普冉股份:普冉半导体（上海）股份有限公司2023年半年度报告

普冉股份2023年半年度报告
公司代码：688766公司简称：普冉股份
普冉半导体（上海）股份有限公司
2023年半年度报告
二〇二三年八月二十三日
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重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述经营过程中可能面临的风险及应对措施，有关内容详见第三节“管理层讨论与分析”，敬请投资者注意阅读。
三、公司全体董事出席董事会会议。
四、本半年度报告未经审计。
五、公司负责人王楠、主管会计工作负责人钱佳美及会计机构负责人（会计主管人员）沈奕声明：
保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案不涉及
七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？否
十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否
十二、其他
□适用√不适用
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目录
第一节释义.................................................4
第二节公司简介和主要财务指标........................................8
第三节管理层讨论与分析..........................................11
第四节公司治理..............................................38
第五节环境与社会责任...........................................40
第六节重要事项..............................................42
第七节股份变动及股东情况.........................................62
第八节优先股相关情况...........................................69
第九节债券相关情况............................................70
第十节财务报告..............................................71
备查文件载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表目录报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告原稿
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第一节释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、本公司、普冉
指普冉半导体（上海）股份有限公司
股份、发行人
报告期、本报告期、指2023年1月1日至2023年6月30日本期报告期末指2023年6月30日
上年、上年同期指2022年1月1日至2022年6月30日
《公司章程》指普冉半导体（上海）股份有限公司章程
赛普拉斯、Cypress 指 Cypress Semiconductor Corporation，即赛普拉斯半导体公司英飞凌 指 Infineon Technologies.Ltd.，德国 IC 设计制造商NEC 指 日本电气股份有限公司（Nippon Electric CompanyLimited）华邦指华邦电子股份有限公司旺宏指旺宏电子股份有限公司
美光 指 Micron Technology Inc，美光科技有限公司安森美 指 ON Semiconductor，安森美半导体意法半导体 指 STMicroelectronics N.V.兆易创新指兆易创新科技集团股份有限公司聚辰股份指聚辰半导体股份有限公司
华力指上海华力微电子有限公司、上海华力集成电路制造有限公司
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司及其合并范围内控股子中芯国际指公司
盛合晶微半导体（江阴）有限公司及盛合晶微半导体（江阴）有限盛合晶微指公司上海分公司上海伟测指上海伟测半导体科技股份有限公司及其合并范围内控股子公司华天科技指天水华天科技股份有限公司及其合并范围内控股子公司华大九天指北京华大九天科技股份有限公司
紫光宏茂指紫光宏茂微电子（上海）有限公司通富微电子股份有限公司及其下属控股子公司合肥通富微电子有通富微电指限公司和南通通富微电子有限公司三星指三星电子集团
松下 指 Panasonic Corporation Global Procurement Company
中证投资指中信证券投资有限公司，公司股东嘉兴揽月指嘉兴揽月投资合伙企业（有限合伙），公司股东嘉兴得月指嘉兴得月投资合伙企业（有限合伙），公司股东深圳创智指深圳创智战新三期创业投资企业（有限合伙），公司股东杭州赛智指杭州赛智云壹股权投资合伙企业（有限合伙），公司股东深圳南海指深圳南海成长同赢股权投资基金（有限合伙），公司股东张江火炬指上海张江火炬创业投资有限公司，公司股东杭州早月指杭州早月投资合伙企业（有限合伙），公司股东杭州晓月指杭州晓月投资合伙企业（有限合伙），公司股东
5G 指 5th-Generation，即第五代移动通信标准
6G 指 6th-Generation，即第六代移动通信标准
A/D 指 模拟数字转换器，一个将模拟信号转变为数字信号的电子器件Active-matrix Organic Light-emitting Diode，有源矩阵有机发光二AMOLED 指 极体，一种显示屏技术。其中 OLED（有机发光二极体）是描述薄膜显示技术的具体类型：有机电激发光显示；AM（有源矩阵体或
4/142普冉股份2023年半年度报告称主动式矩阵体）是指背后的像素寻址技术
Advanced RISC Machine 的英文缩写，是英国 Acorn 有限公司设计ARM 指
的低功耗成本的第一款 RISC 微处理器。
爱特梅尔公司（Atmel Corporation）发布的 ARM Cortex-M 处理器
ARM-Cortex
指系列是一系列可向上兼容的高能效、易于使用的处理器，这些处M0/M0+/M4理器旨在帮助开发人员满足将来的嵌入式应用的需要。
Bluetooth Low Energy 的英文缩写，蓝牙低能耗技术，是短距离、BLE 指 低成本、可互操作性的无线技术，利用许多智能手段最大限度地降低功耗
Brown-out reset，欠压复位。当电源电压降至 BOR 阈值以下时熄BOR 指
灭复位(BOR)发生器使系统处于复位状态。
中央处理器（Central Processing Unit），是一种超大规模集成电路，CPU 指是电子产品的运算核心和控制核心。
Dynamic Random Access Memory 的缩写，中文名称为动态随机存DRAM 指
取存储器，是一种半导体存储器ECC 指 Error Checking and Correcting，即错误检查和纠正技术Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，即电可擦EEPROM 指除可编程只读存储器
Electro-Static discharge 的简称，即静电释放，具有不同静电电势ESD 指 （电位差）的物体或表面之间的静电电荷转移，ESD 能力越强芯片承受静电受损概率越低
ETOX 指 由多晶硅栅组成利用浮栅用来存储电荷的一种存储单元结构
Fabless 指 Fabrication-Less，无晶圆厂集成电路设计公司经营模式Fan-out 指 扇出型封装工艺
Fowler-Nordheim tunneling，福勒-诺德海姆隧穿，量子隧穿效应中FN 隧穿 指的一种情况
Integrated Device Manufacturer，指涵盖集成电路设计、晶圆制造、IDM 指封装及测试等各业务环节的集成电路企业
IO 指 I/O 输入/输出（Input/Output），分为 IO 设备和 IO 接口两个部分LCD 指 Liquid Crystal Display，液晶显示屏LED 指 Light-Emitting Diode，发光二极管Micro Control Unit，称为微控制单元、单片微型计算机、单片机，MCU 指
集 CPU、RAM、ROM、定时计数器和多种 I/O 接口于一体的芯片
存储器、存储芯片、具备存储功能的半导体元器件，作为基本元器件，广泛应用于各指
存储器芯片类电子产品中，发挥着运行程序或数据存储功能NAND Flash 指 数据型闪存芯片，主要非易失闪存技术之一nm 指 n 表示 nano，中文称纳米，长度计量单位，1 纳米为十亿分之一米闪存芯片，主要非易失闪存技术之一，耐擦写性能至少10万次，NOR Flash 指
具备芯片内执行程序的功能，主要用于存储中小容量的数据Power Management Unit，电源管理单元，一种高度集成、针对便携式产品应用的电源管理方案，即将传统分立的若干类电源管理PMU 指
器件整合设计进单颗芯片，从而实现更高集成度和更小芯片尺寸以适应面积受限的 PCB 空间
POR 指 Power On Reset 上电复位，一般为单片机内置。
Static Random-Access Memory 的缩写，中文名称为静态随机存取存储器，是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储SRAM 指 器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持，但当电力供应停止时，SRAM 储存的数据还是会消失，主要用作 CPU 与内存模组间的高速缓存
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SEMI 指 国际半导体设备材料产业协会
SIP 为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以SIP 指 及诸如 MEMS 或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。
System on Chip，中文称为芯片级系统，意指一个有专用目标的集SoC 指成电路，其中包含完整系统并有嵌入软件的全部内容。
SONOS 指 硅基-二氧化硅-氮化硅-二氧化硅-多晶硅，一种存储结构Touch and Display Driver Integration 的缩写，触控与显示驱动器集TDDI 指成，为新一代显示触控技术，将触控芯片与显示芯片二合一Thin Film Transistor，是薄膜晶体管的缩写，指液晶显示器上的每TFT 指一液晶像素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动
TWS 蓝牙耳机 指 True Wireless Stereo 蓝牙耳机，具有无线结构、高音质等优点Universal Serial Bus 的英文缩写，中文称为通用串行总线，是一个USB 指 外部总线标准，用于规范电脑与外部设备的连接和通讯。是应用在 PC 领域的接口技术
USON 指 Ultrathin small outline no-lead package，即超薄无引线小外廓封装Voice Coil Motor，属于线性直流马达，原来用于扬声器产生振动VCM 指发声，现用于推动镜头移动产生自动聚焦的装置WLCSP 指 Wafer Level Chip Scale Packaging，即晶圆级芯片封装方式世界半导体贸易统计协会（World Semiconductor Trade Statistics 的WSTS 指
缩写）
eXecute In Place，指应用程序可以直接在 Flash 闪存内运行，不必XIP 指
再把代码读到系统 RAM 中
浮栅指晶体管中的组成结构，周围由绝缘材料包裹，呈悬浮状态集成电路制造过程中，以晶体管最小线宽尺寸为代表的技术工艺，工艺制程、工艺节
指尺寸越小，工艺水平越高，意味着在同样面积的晶圆上，可以制点
造出更多的芯片，或者同样晶体管规模的芯片会占用更小的空间在制作 IC 的过程中，利用光蚀刻技术，在半导体上形成图型，为光掩模版、掩膜版指将图型复制于晶圆上，通过曝光显影的原理，类似于冲洗照片时，利用底片将影像复制至相片上
把从晶圆上切割下来的集成电路裸片（Die），用导线及多种连接方式把管脚引出来，然后固定包装成为一个包含外壳和管脚的可使用的芯片成品。集成电路封装不仅起到集成电路芯片内键合点集成电路封装指与外部进行电气连接的作用，也为集成电路芯片提供了一个稳定可靠的工作环境，对集成电路芯片起到机械或环境保护的作用，从而使集成电路芯片能够发挥正常的功能，并保证其具有高稳定性和可靠性
包括电路功能定义、结构设计、电路设计及仿真、版图设计、绘制集成电路设计指及验证，以及后续处理过程等流程的集成电路设计过程经过特定工艺加工，具备特定电路功能的硅半导体集成电路圆片，晶圆指
经切割、封装等工艺后可制作成 IC 成品
晶圆厂指晶圆代工厂，指专门负责芯片制造的厂家为了验证集成电路设计是否成功，必须进行流片，即从一个电路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检验电路是否具备所需要的性能和功能。如果流片成功，就可以大规模地制造芯流片指片；反之，则需找出其中的原因，并进行相应的优化设计——上述过程一般称之为工程流片。在工程流片成功后进行的大规模批量生产则称之为量产流片
集成电路行业的一种现象，由英特尔创始人之一戈登·摩尔于1965摩尔定律指年提出，其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件
6/142普冉股份2023年半年度报告的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍IoT 是物联网（Internet of things）的英文缩写，意指物物相连的互联网。物联网是一个动态的全球网络基础设施，具有基于标准和物联网、IoT 指 互操作通信协议的自组织能力，其中物理的和虚拟的“物”具有身份标识、物理属性、虚拟的特性和智能的接口，并与信息网络无缝整合。
一种微型电子器件或部件，采用一定的半导体制作工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件通过一
定的布线方法连接在一起，组合成完整的电子电路，并制作在一芯片、集成电路、IC 指
小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。IC 是集成电路（IntegratedCircuit）的英文缩写。
载流子指电流载体，称载流子《公司法》指《中华人民共和国公司法》
《证券法》指《中华人民共和国证券法》证监会指中国证券监督管理委员会
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第二节公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况
公司的中文名称普冉半导体（上海）股份有限公司公司的中文简称普冉股份
公司的外文名称 Puya Semiconductor (Shanghai) Co. Ltd.公司的外文名称缩写 Puya semiconductor公司的法定代表人王楠中国（上海）自由贸易试验区申江路5005弄1号9层整层公司注册地址（实际楼层8楼）
“中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号504室”变更公司注册地址的历史变更情况为“中国（上海）自由贸易试验区申江路5005弄1号9层整层（实际楼层8楼）”中国（上海）自由贸易试验区申江路5005弄1号9层整层公司办公地址（实际楼层8楼）公司办公地址的邮政编码201210
公司网址 www.puyasemi.com
电子信箱 ir@puyasemi.com报告期内变更情况查询索引不涉及
二、联系人和联系方式
董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表姓名钱佳美袁宜璇中国（上海）自由贸易试验区申江路中国（上海）自由贸易试验区申江路5005联系地址
5005弄1号9层弄1号9层
电话021-60791797021-60791797
传真021-61347010021-61347010
电子信箱 ir@puyasemi.com ir@puyasemi.com
三、信息披露及备置地点变更情况简介
《上海证券报》（www.cnstock.com）、《中国证券报》（公司选定的信息披露报纸名称 www.cs.com.cn）、《证券时报》（www.stcn.com）、《证券日报》（www.zqrb.cn）
登载半年度报告的网站地址 www.sse.com.cn公司半年度报告备置地点公司董事会办公室报告期内变更情况查询索引不涉及
四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股 上海证券交易所科创板 普冉股份 688766 不适用
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(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
五、其他有关资料
□适用√不适用
六、公司主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位：元币种：人民币本报告期本报告期比上年同主要会计数据上年同期
（1－6月）期增减(%)
营业收入468573747.45569406458.17-17.71
归属于上市公司股东的净利润-78249457.05103397770.99-175.68归属于上市公司股东的扣除非
-97967037.50101160689.99-196.84经常性损益的净利润
经营活动产生的现金流量净额-72318280.16-153041306.67不适用本报告期末比上年本报告期末上年度末
度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产1899388141.321984124634.38-4.27
总资产2052543381.882406544942.85-14.71
(二)主要财务指标本报告期本报告期比上年同主要财务指标上年同期
（1－6月）期增减(%)
基本每股收益（元／股）-1.041.37-175.91
稀释每股收益（元／股）-1.041.36-176.47扣除非经常性损益后的基本每股收
-1.301.34-197.01益（元／股）
加权平均净资产收益率（%）-4.025.28减少9.30个百分点扣除非经常性损益后的加权平均净
-5.035.17减少10.20个百分点
资产收益率（%）
研发投入占营业收入的比例（%）20.0111.80增加8.21个百分点公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
一、2023年1-6月营业收入同比减少10083.27万元下降幅度为17.71%。主要系报告期内，
全球经济及行业需求疲软的影响并未完全消除，公司基于经济形势和市场供需情况，积极巩固公司原有存储产品市场份额，采取适当降价去库存的定价策略以逐步消化过多库存引起的供需不平衡状况。在上述因素影响下，公司大部分产品价格较去年同期均有不同幅度的下降，对公司各产品线营业收入产生不利影响；
二、报告期内归属于上市公司股东的净利润同比减少18164.72万元，降幅175.68%，归属于
上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比减少19912.77万元，降幅196.84%。公司本期净利润减少主要有以下原因：
1、营业收入减少和毛利的下降：2023年上半年，全球经济及行业需求疲软的影响并未完全消除，公司基于经济形势和市场供需情况，积极巩固公司原有存储产品市场份额，采取适当降价
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去库存的定价策略以逐步消化过多库存引起的供需不平衡状况。在上述因素影响下，公司大部分产品价格较去年同期均有不同幅度的下降，对公司各产品线营业收入和毛利率水平均有不利影响。
报告期内公司产品综合毛利率为20.57%，较去年同期下降12.44个百分点。
2、期间费用的增长：报告期内，公司持续重视产品研发和下游应用结构的优化，保持高强度的研发投入。报告期内研发费用较上年同期增加2654.29万元，增幅比例达39.49%，获授知识产权数量增加36.67%。公司的产品线扩大使得销售、管理人员也有所增加，报告期内销售费用和管理费用增幅分别为61.10%和53.00%。其中，股权激励的实施使得股份支付成本较上年增长586.36万元；
3、存货跌价准备的计提：本报告期，本公司以存储类产品为代表的部分下游产品价格下降，
识别到的可变现净值低于账面成本的存货数量增加，因此2023年上半年新增确认资产减值损失
8111.07万元。
三、报告期内经营活动产生的现金流量净额同比增加8072.30万元，主要系公司根据市场情
况及时调整采购计划，向上游支付的采购货款金额减少；
四、基本每股收益、稀释每股收益及扣除非经常性损益后的基本每股收益同比下降175.91%、
176.47%及197.01%，主要系报告期净利润下降175.68%所致。
七、境内外会计准则下会计数据差异
□适用√不适用
八、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位:元币种:人民币
非经常性损益项目金额附注（如适用）
非流动资产处置损益-13207.60不适用
越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返
217653.27税收返还
还、减免
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定1618000.00政府补助量持续享受的政府补助除外计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益非货币性资产交换损益委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，华大九天战略配持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负19861475.45售股票公允价值
债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益，以及处变动及相关转融
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非经常性损益项目金额附注（如适用）
置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、券出借利息衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回对外委托贷款取得的损益采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响受托经营取得的托管费收入除上述各项之外的其他营业外收入和支出
其他符合非经常性损益定义的损益项目-140.67不适用
减：所得税影响额1966200.00
少数股东权益影响额（税后）
合计19717580.45
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非
经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。
□适用√不适用
九、非企业会计准则业绩指标说明
√适用□不适用
单位：万元币种：人民币本期比上年同期增减主要会计数据2023年半年度2022年半年度
(%)剔除股份支付影响的
归属于上市公司股东-6136.5411332.20-154.15的净利润
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第三节管理层讨论与分析
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)所处行业情况
1、公司所处行业
公司主要从事集成电路产品的研发设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业分类指引》，公司所处行业为“C 制造业——C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据《国民经济行业分类（GB/T 4754—2017）》，公司所处行业为“6520 集成电路设计”。
2、所处行业发展阶段、基本特点
集成电路行业作为全球信息产业的基础，经历了60多年的发展，如今已成为世界电子信息技术创新的基石。集成电路行业派生出诸如 5G、6G、物联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用，成为现代日常生活中必不可少的组成部分。集成电路行业主要包括集成电路设计业、制造业和封装测试业，属于资本与技术密集型行业，业内企业普遍具备较强的技术研发能力、资金实力、客户资源和产业链整合能力。
近些年来，在国家政策扶持以及市场应用带动下，国内集成电路产业保持快速增长，继续保持增速全球领先的势头。受此带动，在国内集成电路产业发展中，集成电路设计业是国内集成电路产业中保持较高发展活力的领域，保持高速增长的长期发展态势。
从行业短期发展阶段来看，半导体行业具备强周期属性，其市场需求呈连续状态，产能供给呈阶跃状态，自2021年供需关系反转以来，行业周期整体呈下行状态，今年上半年消费需求低迷的影响仍未完全消除，根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的最新预测数据，2023 年全球半导体市场规模预计为5151亿美元，同比2022年度下降10.3%，国际大厂三星、美光、海力士等均减少其产能供给以应对供需不平衡的现状，尽管如此，随着国内政策利好，国产替代浪潮兴起，经济内循环等政策推动，2024年有望受益于消费信心阶段性恢复以及半导体行业国产需求增加，从而导致行业库存消化速度加快等一系列积极影响，芯片设计及封装测试等产业链环节，手机、消费电子、工业半导体、数据中心等应用领域逐步恢复向好。世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2024年全球半导体市场将呈复苏趋势，市场规模达5760亿美元，市场调研机构Semiconductor Intelligence 预测 2024 年半导体市场持续复苏，终端市场温和增长，增长将在 5%-
10%之间。
在全球集成电路市场中，存储器芯片在集成电路市场份额中占比份额较大。2023年上半年，全球经济及行业需求疲软的影响仍在持续，存储行业作为半导体行业的先行者，随着供需错配和消费需求动力不足，其市场价格存在一定幅度的下跌，行业库存也在持续去化，据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的最近数据，预计 2023 年度，全球半导体存储器芯片，市场规模约 840 亿美元，占全球集成电路市场规模的比例为20.36%，同比下降35.20%。而在经济逐渐复苏，行业库存日益减少，下游新兴应用如服务器、车载、智能家居等领域的技术推动等影响下，预计2024年全球存储器芯片市场规模达1203亿美元，同比增加43.20%。
随着物联网、服务器、光伏、汽车电子等新兴科技应用的发展，存储器芯片面临日益增长的市场需求。在上述领域，实时的数据交互需要更多容量进行数据的存储和处理，拉动存储器芯片市场需求的同时，也对存储器芯片的快速读写等功能提出了更高的要求。在可穿戴设备领域，随着电子产品功能的多样化和续航能力的提升，对存储器芯片的功耗、性能等方面都提出了多样化的要求，也将开拓出更为广阔的存储器芯片市场空间。在汽车电子领域，随着汽车行业不断向智能化、电子化方向发展，将进一步拉动存储器芯片的市场规模增长。
根据 IC Insights 数据，全球 MCU 市场预计在 2023 年达到约 260 亿美元的规模，同比 2022年温和增长 1.25%。从下游结构看，全球 MCU 市场主要是汽车电子占据主体，2022 年汽车电子和工业控制分别占全球市场的 36.80%和 33.50%，海外主流 MCU 厂商下游营收结构同样以汽车和工业为主。相比之下，中国 MCU 市场消费电子占比较高，消费电子品类丰富，MCU 可以广泛搭载于智能手机、可穿戴设备、IOT 设备、电子烟、玩具等产品，其终端数量庞大，对应 MCU 应用规模可观。自 2021 年以来，因消费电子、工业需求陆续由强劲转为萎靡，汽车 MCU 供给不足，MCU 出现了结构性分化。
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随着工业自动化和智能化发展、新能源车渗透加快、物联网计算“边缘化”趋势等，MCU 芯片的用量将显著提升。在工业领域，MCU 主要发挥环境感知、精准控制、无线连接、电源管理、人机交互等功能，随着工业应用市场对于控制系统提出更多新需求，MCU 作为基础元器件，需求稳步增长。在新能源汽车领域，汽车智能化程度持续提升，基于新能源汽车电子架构的重构，对域控制架构下的 MCU 迭代升级提出了更高的要求，MCU 搭载量和单颗芯片价值量将显著增加。
在物联网领域，物联网计算“边缘化”将更多 AI 和计算能力赋予边缘设备，要求物联网芯片具备更优的性能、功耗、尺寸方面特征，需要具备更高性能、更低功耗的和占用面积的 MCU 芯片，随着物联网 MCU 市场渗透率的不断提升，根据 IC Insight 研究报告，到 2023 年 MCU 在 IoT 设备中应用将高达 50 亿颗。这些都将进一步带动 MCU 芯片的市场需求。
(二)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务情况
公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售，目前主要产品包括：NOR Flash 和 EEPROM 两大类非易失性存储器芯片、微控制器芯片以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片属于通用型芯片，可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。例如，根据存储需求的不同，公司的 NOR Flash 产品应用于低功耗蓝牙模块、TWS 蓝牙耳机、手机触控和指纹、TDDI（触屏）、AMOLED（有源矩阵有机发光二极体面板）、可穿戴设备、车载导航和安全芯片等领域。EEPROM 产品应用于摄像头模组（含手机、笔电和新能源车及传统汽车、3-D）、智能仪表、工业控制、汽车电子、网络
通信、家电等领域。微控制芯片（Micro Control Unit，简称 MCU）主要为基于 ARM Cortex-M 系列 32 位通用 MCU 产品，可广泛应用于智能家电、可穿戴设备、物联网、计算机网络、玩具、安防等消费类及各类工业控制、车载领域；模拟产品的第一个产品系列为音圈马达驱动芯片（VoiceCoil Motor Driver，简称 VCM Driver），目前提供独立和存储二合一两类开环类音圈马达驱动芯片产品，主要应用于摄像头模组（含手机和非手机），公司基于存储、模拟及传感器技术的积累和延展，正持续研发光学防抖音圈马达驱动芯片产品。
公司团队在非易失性存储器芯片领域深耕多年，凭借其低功耗、高可靠性的产品优势，在下游客户处积累了良好的品牌认可度，成为了国内 NOR Flash 和 EEPROM 的主要供应商之一。在此基础上，公司实施“存储+”战略，积极拓展微控制器及模拟芯片领域，依托公司在存储领域的技术优势和平台资源，实现向更高附加值领域和更多元化的市场拓展。
与此同时，公司持续推进海外业务布局，实现了在日本、韩国、美国等多家的知名大客户导入，产品应用领域涵盖消费、工控、光伏及车载，增强了在全球市场的影响力。
2、主要产品情况
*存储系列芯片
报告期内，公司实现存储系列芯片营业收入42383.65万元，同比下降23.93%，毛利率19.50%。
存储系列芯片应用领域如下：
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（1） NOR Flash 产品
NOR Flash 具备随机存储、读取速度快、芯片内执行（XIP）等特点。作为数据读取和存储的重要器件，其主要功能是数据的存储和读取，同时实现开机启动等固定运行的程序。由于 NORFlash 不必把应用程序代码读到系统 RAM 中即可直接运行，使得 NOR Flash 在运行程序时优势更显著，适用于开机响应时间、可靠性等要求较高的电子设备。基于 NOR Flash 上述应用特点及性价比优势，其被广泛应用于手机，电脑，可穿戴等消费类电子、汽车电子、安防、服务器、基站等工控领域、物联网设备及其他领域。
公司 NOR Flash 产品采用电荷俘获（SONOS）及浮栅（ETOX）工艺结构，提供了 512Kbit 到
256Mbit 容量的系列产品，覆盖 1.65V-3.6V 的操作电压区间，具备低功耗、高可靠性、快速擦除
和快速读取的优异性能，公司 NOR Flash 产品应用领域集中在蓝牙、IOT、TDDI、AMOLED、工业控制等相关市场。目前 NOR Flash 行业主流工艺制程为 55nm，公司 40nm 工艺制程下 4Mbit 到
128Mbit 容量的全系列产品均已实现量产，处于行业内领先技术水平。
图：公司 NOR Flash 产品
公司 40nm 工艺节点已成为公司 SONOS 工艺结构下 NOR Flash 产品的主要工艺节点，能够进一步提高公司产品的成本优势，同时更好的满足下游应用的面积需求。此外，公司也并行采用
浮栅（ETOX）工艺结构，提供以中大容量为主、中小容量为辅的系列产品，已达到 50nm 的先进制程，目前 4Mbit 到 256Mbit 的产品已实现量产，512Mbit 到 1Gbit 容量产品正在依照规划逐步推出。未来将继续通过工艺研发和设计创新实现产品完备化，实现公司在大容量市场的快速导入，持续提升公司在 NOR Flash 领域的市场占有率。
公司中小容量 NOR Flash 车载产品已陆续完成 AEC-Q100 认证，主要应用于部分品牌车型的前装车载导航、中控娱乐等。同时，公司也将逐步推进全系列 NOR Flash 车规认证。
与此同时，公司推出的超低电压超低功耗新一代 SPI NOR Flash 系列新产品，支持 1.1V 电源系统，同时具备宽电压范围，可涵盖 1.2V 和 1.8V 系统，该产品系列计划覆盖 4Mbit-128Mbit 的容量区间，应用于基于嵌入式 SoC、手持移动应用、多媒体信息处理等场景中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。
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（2） EEPROM 产品
EEPROM 是一类通用型的非易失性存储器芯片，在断电情况下仍能保留所存储的数据信息，可以在计算机或专用设备上擦除已有信息重新编程，可擦写次数至少100万次，数据保存时间超过 100 年。该类产品相较于 NOR Flash 的容量更小、擦写次数高，因此适用于各类电子设备的小容量数据存储和反复擦写的需求，广泛应用于智能手机摄像头、工业控制、汽车电子、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色家电等领域。
公司已形成覆盖 2Kbit 到 4Mbit 容量的 EEPROM 产品系列，操作电压覆盖 1.2V-5.5V，主要采用 130nm 工艺制程，具有高可靠性、面积小、性价比高等优势，同时实现了分区域保护、地址编程等功能，可对芯片中存储的参数数据进行保护，避免数据丢失和篡改，可擦写次数可达到400万次，数据保持时间可达 200 年。公司部分中大容量产品采用 95nm 及以下工艺制程下并已实现量产。
图：公司 EEPROM 产品
公司持续推进 EEPROM 产品在工业控制和车载领域的应用，公司车载产品完成 AEC-Q100 标准的全面考核，在车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量交付，汽车电子产品营收占比有所提升；同时公司持续推进 EEPROM 产品全系列的车规认证。
公司超大容量 EEPROM 系列产品，支持 SPI/I2C 接口和最大 4Mbit 容量，其中 2Mbit 产品批量用于高速宽带通信和数据中心。
与此同时，公司推出的超低电压1.2V系列EEPROM已实现量产出货，涵盖32Kbit至512Kbit，是目前行业内工艺节点领先和容量覆盖面较为完备的超低电压产品线。
*“存储+”系列芯片
报告期内，公司实现“存储+”系列芯片营业收入4473.72万元，毛利率30.77%，与去年同期非存储类芯片产品相比，营业收入增长264.92%。
“存储+”系列芯片应用领域如下：
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（1） MCU 产品
MCU 是微控制单元，又称单片机，是把 CPU（中央处理器）的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器、USB、A/D 转换、DMA 等周边接口，甚至包括 TFT、LCD、LED 驱动电路等整合在单一芯片上形成的芯片级计算机，可广泛应用于各类消费电子产品，如智能可穿戴设备、电机与电池、传感器信号处理、家电控制、计算机网络、通信、工业控制、汽车电子等应用领域。
图：公司 MCU 产品
公司基于领先工艺和超低功耗与高集成度自有设计的存储器优势，布局 ARM Cortex-M 内核系列 32 位通用型 MCU 产品。目前，公司 MCU M0+系列产品已大规模量产出货，共计 120 余颗料号，累计出货已超 1 亿颗。产品主要应用于智能家居、小家电、BMS、无人机、驱动电机、逆变器等下游领域，国产替代趋势下持续导入空间较大。
此外，公司基于 ARM 内核的 M4 MCU 原型产品进展顺利，后续将持续推进消费及工控等通用场景应用领域导入。
公司通过扩充相关支持团队等方式持续推进 MCU 生态环境建设，如重要客户方案设计、FAE现场支持、工具开发、驱动程序推出、客户开发环境、网站支持等方面都积极配合实施推广。
（2） 模拟产品 VCM Driver 芯片
音圈马达（VCM）是摄像头模组内用于推动镜头移动进行自动聚焦的装置，音圈马达驱动芯片（VCM Driver）为与音圈马达匹配的驱动芯片，主要用于控制音圈马达来实现自动聚焦功能。
目前，开环式、闭环式、光学防抖式是音圈马达驱动芯片最为常见的三类产品，主要应用于手机摄像头模组领域。
公司内置非易失存储器的 PE 系列音圈马达驱动芯片（二合一)多颗产品进入大批量供货支持下一代主控平台的 1.2V PD 系列音圈马达驱动芯片产品也已进入量产。该系列产品可有效降低
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产品功耗，缩小芯片面积，以顺应各类智能终端轻薄化的发展趋势，同时，依托 EEPROM 产品的客户资源优势，实现下游的顺利交付。此外，公司结合行业发展趋势，与终端密切配合，启动开发新一代 VOIS 芯片。
公司 VCM Driver 产品能与 EEPROM 产品形成良好的协同效应，提升公司在摄像头模组领域的竞争优势和市场占有率。
二、核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司通过多年的自主创新和技术研发，掌握多项与主营业务密切相关的核心技术，覆盖非易失性存储芯片、微控制器芯片、音圈马达驱动芯片等领域。公司在存储器芯片领域持续拓展，进行 40mn 以下新一代工艺和浮栅下一代技术创新技术储备，并在存储领域延展 ETOX 工艺技术开发中大容量 NOR Flash 产品，同时布局“存储+”战略，包括基于 ARM 内核的 32 位 MCU 芯片M0+及 M4 多颗产品，以及应用于摄像头模组的高性能 VCM Driver 芯片系列模拟产品。报告期内，公司 ETOX 工艺下的 256Mbit NOR Flash 产品已量产出货，512Mbit-1Gbit NOR Flash 产品正按照计划逐步推进。
公司的核心技术可以分为设计及工艺技术和特定产品技术。设计及工艺技术指该类核心技术主要在设计和工艺阶段，可应用于公司的多条或全部产品线；特定产品技术指该类技术主要应用于某一类产品线，该类技术也可能出现跨产品线应用的情况。
公司相关的核心技术如下：
A. 存储器芯片相关核心技术
（1）超低功耗设计
通过模拟及混合信号电路设计，实现全差分低幅度的灵敏放大器，高速的双沿采样实现读取数据的低功耗；结合数字电路的优化，芯片手表及品牌 TWS 耳机等穿戴领域具备领先的低功耗优势。
在芯片擦写电路设计中，采用非离散域控制方法，实现较低的输出抖动和较低的动态功耗。
（2）宽电源电压设计
公司在产品规划中采用了一体化自适应读出电路电源管理和宽电压低功耗电荷泵设计技术，产品支持 1.65V 至 3.60V 工作电压范围。公司在成立之初推出了支持四线模式和宽电压的 Flash产品，满足了低功耗蓝牙在电池系统供电下与主流 SoC 配合的供电范围要求。
（3）超低电源电压设计
公司推出的 1.2V EEPROM 系列产品，支持最低 1.1V 工作电压；这是基于超低电压的模拟及存储器技术。
（4）高可靠性设计
公司采用特殊器件和温度补偿电路，实现擦写电压的零温度系数，在相同工艺条件下，公司的 EEPROM 产品擦写寿命可达 400 万次。
（5）面向封装的可靠性设计
公司的 WLCSP 产品均采用自主知识产权的划片槽技术，能有效避免生产过程中带来的裂片风险，在手机模组应用的 WLCSP 存储器产品划片中实现更优的失效率和颗粒残留，满足摄像头模组的可靠性要求。
（6）面向产品灵活性和竞争力的设计
公司利用单套掩膜版实现多颗产品的设计技术，实现产品软件配置可调而支持多地址、多接口的应用。
B. 工艺研发及优化的核心技术
存储器芯片主要由存储单元和外围电路两部分组成。存储单元方面，目前 NOR Flash 的主流基础工艺包括浮栅 ETOX 和电荷俘获的 SONOS 工艺结构，为芯片设计企业提供了不同的存储单元结构选择；外围电路方面，芯片设计企业在确定基础工艺后，结合存储单元结构特性和产品功能需求进行复杂的外围电路设计，外围电路设计技术的不同决定了 NOR Flash 性能的差异化。因
17/142普冉股份2023年半年度报告此，存储单元结构是芯片设计的基础，电路设计的核心技术是决定产品性能的关键因素，是不同芯片设计公司之间芯片产品差异化的来源，帮助企业形成自身的产品竞争优势和核心技术壁垒。
（1）先进工艺节点的 Cell 单元优化；
（2）面向工艺均一性的制程优化技术；
（3）面向良率提升的制程优化技术；
（4）面向核心工艺设备（炉管等）的工艺优化和窗口提升技术。
目前 NOR Flash 领域中，兆易创新、华邦、旺宏等传统闪存芯片厂商均采用浮栅 ETOX 工艺结构。公司则率先将 SONOS 工艺结构应用于 NOR Flash 的研发设计，现阶段已形成完整的核心技术体系和技术壁垒，并凭借超低功耗和高可靠性等产品特点，形成了极具竞争力的 NOR Flash产品矩阵。公司与晶圆厂充分配合，在存储单元开发和工艺优化方面展开了深入的合作。公司成立至今，累计实现了三个制程节点近十种存储单元的开发。
C. NOR Flash 相关核心技术
* SONOS 工艺下 NOR Flash 相关核心技术
（1） SONOS工艺平台
公司采用 SONOS 工艺平台，结合基本逻辑工艺的低功耗特征，采用了双管（2T）单元共源
（CSL）结构，有效满足了穿戴应用及 IoT 应用对低电压和低功耗的要求。双管（2T）单元的存储结构可以有效控制存储单元的漏电，使得产品具备极低的静态功耗。而对于共源（CSL）结构，在存储单元尺寸显著减小同时也可以进一步降低编程和擦写电压，降低功耗，并实现工艺技术走向更先进的工艺制程。
公司通过自主研发和设计架构的配合，通过工艺复杂度的降低，有效减少所需掩膜版的数量，从而降低产品的成本，通过降低操作电压，降低了擦除和写入操作对单元结构的损耗，实现 NORFlash 低功耗和高可靠性。目前公司已完成 SONOS 工艺面向 NOR Flash 的工艺和设计研发，形成了完整的 NOR Flash 芯片设计技术体系，帮助公司 NOR Flash 产品实现了低功耗、快速读取等优异性能。
（2）产品设计及测试相关技术
公司通过创新的存储器架构和模拟电路的设计和优化，实现产品超低功耗的读出和擦写，产品在深睡眠模式下只需满足极低工作电流的操作条件。
公司结合工艺和器件的特点，通过自主研发的存储器架构和全芯片的优化设计（含存储单元周边驱动电路、模拟电路和数字电路），实现 1.65-3.60V 的宽电压工作范围并支持四线工作模式。
通过存储单元设计技术的创新与升级，实现了三个产品优势：
1）快速擦除，全芯片擦除速度较 ETOX 工艺下的 NOR Flash 大幅提升，对于在线擦除或批
量烧录的擦除有显著的优势；
2）产品使用过程中，初期擦写时间和末期擦写时间不变，相较于 ETOX NOR Flash，公司的
SONOS NOR Flash 产品在特定的应用环境中具备一定优势；
3）异常掉电下的安全性和上电的快速特性，即掉电不影响非擦写区域，不会在掉电恢复后产
生芯片漏电而无法正常工作的问题，也保障了上电过程的快速实现。
通过自主研发的校准技术和温度补偿技术，实现擦写电压与存储单元的温度特性匹配，有效提升产品的可靠性，达到擦写次数优于10万次，数据保持时间优于20年。
通过产品缓存的优化设计，实现产品并行写入效率的2至4倍提高，有效提升产品进行在线升级或批量烧录的效率，从而降低成本。通过独特的页单位的擦除模式设计，改善产品在小数据结构下的擦写效率，有利于可靠性和应用效率的提升。
通过自主研发的面向测试的设计技术，提升产品的测试效率、缩短测试时间，同时提升测试的覆盖率。
通过针对 SONOS NOR Flash 面向制造的设计技术（包括电路和版图），提升产品在先进工艺下的生产控制窗口，提升产品的良率。
通过自主开发的智能校准和动态调整技术，实现产品规格与工艺窗口的动态匹配，提升产品良率，并优化可靠性水平。
* ETOX 工艺下 NOR Flash 相关核心技术
（1）功耗优化技术
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公司产品在读和擦写功耗上，采用了多种新技术对功耗进行了优化。在读功耗上：采用逻辑控制非用即关技术，优化了读取控制电路的功耗；采用了新的解码编排技术，减小了位线寄生电容，减少了读取功耗；采用了新的敏感放大技术，节约了数据读取所需要时间，减小了读取功耗。
在写功耗上，采用了逐级控制电流技术，提升了编程效率，缩减了编程功耗；采用了动态算法编程技术，提升了随机数编程效率；在擦除功耗上，对擦除步骤之一的预编程进行了改进，用隧穿编程替代了热载流子编程，大大缩短了预编程的时间和功耗。
（2）读取速度提升技术
公司产品采取的多种技术提升了的产品的读取速度。采用了动态采样、输出再编码、传输路径最适化、字线匹配及非满幅检出等技术。
（3）过擦除保护技术
公司 ETOX 产品有过擦除问题，需要对过擦除进行修复。产品采用了逼近优化的两步修复技术对过擦除进行修复；产品还采用了上电过擦除检测及修复机制，对异常断电及数据老化导致的阈值变化进行检测和纠正。
（4）冗余位线自动修复技术
公司 ETOX 产品在测试时需要用到冗余位线对常规位线的坏块进行修复，产品采用了冗余位线自动修复技术，在一定背景数据下，当位线出现坏块时，修复系统自动对字线坏块进行修复，并输出修复信息或出错信息，减少了修复处理的复杂度及测试时间。
D. EEPROM 相关核心技术
（1） 130nm制程下的存储单元改进技术
行业内公司的 EEPROM 芯片主流制程为 130nm，公司在 130nm 制程的基础上，对存储单元结构进行工艺优化改进，优化编程电压及电荷泵补偿结构。
一方面，降低了存储单元的面积和 EEPROM 芯片的大小，另一方面，擦写电压的优化和补偿结构，提升了产品的可靠性和寿命，使得公司的 EEPROM 芯片具备 400 万次擦写能力及 200 年的数据保存时间。
（2） 95nm及以下工艺制程的开发升级
在 130nm 高可靠性 EEPROM 的基础上，从工艺制程、电路设计等方面切入，对手机摄像头模组等消费类 EEPROM 以及智能电表、智慧通信等工业类 EEPROM 存储器芯片进行升级研发，达到了 95nm 及以下的工艺制程，实现更大容量、更低工作电压和更低功耗。
（3）工艺结合设计的可靠性优化
通过特殊工艺器件的开发，工艺膜厚的优化、结合设计补偿和电荷泵启动技术，实现擦写电压的温度补偿、并显著降低高压过程对存储单元的损伤，实现常温的高擦写次数，同时更为显著地提升了高温下的擦写能力和擦写寿命。
（4）工艺结合设计的成本优化设计
通过特殊工艺层次的加入，结合设计电路在浮栅的控制方法，实现存储单元窗口的平移和操作电压的优化，从而改善了存储单元的面积，同一工艺节点下实现存储单元和芯片尺寸的缩小。
（5）容错纠错技术
在容错和纠错技术的研究和开发方面，一是采用 ECC 技术，也就是纠错校验技术，在存储单元阵列的基础上，需要增加一位的校验码，当数据被写入 EEPROM 的时候，相应的 ECC 代码与此同时也被保存下来。当重新读回刚才存储的数据时，保存下来的 ECC 代码就会和读数据时产生的 ECC 代码做比较。来保证数据的准确性。二是采用差分存储方案，利用差分存储单元特点，把数据存储分在差分的两个位置同时存储，在读出的时候再比对两个位置的数据，解码一致则读出。
（6）先进封装和小型化技术
针对手机摄像头 WLCSP 封装对 EEPROM 小型化及可靠性需求。公司采用软件地址编程及软件写保护技术，实现在4球的封装中提供全地址可编程的方案。同时针对手机摄像头加工和组装中容易产生灰尘颗粒缺陷的要求，在产品设计的时候，采用无金属化的划片槽设计，能有效降低芯片加工过程中产生的裂片和颗粒缺陷的风险，降低产品使用过程中可能发生的潜在失效。
E. 微控制器相关核心技术
（1） 宽电压MCU技术
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公司 MCU 产品规划中定义了宽电压设计指标，产品低压支持最低 1.7V 工作电压，高压支持最高 5.5V 工作电压。既可以满足新兴市场低电压、低功耗的要求，也可以满足早期 8 位 MCU 市场 5V 应用的需求。
（2） 多 IO设计技术
通过优化芯片电源网络和 PMU 设计，最大化的减少芯片电源引脚，在封装引脚限定的情况下提供更多的通用 IO，增加功能性。
（3） 基于先进存储工艺的自主开发嵌入式 Flash闪存技术
公司 MCU 产品采用 55nm 及以下嵌入式 Flash 工艺技术，结合基本逻辑工艺的低功耗特征，采用了双管（2T）单元共源（CSL）结构，双管（2T）单元的存储结构可以有效控制存储单元的漏电，使得产品具备极低的静态功耗。而对于共源（CSL）结构，在存储单元尺寸显著减小同时也可以进一步降低编程和擦写电压，降低功耗，并实现工艺技术走向更先进的工艺制程。
基于多年来在闪存工艺及设计技术上的耕耘，公司自主开发的 Flash 闪存具有低动态和静态功耗，快速 Flash 擦除速度，同等容量下更小更有竞争力的闪存 IP 面积，和独立 Flash 相匹敌的Flash 擦写次数和数据保持等可靠性指标。
（4）低功耗设计技术
动态电流方面：公司 MCU 产品采用先进工艺及自有 IP，擦和写都是通过 FN 隧穿方式实现擦写电流低。采用公司专利的读电路设计可以大幅降低读电流，芯片动态功耗具备优势。
静态功耗方面：公司 MCU 产品采用多电源域的设计，通过对不同电源域的电压控制和电源开关控制，实现更低的静态电流。
（5）高可靠性设计技术
公司 MCU 产品 ESD 满足 8KV 指标。产品设计了可靠的 POR/BOR 电路，保证各种条件和电压下的可靠上电下电复位。
（6）工艺结合设计的成本优化设计
公司 MCU 产品采用先进制程下的嵌入式 Flash 工艺和设计，使得版图优化，从而实现更小更有竞争力的芯片面积，同时通过工艺复杂度的降低，有效减少所需掩膜版的数量，从而降低产品的成本。
F. 模拟产品的音圈马达驱动芯片相关核心技术
（1）接口低电压技术
现在主流的智能终端应用处理器平台为实现系统整体低功耗，未来几年通用接口将逐渐过渡到采用 1.2V 接口，本公司音圈马达驱动全系列产品实现了 1.2V 到 3.6V 全电压输入范围的正常通讯，可兼容各种通用接口的接口电平。
（2）马达快速稳定算法
公司自主研发的四阶马达快速稳定算法，与电机阻尼系数调较，两种技术的叠加使用，可以实现电机的稳定时间在 10ms 以内，比业界通用标准（