员张鹤因工作职责调整，不再认定为公司核心技术人员，但仍在公司任职。
综上，近两年公司董事、监事未发生变化，高级管理人员和核心技术人员变化原因合理，对公司生产经营未发生重大不利影响，不构成人员的重大不利变化。
（四）董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及其近亲属在发行前持有公司股份的情况
1、持有公司股份的情况
（1）个人持股情况
截至本招股说明书签署日，公司董事、监事、高级管理人员、核心技术人
1-1-82江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
员直接持有公司股份的情况如下：
姓名主要职位持股比例
LI WEI MIN 副董事长、首席技术官 直接持有 10.47%
LI XIANG 董事、副总经理 直接持有 4.93%
胡彬副总经理直接持有3.08%
潘景伟监事会主席直接持有2.20%
截至本招股说明书签署日，公司其他董事、监事、高级管理人员及核心技术人员通过持有万海盈投资、聚海盈管理以及德厚盈投资的份额间接持有公司股份，具体情况如下：
持有财产份对应发行人是否质押股东名称主要职务持股平台额占比股份比例或冻结
万海盈投资80.00%45.49168%否
王磊董事长聚海盈管理74.28%6.86452%否
德厚盈投资79.00%0.97383%否
倪亚兰董事万海盈投资20.00%11.37292%否
龙文董事会秘书聚海盈管理0.34%0.03149%否
俞潇莹财务负责人聚海盈管理0.27%0.02503%否
吴兴华核心技术人员聚海盈管理0.41%0.03753%否
许所昌核心技术人员聚海盈管理0.34%0.03128%否同时，公司监事樊利平通过江阴毅达、中小企业发展基金、江苏人才四期间接持有公司0.0091%股份。
以上人员直接持有公司股份不存在质押或冻结的情况。除上述披露情况外，其他董事、监事、高级管理人员和核心技术人员均未直接或间接持有公司股份。
（2）近亲属持股情况
王燕清为董事长王磊的父亲、董事倪亚兰的配偶，王燕清、倪亚兰、王磊为公司实际控制人，通过万海盈投资、聚海盈管理、德厚盈投资合计控制公司
67.34%的股份，通过无锡毓立、疌泉荣芯间接持有公司0.10%股份。
除此之外，公司董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及其配偶、父
1-1-83江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
母、配偶的父母、子女、子女的配偶不存在其他持有公司股份的情形。
（五）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员其他对外投资情况
截至本招股说明书签署日，王磊、倪亚兰主要对外投资情况详见本节之“五、持有发行人5%以上股份的主要股东及实际控制人的基本情况”之“（二）控股股东和实际控制人控制的其他企业的基本情况”之“2、发行人实际控制人控制的其他企业的基本情况”及本招股说明书“第七节公司治理与独立性”之
“八、关联方”之“（二）关联法人或其他组织”之“4、发行人实际控制人其他对外投资或担任董事、高级管理人员的企业”，公司其他董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的主要对外投资情况如下：
姓名现任职务对外投资企业名称投资比例
拓荆科技持有0.1384%的股权ZHOU 共青城芯鑫旺投资合伙企业（有限合总经理持有12.68%的财产份额REN 伙）
通过中微公司员工持股平台 Grenade
间接持有0.03%的股权
PTE LTD.间接持有中微公司股权
胡彬副总经理上海铱炜信息科技中心（有限合伙）持有10.27%的财产份额北京盘古昆仑企业管理中心（有限合龙文董事会秘书持有0.09%的财产份额
伙）
南京毅达投资管理有限公司持有15.51%的股权
南京毅达资本管理企业（有限合伙）持有15.15%的财产份额南京毅达同鑫企业管理咨询中心（有限樊利平监事持有15.15%的财产份额合伙）南京毅达汇员人才创业投资合伙企业
持有9.43%的财产份额（有限合伙）南京毅达汇员鼎祺创业投资合伙企业
持有5.00%的财产份额（有限合伙）上述人员的对外投资情况与本公司不存在利益冲突。
（六）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的薪酬情况
1、薪酬组成、确定依据及所履行程序
在公司担任具体生产经营职务的董事、监事、高级管理人员及核心技术人
员的薪酬由工资、奖金和其他报酬组成。独立董事享有固定数额的独立董事津
1-1-84江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）贴。
董事、监事、高级管理人员及核心技术人员薪酬标准的制定以体现“按劳取酬”的分配原则，不断改善和提高工资分配上的公正与公平，达到激发人员工作积极性、提高工作效率、促进公司发展为目的。
公司薪酬的确定同时兼顾对外具有竞争力、对内具有公平性，提供人员终身发展规划，合理控制薪资成本。通过建立在任职资格基础上的薪资结构，增加薪资调整的科学性和灵活性，强化薪资的激励机制。薪资水平要充分拉开差距，有利于形成和稳定核心层，向关键职位、核心人才倾斜。
2、薪酬占利润总额的比例
报告期内，董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的薪酬总额占公司当年利润总额的比例情况如下：
项目2021年度2020年度2019年度
薪酬总额（万元）1013.87711.81609.30
利润总额（万元）4058.596055.896129.47
薪酬总额占利润总额的比例24.98%11.75%9.94%
3、公司现任董事、监事、高级管理人员及核心技术人员2021年在公司领
薪情况
单位：万元
2021年度从公司领取薪酬
姓名公司主要职务（含税）
王磊董事长51.41
倪亚兰董事-
副董事长、首席技术官、核
LI WEI MIN 153.46心技术人员
董事、副总经理、核心技术
LI XIANG 153.66人员
黄培明独立董事5.00
朱和平独立董事5.00
潘景伟监事会主席66.70
樊利平监事-
1-1-85江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
2021年度从公司领取薪酬
姓名公司主要职务（含税）
姜倩倩职工代表监事8.28
ZHOU REN 总经理 253.63
胡彬副总经理51.04
龙文董事会秘书60.75
俞潇莹财务负责人40.55
许所昌核心技术人员72.25
吴兴华核心技术人员92.13
注：1、2021年度，公司董事倪亚兰在关联方欣导投资领取薪酬，未在公司领薪；
2、2021年度，樊利平为外部监事，未在公司及关联方处领薪。
除以上所列收入外，2021年度在发行人任职并领取薪酬的现任董事、监事、高级管理人员及核心技术人员未在发行人关联方处取得收入和享受其他待遇。
（七）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的兼职情况
截至本招股说明书签署日，公司董事、监事、高级管理人员和核心技术人员在公司股东单位、股东控制企业、其他企业任职情况如下：
在发行人其他关联方兼职或其他主要社会兼职姓名处任职单位名称职务聚海盈管理执行事务合伙人万海盈投资执行事务合伙人
无锡芯创能科技合伙企业（有限合伙）执行事务合伙人上海弘导科技有限公司执行董事上海灏鹰科技有限公司执行董事王磊董事长先导智能董事恒云太董事天芯微董事江苏同云盛信息技术有限公司董事无锡吴越半导体有限公司董事上海晟创科技有限公司监事
1-1-86江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
在发行人其他关联方兼职或其他主要社会兼职姓名处任职单位名称职务
天芯微董事长、总经理
无锡卓纳企业管理有限公司执行董事、总经理
江苏先云信息技术有限公司执行董事、总经理
先导控股有限公司执行董事、总经理
珠海横琴先发企业管理有限公司执行董事、经理
珠海荣导控股有限公司执行董事、经理
常州清雅创业投资合伙企业（有限合伙）执行事务合伙人
无锡展心管理咨询合伙企业（有限合伙）执行事务合伙人
珠海横琴先胜企业管理合伙企业（有限合伙）执行事务合伙人倪亚兰董事上海寓馨执行事务合伙人
上海雍溪企业管理合伙企业（有限合伙）执行事务合伙人
上海铱炜信息科技中心（有限合伙）执行事务合伙人开益禧总经理上海弘导科技有限公司总经理江苏锂导创业投资有限公司总经理江苏同云盛信息技术有限公司董事恒云太董事扶绥至普投资有限公司监事海南先导智创技术咨询有限公司监事江苏雅克科技股份有限公司独立董事上海罗曼照明科技股份有限公司独立董事黄培明独立董事江苏中设集团股份有限公司独立董事上海飞科电器股份有限公司独立董事江苏保时龙科技股份有限公司董事江苏百川高科新材料股份有限公司独立董事朱和平独立董事无锡航亚科技股份有限公司独立董事无锡新洁能股份有限公司独立董事
1-1-87江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
在发行人其他关联方兼职或其他主要社会兼职姓名处任职单位名称职务无锡华东重型机械股份有限公司独立董事
西藏爱达汇承企业管理有限公司总经理、执行董事江苏毅达汇景资产管理有限公司董事江苏力星通用钢球股份有限公司董事芜湖市弘瑞包装制品有限公司董事南京威尔药业股份有限公司董事常州奥立思特电气股份有限公司董事樊利平监事无锡和烁丰科技股份有限公司董事江苏华绿生物科技股份有限公司董事烟台显华科技集团股份有限公司董事安徽纯源镀膜科技有限公司董事浙江集迈科微电子有限公司董事执行事务合伙人委
江阴毅达高新创业投资合伙企业（有限合伙）派代表
（八）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员之间存在的配偶关系及亲属关系
公司董事长王磊系董事倪亚兰之子，除此之外，公司董事、监事、高级管理人员及核心技术人员之间不存在亲属关系。
（九）董事、监事、高级管理人员的任职资格情况
公司董事、监事、高级管理人员符合《证券法》《公司法》《公司章程》规定的任职资格。
公司董事、监事、高级管理人员不存在被中国证监会认定为市场禁入者的情形，不存在因违反相关法律法规而受到刑事处罚或曾经涉及刑事诉讼的情形。
（十）核心技术人员的认定依据
公司的核心技术人员是 LI WEI MIN、LI XIANG、许所昌、吴兴华。核心技术人员认定依据主要包括：（1）具有与公司业务匹配的深厚资历背景和丰富
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的研发技术经验；（2）入选“江苏省双创计划”，为江苏省的双创人才或双创博
士；（3）多年研发经验，作为主要发明人成功申请并取得发明专利，目前在公
司研发中承担重要工作；（4）目前在研发、技术服务等部门担任重要职务。
八、已制定或实施的股权激励及相关安排聚海盈管理系公司员工持股平台。聚海盈管理的基本情况详见本节“五、持有发行人5%以上股份的主要股东及实际控制人的基本情况”之“（四）持有发行人5%以上股份的股东”之“3、聚海盈管理”。
九、发行人员工及其社会保障情况
（一）员工人数及结构
1、员工人数及变化情况
截至2019年12月31日、2020年12月31日和2021年12月31日，公司员工人数分别为257人、425人和511人。
2、员工专业结构
截至2021年12月31日，公司员工的专业构成情况如下表：
项目人数占比
行政管理人员6011.74%
生产人员16732.68%
销售及支持人员9618.79%
研发人员18836.79%
合计511100.00%
3、员工受教育程度
截至2021年12月31日，公司员工的受教育程度情况如下表：
项目人数占比
博士及以上122.35%
硕士5711.15%
本科21942.86%
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项目人数占比
大专及以下22343.64%
合计511100.00%
4、员工年龄结构
截至2021年12月31日，公司员工的年龄结构情况如下表：
项目人数占比
30岁以下16732.68%
31～40岁28756.16%
41～50岁458.81%
51岁及以上122.35%
合计511100.00%
（二）员工社会保障情况
公司实行劳动合同制，员工根据与公司签订的劳动合同享受权利和承担义务。公司按照《中华人民共和国劳动法》及国家和地方政府有关规定参加了社会保障体系，实行养老保险、基本医疗保险、工伤保险、失业保险及生育保险等社会保险制度，定期向社会保险统筹部门缴纳上述各项保险，并按照国家有关政策建立了住房公积金制度。
报告期各期末，公司社会保险和住房公积金的缴纳人数如下：
项目2021年12月31日2020年12月31日2019年12月31日社保缴纳人数497402253公积金缴纳人数497402252公司员工总人数511425257
社保覆盖比例97.26%94.59%98.44%
公积金覆盖比例97.26%94.59%98.05%
注：为满足个别员工异地缴纳社会保险和住房公积金的需要，公司2020年起存在第三方机构代缴社保及公积金的情形。
报告期各期末，部分员工未缴纳社保和公积金的具体原因如下：
项目2021年12月31日2020年12月31日2019年12月31日
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5人为退休返聘、3人
为新入职员工，1人为
7人为退休返聘，4人1人为新入职员工、2
未缴纳社保兼职人员，4人因原任为新入职员工、1人为人离职、1人为退休返原因职单位未及时封存其社
兼职人员、2人离职聘人员保账户导致未及时办理，10人离职
5人为退休返聘、5人
为新入职员工，1人为
7人为退休返聘，3人2人为新入职员工、2
未缴纳公积兼职人员，2人因原任为新入职员工、1人为人离职、1人为退休返金原因职单位未及时封存其公
兼职人员、3人离职聘人员积金账户导致未及时办理，10人离职注：因社保、公积金缴纳的时间存在差异，导致每月为员工缴纳社保和公积金的人数不同。
截至本招股说明书签署日，上述新入职员工的社保、公积金缴纳手续均已办理完毕。
报告期内，发行人没有因违反社会保险法律法规及住房公积金法律法规而被社会保险主管部门和住房公积金主管部门处罚的情形。
1-1-91江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
第六节业务与技术
一、公司的主营业务及主要产品情况
（一）公司主营业务概况
公司以原子层沉积（ALD）技术为核心，主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产和销售，向下游客户提供先进薄膜沉积设备、配套产品及服务。
自成立以来，公司通过不断吸纳国内外优秀人才和研发投入，先后设立江苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江苏省外国专家工作室、江苏省博士
后创新实践基地、江苏省研究生工作站等科研平台，在原子层沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术、纳米叠层
薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于原子层沉
积的高效电池技术等前沿科技领域持续构筑和强化技术壁垒，并在此基础上继续深化 ALD 技术在下一代光伏电池、集成电路、先进存储等方面的技术储备，为客户提供更丰富的高端薄膜沉积产品。
报告期内，公司产品率先用于光伏电池片生产过程中的薄膜沉积环节，已覆盖包括通威太阳能、隆基股份、晶澳太阳能、阿特斯、天合光能等在内的多
家知名太阳能电池片生产商。2018 年，公司的光伏领域夸父（KF）原子层沉积设备被评定为“江苏省首台（套）重大装备产品”。目前，公司应用于 TOPCon新型高效电池生产线的产品已在客户现场验证。
在成功将 ALD 技术应用于光伏领域后，公司开发了对技术水平和工艺要求更高的半导体薄膜沉积设备，已先后获得多家知名半导体公司的商业订单，并在报告期内实现了国产 ALD 设备在 28nm 集成电路制造关键工艺（高介电常数栅氧层材料沉积环节）中的突破。此外，公司已与多家国内半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等合作，针对国内半导体薄膜沉积各细分应用领域研发试制新型 ALD 设备。除了光伏和半导体领域外，公司还拓展了柔性电子等其他领域的应用。
1-1-92江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
（二）主要产品情况
1、公司主要技术情况
薄膜沉积是指在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具有光学、电学等方面的特殊性能。薄膜沉积设备的设计制造涉及化学、物理、工程等多门学科的跨界综合运用，按工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积
（CVD）和原子层沉积（ALD）设备，按设备形态的不同可分为批量式（管式）和空间型（板式）两种技术路线。公司目前产品主要以批量式（管式）ALD 设备为主。
ALD 技术是一种特殊的真空薄膜沉积方法，具有较高的技术壁垒。通过ALD 镀膜设备可以将物质以单原子层的形式一层一层沉积在基底表面，每镀膜一次/层为一个原子层，根据原子特性，镀膜 10 次/层约为 1nm。由于 ALD 技术表面化学反应具有自限性，因此拥有多项独特的薄膜沉积特性：1、三维共形性，广泛适用于不同形状的基底；2、大面积成膜的均匀性，且致密、无针孔；3、可实现亚纳米级的薄膜厚度控制。基于上述特性，ALD 技术广泛适用于不同场景下的薄膜沉积，在光伏、半导体、柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。
ALD 技术通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室并在沉积基底上发生表
面饱和化学反应形成薄膜。典型的热原子层沉积（TALD）技术是利用加热为薄膜沉积过程中的化学吸附提供活化能。以三甲基铝（TMA）为金属铝源、水蒸气为氧源，沉积 Al2O3薄膜的反应为例，每一个单位循环分为四步：
步骤过程
1 TMA 蒸气脉冲进入反应室，在暴露的衬底或膜表面发生化学吸附反应
2 清洗气体（通常为惰性气体）将多余的 TMA 蒸气和反应副产物甲烷带出反应室
3 水蒸气脉冲进入反应室和 TMA 前驱体吸附的表面继续进行表面化学反应
4清洗气体把多余的水蒸气和反应副产物甲烷带出反应室
5 循环上述步骤，形成所需厚度的 Al2O3薄膜
原子层沉积技术原理示意图
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2、公司主要产品情况
公司已开发出适用于光伏、半导体等应用领域的多款薄膜沉积设备，涵盖ALD、PEALD 二合一、PECVD 系列产品，并提供配套产品及服务，具体如下：
（1）专用设备
*光伏领域主要设备产品系列产品图示产品说明产业化阶段夸父（KF）
运用 ALD 技术，对晶硅太阳能系列原子层
电池表面 Al2O3 钝化膜进行批 产业化应用沉积量制备
（ALD）系统夸父（KF） 运用 PECVD 技术，对晶硅太管式 PECVD 阳能电池表面 SiNx 薄膜进行批 产业化应用系统量制备
集成 PEALD 与 PECVD 技术，祝融（ZR） 同一台设备可完成电池 Al2O3
管式 PEALD 膜和 SiNx膜，以及 TOPCon 电 产业化应用系统 池超薄 SiOx 隧穿层和掺杂多晶硅薄膜的制备
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产品系列产品图示产品说明产业化阶段
采用超高温热场控制技术，可羲和（XH）
实现磷扩、硼扩、氧化和退火低压扩散炉产业化验证工艺，为 TOPCon 电池生产线系统设备
注：产业化应用是指已实现销售，产业化验证是指已签署合同并正在履行，下同。
公司设备在光伏领域太阳能电池片生产中涉及的工艺类型、应用领域和产
业化阶段情况如下：
产品系列设备类型镀膜工艺目前应用领域产业化阶段
PERC：产业夸父（KF）系
PERC 电池背面钝化层、 化应用
列原子层沉积 TALD Al2O3工艺
TOPCon 电池正面钝化层 TOPCon：产
（ALD）系统业化验证夸父（KF）管 PECVD SiNX工艺 PERC 电池减反层 产业化应用
式 PECVD 系
统 PECVD SiNX工艺 TOPCon 电池背面减反层 产业化验证
PEALD 和 Al2O3和 SiNX二 PERC 电池背面钝化层、产业化应用
PECVD 合一工艺 减反层
PEALD 和 Al2O3和 SiNX二 TOPCon 电池正面钝化祝融（ZR）管 产业化验证
PECVD 合一工艺 层、减反层
式 PEALD 系统隧穿层和掺杂多
PEALD 和 TOPCon 电池隧穿层、掺晶硅层二合一工产业化验证
PECVD 杂多晶硅层艺羲和（XH）低 非晶硅晶化及掺
炉管设备 TOPCon 电池扩散、退火 产业化验证
压扩散炉系统杂、扩散
公司夸父（KF）系列设备在光伏领域 PERC 电池中的 Al2O3工艺和 SiNX工
艺的已实现产业化应用，其实现的功能如下：
A、Al2O3薄膜的功能
钝化工序就是通过降低硅片表面电子空穴的复合来降低缺陷带来的影响，从而保证电池的光电转换效率。当光线照射在晶硅太阳能电池上表面且被吸收，具有足够能量的光子能够在 P 型硅和 N 型硅中将电子激发，从而产生电子－空穴对。电子和空穴在复合之前，将形成一个向外的可测试的电压。硅片表面的杂质和缺陷会对晶硅太阳能电池片的性能造成负面影响，导致电子空穴复合。
Al2O3 由于具备较高的负电荷密度，可以对 P 型半导体如 PERC 电池背面和TOPCon 电池的正面提供良好的场效应钝化，即在近表面处增加一层具有高度稳定电荷的介质膜在表面附近造一个梯度电场，减少表面电子浓度从而降低表
1-1-95江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
面电子空穴的复合速率。下游客户通过公司的 ALD 设备在电池片表面制备Al2O3膜实现钝化效果，以达到更高的光电转化水平。
B、SiNx薄膜的功能
在 PERC 电池背面，为了避免后续金属化烧结过程铝浆对 Al2O3 钝化膜的破坏，SiNX 依靠其化学稳定性，主要用于背部钝化膜的保护；在 PERC 电池正面，由于 SiNX 富含氢原子，可以在热处理过程中对表面和体内的缺陷进行化学钝化，从而降低表面电子的复合。同时由于 SiNX 的光学特性，还可以实现PERC 电池正面和背面减反效果。
公司祝融（ZR）系列产品集成了 PEALD 与 PECVD 技术，其在光伏领域PERC 电池中的 Al2O3 和 SiNX 工艺已实现产业化应用，客户可以在同一设备中采用两种不同技术完成对 PERC 电池背面 Al2O3和 SiNX的沉积。该系列产品还为将来升级 TOPCon 技术路线提供技术解决方案，在同一设备中可连续完成对TOPCon 电池超薄 SiOX 隧穿层和掺杂多晶硅薄膜的制备。公司目前应用于TOPCon 电池的相关产品已向客户发货，处于产业化验证中。
公司羲和（XH）低压扩散炉系统采用自主研发的超高温热场控制技术，实现对硅片的掺杂，以及实现兼容磷、硼两种扩散工艺。目前相关产品已向客户发货，处于产业化验证中。
*半导体领域主要产品产品系列产品图示产品说明产业化阶段凤凰（P）系列 主要用于单片型 12 寸及 8 寸晶
原子层沉积镀圆生产中氧化物、氮化物及金产业化应用膜系统属镀膜工艺
主要用于单片型8寸、6寸及凤凰（P-Lite）
以下的第三代化合物半导体、轻型原子层沉产业化验证
量子器件等氧化物、氮化物及积镀膜系统金属镀膜工艺
1-1-96江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
产品系列产品图示产品说明产业化阶段用于批量型12寸及8寸晶圆麒麟（QL）系 生产中氧化物、氮化物及金属
列原子层沉积镀膜工艺，单腔体每批次可容产业化验证镀膜系统纳最多25片12寸（兼容25片8寸晶圆镀膜）用于半导体先进制程的晶圆真
龙（Dragon）
空传输系统，该平台系统可有系列真空传输产业化验证
效避免晶圆表面微尘，可实现系统高产能下的稳定性
公司设备在半导体产品生产中的具体镀膜工艺、应用领域和产业化阶段情
况如下：
产品系列设备类型镀膜工艺目前应用领域产业化阶段
HfO2工艺 逻辑芯片——高 k 栅介质层 产业化应用
HfO2工艺凤凰（P）系列
存储芯片——高 k 栅电容介质层
原子层沉积镀 TALD ZrO2工艺 产业化验证（单元和多元掺杂介质层）膜系统
La2O3工艺
TiO2工艺 存储芯片——高 k 栅介质覆盖层 产业化验证
半导体量子器件——超导材料导
TiN 工艺 产业化验证电层凤凰（P-Lite） TALD
Al2O3和 第三代化合物半导体——钝化层轻型原子层沉产业化验证
AlN 工艺 和过渡层积镀膜系统
Al2O3和 第三代化合物半导体——钝化层
PEALD 产业化验证
AlN 工艺 和过渡层麒麟（QL）系
Al2O3和 硅基微型显示芯片——阻水阻氧
列原子层沉积 TALD 产业化验证
TiO2工艺 保护层镀膜系统
龙（Dragon）真空传输
系列真空传输-半导体设备晶圆传输平台系统产业化验证系统系统
报告期内，公司设备在半导体领域 28nm 逻辑器件制造过程中栅氧层工艺必备的高介电常数（High-k）材料沉积环节已产业化应用，其实现的功能如下：
在晶圆制造进入 65nm 制程及之前，集成电路主要通过沉积 SiO2 薄膜形成栅极介质减少漏电，但进入 45nm 制程特别是 28nm 之后，传统的 SiO2 栅介质
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层薄膜材料厚度需缩小至1纳米以下，将产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化，已不能满足技术发展的要求。而高 k 氧化物作为栅介质层，可以在降低等效氧化物厚度（EOT）的同时，抑制漏电流的产生。由于高 k 的栅介质层厚度往往小于 10nm，所需的膜层很薄（通常在数纳米量级内），公司 ALD 设备凭借原子级别的精确控制及沉积高覆盖率和薄膜的均匀性，制备的高 k 材料 HfO2较好的满足了 28nm 逻辑器件制造过程的需要。
除上述在半导体领域已实现产业化应用的功能外，公司 ALD 设备沉积的HfO2、ZrO2、La2O3 以及互相掺杂沉积工艺可用于新型存储器如铁电存储
（FeRAM）芯片的电容介质层，沉积的 Al2O3、TiN、AlN 可用于化合物半导体、量子器件的超导材料导电层等，上述应用均已完成客户的试样测试并签署订单。
*其他领域应用产品系列设备类型产品图示说明产业化阶段
FlexGuard 主 要 为 OLED
（FG）系列 等各类柔性电子
TALD 产业化验证卷对卷原子层器件镀膜实现阻沉积镀膜系统水阻氧保护
公司自主开发的 FlexGuard（FG）系列卷对卷原子层沉积镀膜系统主要在
OLED 等先进显示技术的柔性电子材料上进行真空镀膜。由于 OLED 器件被水和氧气渗透后极易发生老化变性，导致器件亮度和使用寿命出现明显衰减，因此需要使用阻水阻氧材料进行封装保护。公司的 ALD 设备能够在大幅宽的材料表面沉积高性能阻隔层，具备良好的阻水阻氧能力，能够有效保护 OLED 器件的性能和寿命。公司首台设备已在客户现场验证，并已获得客户重复订单。
（2）配套产品及服务
公司配套产品及服务主要包括设备改造、备品备件及其他两类业务。
*设备改造
公司的薄膜沉积设备采用模块化设计，在具体型号工艺设备开发完成后，可以适用下游大部分客户对于该型号设备工艺的主要功能需求。同时，公司同类型设备在具体配置上具有一定灵活度，除了标准化模块之外的剩余部件，会
1-1-98江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
根据下游采购意向和需求进行非标准化定制，比如客户可选择单面或双面镀膜、水工艺或臭氧工艺、不同大小硅片加工尺寸、设备现场布局和衔接方式等，以满足客户的差异化需求。
由于产品采用模块化设计方式，因此公司可以针对市场需求和技术发展趋势，为已销售的在役设备提供改造服务，以帮助下游客户用较少的成本达到降本增效的效果，提高设备服役年限。公司目前的设备改造集中在光伏领域设备，设备改造的内容主要包括尺寸改造、工艺改造等，具体如下：
A、尺寸改造
在光伏领域，硅片的大尺寸化可以有效提升组件效率、降低制造及发电成本，是降本增效的重要途径。公司薄膜沉积设备的反应腔体对于硅片的尺寸具有一定的兼容能力，太阳能电池片尺寸在 158mm、166mm、182mm 乃至
210mm 逐步升级过程中，需要公司通过对载具、导风筒、喷淋板及设备结构等
进行改造、优化，满足客户对电池片产品尺寸调整的需求。
B、工艺改造
ALD 设备可以采用水蒸气或臭氧作为氧源，与 TMA 前驱体反应实现薄膜沉积。公司出厂设备可以为客户提供多种选择，在运行期间，客户会综合考虑成本、稳定性、控制性等方面的因素决定是否进行工艺改造。公司目前工艺改造项目主要为臭氧改造，通过新增臭氧发生器及改造配套管路设备，将原设备中的与 TMA 前驱体反应的氧源，由水蒸气改为臭氧，满足客户自身工艺的需求。
设备改造业务主要是针对客户对专用设备的功能需求，重新对工艺和产品方案进行设计，并按照设计方案对核心部件进行生产后，经安装调试满足客户产线具体的参数和配置要求，需要综合应用公司各项核心技术，且具有较高的技术难度。设备改造的开展方式和实施过程本质上与专用设备产品相同，只是在业务开展形式上存在差别：设备改造是以物料交付的形式，将各核心部件在客户已有机台中进行安装和调试，并进行验收交付；专用设备销售是以整机交付的形式，将核心部件集中在新机台中，整机在客户现场通过安装和调试验收交付。
1-1-99江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）因此，设备改造在业务实质上与专用设备相同，均是公司核心技术应用的体现。
*备品备件及其他
公司设备在运行过程中，部分零部件会出现正常损耗，因此下游客户需向公司采购易损耗的零部件。备品备件主要为载具（一体舟）、去离子水等产品。
公司还针对设备提供载具清洗、耗材更换等后续服务。
（三）主营业务收入构成
报告期内，公司主营业务收入按产品类别的构成情况如下：
单位：万元
2021年度2020年度2019年度
项目金额比例金额比例金额比例
专用设备30047.4870.29%29916.7995.74%20194.6993.59%配套产品及服
12703.1629.71%1331.484.26%1382.876.41%
务
合计42750.64100.00%31248.27100.00%21577.56100.00%
报告期内，公司形成主营业务收入的产品类别以专用设备为主。2021年度，公司专用设备收入占比下降，主要系配套产品及服务中的设备改造业务增幅较大所致。公司设备改造业务均为对自身实现销售的在役设备进行改造，预计随着设备累计销量的增长将持续产生后续设备改造业务机会，其业务规模受光伏电池硅片大尺寸化趋势、公司臭氧工艺的推广以及新工艺开发及应用情况等因素影响。
报告期内，公司专用设备产品主要包括 ALD 设备、PECVD 设备、PEALD二合一平台设备，其销售收入的具体情况如下表所示：
单位：万元
2021年度2020年度2019年度
项目销售收入占比销售收入占比销售收入占比
ALD 设
13616.8645.32%29916.79100.00%20194.69100.00%
光伏备
领域 PECVD
7123.0123.71%----
设备
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2021年度2020年度2019年度
项目销售收入占比销售收入占比销售收入占比
PEALD二合一
6787.6122.59%----
平台设备
小计27527.4891.61%29916.79100.00%20194.69100.00%
半导 ALD 设 2520.00 8.39% - - - -体领备
域小计2520.008.39%----
合计30047.48100.00%29916.79100.00%20194.69100.00%
报告期内，公司专用设备以 ALD 设备为主。2021 年 ALD 设备销售规模和占比有所降低，主要原因是光伏电池行业在 2020-2021 年处于由 PERC 向新型高效电池技术转变的过渡期，下游厂商扩产和采购节奏短期调整，同时公司在此期间推出 PECVD 设备、PEALD 二合一平台设备等新产品导致了当期订单结构有所变化。随着 TOPCon 等新型高效电池技术路线确定、成熟度提高，截至本招股说明书签署日，作为公司专用设备中的核心产品，公司 ALD 设备新签订单数量已超过2021年全年镀膜设备订单数量总和，同比大幅增长。
（四）公司主要经营模式
1、盈利模式
公司以 ALD 技术为核心，主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产和销售。公司通过向客户销售专用设备，提供设备改造、备品备件等配套产品及服务，获得相应的收入，扣除成本、费用等相关支出，形成公司的盈利。
2、采购模式
公司根据生产需要制定采购计划，在合理控制库存的同时，保证物料供应的及时性。对于标准件，尤其是从境外进口的零部件，公司备有一定的安全库存。对于标准件，公司向供应商直接采购。非标准件为公司根据特定技术需求设计的，公司主要通过向供应商提供设计图纸、明确参数要求，由供应商加工完成。
为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和评估制度。
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公司主要考察供应商的经营资质、生产能力、质量管控能力、产品品种、价格、
交货周期、研发和设计能力等因素，结合供应商配合程度、约定付款周期、试制件情况等综合评定，将其纳入公司合格供应商目录。
对公司产品质量影响较大的核心部件，公司会定期确定可使用品牌目录，并根据相关品牌的供应方式采用从品牌厂商直接采购或代理厂商采购方式，公司核心部件供应厂商一般为国内外知名企业，核心部件的供应较为稳定。
3、生产模式
（1）定制化设计与生产
公司根据客户采购意向和需求进行产品定制化设计与生产，以满足客户的差异化需求。
在获取销售合同或采购意向后，由项目部负责整个项目过程的进度管控与相关节点事宜协调。公司根据客户要求提供生产资料，并根据零件特性及投料需求，组织采购。
生产部根据生产计划、零件到货情况和技术要求制定部件的装配计划，对装配过程进行外观、功能、关键工序、定位连接等进行自检。完成装配作业后进行工艺调试，根据检验标准的要求进行检验后组织打包发货。
（2）外协加工情况
公司在设备生产中存在外协加工的情况，公司外协加工包括外购加工件和委外加工两种情形：
*外购加工件是供应商按照公司的图纸和技术要求、来料检验标准等向公
司提供非标准化的定制采购件。该种情形下，公司直接向其购买产品，原材料由供应商自己采购及准备。
*委外加工是由供应商对公司提供的在产品进行机加工或进行表面处理。
委外加工企业在加工完成后将在产品交还给公司，公司支付委外加工费。机加工是指外协厂商根据公司的设计要求将原材料使用合适的机加工设备进行切削
等加工处理，具体包括车加工、铣加工等；表面处理是在基体材料表面上形成一层与基体的机械、物理和化学性能不同的表层的工艺方法，目的是满足产品的耐蚀性、耐磨性、装饰或其他特种功能要求，具体包括喷塑、镍磷处理、镀铬处理、氧化处理等。
1-1-102江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
4、销售模式
公司的销售模式为直销，主要通过直接接洽和投标的方式获取客户。同时，公司也积极参加国内外专业展会、论坛，加强客户资源开发力度。公司的销售流程主要包括市场和客户需求调研、销售洽谈及销售合同的签订、发货及客户验收。
对于已经形成批量销售的成熟机型，在与客户接洽后可以直接进入商务谈判或者招投标环节；对于部分首次购买客户，即使是成熟机型，在给该客户第一次供货前一般需要提供样机进行试用，试用满足客户要求后，再进入商务谈判或者招投标环节；对于新研发机型，根据客户需求，公司可能需要提供样机交由客户评测，再根据客户评测结果对新研发机型进行改进升级，待样机达到客户的技术指标后，再进入洽谈及合同签订环节。
设备运至客户指定的位置后，公司负责组织安装调试、配合客户生产工作，并提供技术指导、售后跟踪和维修服务。
5、研发模式
公司主要采取自主研发模式，根据研发阶段和内容将研发人员分为机械设计、电气和软件开发、工艺开发三类。机械设计类主要负责进行机械研发，主要职责是对新机型的研究与开发、对老机型的更新和改进、对车间装配和设备
调试的技术支持，以及对工艺研发中涉及到机械硬件的技术支持；电气和软件类主要是负责电气及设备运行软件开发以及设备运行的电气和程序维护，对工艺开发中涉及到的技术提供支持；工艺开发类主要负责开发新产品所需要的各
类镀膜工艺以及设备在客户端量产导入前的各类应用，同时为客户开发更先进的量产工艺技术。
公司的产品研发及产业化流程主要包括需求提出、立项和规划阶段、开发
实现阶段、产业验证阶段、产业化应用阶段，具体情况如：
（1）需求提出
公司研发项目的来源一般包括：*战略需求：根据市场的发展趋势转化的
产品潜在需求；*客户需求：来源于销售合同或技术协议的信息；*内部需求：
已有产品性能、功能、外观等涉及技术难度较大的改动项目等。
（2）立项和规划阶段
研发负责人根据产品和技术发展方向或者客户需求提出设计开发任务，填
1-1-103江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）写新项目审批表，项目管理人按照新项目审批表的要求，制作项目计划表（里程碑），并召集工艺、机械、电气、项目、质量、生产等职能部门召开项目启动会议，对项目进行讨论、评审并立项。
（3）开发实现阶段
研发人员对研发项目进行设计，形成设计方案和三维模型并进行评审，并形成《研发评审表》。后续项目管理人对项目的设计进行管控，及时发现问题以确保设计结果满足要求的能力。
根据经过评审确定的设计方案生产研发样机，研发人员通过实验测试对研发样机进行调试和优化，使研发样机能够满足基本的功能及性能要求。
（4）产业化验证阶段
公司通过样机开发过程中所提出的产品设计变更以及工艺要求，同时根据特定客户生产实际需求，开发量产机型。
公司将满足条件的量产样机运往产线上进行组装和调试，并经客户验证。
验证过程若出现问题，相应研发人员进行及时研究、整改，直至满足设计目标。
该阶段完成后标志着机台开发完成可进入产业化应用阶段，可批量进入客户生产线投产运行。
（5）产业化应用阶段
本阶段是在研发样机开发完成的基础上，根据市场及客户的需求进行批量生产交付，标志着机台技术已经成熟。为了保证产品技术及工艺水平，研发人员会在产品量产过程及全生命维护阶段对其进行持续的技术升级与工艺优化，并确保最新的研发成果在产品上实现应用。
6、公司采用目前经营模式的原因及未来变化趋势
公司在持续发展与市场竞争中建立了适合企业自身的经营模式。公司的技术水平与发展规划、行业内市场竞争情况、下游行业的需求和政策变化情况是影响公司生产经营的最关键因素。
公司目前的经营模式帮助公司取得了产品和市场规模的飞速发展。报告期内，公司经营模式未发生重大变化，预计短期内也不会发生重大变化。
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（五）公司设立以来主营业务、主要产品或服务、主要经营模式的演变情况
自设立以来，公司以 ALD 技术为核心，主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产和销售，向下游客户提供先进薄膜沉积设备与相关改造服务及备品备件。公司生产模式、主营业务等未发生重大变化，公司产品的种类、型号及应用领域均在不断增加。
公司主要产品演变情况如下：
1、首台产品研发验证阶段（公司成立至2017年7月）
公司成立于2015年12月25日，成立后即开始原型机研发，于2016年底形成原型机 KF1000 主机，并持续进行工艺调试。该原型机仅为单腔体主机，未包含材料传输结构，尚不具备产业化生产能力。公司一代量产机型 KF4000于2017年初开始工艺验证，于2017年中开始试量产。
2、下游龙头客户攻坚阶段（2017年8月至2018年5月）
凭借工艺验证的初步结果，公司集中拜访国内电池片行业龙头企业，陆续与下游行业龙头企业签订样机试用协议。通过产品与客户产线的磨合，推进公司产品在 PERC 电池钝化工艺上的突破。公司 2017 年下半年开始进行 KF6000机型和以臭氧工艺为核心工艺的 KF10000S 机型的研发事宜，2018 年中 KF6000机型进行量产验证。
3、市场与产品突破阶段（2018年5月至2018年12月）
随着 KF6000 机型在下游头部企业开始量产爬坡，由于产品的示范作用和
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带头效应，公司产品在行业内知名度进一步提升。同时，公司积极推进产品线的拓宽计划，启动半导体领域与柔性电子领域机型的研发工作。
4、公司加速发展阶段（2019年1月至2020年12月）
公司臭氧工艺与等离子体技术陆续取得突破，KF10000S 机型与 ZR4000×2机型先后研制成功，公司产品得到有效推广，在光伏领域的知名度进一步提升。
半导体领域，凤凰系列样机于2019年初搭建完成并进行工艺调试。公司在此平台上开发了 Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、SiO2 等单片镀膜工艺。公司于
2020年初进行了麒麟、凤凰系列新机型和龙系列团簇平台的立项启动工作，并
着手建立产业化应用中心，配备更高级别的洁净室与半导体级检测设备，以满足半导体领域对生产环境与检测设备的要求。
5、公司战略升级发展阶段（2020年12月至今）
在光伏领域，公司 ZR5000×2 批量型 PEALD 镀膜系统以及 KF10000S、KF15000 等高端光伏装备陆续获得包括阿特斯、隆基股份、爱旭股份、晶科能
源等多家重要光伏客户订单，并在通威太阳能、无锡尚德等 N 型 TOPCon 高效电池生产线上开展应用。
在半导体领域，公司首套用于 300mm（12 英寸）晶圆的 High-k 栅氧层薄膜沉积的 ALD 设备已实现销售，实现国产半导体 ALD 设备在 28nm 集成电路制造关键工艺（高介电常数栅氧层材料沉积环节）中的突破。针对国内半导体薄膜沉积各细分应用领域研发试制新型 ALD 设备陆续取得进展。
在其他应用领域中，公司自主开发的 FG 系列卷对卷设备能够在大幅宽的材料表面沉积阻隔层，实现较低的水汽渗透率，具备良好的阻水阻氧能力。该设备已向下游客户发货，并取得重复订单。
（六）主要产品的工艺流程图或服务的流程图
公司专用设备的生产工艺流程主要包括部件组装、模块组装、系统集成、设备功能检测、厂内工艺调试、拆机包装出货等步骤，生产人员根据《电气装配图》《装配工程图》等图纸，将产品各模块与整机图纸进行装配。公司设备的部件组装环节主要包括反应腔体、源输送模组、传送模组和电气模块。具体的工艺流程如下：
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（七）生产经营中涉及的主要环境污染物及其处理措施和处理能力
公司主要生产工序为机器设备的组装、检测和调试等，不存在高危险、重污染的情形。公司生产经营中涉及的主要环境污染物及其处理措施和处理能力如下所示：
1、废气
公司运营过程中产生的废气主要为工艺调试废气，主要污染物分别为颗粒物和氨气。公司工艺调试过程在密闭设备进行，经尾气处理装置处理后通过高排气筒排放。处理后废气污染物均达标排放，且污染物排放量较小，无需设置卫生防护，废气对周围大气环境无明显影响。
2、废水
1-1-107江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
公司运营过程中产生的废水为生活污水。由于各类水污染物排放浓度及排放量均较小，对周围水环境无明显影响。
发行人目前持有的《城镇污水排入排水管网许可证》（登记编号：锡政园许
新排（2020）196号），登记有效期为2020年4月22日至2025年4月21日。
3、固体废物
公司产生的固体废物包括废零部件及金属屑、废液、废硅片、废颗粒、废
包装材料、废试剂瓶、废抹布手套等防护用品和生活垃圾。对于上述固体废物，公司分类后放置在专门指定堆放点，后续进行处理或委托有资质单位处置，其中生活垃圾由环卫部门统一清运。采取上述治理措施后，公司各类固废均能得到合理处置，不产生二次污染，不会对周围环境产生影响。
发行人目前持有的《固定污染源排污登记回执》（登记编号：91320213MA1MDBFY36001Y），登记有效期为 2020 年 3 月 24 日至 2025 年 3月23日。
4、噪声
公司主要噪声源为空压机、空调机组、冷水机组、车床、铣床和废气处理风机。公司产生的设备噪声经过车间隔声措施及距离衰减，对周围声环境影响较小。
二、公司所处行业的基本情况
（一）公司所处行业
根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业隶属于“专用设备制造业”（行业代码：C35）；根据《国民经济行业分类与代码》（GBT/4754-2017），公司所处行业隶属于“专用设备制造业”下的“半导体器件专用设备制造”（行业代码：C3562）。
（二）行业主管部门与管理体制
公司所处行业主管部门为国家发改委、工信部。国家发改委主要从宏观上
1-1-108江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
组织拟订行业发展、产业技术进步的战略、规划和重大政策；组织推动技术创新和产学研联合；协调解决重大技术装备推广应用等重大问题。工信部主要职责为拟订并组织实施工业行业规划、产业政策和标准；监测工业行业日常运行；
推动重大技术装备发展和自主创新。
公司所处的行业全国性自律组织主要有中国光伏行业协会、中国半导体行
业协会、中国电子专用设备工业协会等。行业协会主要负责贯彻落实政府产业政策；开展产业及市场研究，向会员单位和政府主管部门提供咨询服务；行业自律管理；代表会员单位向政府部门提出产业发展建议和意见等。
公司目前是中国光伏行业协会、中国半导体行业协会、中国电子专用设备工业协会、亚洲光伏产业协会、SEMI China（国际半导体设备与材料协会在中国的常驻机构）、第三代半导体产业技术创新战略联盟、中关村集成电路产业联
盟、无锡市半导体行业协会、中国集成电路装备创新联盟等组织的会员单位，积极参与全国及区域范围行业内的技术交流与合作。
（三）行业主要法律法规政策及其影响序制定单时间文件名称主要内容号位光伏领域主要法律法规及政策
从2017年至2020年，光伏电站的新增计划装机规模为5450万千瓦，领跑技术基地新增规模为3200万千瓦，两者合计的年均新增装机规模将超过
21GW。就指导意见来看，上述新增规模对应的仅是《关于可再生能地面电站的计划指标，并不包括不限建设规模的分
2017国家能源发展“十三
1布式光伏发电项目、村级扶贫电站以及跨省跨区输年源局五”规划实施
电通道配套建设的光伏电站。北京、天津、上海、的指导意见》
福建、重庆、西藏、海南等7个省（区、市），可以自行管理本区域“十三五”时期光伏电站建设规模，根据本地区能源规划、市场消纳等条件有序建设，也并不受上述规划规模限制。
关于印发《绿色产业指导目各地方、各部门要以《目录》为著础，根据各自领2019国家发录（2019年域、区域发展重点，出台投资、价格、金融、税收
2年改委版）》的通知等方面措施，着力壮大节能环保、清洁生产、清洁（发改环资能源等绿色产业。[2019]293号）《关于2019年积极推进平价上网项目建设：在组织电网企业论证
2019国家能
3风电、光伏发并落实平价上网项目的电力送出和消纳条件基础
年源局
电项目建设有上，优先推进平价上网项目建设。严格规范补贴项
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序制定单时间文件名称主要内容号位关事项的通知目竞争配置；竞争配置工作方案应严格落实公开公
（国能发新能平公正的原则，将上网电价作为重要竞争条件，优[2019]49号）》先建设补贴强度低、退坡力度大的项目。
全面落实电力送出消纳条件：对所在省级区域风
电、光伏发电新增建设规模的消纳条件进行测算论证，做好新建风电、光伏发电项目与电力送出工程建设的衔接并落实消纳方案，优先保障平价上网项目的电力送出和消纳，优化建设投资营商环境。
第一类鼓励类……二十八、信息产业……51、先进的各类太阳能光伏电池及高纯晶体硅材料（多晶硅的综合电耗低于 65kWh/kg，单晶硅光伏电池的转换效率大于22.5%，多晶硅电池的转化效率大于
21.5%，碲化镉电池的转化效率大于17%，铜铟镓硒《产业结构调整
2019国家发电池转化效率大于18%）；十四、机械……23、二代
4指导目录
年改委改进型、三代、四代核电设备及关键部件，多用途
（2019年本）》
模块化小型堆设备及关键部件；2.5兆瓦以上风电设
备整机及2.0兆瓦以上风电设备控制系统、变流器等关键零部件；各类晶体硅和薄膜太阳能光伏电池
生产设备；海洋能（潮汐、海浪、洋流）发电设备。
协同推进新能源设施建设，因地制宜开发陆上风电《长江三角洲区
2019和光伏发电，有序推进海上风电建设，鼓励新能源
5国务院域一体化发展
年龙头企业跨省投资建设风能、太阳能、生物质等新规划纲要》能源。
积极推进平价上网项目、有序推进需国家财政补贴《2020年风项目、全面落实电力送出消纳条件、严格项目开发
2020国家能电、光伏发电
6建设信息监测，保障了政策的延续性，有利于推进
年源局项目建设有关
风电、光伏发电向平价上网的平稳过渡，实现行业事项的通知》的健康可持续发展。
《第十四个五年加快发展非化石能源，坚持集中式和分布式并举，
2021国家发规划和2035年大力提升风电、光伏发电规模，加快发展东中部分
7年改委远景目标纲布式能源；建设一批多能互补的清洁能源基地，非要》化石能源占能源消费总量比重提高到20%左右。
《关于2021年
2021年，全国风电、光伏发电发电量占全社会用电
风电、光伏发
2021国家能量的比重达到11%左右，后续逐年提高，确保2025
8电开发建设有
年源局年非化石能源消费占一次能源消费的比重达到20%关事项的通左右知》《智能光伏产业国家工光伏材料、零部件与装备：推动新型高效电池用关
2021创新发展行动
9信部等键部件及关键设备产业化，开发柔性薄膜电池大面年计划（2021-部门积均匀积沉技术。
2025年）》
国家发全面推进风电和太阳能发电大规模开发和高质量发展改革《“十四五”现
2022展，优先就地就近开发利用，加快负荷中心及周边
10委、国代能源体系规
年地区分散式风电和分布式光伏建设，推广应用低风家能源划》速风电技术局半导体领域主要法律法规及政策
1-1-110江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序制定单时间文件名称主要内容号位提出着力发展集成电路设计业；加速发展集成电路制造业；提升先进封装测试业发展水平；突破集成电路关键装备和材料；并从成立国家集成电路产业《国家集成电路
2014发展领导小组、设立国家产业投资基金、加大金融
1工信部产业发展推进
年支持力度、落实税收支持政策、加强安全可靠软硬纲要》
件的推广应用、强化企业创新能力建设、加大人才
培养和引进力度、继续扩大对外开放等八个方面配备了相应的保障措施。
着力提升集成电路设计水平，不断丰富知识产权（IP）和设计工具，突破关系国家信息与网络安全及2015《中国制造电子整机产业发展的核心通用芯片，提升国产芯片
2国务院年 2025》 的应用适配能力。掌握高密度封装及三维（3D）微组装技术，提升封装产业和测试的自主发展能力。
形成关键制造装备供货能力。
第一类鼓励类……二十八、信息产业……19、集成
电路设计，线宽0.8微米以下集成电路制造，及球栅阵列封装（BGA），插针网格阵列封装（PGA），《产业结构调整
2019 国家发 芯片规模封装（CSP），多芯片封装（MCM），栅格
3指导目录
年 改委 阵列封装（LGA），系统级封装（SIP），倒装封装
（2019年本）》
（FC）， 晶 圆 级 封 装 （WLP）， 传 感 器 封 装（MEMS）等先进封装与测试；20、集成电路装备制造。
《新时期促进集制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人成电路产业和才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面政
2020
4国务院软件产业高质策措施，进一步创新体制机制，鼓励集成电路产业
年
量发展的若干和软件产业发展，大力培育集成电路领域和软件领政策》域企业。
国家发《关于扩大战略改委、
性新兴产业投加快基础材料、关键芯片、高端元器件、新型显示
2020科技
5资培育壮大新器件、关键软件等核心技术攻关，大力推动重点工
年部、工
增长点增长极程和重大项目建设，积极扩大合理有效投资。
信部、的指导意见》财政部
制定实施战略性科学计划和科学工程，瞄准前沿领《第十四个五年域。其中，在集成电路领域，关注集成电路设计工
2021国家发规划和2035年具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发、集成电
6年 改委 远 景 目 标 纲 路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机要》 电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。
清洁能源和半导体行业是国家重点发展的战略性新兴产业，近年来，国家推出一系列法律法规和政策引导行业向积极、规范的方向发展，为包括设备在内的产业发展营造了良好的政策环境。从中长期看，有利于规范我国行业的市场秩序，引导企业加快产业结构升级和提高技术水平，进一步增强我国光伏、半导体等行业的企业市场竞争力，从而为公司的经营发展营造了良好的政策环
1-1-111江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）境。
（四）行业在新技术、新产业、新业态、新模式等方面近三年的发展情况和未来发展趋势
由于 ALD 技术的表面化学反应具有自限性，因此拥有优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，广泛适用于不同环境下的薄膜沉积，在光伏、半导体、柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。
公司在成功实现 ALD 技术应用于光伏领域后，先后开发出对技术水平和工艺要求更高的半导体和柔性电子薄膜沉积设备，并逐步拓展应用领域。
1、薄膜沉积技术概况
（1）基本情况
薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层，使之具备一定的特殊性能，广泛应用于光伏、半导体等领域的生产制造环节。
（2）薄膜沉积设备技术基本情况及对比
薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）设备、化
学气相沉积（CVD）设备和原子层沉积（ALD）设备。
* PVD
物理气相沉积（PVD）技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固
1-1-112江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。
* CVD
化学气相沉积（CVD）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在基体表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。
* ALD
参见本节“一、公司的主营业务及主要产品情况”之“（二）主要产品情况”。
*薄膜沉积设备技术之间对比
PVD 为物理过程，CVD 为化学过程，两种具有显著的区别。ALD 也是采用化学反应方式进行沉积，但反应原理和工艺方式与 CVD 存在显著区别，在CVD 工艺过程中，化学蒸气不断地通入真空室内，而在 ALD 工艺过程中，不同的反应物（前驱体）是以气体脉冲的形式交替送入反应室中的，使得在基底表面以单个原子层为单位一层一层地实现镀膜。
薄膜沉积设备技术分类
相比于 ALD 技术，PVD 技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备；CVD 技术的重复性和台阶覆盖性比 PVD 略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。
1-1-113江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
PVD、CVD、ALD 薄膜沉积效果示意图
上述三种不同工艺在光伏电池、半导体及柔性电子领域现有及潜在应用情
况如下：
项目 PVD 技术 CVD 技术 ALD 技术
（1）沉积速率较快；
（1）沉积速率一般（微米（1）沉积速率较慢（纳米/
（2）薄膜厚度较厚，对于/分钟）；分钟）；
纳米级的膜厚精度控制
优势（2）中等的薄膜厚度（依（2）原子层级的薄膜厚度；差；
与劣赖于反应循环次数）；（3）大面积薄膜厚度均匀性
（3）镀膜具有单一方向
势（3）镀膜具有单一方向好；
性；
性；（4）阶梯覆盖率最好；
（4）厚度均匀性差；
（4）阶梯覆盖率一般。（5）薄膜致密无针孔。
（5）阶梯覆盖率差。
（1）PERC 电池背面钝化
（1）PERC 电池背面钝化
层、PERC 电池减反层；
层；
（2）TOPCon 电池接触钝
（1）HJT 光伏电池透明电 （2）TOPCon 电池隧穿层、化层、减反层；
主要极；接触钝化层、减反层；
（3）HJT 电池接触钝化
应用（2）柔性电子金属化、触（3）柔性电子介质层、柔性层；
领域碰面板透明电极；电子封装层；
（4）柔性电子介质层、柔
（3）半导体金属化。 （4）半导体高 k 介质层、金性电子封装层；
属栅极、金属互联阻挡层、
（5）半导体介质层（低介多重曝光技术电常数）、半导体封装层。
（3）ALD、PVD、CVD 技术应用差异
PVD、CVD、ALD 技术各有自己的技术特点和技术难点，经过多年的发展，亦分别发展出诸多应用领域。
原子层沉积可以将物质以单原子层形式一层一层地镀在基底表面的方法。
从原理上说，ALD 是通过化学反应得到生成物，但在沉积反应原理、沉积反应条件的要求和沉积层的质量上都与传统的 CVD 不同，在传统 CVD 工艺过程中，化学气体不断通入真空室内，因此该沉积过程是连续的，沉积薄膜的厚度与温
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度、压力、气体流量以及流动的均匀性、时间等多种因素有关；在 ALD 工艺过程中，则是将不同的反应前驱物以气体脉冲的形式交替送入反应室中，因此并非一个连续的工艺过程。ALD 与 CVD 技术之间既存在明显的区分度，又在部分常规应用场景中存在可替代性。具体情况如下：
* 在 PERC 电池背钝化 Al2O3 的沉积工艺中，ALD 技术与 PECVD 技术存在互相替代的关系
在 2016 年之前，PECVD 在 PERC 电池背面钝化的应用被迅速推广，原因是在常规单晶电池制造工艺流程中，仅电池正面需要用 PECVD 镀 SiNX，因此电池厂商选择 PERC 电池背面沉积 Al2O3 的方法时，PECVD 技术被优先用于Al2O3 的沉积。而当时的 ALD 技术在国外主要应用于半导体领域，大多属于单片式反应器类型，这种反应器虽然镀膜精度高，但产能较低。
为了克服上述限制，2017 年起国内 ALD 设备制造商陆续推出创新解决方案。目前公司量产设备镀膜速率已经突破 10000 片/小时，打破制约 ALD 技术应用于光伏领域的产能限制，成为行业主流镀膜方案之一。因此，在硅片背面沉积 Al2O3的工艺中，ALD 技术与 PECVD 技术对于 Al2O3的沉积存在互相替代的关系。
* 在 TOPCon 电池隧穿层即氧化硅层的沉积工艺中，ALD 技术更具优势在氧化硅隧穿层的制备中，目前较常见的有高温热氧化法、等离子体氧化法和 PEALD 技术。高温热氧化法能获得高质量的氧化硅层、较低的界面缺陷态密度，但其存在大尺寸硅片下容易受热不均匀、成膜反应速度慢等问题；等离子体技术结合 N2O 虽然也被尝试用于氧化硅隧穿层的制备，采用等离子体轰击 N2O 使其解离产生游离 O 从而氧化硅片表面，但采用该方法生长的氧化硅厚度较厚，对于 1-3nm 的厚度而言，该方法难以控制厚度，因此尚未实现在氧化硅隧穿层的产业化应用。
公司开发出了 ZR5000×2PEALD“二合一”产品，创新性的将 ALD 技术应用于氧化硅层的制备，能够连续完成 TOPCon 电池的背膜结构（隧穿氧化硅/原位掺杂多晶硅）镀膜。跟上述氧化法相比，采用 ALD 技术可以获得超薄（＜
2nm）、大面积均匀性、致密性好、无针孔的氧化硅层。
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* ALD 技术在半导体领域 28nm 及以下先进制程、存储器件中的典型应用中发挥举足轻重的作用近年来，晶圆制造的复杂度和工序量大大提升，以逻辑芯片为例，随着
90nm 以下制程的产线数量增多，尤其是 28nm 及以下工艺的产线对镀膜厚度和
精度控制的要求更高，特别是引入多重曝光技术后，工序数和设备数均大幅提高；在存储芯片领域，主流制造工艺已由 2D NAND 发展为 3D NAND 结构，内部层数不断增高；元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构。由于 ALD 独特的技术优势，在每个周期中生长的薄膜厚度是一定的，拥有精确的膜厚控制和优越的台阶覆盖率，因此能够较好的满足器件尺寸不断缩小和结构 3D 立体化对于薄膜沉积工序中薄膜的厚度、三维共形性等方面的更高要求。ALD 技术愈发体现出举足轻重的作用。
2、光伏行业发展情况和未来发展趋势
（1）光伏行业概览
*光伏产业链情况
光伏产业链从上到下依次为：晶体硅料的生产和硅棒、硅锭、硅片的加工制作；光伏电池片的生产加工；光伏电池组件的制作；光伏应用（包括电站项目开发、电站系统的集成和运营），具体见下图：
光伏产业链一览目前，公司产品主要用于光伏产业链的中游环节，为太阳能电池片厂商提供镀膜设备，用于在电池片正面或背面镀 Al2O3 和 SiNX，是光伏电池片生产环节的关键工艺设备。
*光伏行业发展概况
2010年以来，全球太阳能光伏产业进入了高速发展期，太阳能光伏年装机
1-1-116江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
容量快速增长，上游相关行业也得到迅速发展。2011年至2021年间，全球年度光伏新增装机容量和累计装机容量大幅增长，其中，新增装机容量由2011年的 32.2GW 增加至 2021 年的 170GW，增长超过 5 倍。
IRENA 根据《巴黎协定》制定的目标进行测算，从现在起至 2050 年，与能源有关的二氧化碳排放量需要每年减少3.5%左右，并在此后持续减少。因此，全球能源格局的深刻变革对于实现该协定的气候目标至关重要。随着清洁能源的使用和迅速发展，太阳能和风能将引领全球电力行业的转型，取代传统的化石燃料发电将成为可能。
截至 2050 年各类能源部门的装机情况预测（GW）
资料来源：IRENA
根据 IRENA 的预测，未来，风力发电将占总电力需求的三分之一以上，而太阳能光伏发电将紧随其后，占总电力需求的25%，这意味着在未来十年内，太阳能光伏发电的全球总容量将从 2018 年的 480?GW，到 2030 年达到
2840?GW，到 2050 年达到 8519?GW。按年增长率计算，到 2030 年，太阳能光
伏发电的年新增容量较 2018 年水平需要增加近 3 倍，达到 270?GW/年，到 2050年，需要增加 4 倍，达到 372?GW/年。到 2050 年，太阳能光伏将有助于减少
1-1-117江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
4.9Gt 的二氧化碳年排放量，占实现巴黎气候目标所需能源部门总减排量的 21%。
我国太阳能光伏产业起步相对国外较晚，但受惠于全球光伏行业的高速发展，凭借国家政策的大力支持与人力资源、成本优势，发展极为迅速。截至
2021 年底，我国光伏发电装机量达 307GW，同比增长 21%，连续 7 年位居全
球首位；2021 年新增光伏发电装机 54.88GW，同比增长 13.9%，连续 9 年位居
世界第一。
2013-2021 年我国太阳能光伏累计及新增装机容量（GW）
350
300
250
200
150
100
50
0
201320142015201620172018201920202021
我国太阳能光伏累计装机容量（GW） 我国光伏新增装机容量（GW）
资料来源：CPIA
2020年9月中国提出了“努力争取2030年前实现碳达峰，2060年前实现碳中和”的应对气候变化新目标。根据中国光伏行业协会预测，在“碳达峰、碳中和”目标下，“十四五”期间我国光伏市场将迎来市场化建设高峰，预计国内年均光伏装机新增规模在 70-90GW。
（2）太阳能电池片行业
*太阳能电池片行业基本情况太阳能电池片技术的发展对光伏设备技术提升和应用拓展有重要推动作用。
从太阳能电池片的生产技术来看，近几年可分为三个阶段：第一个阶段是
2015 年以前，光伏电池市场主要采取多晶 Al-BSF 技术，单晶 PERC 电池处于
技术验证阶段，以试验产能为主，增长迅速但总量较小，随着单晶 PERC 电池成功量产，其商业化的可行性得到确认；第二阶段是 2015-2017 年，单晶 PERC电池投资吸引力凸显，国内厂商开始加码 PERC 电池生产，但从整个光伏电池市场来看，主要还是采取多晶 Al-BSF 技术，Al-BSF 技术电池因性能稳定，生
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产成本较低，此阶段仍占据着市场主要份额；第三阶段是 2018 年至今，PERC电池产能实现爆发式增长，根据中国光伏行业协会的统计数据，2019年至2021年的新建量产产线以 PERC 电池产线为主，PERC 电池片在 2021 年的市场占比进一步提升至91.2%。
太阳能电池片技术路线主要包括铝背场电池（Al-BSF）、PERC、TOPCon、
异质结（HJT）、背接触（IBC）及钙钛矿等。P 型电池以 P 型硅片为原材料，技术路线包括传统的铝背场技术以及目前非常成熟的 PERC 技术；N 型电池以
N 型硅片为原材料，技术路线包括 TOPCon、HJT 等，近年来已有厂商陆续开始布局，属于下一代高效电池技术路线的潜在方向，而 IBC 和钙钛矿为未来技术，尚处于实验和验证阶段。
A、Al-BSF 技术
Al-BSF 电池是指在晶硅太阳能电池 P-N 结制备完成后，通过在硅片的背光面沉积一层铝膜，制备 P+层，从而形成铝背场。其既可以减少少数载流子在背面复合的概率，同时也可以作为背面的金属电极，因此能够提升太阳能电池的转换效率。
B、PERC 技术
PERC 技术采用的是在现有 Al-BSF 工艺上增加背面介质钝化层然后用激光在背表面进行打孔或开槽露出硅基体。背面介质钝化层通过背面钝化工艺是在硅片背面沉积 Al2O3和 SiNX，Al2O3由于具备较高的负电荷密度，可以对 P 型表面提供良好的钝化，SiNX 主要作用是保护背部钝化膜，并保证电池正面的光学性能。背面钝化可实现两点价值，一是显著降低背表面少数载流子的复合速度，从而提高少子的寿命，增加电池开路电压；二是在背表面形成良好的内反射机制，增加光吸收的几率，减少光损失。由于 PERC 电池具有结构简单、工艺流程短、设备成熟度高等优点，已经替代 Al-BSF 电池并成为成熟电池工艺。
C、TOPCon 技术
TOPCon 是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触电池技术，与常规电池最大的不同在于，其在电池的背面采用了接触钝化技术，结构包括超薄二氧化硅隧穿层和掺杂多晶硅层（晶硅基底与掺杂多晶硅在背面形成异质结），二者共同形成了钝化接触结构，为电池的背面提供了优异的表面钝化。
TOPCon 电池制备过程较 PERC 电池要复杂，但我国光伏企业在 TOPCon 电池
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技术上已取得一定积累，很多量产工艺瓶颈和设备瓶颈也获得了突破，未来存在将 TOPCon 技术与 IBC 技术相融合升级为 TBC 电池的可能性。目前布局TOPCon 电池的国内厂商包括通威太阳能、隆基股份、泰州中来、晶科能源及
晶澳太阳能等，公司供应 TOPCon 产线的设备已批量发货。
D、HJT 技术
HJT 技术即异质结太阳能电池，电池片中同时存在晶体和非晶体级别的硅，非晶硅的存在能够更好地实现钝化。HJT 电池的制备工艺步骤简单，且工艺温度较低，可避免高温工艺对硅片的损伤，并有效降低排放，但是工艺难度大，且产线与传统电池技术不兼容，需要重新购置主要生产设备，产线投资规模较大。目前异质结电池市场渗透率相对较低，仅在部分企业中实现小规模量产。
E、IBC 技术
IBC 电池最大的特点是 P-N 结和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响，因此具有更高的短路电流，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻从而提高填充因子，加上电池前表面场以及良好钝化作用带来的开路电压增益，使得这种正面无遮挡的电池就拥有了高转换效率。相比于 PERC、TOPCon 和 HJT，IBC 电池的工艺流程和设备要复杂很多，并且投资较高，国内尚未实现大规模量产。
F、钙钛矿钙钛矿太阳能电池是以钙钛矿晶体为吸光材料的一种新型太阳能电池技术。
与其它太阳能电池材料相比，有机无机杂化钙钛矿材料的吸光系数高、载流子传输距离长、缺陷容忍度高、带隙可调，非常适合制备高效太阳能电池。但由于电池本身受温度及湿度影响，化学键合作用弱，易形变，光致衰退明显，因此稳定性问题仍未解决，尚处于小规模试验阶段。
*太阳能电池片行业发展情况
2011年至2021年，全球电池片产量持续增长，2021年全球电池片总产量
为 223.9GW，同比增长 37%。2010 年至 2021 年，我国太阳能电池片产量逐年上升，2021 年我国电池片产量为 197.9GW，较 2020 年同比增长约 46.8%。我国电池片生产规模自2007年开始已连续14年居全球首位，全球电池片产业继续向我国集中。
2011-2021全球及我国电池片产量情况
1-1-120江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
250
200
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50
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20112012201320142015201620172018201920202021
全球电池片产量（GW） 我国电池片产量（GW）
资料来源：CPIA
从各类电池的市场占有率看，2018 年传统的 BSF 电池依然占领半数市场，
2019 年 PERC 电池技术迅速反超 BSF 电池，占据了超过 65%的市场份额，2020年，PERC 电池片市场占比达到 86.4%，2021 年进一步提升至 91.2%。
*太阳能电池片行业发展趋势
A、短期内 PERC 电池仍是最主要的电池产品
TOPCon 和 HJT 是继 PERC 电池之后的主要新兴技术，TOPCon 电池升级迭代的最大优势在于其与 PERC 产线兼容度高，可从 PERC 产线改造升级，是目前初始投资成本最低的 N 型高效电池之一。HJT 技术的核心优势是电池结构相对简单，然而目前设备成本依旧较高，经济性不足，在材料端和设备端均存在降本空间。PERC、TOPCon、HJT 电池的对比情况如下表所示：
2020年2021年高效电池类型设备投资（亿元设备投资（亿元平均转换效率平均转换效率/GW） /GW）
PERC 2.25 22.8% 1.94 23.1%
TOPCon 2.7 23.5% 2.20 24.0%
HJT 4.5-5.5 23.8% 4.00 24.2%
资料来源：CPIA、《中国光伏产业发展路线图》
虽然 TOPCon 电池、HJT 电池可以获得较高的电池光电转换效率，但因其各有的限制性因素的存在导致目前规模量产偏少。
TOPCon 技术目前尚未取代 PERC 技术的主要原因为：（1）工艺步骤增加，导致技术成熟度和产品良率有待进一步提高；（2）工艺设备成本和双面银浆带
1-1-121江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）来的成本上升。
HJT 技术目前尚未取代 PERC 技术的主要原因为：（1）HJT 电池产线的投
资成本较高，是 PERC 电池产线投资的 2-3 倍以上；（2）HJT 技术路线采用透明电极和低温银浆，技术成熟度不高，运营成本相对较高。
B、长期来看 TOPCon、HJT 电池将成为未来产业化主流
我国光伏企业在 TOPCon、HJT 等下一代高效晶硅电池生产技术的研发上
先后取得突破，转换效率不断刷新世界记录，效率更高的 N 型 TOPCon 电池、HJT 电池等则最有望成为 P 型 PERC 电池后的产业化主流技术。
根据 CPIA 预测，2020-2030 年不同电池技术市场占比的变化趋势如下图所示：
2020-2030年不同电池技术市场占比的变化趋势
（3）光伏设备行业
*光伏设备行业发展情况
按照光伏电池产业链，可将光伏设备分为硅片设备、电池片设备、组件设备，其中硅片设备主要包括多晶铸锭炉、单晶炉、切片机、切断机、硅片检测分选设备等；电池片设备主要包括清洗制绒设备、扩散炉、刻蚀设备、镀膜设
备、激光开槽设备、丝网印刷机等；组件设备主要包括划片机、自动串焊机、
自动叠层设备、层压机、自动包装机等。
2013-2021年全球光伏设备行业销售收入
1-1-122江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
7040.00%
35.00%
60
30.00%
5025.00%
4020.00%
15.00%
3010.00%
205.00%
0.00%
10
-5.00%
0-10.00%
201320142015201620172018201920202021
全球光伏设备行业销售收入（亿美元）增长率
资料来源：CPIA
我国光伏电池设备制造企业通过工艺与装备的创新融合，以提高设备产能、自动化程度及转换效率为目标，同时适应大硅片生产，已具备了成套工艺设备的供应能力，基本实现设备国产替代，并在国际竞争中处于优势地位。自2010年以来，中国一直是全球最大的光伏设备市场。
2018年，我国光伏设备产业规模达到了220亿元。2019年达到了250亿元，
同比增长13.6%。2020年，光伏设备产业规模超过280亿元，在新冠疫情等客观不利因素的影响下仍保持增长。2021年，随着光伏企业产能扩张的计划发布，相关设备厂商订单不断增加，我国光伏设备产业规模超过400亿元。在光伏行业“降本增效”的发展趋势推动下，新产品、新技术层出不穷，相应量产和扩产需求催生更多的生产设备需求，在国内巨大市场需求拉动下，光伏设备厂商收入快速增长。
*光伏薄膜沉积设备应用情况
光伏薄膜沉积设备主要应用于太阳能晶硅电池片的制造环节，根据电池不同工艺和所需的薄膜性质，所采用的薄膜沉积设备会有所不同。2018年-2021年，我国新建成产线基本全部为 PERC 产线，针对目前已经大规模生产的PERC 电池生产技术，生产设备基本实现国产化，其中薄膜沉积设备主要用于PERC 电池的钝化和减反膜的制备。
对于新型高效电池来说，目前产业化前景最为明确的 TOPCon 电池和 HJT电池对于薄膜沉积的需求更高。TOPCon 电池生产线可以由 PERC 电池生产线
1-1-123江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
升级改造实现，除原薄膜沉积需求外，还增加了隧穿层和掺杂多晶硅层镀膜需求。HJT 电池整体结构变化较大，其制造环节只需 4 大类设备，分别是制绒清洗设备（投资占比10%）、非晶硅沉积设备（投资占比50%）、透明导电薄膜设备（投资占比25%）和印刷设备（投资占比15%），其中非晶硅沉积设备、透明导电薄膜设备均需要用到薄膜沉积设备。
以 PERC 和 TOPCon 电池为例，其工艺流程及各环节主要设备如下：
在 PERC 电池背面及 TOPCon 电池正面的氧化铝和氮化硅叠层的制备中，公司开发的 PEALD 二合一平台能够在同一台设备中完成两种薄膜的制备，除了能提高薄膜质量以提供更好的钝化效果之外，还有效降低了客户单位产能的设备投资成本。
在 TOPCon 电池关键工艺步骤隧穿层和多晶硅层的制备中，LPCVD 为起步较早的技术路线，但市场推广进程较慢，主要因为其存在绕镀严重、成膜速率低、需二次掺杂过程繁琐、后期运营成本高等尚未解决的技术难题。而公司开
1-1-124江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
发的 PEALD 二合一平台，集成了 PEALD 和 PECVD 两种工艺，分别用于制备隧穿层和多晶硅层，能够弥补 LPCVD 技术存在的不足。
*光伏薄膜设备发展趋势
A、技术创新催生更多设备需求现阶段，下游光伏行业发展已经由过去的粗放式、外延式发展向精细化、内涵式发展转变，高效率、低成本的产品受到行业的青睐，产品升级需求进一步提高。光伏企业从传统重视规模效益、依赖补贴，逐步转向对高效率、高性能、高品质的光伏产品的追求。在市场化愈发重要的背景下，各种技术的创新，将会催生出更多的设备需求。
B、设备研制与新型工艺更紧密地结合设备研制与新型工艺技术开发相结合成为趋势。以提高转换效率为目的采用新型工艺的电池片生产将采取设计、制造、工艺开发、设备开发与改进联合
进行的方式，上下游紧密合作，既缩短设备的开发周期，同时促进先进工艺的应用，也能降低设备采购成本，进一步提高国内光伏企业的市场竞争力。
C、薄膜沉积在新一代光伏设备中投资比重增加
由于 TOPCon 电池生产线可以由现有 PECR 电池生产线升级改造完成，而且目前 TOPCon 电池生产线单位投资规模和运营成本明显低于 HJT 电池生产线，因此 TOPCon 电池生产线在 N 型电池线建设中进展显著。
根据上市公司披露的项目投资明细，TOPCon（含未披露具体技术类型的 N型电池）产线每 GW 平均投资规模高于 PERC 产线。而公司研发、生产的设备在 PERC 产线建设中的投资占比为 24.71%-26.73%，在 TOPCon（含 N 型电池）产线建设中的投资比重上升至33.00%-39.12%。
上市电池类型及规设备投资总薄膜沉积等设时间项目
公司模额（亿元）备投资占比
中来 年产 16GW 高效单晶电池智 TOPCon 电
2021.520.2536.43%
股份 能工厂项目（一期） 池 8GW
隆基 西咸乐叶年产 15GW 单晶高 TOPCon 电
2021.546.6434.57%
股份 效单晶电池项目 池 15GW
隆基 宁夏乐叶年产 5GW 单晶高 N 型电池
2021.510.1533.00%
股份 效电池项目（一期 3GW） 3GW
爱旭 珠海年产 6.5GW 新世代高 N 型电池
2021.436.1537.34%
股份 效晶硅太阳能电池建设项目 6.5GW
1-1-125江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
上市电池类型及规设备投资总薄膜沉积等设时间项目
公司模额（亿元）备投资占比
义乌年产 10GW 新世代高效
爱旭 N 型电池
2021.4太阳能电池项目第一阶段11.3336.63%
股份 2GW
2GW 建设项目
天合 盐城年产 16GW 高效太阳能 PERC 电池
2020.1254.2124.71%
光能 电池项目 16GW
天合 年产 10GW 高效太阳能电池 PERC 电池
2020.1216.9926.73%
光能 项目（宿迁二期 5GW） 5GW
天合 宿迁（三期）年产 8GW 高 TOPCon 电
2020.1231.4139.12%
光能 效太阳能电池项目 池 8GW
年产 7.5GW 高效晶硅太阳
通威太 PERC 电池2020.8能电池智能工厂项目（眉山17.7826.17%阳能 7.5GW
二期）
年产 7.5GW 高效晶硅太阳
通威太 PERC 电池
2020.8能电池智能互联工厂项目18.7224.85%
阳能 7.5GW（金堂一期）
3、半导体行业发展情况和未来发展趋势
（1）半导体行业概览
半导体行业是电子信息产业的基础支撑，主要分为集成电路、分立器件、传感器和光电子器件等四大类，广泛应用于 5G 通信、计算机、云计算、大数据、物联网等下游终端应用市场，是现代经济社会中的战略性、基础性和先导性产业。
半导体产业链主要包括半导体材料、半导体设备以及半导体设计、制造、
封测环节，具体情况如下图所示：
数据来源：公开资料整理
自半导体核心元器件晶体管诞生以来，半导体行业遵循着摩尔定律快速发
1-1-126江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）展。2013年到2018年，全球半导体市场规模从3056亿美元迅速提升至4688亿美元，年均复合增长率达到8.93%。2019年，受国际贸易环境恶化导致市场信心不足等因素影响，全球半导体市场出现下跌。2020年，受益于疫情催生远程办公设备销量提振以及全球汽车产业复苏所推动的需求强劲反弹，全球半导体市场规模恢复增长态势。2021年，全球半导体市场规模进一步增长至4743亿美元，发展态势良好。
2011-2021年全球半导体销售市场规模
5000.0025.00%
4500.0020.00%
4000.00
15.00%
3500.00
3000.0010.00%
2500.005.00%
2000.000.00%
1500.00
-5.00%
1000.00
500.00-10.00%
0.00-15.00%
20112012201320142015201620172018201920202021
半导体销售额（亿美元）增长率（%）
数据来源：全球半导体贸易统计组织
公司设备适用于先进制程半导体的制造前道工序中的薄膜沉积环节，下游半导体行业的技术革新和产能扩张为薄膜沉积设备提供了广阔的市场空间。
（2）半导体设备行业
*半导体设备发展基本情况及特点
半导体设备主要包括前道工艺设备和后道工艺设备，前道工艺设备为晶圆制造设备，后道工艺设备包括封装设备和测试设备，其他类型设备主要包括硅片生长设备等。其中晶圆前道工艺设备整体占比超过80%，是半导体设备行业最核心的组成部分。
从晶圆厂的投资构成来看，刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。其中，薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的16%，占晶圆制造设备投资总额的21%。
晶圆厂投资构成
1-1-127江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
刻蚀
17%
薄膜厂务设备光刻
16%
25%75%20%
8%
3%
2%5%
2%3%
厂务 光刻 刻蚀 薄膜 量测 清洗 CMP 热处理 注入 其他
资料来源：智研咨询、国元证券研究中心
*半导体设备行业发展情况
2013年以来，随着全球半导体行业整体景气度的提升，半导体设备市场也呈增长趋势。根据 SEMI 统计，全球半导体设备销售额从 2013 年的约 318 亿美元增长至2021年的1026亿美元，年均复合增长率约为15.77%。
全球半导体设备销售额
120050%
100040%
30%
800
20%
600
10%
400
0%
200-10%
0-20%
201320142015201620172018201920202021
销售额（亿美元）同比增长率（%）
数据来源：SEMI
由于半导体专用设备行业对制造工艺和标准要求严格，行业进入的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒较高，全球半导体设备市场集中度较高。目前全球前十大半导体设备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。根据 VLSI Research数据，2020年全球半导体设备前十名厂商合计实现销售收入708亿美元，市占率为76.63%。中国半导体设备厂商因发展起步较晚，目前尚未进入全球行业前
1-1-128江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）列。
从需求端分析，根据 SEMI 统计数据，2013-2021 年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到31.07%。2021年，中国大陆半导体设备的销售额达到
187.2亿美元，同比增长58.23%，发展势头强劲。
中国大陆半导体设备销售额及增速
35070.00%
30060.00%
25050.00%
20040.00%
15030.00%
10020.00%
5010.00%
00.00%
201320142015201620172018201920202021
销售额（亿美元）同比增速（%）
数据来源：SEMI
根据芯思想研究院发布的《中国内地晶圆制造线白皮书》，截至2021年第二季度，我国投产、在建和规划的56条十二英寸晶圆制造线中，已经投产的有
27条，在建未完工、开工建设或签约项目有29条。其中宣布投产的项目合计
装机月产能约118万片，在建未完工、开工建设或签约项目的规划月产能总计
132万片。受益于中国大陆地区晶圆厂建设加速推进，中国大陆半导体设备市
场需求快速增长。
2020年、2021年，中国大陆市场约占全球半导体设备市场比例分别为
26.30%、28.87%。中国大陆已成为全球第一大半导体设备需求市场。
（3）半导体薄膜沉积设备的发展情况
*半导体薄膜沉积设备行业发展情况
A、薄膜沉积设备市场规模持续增长
根据 Maximize Market Research 数据统计，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125亿美元扩大至2020年的172亿美元，年复合增长率为
11.2%。预计至2025年市场规模可达340亿美元。
1-1-129江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
2017-2025年全球半导体薄膜沉积设备市场规模（亿美元）
400
340
350
300280
260
250220
190
200172
145155
150125
100
50
0
2017 2018 2019 2020 2021E 2022E 2023E 2024E 2025E
资料来源：Maximize Market Research
B、薄膜沉积设备国产化率低
我国半导体设备经过最近几年快速发展，在部分领域已有一定的进步，但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低，具体如下：
设备类型2016年国产化率2020年国产化率主要国内厂家
刻蚀设备2%7%北方华创、中微公司
光刻设备＜1%＜1%上海微电子
薄膜沉积设备5%8%北方华创、中微公司、拓荆科技
量检测设备＜1%2%上海睿励、精测电子、长川科技
盛美半导体、北方华创、芯源微、
清洗设备15%20%至纯科技
离子注入设备＜1%3%中信科、凯世通
CMP 设备 2% 10% 华海清科
涂胶显影设备6%8%沈阳芯源
数据来源：平安证券研究报告
半导体薄膜沉积设备行业基本由 AMAT、ASM、Lam、TEL 等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。
除本公司外，国内主要半导体薄膜沉积设备企业包括北方华创、中微公司、
1-1-130江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
拓荆科技，具体情况参见本节“三、公司市场地位及竞争状况”之“（五）与同行业可比公司的对比分析”。
C、各类薄膜沉积设备发展态势
从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看，根据 Gartner 统计，2019 年全球半导体薄膜沉积设备中 PECVD、PVD、ALD 设备的市场规模占比分别为
33%、23%和 11%；2020 年全球半导体薄膜沉积设备中 PECVD、PVD、ALD
设备占比分别为34%、21%和12.8%。
2019年半导体薄膜沉积设备占比2020年半导体薄膜沉积设备占比
23%21%
33%32%
11%33%13%34%
PVD PECVD ALD 其他 PVD PECVD ALD 其他
在半导体制程进入 28nm 后，由于器件结构不断缩小且更为 3D 立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD 技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。
*半导体薄膜沉积设备发展趋势
A、半导体行业景气度带动设备需求增长
随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与 3D NAND 存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。Maximize Market Research 预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。
1-1-131江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
B、进口替代空间巨大近年来，在国家政策的拉动和支持下，我国半导体产业快速发展，整体实力显著提升，设计、制造能力与国际先进水平不断缩小，但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。《中国制造2025》对于半导体设备国产化提出明确要求：在2020 年之前，90-32nm 工艺设备国产化率达到 50%，实现 90nm 光刻机国产化，
封测关键设备国产化率达到 50%。在 2025 年之前，20-14nm 工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，国家集成电路基金首期募资1387亿元，二期募资超过2000亿元。
伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机，而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。
C、薄膜要求提高衍生设备需求
在晶圆制造过程中，薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂，薄膜性能参数精细化要求也随之提高，如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高，台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的 ALD 设备因此被引入产线。
D、先进制程增加导致设备市场攀升
随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在 90nmCMOS 工艺大约需要 40 道薄膜沉积工序。在 3nm FinFET 工艺产线，则超过
100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的
要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。
目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，PVD 设备与 CVD 设备均已初步实现国产化，而 ALD 设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向 14 纳米甚至更小的方向升级时，与 PVD设备和 CVD 设备相比，ALD 设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全
1-1-132江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）考虑，国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国产化进程加快的背景下，国产半导体 ALD 设备迎来前所未有的发展契机。
4、新型显示行业应用情况目前主流应用的显示技术为 LCD 和 OLED，在海兹定律（即在给定的光波长下，每流明成本每十年降低 10 倍，每 LED 组件的发光量每十年提高 20 倍）驱动下，从中长期看，新型显示技术如柔性电子、Mini/Micro LED 市场规模将快速提升。
水汽穿透率（WVTR）是衡量膜层抗水氧的重要指标，由于显示器件被水和氧气渗透后极易发生老化变性，导致器件亮度和使用寿命出现明显衰减，因此需要使用阻水阻氧材料进行封装保护，其中可弯折的柔性 OLED 显示器对水汽较为敏感，其 WVTR 指标需要达到 10-4g/m2/d 以下。其他新型显示技术的WVTR 至少也需要小于 10-3g/m2/d 的程度，才能保证在严苛环境之下的可靠度。
考虑到新型显示技术对封装保护的更高要求，而 ALD 膜层拥有高密度、无针孔、保型性能好、绝缘、阻水阻氧等特点，柔性 OLED 等新型显示技术开始使用ALD 膜层来保证其稳定性。
早期的 LED 加工工艺要求的精密度无法与集成电路相比，防水汽与防氧化也没有 OLED 那么严格，但随着芯片尺寸持续缩小的趋势与高功率密度芯片级别封装 CSP 的兴起，ALD 技术优势逐渐体现，并进入新型显示行业的视线，ALD 技术的市场需求将进一步扩大。
在柔性电子领域，公司自主开发的 FG 系列卷对卷 ALD 设备能够在大幅宽的材料表面沉积高性能阻隔层，具备良好的阻水阻氧能力，并能够有效保护OLED 器件的性能和寿命，目前已向下游客户发货。
（五）公司技术水平及特点，取得的科技成果与产业深度融合的具体情况
自设立以来，公司一直重视研发工作，通过不断技术改进、技术创新，在以 ALD 技术核心的薄膜沉积技术领域形成了多项核心技术和科技成果，并应用于公司主营业务，实现了科技成果与产业的深度融合。公司核心技术水平及特
1-1-133江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
点的具体情况请参见本节“六、技术及研发情况”之“（二）公司核心技术情况”。公司的科技成果主要来自产品研发，具体产品参见本节“一、公司的主营业务及主要产品情况”之“（二）主要产品情况”。
报告期内，公司主要依靠核心技术开展生产经营，具备将专利技术、科技成果有效转化为经营成果的能力。
三、公司市场地位及竞争状况
（一）公司的市场地位
报告期内，公司产品主要应用于光伏、半导体领域。
光伏行业市场集中度较高，根据中国光伏行业协会统计，2021年我国产能排名前十的电池片企业总产能达到 246.1GW，约占全国总产能的 68.2%，总产量合计约为 155GW，约占全国总产量的 78.3%。经过了多年的发展，公司积累了丰富的光伏电池片薄膜沉积技术，树立了良好的市场口碑，公司与前十名电池片企业均建立了合作关系。随着主要客户市占率的不断提升及生产经营规模的不断扩大，有利于公司产品的市场渗透率提升，促进公司业绩的持续增长。
太阳能电池片技术路线目前正由 PERC 工艺向新型高效电池（TOPCon、HJT 等）发展，公司在行业中已率先取得无锡尚德、通威太阳能、晶科能源、商洛比亚迪等公司 TOPCon 产线设备订单。
公司产品对光伏行业领先的电池片厂商实现了较高的客户覆盖率。具体情况如下表所示：
排名
2021年产能2021年产量
（按产能企业（集团）名称是否为公司客户（MW） （MW）
排序）
1隆基股份4248025440是
2通威太阳能4080032930是
3爱旭科技3600019470是
4晶澳科技3060018940是
5天合光能2940018900是
6润阳悦达1980012630是
1-1-134江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
排名
2021年产能2021年产量
（按产能企业（集团）名称是否为公司客户（MW） （MW）
排序）
7晶科能源131508960是
8阿特斯97507070是
9江苏中宇90005000是
10江西展宇（捷泰）82005640是合计（GW） 246.1 155 -
2021年电池片产量、产能情况
360.6197.9-（GW）占比（%）68.278.3-
资料来源：CPIA
在半导体领域，ALD 设备仍基本由境外厂商垄断，公司是行业内极少数的新进入者和国产厂商代表之一，先后获得多家知名半导体公司的商业订单，并在报告期内实现了国产 ALD 设备在 28nm 集成电路制造关键工艺（高介电常数栅氧层材料沉积环节）中的突破。
此外，公司已与多家国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等工作，针对国内半导体各细分应用领域研发试制新型 ALD 设备。虽然公司为少数进入半导体领域的 ALD 国产厂商，但目前占半导体设备整体市场份额的比例较低。
（二）行业内的主要企业
1、光伏领域目前，国内光伏设备已基本实现国产替代，并在国际竞争中处于优势地位。
公司光伏领域薄膜沉积设备的竞争对手包括主要采用 ALD 技术的无锡松煜、理想晶延，以及主要采用 PECVD 技术的捷佳伟创（300724.SZ）、北方华创
（002371.SZ）、红太阳、拉普拉斯、Centrotherm（商先创）等。序号名称成立时间企业简介
无锡松煜主要产品包括 ALD（原子层沉积设备）、管式
1 无锡松煜 2017 年 PECVD（等离子体增强化学气相沉积设备）、LPCVD（低压化学气相沉积设备）、三合一 PECVD 沉积系统等产品。
2 理想晶延 2013 年 理想晶延主要产品包括 ALD（原子层沉积设备）、PECVD
1-1-135江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号名称成立时间企业简介（等离子体增强化学气相沉积设备）等系列。
捷佳伟创产品涵盖原生多晶硅料生产设备、硅片加工设
3捷佳伟创2007年
备、晶体硅电池生产设备等。
北方华创是由七星电子与北方微电子完成并购重组而成，
4北方华创2001年
其 PECVD 产品已在光伏领域实现批量销售。
红太阳是中国电子科技集团控股子公司，主要产品包括
5红太阳2009年
PECVD、LPCVD、ALD、扩散炉、氧化炉等。
6 拉普拉斯 2016 年 主营光伏领域设备，包括扩散系统、LPCVD、PECVD 等
德国企业，长期从事热解决方案的创新开发，并提供光Centrother 伏、集成电路与微电子工业的生产解决方案。其中，光伏
71976年
m 技术的生产设备包括管式低压扩散炉、PECVD 系统、
LPCVD 系统、快速烧结炉、再生炉等。
2、半导体领域
在半导体领域设备制造商以国外企业为主，东京电子（TEL）、先晶半导体
（ASM）、泛林半导体（Lam）、应用材料（AMAT）、日本国际电气（KE）均为全球知名的设备制造商，产品线涵盖薄膜沉积设备，其基本情况如下：
序号名称成立时间企业简介
Lam 总部位于美国，是世界半导体产业提供晶圆制造设备
1 Lam 1980 年 和服务的主要供应商之一。该公司产品线涵盖薄膜沉积、刻蚀、剥离和清洗等多个类型。
ASM 总部位于荷兰，产品涵盖了晶圆加工技术的重要方
2 ASM 1968 年面，包括光刻，沉积，离子注入和单晶圆外延。
AMAT 总部位于美国，产品横跨 ALD、CVD、PVD、刻
3 AMAT 1967 年
蚀、CMP、RTP 等除光刻机外的几乎所有半导体设备。
TEL 总部位于日本，是日本最大的半导体成膜、刻蚀设备
4 TEL 1963 年公司。该公司产品线中包含 ALD 设备。
KE 总部位于日本，以成膜技术为核心，生产高品质的半导
5 KE 1949 年
体制造设备，该公司产品线包含 ALD 设备。
国内企业中，主营业务涵盖半导体薄膜沉积设备的主要有北方华创
（002371.SZ）、拓荆科技（688072.SH）、中微公司（688012.SH）三家，其基本情况如下：
序号名称成立时间企业简介
国内领先的半导体设备供应商，其刻蚀机、PVD、CVD、
1 北方华创 2001 年 ALD、氧化/扩散炉、退火炉等产品在集成电路及泛半导体
领域实现量产应用
拓荆科技产品涵盖 PECVD、ALD、SACVD 三类半导体薄
2拓荆科技2010年膜沉积设备，是国内唯一一家产业化应用的集成电路
PECVD、SACVD 设备厂商。
1-1-136江苏微导纳米科技股份有限公司招股说明书（上会稿）
序号名称成立时间企业简介
中微公司主要为集成电路、LED芯片、MEMS等半导体产
品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备。其2020年非
3中微公司2004年
公开发行股票的募投项目中，包括了半导体领域LPCVD、ALD等设备的开发及工艺应用开发。
（三）公司的竞争优势与劣势
1、竞争优势
（1）技术路线优势
在传统工艺中，由于存在厚度控制和膜层均匀性的问题，通过 CVD 与PVD 工艺所生成的膜很难突破 10nm 以下的厚度极限。此外，在深宽比达到
10:1 以上时，CVD 与 PVD 工艺无法保证下游工艺需要的近 100%覆盖率的技术要求。与之相比，ALD 工艺可以在 100%阶梯覆盖率的基础上实现原子层级（1个纳米约为10个原子）的薄膜厚度。在这种情形下，随着制程技术节点的不断进步，ALD 工艺优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力，会越来越受到青睐。
在光伏领域，ALD 技术在现阶段最主要的 PERC 电池，以及在 TOPCon 等下一代高效电池工艺上均具有良好的应用空间；在半导体领域，先进制程、存储芯片器件结构 3D 化及新技术提升加大了对 ALD 设备的需求；此外，ALD 技术作为一种具有普适意义的真空镀膜技术，由于其超薄的膜厚、极高的均匀度及优异的三维共形性，使其在纳米级别可产生诸多特殊的性质，在柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。上述任一领域的应用前景均体现了 ALD 的技术特点及优势，为公司的后续发展提供了广阔市场空间。
（2）优秀的研发团队
自成立以来，公司以海内外专家为核心，积极引入和培养一批经验丰富的电气、工艺、机械、软件等领域工程师，形成了跨专业、多层次的人才梯队。
截至报告期末，公司研发人员共有188名，占公司员工总数的36.79%。
公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，不断助力下游应用领域关键产品和技
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术的攻关与突破，保障了公司产品的市场竞争力。
（3）技术积累与研发创新能力
公司坚持自主研发，已形成原子层沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术等多项核心技术，上述核心技术成功应用于公司各类产品。公司光伏领域设备2018年被评为江苏省首台（套）重大装备产品，半导体领域设备 2021 年成为国产首台成功应用于 28nm 节点集成电路制造前道生产线的量产型 High-k 原子层沉积设备。
截至本招股说明书签署日，公司拥有专利94项，承担了多项省级科研项目，具备可持续的研发创新能力。公司将持续推动优化产品类型、拓宽应用领域，在行业竞争中保持较强的技术优势。
（4）优质的客户资源
公司成立以来专注于先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产和销售。
光伏领域已覆盖包括通威太阳能、隆基股份、晶澳太阳能、阿特斯、天合光能等在内的多家知名太阳能电池片生产商。半导体领域先后获得多家国内知名半导体公司的商业订单，并与多家国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等工作。
（5）快速响应客户需求
公司主要产品为非标准化产品，通过将基础研发与行业应用紧密结合，以下游企业的实际需求为研发导向，针对客户的工艺和薄膜性能需求快速响应，及时满足客户产线需求。公司技术服务体系健全，为客户提供及时的驻厂技术服务支持，及时到达现场排查故障、解决问题，保证快速响应客户的需求，缩短新产品导入的工艺磨合时间。
2、竞争劣势
（1）经营规模较行业内龙头企业偏小
公司专注于薄膜沉积设备业务，虽然持续拓宽下游应用领域，且报告期内营业收入呈增长趋势，但受限于较短的发展历史，在资金实力、业务规模、行业认知度等方面，较行业龙头企业尤其是半导体领域国际巨头尚有差距，在议价能力、抗风险能力等方面存在一定的劣势。
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（2）资金实力相对薄弱
公司所处的行业属于典型的技术和资金密集型行业，前期研发投入大，验证周期相对较长。目前公司处于快速成长阶段，在研发投入、市场拓展等方面均迫切需要大量资金的支持。但是公司目前主要的资金来源为股东投入，资金来源和规模相对有限，对公司把握外部环境的快速变化、保证产品持续创新，和实现战略布局存在一定不利影响。
（四）行业发展面临的机遇与挑战
1、行业发展面临的机遇
（1）清洁能源发展以及光伏产业降本提效带动行业持续发展
过去对传统能源如煤炭、石油、天然气等化石能源的过度依赖已导致严重
的生态环境问题，使得国际社会对保障能源安全、保护生态环境、应对气候变化等问题日益重视。而太阳能作为最重要的可再生能源之一，具有资源普遍可及、便于应用、成本低等优势，是替代化石能源的主力能源之一，已经成为世界范围内应对气候变化的共同选择。
近年来，全球多个国家陆续出台了一系列鼓励和扶持太阳能光伏产业发展的政策，为各国光伏产业的健康、持续发展创造了良好的政策环境。中国在
2020年9月提出了“二氧化碳排放力争于2030年前达到峰值，努力争取2060年前实现碳中和”的目标；2021年3月12日发布的国民经济《第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》指出，推进能源革命，建设清洁低碳、安全高效的能源体系，提高能源供给保障能力，加快发展非化石能源，坚持集中式和分布式并举，大力提升风电、光伏发电规模。
通过数十年的持续研发，光伏产业主要原材料的价格已经大幅下降，技术不断迭代升级，光电转换效率稳步提升，与之相对的，光伏领域的专用设备行业技术也将大幅提升。随着行业技术的持续进步与生产成本的不断下降，光伏发电的综合成本有望维持降低趋势。这将有助于光伏发电的大规模普及应用，进而使得高性能光伏专用设备的市场规模呈现持续扩张态势。
（2）半导体产能转移以及国产替代背景使得国内设备厂商面临发展机遇
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中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，随着国际产能不断向中国转移，半导体企业纷纷在中国投资建厂，国内半导体产业的规模不断扩大，设备需求将不断增长。持续的产能转移不仅带动了国内半导体整体产业规模和技术水平的提高，为半导体专用设备制造业提供了巨大的市场空间，也促进了国内半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为中国半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。
在半导体领域，元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构，部分核心工艺通过传统方式难以实现，ALD 设备在该类应用中已通过国外大型集成电路晶圆制造厂商的量产验证。与此同时，从中美贸易战开始，限制了通过国际采购获得先进设备渠道。在此背景下，我国半导体设备提升国产化率的任务迫在眉睫，随着国内核心晶圆厂商规模扩大和工艺提升，国内设备厂商面临发展机遇。
2、行业发展面临的挑战
（1）高端技术和人才缺乏
光伏、半导体等专用设备属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求。由于中国研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。随着市场的日臻成熟与下游需求的推动，专业人才缺乏的矛盾将会更加突出。
（2）国产核心零部件配套能力薄弱
国产高端专用设备总体起步较晚，对零部件市场拉动时间较短，高端专用设备零部件配套能力较弱，影响专用设备的优化周期和制造成本。
（五）与同行业可比公司的对比分析
1、经营情况与市场地位对比
（1）光伏领域同行业可比公司
目前在光伏薄膜沉积设备领域，公司竞争对手主要包括 A 股上市公司捷佳伟创、北方华创以及海外上市公司 Centrotherm，以及无锡松煜、理想晶延、红太阳等非上市公司。相关企业的经营情况与市场地位对比如下：
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2020年度营2020年光伏薄膜沉积
公司名称市场地位
业收入设备业务规模[注]
包 括 ALD 设 备 、
PECVD 设 备 、 根据公开资料，无锡松煜 2019无锡松煜 0.90 亿元 LPCVD 设备等，未 年营业收入 0.41 亿元，2020 年披露细分设备具体规度增长较快。
模
包 括 板 式 ALD 设
国内主要从事光伏 ALD 设备的
备 、 PECVD 设 备
理想晶延3.11亿元企业之一，产品类型以板式等，未披露细分设备ALD 设备为主。
具体规模
光伏 PECVD 设备收 国内主要的太阳能电池设备企入约 21.58 亿元（根 业之一，主营产品包括 PECVD据其2020年度收及扩散炉等在内的光伏设备，捷佳伟创40.44亿元入，及其披露的2020其光伏镀膜设备主要采用年 1-9 月 PECVD 占 PECVD 技术路线，目前尚无收入比重测算） ALD 设备。
光伏 PECVD 设备收 国内主要的电子工艺装备（半入约3-5亿元（根据导体设备、真空设备、锂电设捷佳伟创披露的备）和电子元器件企业之一，北方华创60.56亿元
2019、2020年产品体系丰富，应用领域广
PECVD 中标市场份 泛，其光伏镀膜设备主要采用额测算） PECVD 技术路线。
包括 PECVD 设备、 国内主要从事光伏 PECVD 设备
红太阳 4.70 亿元 PVD 设备等，未披露 的企业之一，产品类型以管式细分设备具体规模 PECVD 设备为主。
光伏领域的设备包括扩散系
统、LPCVD、PECVD 等设备，拉普拉斯未披露未披露
其主要产品 LPCVD 设备用于
TOPCon 电池掺杂多晶硅环节。
光伏 PECVD 设备收入约3.30亿元（根据较早从事光伏设备制造的国外捷佳伟创披露的
Centrotherm 1.07 亿欧元 厂商，薄膜沉积设备主要为
2019、2020年
PECVD 设备。
PECVD 中标市场份额测算）
国内主要从事光伏 ALD 设备的
均为光伏 ALD 业务 企业之一，产品类型以管式微导纳米3.13亿元
收入 ALD 设 备 为 主 ， 并 拓 展PECVD、PEALD 二合一设备。
注：上述同行业公司2020年营业收入来源于上市公司公告、《中国光伏产业年度报告（2020-2021年）》；各公司2020年光伏薄膜沉积设备业务规模根据捷佳伟创《关于深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司申请向特定对象发行股票的审核问询函的回复》（2021年2月）中披露的行业地位和市场占有率测算。
2021年，国内光伏电池片产量占全球产量88.40%，国内光伏电池片企业选
用的光伏设备已基本实现国产化，国内光伏设备企业在国际竞争中处于优势地位。
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公司成立后通过集中资源于产品开发，积极把握下游光伏电池行业的发展趋势，在较短时间内实现了 ALD 技术在光伏领域的成功应用，并已与包括通威太阳能、隆基股份、晶澳太阳能、阿特斯、天合光能等在内的业内知名太阳能
电池片生产商开展业务。公司已成为国内主要的光伏镀膜设备企业之一，其ALD 设备在行业中处于优势地位。
（2）半导体领域同行业可比公司
从全球市场来看，半导体 ALD 设备基本由国际巨头垄断，公司在发展中也直接面临相关企业的竞争。相关企业的经营情况与市场地位具体情况如下：
公司名称2020年营业收入市场地位
世界上最大的半导体装备供应商，提供泛半导体装备包含半导体及封装、太阳能、LED 等领域，在全部的AMAT 163.65 亿美元前道工艺上除光刻机以外都有全系列的专用装备提供。
世界上第三大半导体装备供应商，产品着重在薄膜沉Lam 119.29 亿美元 积、等离子刻蚀、光阻去除、晶片清洗等半导体前道工艺和封装应用。
世界主要的半导体制造设备、液晶显示器制造设备制
TEL 113.21 亿美元造商之一。在半导体 ALD 设备全球市场占比 31%。
公司产品涵盖了晶圆加工技术的重要方面，包括光ASM 15.16 亿美元 刻、沉积、离子注入和单晶圆外延。该公司 ALD 设备较为突出，全球市场占比仅低于 TEL。
原日立国际电气半导体设备部门，2017 年由 KKR 收KE 14.55 亿美元 购，其以成膜技术为核心，生产高品质的半导体制造设备，该公司产品线包含 ALD 设备。
资料来源：VLSI Research，五矿证券研究所除公司外，国内拥有半导体薄膜沉积设备业务的 A 股上市公司主要有北方华创、中微公司、拓荆科技。北方华创、拓荆科技分别主要经营 PVD 产品、PECVD 产品，两家公司 ALD 设备曾实现销售，部分客户仍处于工艺验证阶段。
中微公司主要为半导体客户提供刻蚀设备、MOCVD 设备，ALD 设备为其筹划开发产品。
目前，国内拥有半导体 ALD 技术产业化能力的企业家数较少，国产半导体ALD 设备业务规模与国际竞争对手相比整体偏小。在国产替代背景下，随着核心技术的不断突破、不同环节工艺水平的提升、量产的持续推进，国内半导体ALD 设备企业具有广阔的发展空间。
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2、技术实力对比
公司高度重视研发工作，持续在研发方面进行投入，经过多年的研发和技术积累，公司已形成自有核心技术并实现产业深度融合应用，相关设备的稳定性、薄膜的均匀性等主要技术指标、关键性能参数方面表现出色。
（1）研发相关经营指标对比
由于数据的可得性，选择 A 股同行业上市公司的研发费用占比、研发人员占比作为研发相关经营指标的对比依据，具体情况如下：
2021年研发费用
公司研发人员占比占营业收入比例
捷佳伟创4.71%截至2021年末，研发人员占员工比例为23.07%北方华创13.40%截至2021年末，研发人员占员工比例为25.07%中微公司14.55%截至2021年末，研发人员占员工比例为39.60%拓荆科技28.19%截至2021年9月末，研发人员占员工比例为44.06%微导纳米17.19%截至2021年末，研发人员占员工比例为36.79%公司研发费用占比和研发人员占比高于同行业上市公司平均水平，反映了公司对于研发团队、研发投入的重视和投入强度。
（2）产品核心性能指标
发行人的产品为薄膜沉积工艺设备，一方面需要保证制备的薄膜质量能够达到目标要求，另一方面需要在保证制备的薄膜质量的前提下提高设备生产性能。
公司结合行业内通常参考指标和客户对设备测量和评价要求，在光伏和半导体领域分别选取代表镀膜质量和生产性能的核心关键指标进行对比分析。
*光伏领域光伏薄膜沉积设备在不同电池结构及其膜层制备中的技术参数需求存在较大差异。报告期内，国内主要太阳能电池片为 PERC 电池，其中 Al2O3 镀膜设备是实现 PERC 电池量产的关键设备，所镀膜层用于实现钝化效果，以达到更高的光电转化水平。PERC 电池 Al2O3镀膜性能指标能够较大程度上反映各公司产品和技术情况。
根据中国光伏行业协会《2021-2022年中国光伏产业年度报告》，产业化生产常用的 Al2O3镀膜设备产能指标（年产能数据按 166mm 硅片尺寸计算）情况
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如下：
公司名称 技术类型 产能（片/小时） 产能（MW/年）
Centrotherm PECVD 6000 290
捷佳伟创 PECVD 6450 310
理想晶延 ALD 7200 345
微导纳米 ALD 10000 480
同行业公司中捷佳伟创、红太阳在官方网站上披露了 Al2O3 镀膜设备指标。
其中，捷佳伟创披露型号为 PD-520 的 PECVD 设备在其 2021 年 2 月份的公告中明确为其光伏背膜沉积工艺的主流产品，红太阳披露型号为 M82300-3/UM 型的 PECVD 设备为其官方网站中列示的唯一一款具备背面氧化铝钝化膜制备能力的产品。上述两款型号产品均为相关厂商应用在 PERC 电池中的主要销售款型。相关产品核心性能指标比较如下：
红太阳捷佳伟创微导纳米产品关键性能参数 （M82300-3/UM 型（PD-520） （KF10000S）PECVD 镀膜设备）
5890产能（片/小时）3300-4800≥10000（根据装片量测算）机台稳定运行时间
未披露≥98%≥98%（Uptime）
碎片率（Breakage） 未披露 未披露 ≤0.03%
片内均匀性≤5%≤6%≤3%
片间均匀性≤5%≤6%≤3%
批间均匀性≤4%≤5%≤3%同行业公司捷佳伟创在招股说明书披露的衡量其光伏镀膜设备的相关核心
关键指标包括了设备产能、均匀性、碎片率等指标。结合客户对公司产品指标的主要需求，选取了上表中产品关键性能参数。
上表中产能、机台稳定运行时间和碎片率主要反映光伏镀膜设备在电池片
镀膜环节的生产效率和稳定性，片内、片间、批间均匀性反映了在电池片生产过程中薄膜沉积的质量。
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微导纳米光伏薄膜沉积设备的技术指标与国内领先企业具有可比性，部分指标数据占有优势。从国产光伏设备在国际竞争中处于优势地位的客观情况来看，微导纳米光伏薄膜沉积设备的技术水平在国际竞争中亦能处于较高水平。
*半导体领域
发行人已形成3大类型覆盖多种工艺环节的半导体薄膜沉积设备，满足下游客户工艺需求。不同工艺环节对于 ALD 设备的性能指标要求差异较大。高介电常数（High-k）栅氧薄膜工艺是半导体先进制程中难度较大的工艺之一，公司设备在该环节已实现产业化应用。
国内主要从事半导体薄膜沉积设备的同行业公司拓荆科技的主要产品为集成电路 PECVD 设备，并涵盖 SACVD、ALD 设备，其于 2021 年 7 月《审核问询函的回复意见》披露了设备关键性能参数指标，但未明确列明对应的设备类型。公司目前在半导体领域应用的 ALD 设备，与拓荆科技重点推动的技术路线不同。此外，公司与拓荆科技已产业化应用的 ALD 设备在技术原理和产业应用不同，公司 ALD 设备为 TALD，使用热反应原理，用于高 K 栅介质层的沉积；
拓荆科技 ALD 设备为 PEALD，采用等离子原理，主要沉积介质薄膜，用于SADP 工艺和 STI 工艺。因此两者之间的指标可比性相对较弱。
公司在半导体同类产品指标比较上，选取了国外大型半导体薄膜沉积设备厂商在国内与公司 ALD 设备目标市场存在直接竞争的主要销售款型进行对比。
公司产品总体性能和关键性能参数已达到国际同类设备水平，具体核心性能指标比较情况如下：
产品关键性能参数国际同类设备水平微导纳米设备水平
设备产能（片/小时）1212
2 个（温度可控 RT- 4 个（温度可控 RT-250℃），2
反应源（镀膜原材料）
200℃），2个反应气体源个反应气体源
机台稳定运行时间
≥80%≥85%（Uptime）平均故障间隔时间
≥200小时≥200小时（MTBF）
平均破片率（MWBB）