沪硅产业:关于上海硅产业集团股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的审核问询函的回复（2021年半年报财务数据更新稿）

上海硅产业集团股份有限公司
（上海市嘉定区兴邦路 755 号 3 幢）关于上海硅产业集团股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的审核问询函的回复
保荐机构（主承销商）
上海市广东路 689 号
上海证券交易所：
根据贵所《关于上海硅产业集团股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的审核问询函》（上证科审（再融资）〔2021〕19 号）（以下简称“审核问询函”）要求，海通证券股份有限公司（以下简称“保荐机构”、“海通证券”）会同上海硅产业集团股份有限公司（以下简称“公司”、“沪硅产业”或“发行人”）及普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称 “申报会计师”）、国浩律师（上海）事务所（以下简称 “发行人律师”）等中介机构，按照贵所的要求对审核问询中提出的问题进行了认真研究，现逐条进行说明，请予审核。
说明：
一、如无特别说明，本回复报告中的简称或名词释义与募集说明书中的相同。
二、本回复中的字题代表以下含义：
审核问询函所列问题 黑体（加粗）
对审核问询函所列问题的回复 宋体
对募集说明书的修改、补充 楷体（加粗）三、本回复中部分表格中单项数据加总数与表格合计数可能存在微小差异，系为四舍五入所致。
8-1-1-1
目 录
1.关于募投项目 ............................................ 3
2.关于补充流动资金 ......................................... 51
3.关于财务性投资 .......................................... 58
4.关于公司财务状况 ......................................... 68
5.其他 ............................................... 78
8-1-1-2
1.关于募投项目
1.1 募集说明书披露，本次募投项目之一集成电路制造用 300mm 高端硅片研发与先进制造项目计划投资金额 46.04 亿元，其中使用募集资金投入 15 亿元。
项目实施后，公司将新增 30 万片/月可应用于先进制程的 300mm 半导体硅片产能。
根据公司招股说明书，公司首发募投项目之一为集成电路制造用 300mm 硅片技术研发与产业化二期项目，总投资金额 21.73 亿元。项目实施后，公司将新增 15万片/月 300mm 半导体硅片的产能。
请发行人披露：（1）本次募投项目与前述首发募投项目的联系与区别，产品特性、技术工艺、应用芯片制程范围、下游应用领域是否相同；（2）本次募投项目的预计效益情况。
请发行人说明：（1）结合公司目前技术储备情况，论证募投项目实施的技术可行性，是否存在重大不确定性风险；（2）结合公司现有同类项目单位产能投资额及同行业公司情况，说明本次募投项目投资数额的测算过程，测算依据及谨慎性；（3）目前全球已实现量产 300mm 高端硅片产品的企业、存量产能及市场竞争情况；（4）结合当前半导体行业周期波动情况、下游集成电路先进制程芯片市场需求变动、300mm 高端硅片在手订单、客户认证进展等情况，说明新增 300mm 高端硅片产能是否存在无法消化的风险，如存在，请披露相关应对措施并补充风险提示。
答复：
一、发行人披露：
（一）本次募投项目与前述首发募投项目的联系与区别，产品特性、技术
工艺、应用芯片制程范围、下游应用领域是否相同发行人已在募集说明书“第三节 本次募集资金运用的可行性分析”之“二、
（一）集成电路制造用 300mm 高端硅片研发与先进制造项目”中补充披露如下：
“7、本次募投项目与首发募投项目的联系与区别8-1-1-3
公司主要从事半导体硅片的研发、生产和销售。不同集成电路芯片产品对芯片制造工艺的要求不同，对用于芯片制造的半导体硅片要求也不同。根据集成电路芯片制造对最小线宽要求的不同，芯片制造工艺可分为 14nm 及以下、20-14nm、40-28nm、65nm、90nm 及以上等工艺制程。不同的工艺制程对半导体硅片的尺寸以及各项参数均提出了不同要求。
（1）本次募投项目与首发募投项目的联系
①业务经营经营方面，本次募投项目与首发募投项目均属于扩产项目，两次募投项目实施后均显著提升公司 300mm 半导体硅片的供应能力。
②工艺技术
工艺技术方面，本次募投项目与首发募投项目采用的核心技术、工艺流程一致。其中，核心技术主要包括单晶生长技术、滚圆与切割技术、研磨技术、化学腐蚀技术、抛光技术、清洗技术、外延技术等；工艺流程主要包括拉晶环节、硅锭加工环节、成型环节、抛光环节、外延环节以及清洗出货环节。
半导体抛光片、外延片工艺流程图
（2）本次募投项目与首发募投项目的区别
由于本次募投项目与首发募投项目达产后所生产 300mm 半导体硅片产品可
达到的技术指标有所不同，两次募投项目在产品特性及规格、可应用的芯片制造工艺制程范围及下游终端应用领域的覆盖程度等方面存在一定差异。
8-1-1-4
①产品特性及规格
半导体硅片是用于集成电路芯片制造加工的基本原材料，半导体硅片产品的性能参数直接影响芯片性能。一般来说，芯片制造工艺的制程越先进，意味着工艺线宽越小、芯片的集成度越高，半导体硅片产品的表面质量及硅单晶原生缺陷水平等关键技术指标都将对芯片制造工艺的良率及芯片产品的性能产生重要影响。
在首发募投项目中，公司已掌握完美晶体生长技术，成功解决硅单晶原生缺陷问题；与首发募投项目相比，本次募投项目实施完成后，300mm 半导体硅片产品表面质量将进一步改善，可满足更先进工艺制程的参数要求。
半导体硅片产品表面质量的重要参数表征主要包括局部平整度、翘曲度、弯曲度、表面金属残余量以及表面颗粒等芯片制造工艺节点越先进，意味着芯片制造的最小线宽越小，对半导体硅片表面质量等重要参数要求也越高。两次项目相关技术指标的参数对比及指标差异分析情况如下：
主要技术指标 首发募投项目 本次募投项目 指标差异分析该指标用于表征硅片表面平整度质量，指标 MAX 数值越大，表示局部平整度 MAX40nm MAX35nm 硅片表面起伏越大，平整度越差。
本次募投项目完成后，该指标可改善 12.5%。
该指标用于表征硅片形变程度，指标 MAX 数值越大，表示硅片表面形变程度越严重，对芯片制造过程翘曲度 MAX50μm MAX15μm中各工艺环节的影响越大。本次募投项目完成后，该指标可改善70%。
该指标用于表征硅片整体弯曲程度，是指硅片中线面的中心点处凸和凹的变形量，指标 MAX 数值越弯曲度 MAX50μm MAX10μm 大，表示硅片整体弯曲程度越大，对芯片制造工艺精度的影响也越大。本次募投项目完成后，该指标可改善 80%。
该指标用于表征硅片表面金属杂质情况，单位面积内残余的金属原CuFeCrNiZn≤1 CuFeCrNiZn≤
表面金属残余量 2 2 子数量越大，对芯片的性能影响越E10 atoms/cm 1E9 atoms/cm大。本次募投项目完成后，该指标参数可降低一个数量级。
该指标用于表征硅片表面杂质颗
表面颗粒 ≤70 @37nm ≤50 @26nm粒情况，颗粒尺寸越大、数量越多，8-1-1-5
对芯片结构、特别是采用先进制程的高集成度芯片结构影响越大。本次募投项目完成后，表面颗粒最大尺寸将由此前的 37nm 降低至
26nm；颗粒数量减少 28.6%。
②应用芯片制程范围
不同制程的芯片制造工艺对半导体硅片有不同的技术参数要求，工艺制程越先进，对半导体硅片相关技术参数的要求往往也越高。
相较于首发募投项目以面向 28nm 及以上制程应用为主、兼顾 20-14nm 制程应用的 300mm 半导体硅片的产能扩充，本次募投项目将以面向 20-14nm 制程应用的 300mm 半导体硅片产能扩充为主、兼顾 10nm 及以下制程应用的 300mm 半导体硅片产能。同时，本次募投项目新增 300mm 半导体硅片也能够应用于先进存储器等特殊产品规格的芯片制造。
③下游应用领域
根据 WSTS 分类标准，半导体芯片主要可分为集成电路、分立器件、传感器与光电子器件四种类别，其中，集成电路芯片可进一步细分为存储器、模拟芯片、逻辑芯片与微处理器。本次募投项目与首发募投项目新增的产品均为半导体芯片制造用 300mm 半导体硅片，面向的终端应用领域包括消费类电子产品、汽车电子、计算机、工业电子、通信等。
由于本次募投项目新增 300mm 半导体硅片的主要技术指标要求更高、可应用的工艺制程更先进，因此本次募投项目新增产品在兼容首发募投项目产品下游应用领域的同时，可进一步应用于前述终端应用领域中使用先进制程逻辑芯片和先进制程存储芯片的高端细分领域。”
（二）本次募投项目的预计效益情况
发行人已在募集说明书“第三节 本次募集资金运用的可行性分析”之“二、
（一）集成电路制造用 300mm 高端硅片研发与先进制造项目”中补充披露如下：
“8、项目预计效益情况8-1-1-6
本项目计算期为 10 年，其中项目建设期为 2 年，计算期的第 4 年能够达到预计产能。经测算，本项目达产后可实现年平均营业收入 195013.57 万元，实现年平均净利润 37356.67 万元，年平均毛利率为 29.02%。本项目内部收益率（税后）为 10.02%，投资回收期（税后）为 8.68 年。”二、发行人说明：
（一）结合公司目前技术储备情况，论证募投项目实施的技术可行性，是否存在重大不确定性风险
1、公司目前技术储备情况300mm 半导体硅片的工艺流程主要包括拉晶环节、硅锭加工环节、成型环节、抛光环节、外延环节以及清洗出货环节，涉及的核心技术包括单晶生长技术、滚圆与切割技术、研磨技术、化学腐蚀技术、抛光技术、外延技术、清洗技术等。
针对本次募投项目中可用于先进制程的 300mm 半导体硅片生产，公司目前技术储备情况如下：
序号 技术名称 技术来源 技术介绍
近完美单晶生长技术优化、体微缺陷控制、氧1 单晶生长技术 自主开发含量控制
滚圆直径控制优化、线切割翘曲度及纳米形貌2 滚圆与切割技术 自主开发控制优化
3 研磨技术 自主开发 翘曲度及纳米形貌控制、损伤层控制4 化学腐蚀技术 自主开发 金属控制、厚度控制5 抛光技术 自主开发 平坦度优化、金属优化、颗粒优化6 外延技术 自主开发 局部平整度≤35nm；少数载流子寿命>2500us
表面金属残余量：≤1E9 atoms/cm2；表面颗粒7 清洗技术 自主开发
@26nm：≤50注：纳米形貌为半导体硅片表面粗糙度的一个表征参数，用于度量一定面积上的高度起伏。
2、募投项目实施的技术可行性公司子公司上海新昇于 2014 年开始建设，2016 年 10 月成功拉出第一根300mm 单晶硅锭，2017 年打通了 300mm 半导体硅片全工艺流程，2018 年实现了 300mm 半导体硅片的规模化生产，填补了中国大陆 300mm 半导体硅片产业化的空白。目前，公司已完成可应用于更先进工艺制程的 300mm 半导体硅片技术8-1-1-7开发，可应用于 20-14nm 制程的 300mm 半导体硅片已通过认证，并初步具备小规模量产能力。
公司经过多年的持续研发和生产实践，已掌握了包含 300mm 半导体硅片在内的半导体硅片生产的整套核心技术，具体包括单晶生长技术、滚圆与切割技术、化学腐蚀技术、研磨技术、抛光技术、清洗技术、外延技术。公司 300mm 半导体硅片丰富的技术储备和生产经验有助于公司完成本募投项目的技术研发工作，本募投项目具备实施的技术可行性。
半导体硅片行业属于技术密集型行业，随着全球芯片制造技术的不断推进，客户对半导体硅片的技术指标要求也在不断提高，公司亦需持续进行研发投入以保持 300mm 半导体硅片产品的市场竞争力。本募投项目实施过程中，公司仍需不断优化生产工艺、提高生产效率，进一步对可应用于先进制程的 300mm 半导体硅片局部平整度、翘曲度等主要技术指标涉及的研磨技术、抛光技术等核心技术保持研发投入，提升技术能力和工艺稳定性，以满足客户差异化的技术指标要求，持续提升公司 300mm 半导体硅片的技术水平和产品竞争力。
3、是否存在重大不确定性风险公司经过多年的持续研发和生产实践，已掌握了包含 300mm 半导体硅片在内的半导体硅片生产的整套核心技术，公司 300mm 半导体硅片丰富的技术储备和生产经验有助于公司完成本募投项目的技术研发工作，本募投项目具备实施的技术可行性，不存在重大不确定性风险。
但由于半导体硅片行业属于技术密集型行业，具有研发投入高、研发周期长、研发风险大的特点，且半导体硅片也是我国半导体产业链与国际先进水平差距最大的环节之一，因此本项目在部分设备进口采购、新增产能消化方面仍然存在一定风险，具体如下：
（1）相关设备采购受国际贸易摩擦影响的风险
由于我国半导体产业起步较晚，半导体硅片生产所需的大部分设备在国内并无成熟的供应商，公司生产线部分核心设备进口比重较高。截至目前，公司进口设备供应商所在国并未就该等设备出口制定限制性贸易政策，公司从上述供应商8-1-1-8处采购设备并未受到限制。若国际贸易摩擦升级导致设备供应商所在国出台针对中国企业的限制性贸易政策，则本项目将在投产进度方面存在一定不确定性。发行人已在募集说明书“第五节 与本次发行相关的风险因素”之“一、（二）本次募投项目相关设备采购受国际贸易摩擦影响的风险”中补充披露如下：
“（二）本次募投项目相关设备采购受国际贸易摩擦影响的风险我国半导体产业起步较晚，半导体硅片生产所需的大部分设备在国内并无成熟的供应商。报告期内，公司 300mm 半导体硅片生产线以及高端硅基材料生产线部分核心设备中进口设备比重较高。若国际贸易摩擦升级，导致进口设备供应商所在国出台针对中国企业的限制性贸易政策，可能会对本次募投项目的设备采购造成不利影响，从而影响募投项目的投产进度。”
（2）新增产能消化的风险此外，随着全球芯片制造技术的不断演进，芯片制造企业对半导体硅片的技术指标要求也在不断提高。若本募投项目新增的 300mm 半导体硅片产品无法按计划满足下游客户的技术指标要求，则本项目将在客户认证进度、产能利用率以及新增产能消化方面存在风险。
关于本项目客户认证进度、产能利用率以及新增产能消化方面风险的补充披露，参见本节回复之“（四）结合当前半导体行业周期波动情况、下游集成电路先进制程芯片市场需求变动、300mm 高端硅片在手订单、客户认证进展等情况，说明新增 300mm 高端硅片产能是否存在无法消化的风险，如存在，请披露相关应对措施并补充风险提示”。
（二）结合公司现有同类项目单位产能投资额及同行业公司情况，说明本
次募投项目投资数额的测算过程，测算依据及谨慎性1、项目投资建设明细集成电路制造用 300mm 高端硅片研发与先进制造项目总投资 460351.20 万元，本项目投资的具体构成情况如下：
单位：万元8-1-1-9
序号 项目 投资金额 占比
1 建设投资 450641.10 97.89%
1.1 建筑工程及安装工程费用 90100.00 19.57%
1.2 设备购置费 355555.10 77.24%
1.3 工程建设其他费用 2733.50 0.59%
1.4 基本预备费 2252.50 0.49%
2 铺底流动资金 9710.10 2.11%
合计 460351.20 100.00%
2、投资测算过程及依据集成电路制造用 300mm 高端硅片研发与先进制造项目投资主要由建设投资
和铺底流动资金构成。其中，建设投资包括建筑工程及安装工程费用、设备购置费、工程建设其他费用及基本预备费。
各项目投资测算过程及依据具体如下：
（1）建设投资
①建筑工程及安装工程费用
本项目的建筑工程及安装工程费用为 90100.00 万元，支出项目包括土建工程、电力系统、洁净室、动力系统、水系统、气体系统、化学系统及其他。具体明细如下：
序号 项目 投资金额（万元） 占比
1.1.1 土建工程 12000.00 13.32%
1.1.2 电力系统 10600.00 11.76%
1.1.2.1 高压电系统 3000.00 3.33%
1.1.2.2 低压电系统 7600.00 8.44%
1.1.3 洁净室 11800.00 13.10%
1.1.3.1 万级洁净室 2100.00 2.33%
1.1.3.2 千级洁净室 4000.00 4.44%
1.1.3.3 百级洁净室 1700.00 1.89%
1.1.3.4 一级洁净室 4000.00 4.44%
1.1.4 动力系统 10400.00 11.54%
1.1.4.1 冷热水 4900.00 5.44%
8-1-1-10
1.1.4.2 工艺冷却水 1500.00 1.66%
1.1.4.3 工艺真空/清扫真空 500.00 0.55%
1.1.4.4 工艺排气 2500.00 2.77%
1.1.4.5 空调 1000.00 1.11%
1.1.5 水系统 20600.00 22.86%
1.1.5.1 纯水 13000.00 14.43%
1.1.5.2 废水 5000.00 5.55%
1.1.5.3 回收水 2000.00 2.22%
1.1.5.4 给排水 600.00 0.67%
1.1.6 气体系统 6300.00 6.99%
1.1.6.1 压缩空气 1000.00 1.11%
1.1.6.2 大宗气体 3500.00 3.88%
1.1.6.3 特种气体 1800.00 2.00%
1.1.7 化学系统 3200.00 3.55%
1.1.7.1 化学品供应 1700.00 1.89%
1.1.7.2 研磨液供应 1500.00 1.66%
1.1.8 其他 15200.00 16.87%
1.1.8.1 自动控制系统 1600.00 1.78%
1.1.8.2 消防设施 1000.00 1.11%
1.1.8.3 弱电系统 600.00 0.67%
1.1.8.4 二次配电系统 6000.00 6.66%
1.1.8.5 IT 系统 6000.00 6.66%
合计 90100.00 100.00%其中，本项目土建工程的总建筑面积和单价具体如下：
序号 项目 投资金额（万元） 总建筑面积（m2） 单价（元/m2）
1.1.1 土建工程 12000.00 39400 3045.69
本项目建筑工程及安装工程的投资金额主要参考公司过往产线运营经验、市场同类型工程费用及建设当地造价水平进行合理估算。
②设备购置费
本项目的设备购置费用为 355555.10 万元，购买设备包括切割设备、抛光设备、检测包装设备、外延设备、量测研发设备等。具体明细如下：
8-1-1-11
序号 设备分类 数量（台/套） 金额（万元） 占比
1.2.1 切割环节 98 54293.64 15.27%
1.2.1.1 边缘研磨机 15 3817.70 1.07%
1.2.1.2 表面粗糙度量测仪 2 792.00 0.22%
1.2.1.3 厚度分拣机 3 2100.00 0.59%
1.2.1.4 晶棒黏附机 3 600.00 0.17%
1.2.1.5 翘曲度检测机 3 693.00 0.19%
1.2.1.6 双面精磨机 5 4000.00 1.13%
1.2.1.7 双面研磨机 25 18817.60 5.29%
1.2.1.8 清洗机 2 1980.00 0.56%
1.2.1.9 线切割机 21 15246.00 4.29%
1.2.1.10 应力消除蚀刻机 3 2520.00 0.71%
1.2.1.11 硬激光印码机 5 1148.00 0.32%
1.2.1.12 线切割冷却液回收系统 2 1584.00 0.45%
1.2.1.13 其他低单价设备 9 995.34 0.28%
1.2.2 抛光环节 103 94354.20 26.54%
1.2.2.1 传片机 6 900.00 0.25%
1.2.2.2 抛光机 53 79315.20 22.31%
1.2.2.3 清洗机 8 6660.00 1.87%
1.2.2.4 边缘/目视检测机 7 5259.00 1.48%
1.2.2.5 抛光液供应系统 27 1620.00 0.46%
1.2.2.6 LEP 2 600.00 0.17%
1.2.3 检测包装环节 50 30902.80 8.69%
1.2.3.1 边缘/目视检测机 17 7644.00 2.15%
1.2.3.2 清洗机 8 10570.00 2.97%
1.2.3.3 分类拣选机 4 1108.80 0.31%
1.2.3.4 激光读码机 3 600.00 0.17%
1.2.3.5 抛光后检验机 6 3780.00 1.06%
1.2.3.6 传片机 6 900.00 0.25%
1.2.3.7 真空包装机 6 6300.00 1.77%
1.2.4 外延环节 121 140643.52 39.56%
1.2.4.1 铁金属/电阻率量测仪 6 3530.00 0.99%
1.2.4.2 氧浓度/平坦度/微粒检测机 27 84042.69 23.64%
1.2.4.3 外延反应炉 15 51170.00 14.39%
8-1-1-12
1.2.4.4 其他低单价设备 73 1900.83 0.53%
1.2.5 量测、研发设备 67 35360.94 9.95%1.2.5.1 铁金属/差排/膜厚等量测仪 7 4072.20 1.15%
1.2.5.2 质谱仪 6 1336.00 0.38%
1.2.5.3 光谱仪 3 2025.00 0.57%
1.2.5.4 LTO 3 4662.00 1.31%
1.2.5.5 快速退火炉 6 11340.00 3.19%
1.2.5.6 气相分解器 4 4340.00 1.22%
气体融合/光散射断层成像
1.2.5.7 2 800.00 0.23%微缺陷分析仪
1.2.5.8 红外扫描偏振谱仪 1 650.00 0.18%
1.2.5.9 品管实验炉 2 688.80 0.19%
1.2.5.10 缺陷定位 SEM 电镜 1 2800.00 0.79%
1.2.5.11 原子力显微镜 1 700.00 0.20%
1.2.5.12 其他低单价设备 31 1946.94 0.55%
合计 439 355555.10 100.00%
本项目设备采购数量根据规划产能及公司过往产线运营经验进行计划，采购价格根据相关设备供应商市场价格进行估算。
③工程建设其他费用
本项目的工程建设其他费用为 2733.50 万元，支出项目主要包括建设管理费、勘察设计费、工程保险费等。具体明细如下：
序号 项目 投资金额（万元） 占比
1.3.1 建设管理费 965.00 35.30%
1.3.2 可行性研究经费 14.00 0.51%
1.3.3 勘察设计费 367.00 13.43%
1.3.4 环境影响评价费 8.00 0.29%
1.3.5 劳动安全卫生评价费 8.00 0.29%
1.3.6 工程保险费 1351.50 49.44%
1.3.7 办公设备购置费 20.00 0.73%
合计 2733.50 100.00%本项目工程建设及其他费用根据主要参考公司过往项目经验及市场同类型工程费用进行合理估算。
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④基本预备费
本项目的基本预备费为 2252.50 万元，按照建筑工程及安装工程费用、设备购置费以及工程建设及其他费用之和的 0.5%计取。
（2）铺底流动资金
本项目的铺底流动资金为 9710.10 万元。本项目铺底流动资金根据项目达到预期产能之后，满足正常生产经营所需要流动资金的最低保有量进行估算。
3、本项目与公司现有同类项目、同行业公司同类项目单位产能投资额的对比
集成电路制造用 300mm 高端硅片研发与先进制造项目的投资金额依据本项
目新增产能所需建设的厂房、机器设备等实际投入情况综合测算，具有合理性和谨慎性。
本次募投项目与公司现有同类项目、同行业公司同类项目单位产能投资额的具体比较情况如下：
（1）与公司现有同类项目单位产能投资额的比较
公司首发募投项目达产后，新增 15 万片/月 300mm 半导体硅片的产能，为公司现有同类项目。
本次募投项目的单位产能投资额与公司现有同类项目的比较情况如下：
达产年份 单位产能总投资额
同类项目 项目名称 产能 投资额（万元）（万片/月） （元/片）
集成电路制造用 300mm 硅片
首发募投项目 217251.00 15 1206.95技术研发与产业化二期项目
集成电路制造用 300mm 高端
本次募投项目 460351.20 30 1278.75硅片研发与先进制造项目经比较，本次募投项目的单位产能投资额与公司现有同类项目基本一致。由于本次募投项目新增产品为可应用先进制程的 300mm 半导体硅片，项目所需投入的部分机器设备规格和单价更高，因此本次募投项目的单位产能投资额相对略高。综上，本次募投项目投资数额的测算过程和测算依据具有谨慎性。
（2）与同行业公司同类项目单位产能投资额的比较
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天津中环半导体股份有限公司（002129.SZ）、杭州立昂微电子股份有限公司
（605358.SH）均从事半导体硅片的研发与生产业务，为公司的同行业公司。
公司本次募投项目单位产能投资额及单位产能固定资产投资额与中环股份、立昂微同类项目的比较情况如下：
单位产能
达产年份 单位产能
同行业 总投资额 固定资产
项目名称 产能 投资额
公司 （万元） 投资额（万片/月） （元/片）（元/片）
集成电路用 8-12英寸半
中环股份 - 15 - 1156.20导体硅片之生产线项目
年产 180 万片集成电路
立昂微 346005.00 15 1922.25 1885.92
用 12 英寸硅片
集 成 电 路 制 造 用
发行人 300mm 高端硅片研发 460351.20 30 1278.75 1245.52与先进制造项目
数据来源：同行业公司公告注：1、中环股份在公开资料中未单独披露 12 英寸半导体硅片生产线的总投资额，仅披露集成电路用 8-12 英寸半导体硅片之生产线项目的总投资额、新增 12 英寸半导体硅片的产能及单位产能投入的固定资产投资额，上表中环股份的单位产能固定资产投资额为其新增12 英寸半导体硅片的单位产能固定资产投资额；2、立昂微与发行人单位产能固定资产投资额根据剔除预备费及铺底流动资金后的项目投资额与达产年份产能情况进行测算。
根据上表，公司本次募投项目单位产能固定资产投资额与中环股份的同类项目基本持平，单位产能投资额和单位产能固定资产投资额均低于立昂微的同类项目。
本次募投项目单位产能投资额与立昂微的差异原因主要为：半导体硅片的生产流程较长、生产环节涉及的工艺包括拉晶、滚圆、切割、研磨、蚀刻、抛光、清洗、外延等，不同硅片制造企业 300mm 半导体硅片的产品规格及生产工艺均在存在差异。公司本次募投项目投资金额系根据募投项目的实际需求测算得出，符合公司实际情况和发展战略，与同行业公司同类项目相比处于合理水平，本次募投项目投资额的测算具有谨慎性。
（三）目前全球已实现量产 300mm 高端硅片产品的企业、存量产能及市场竞争情况
1、目前全球已实现量产 300mm 高端硅片产品的企业8-1-1-15
根据尺寸的不同，半导体硅片可以分为 50mm（2 英寸）、75mm（3 英寸）、100mm（4 英寸）、150mm（6 英寸）、200mm（8 英寸）以及 300mm（12 英寸）等规格产品。由于半导体硅片的尺寸越大，对半导体硅片的生产技术、设备、材料、工艺的要求也越高，因此 300mm 半导体硅片属于高端硅片产品。
目前海外半导体硅片企业在 300mm 硅片制造领域的技术和市场均已非常成熟，实现量产 300mm 半导体硅片的企业主要包括日本信越化学、日本 SUMCO、德国 Siltronic、中国台湾环球晶圆以及韩国 SK Siltron 等; 对于中国大陆而言，除公司之外，目前实现量产 300mm 半导体硅片的企业主要包括中环股份1等。
2、存量产能及市场竞争情况据 SEMI 统计，2020 年全球 300mm 半导体硅片的出货面积达 85.05 亿平方英寸，折合硅片数量约 7520 万片，平均每个月的需求量约 627 万片。根据 SEMI统计的 2020 年全球 300mm 半导体硅片出货面积，预计目前全球量产 300mm 半导体硅片企业的合计产能超过 620 万片/月。同时，SEMI 预计 2022 年全球 300mm半导体硅片的需求量将达到 707 万片/月，据此预测，全球 300mm 半导体硅片产能在 2022 年将超过 700 万片/月。
全球 300mm 半导体硅片预计产能
数据来源：SEMI1 根据中环股份 2020 年年度报告，中环股份 12 寸晶圆在关键技术、产品性能质量取得重大突破，已量产供应国内主要数字逻辑芯片、存储芯片生产商。
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半导体硅片作为芯片制造的关键原材料，技术门槛较高。据 SEMI 数据及同行业上市公司公告数据统计，目前日本信越化学、日本 SUMCO、德国 Siltronic、中国台湾环球晶圆、韩国 SK Siltron 全球五大半导体硅片制造企业在全球的市场份额稳定在 90%左右，因此 300mm 半导体硅片仍体现为上述五大半导体硅片制造企业为龙头的寡头竞争格局。
（四）结合当前半导体行业周期波动情况、下游集成电路先进制程芯片市
场需求变动、300mm 高端硅片在手订单、客户认证进展等情况，说明新增 300mm高端硅片产能是否存在无法消化的风险，如存在，请披露相关应对措施并补充风险提示
1、半导体行业周期波动情况2011 年至 2020 年，全球半导体行业销售额从 2995 亿美元增长至 4390 亿美元，销售额增长 38.21%；在此 10 年间，中国半导体行业在国家产业政策、下游终端应用市场发展的驱动下迅速扩张，行业销售额从 662 亿美元增长至 1517亿美元，销售额增长 128.31%，全球和中国半导体行业总体呈上升趋势。
全球与中国半导体行业销售额
数据来源：WSTS然而，由于半导体行业与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关，其短期需求呈现一定波动性。2019 年，受宏观经济波动及半导体行8-1-1-17
业景气度下降的影响，全球半导体行业销售额 4123 亿美元，同比下降 12%；中国半导体行业销售额 1441 亿美元，同比下降 9%。
2020 年上半年，受新冠肺炎疫情影响，全球宏观经济低迷，半导体行业也出现了阶段性调整；但进入下半年，随着新冠肺炎疫情得到有效控制，在全球宏观经济逐步复苏和 5G 通信、物联网、人工智能、汽车电子等终端应用市场的驱动下，全球半导体行业景气度明显回升。根据 WSTS 预测，2021 年全球半导体行业销售额将进一步增长至 4880 亿美元，有望创下历史新高，全球半导体行业或将进入新一轮的景气周期。
在全球半导体行业景气度持续提升的市场背景下，2020 年 4 季度开始，全球现有芯片制造产能已无法满足下游终端产品的市场需求，移动通信、汽车电子、消费电子等终端应用产品已出现明显的供应紧缺现象，部分汽车制造企业甚至因为缺少汽车电子芯片而降低产能或间断性停产。
下游终端产品旺盛的市场需求也进一步带动半导体硅片的需求量不断提升，全球硅片制造企业也迎来大规模扩产的良好契机，全球半导体行业的复苏也将有助于公司本次新增 300mm 半导体硅片的产能消化。
2、下游集成电路先进制程芯片市场需求变动集成电路芯片特征尺寸不断缩小是半导体行业发展的重要趋势。芯片制程方面，随着 5G 通信、物联网、大数据等技术的快速发展以及芯片制造企业工艺水平的不断提升和加工成本的不断优化，智能手机、计算机以及云基础设施等对先进制程芯片的市场需求也在不断增加。以智能手机为例，使用 5G 通信技术的手机对先进制程芯片的需求较 4G 手机大幅提升。据 SUMCO 预计，单部 5G 智能手机的 300mm 半导体硅片需求量较 4G 手机进一步提升 70%。未来，随着 5G 手机的渗透率不断提升，300mm 半导体硅片的需求量将会持续提升。
单部不同通信技术智能手机的芯片及 300mm 半导体硅片的需求量
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数据来源：SUMCO 官网资料在智能手机、计算机、云基础设施等对先进制程芯片需求的快速提升下，先进制程芯片的市场份额也将同步提升。据 IC Insights 预计，到 2024 年末，采用20nm以下制程的芯片产品市场份额将达到 56.1%，较 2019年末的 43.2%提升12.9个百分点。
2019-2024 年全球芯片制造产能预测分布图
数据来源：IC Insights近年来，在国家对集成电路行业的大力支持下，中芯国际、长江存储、长鑫存储等中国大陆芯片制造企业逐步具备集成电路先进制程芯片的生产能力，比如中芯国际已实现 14nm 制程芯片的量产、长江存储发布 128 层 3D-NAND 存储芯片、长鑫存储推出基于 19nm 制程工艺的 DRAM 芯片等。
未来，在 5G 通信、物联网、人工智能、云计算等技术的持续发展和应用下，下游市场对先进制程芯片需求的增加也将会进一步带动 300mm 半导体硅片的市
8-1-1-19场需求。此外，中芯国际、长江存储以及长鑫存储等中国大陆芯片制造企业技术工艺的提升，也将为公司本次新增可应用于先进制程芯片制造的 300mm 硅片产能消化带来良好的市场契机。
3、300mm 高端硅片在手订单一般情况下，300mm 半导体硅片的生产周期在 6-8 周。在不存在订单生产排期的情况下，客户提出半导体硅片采购需求到产品发货的周期一般在2-3个月，因此大部分客户一般会提前 2 个月左右向硅片生产企业发出订单。截至 2021 年8 月 15 日，公司 300mm 半导体硅片在手订单金额约 31406.42 万元（不含税），在手订单对应 300mm 半导体硅片数量约 79.52 万片。
目前，公司 300mm 半导体硅片部分产品已获得格罗方德、中芯国际、华虹宏力、华力微、长江存储、长鑫存储等多家国内外芯片制造企业的认证通过。在全球半导体行业景气度不断提升以及国产半导体硅片进口替代比例逐步提高的背景下，前述优质的国内外客户资源为本募投项目新增 300mm 半导体硅片产能消化提供了有力支持。
4、客户认证进展由于半导体硅片是芯片制造的核心材料之一，芯片制造企业对半导体硅片的品质有极高的要求，对供应商的选择非常慎重，一旦认证通过，芯片制造企业便不会轻易更换供应商，双方将建立稳固的合作关系。
公司作为中国大陆率先实现 300mm 半导体硅片规模化销售的企业，300mm半导体硅片部分产品已获得格罗方德、中芯国际、华虹宏力、华力微、长江存储、长鑫存储等国内外芯片制造企业的认证通过。其中，格罗方德、中芯国际、长江存储、长鑫存储均为具有先进制程芯片制造能力的企业，公司与上述企业良好的业务合作基础，有利于公司及时掌握客户核心需求、产品变动趋势以及最新技术要求，有助于缩短本项目新增 300mm 半导体硅片产品在现有客户的认证周期，为公司新增产品的认证和销售起到良好的推动作用，为本次募投项目新增产能的消化奠定基础。
8-1-1-20报告期内，下游客户对公司 300mm 半导体硅片产品的认可度不断提升，已通过认证的客户数量及产品规格类型不断增加。截至 2021 年 6 月 30 日，公司300mm 半导体硅片产品已通过认证的客户数量达到 69 家；正在进行产品认证的
新客户数量 7 家，公司丰富的下游客户群体将有助于本项目新增产能的消化。
报告期内，公司 300mm 半导体硅片的产品认证工作经历了从单品到多规格的历程。公司产品认证通过数量的不断增长，也体现了公司自身技术能力的持续提升和客户对公司产品认可度的提高。在当前下游市场需求旺盛、半导体硅片供应紧张的情况下，下游客户也加速了对公司 300mm 半导体硅片产品的认证进度，大幅提升了公司 300mm 半导体硅片的出货效率。
经过持续的努力，公司与国内外主流芯片制造企业建立的良好合作关系，将为本次新增可应用于先进制程的 300mm 半导体硅片提供良好的客户基础，国内外客户对公司的认可也将有助于本项目新增产能的消化。
综上所述，宏观经济及半导体行业景气度的回升、下游集成电路先进制程芯片需求的不断提升、良好的在手订单数量以及顺利的客户认证进展将为公司新增300mm 半导体硅片产能消化提供良好的内外部环境，公司新增 300mm 半导体硅片的产能消化不存在重大不确定性。
但如果后续宏观环境持续恶化、国际贸易摩擦加剧或半导体行业出现趋势性下降导致下游需求不足，亦或公司未能按计划扩大 300mm 半导体硅片的销售或按计划推动产品的客户认证进度，则公司新增的 300mm 半导体硅片产能可能存在无法消化的风险。
5、新增产能的消化措施发行人已在募集说明书“第三节 本次募集资金运用的可行性分析”之“二、
（一）集成电路制造用 300mm 高端硅片研发与先进制造项目”中补充披露如下：
“9、新增产能的消化措施本次新增 300mm 半导体硅片生产线在用于生产面向 20nm 及以下先进制程
应用的 300mm 半导体硅片的同时，也可兼容用于生产面向 28nm 及以上制程应用的 300mm 半导体硅片。公司将及时根据市场需求变化，合理调整本次募投项8-1-1-21
目新增产能所生产半导体硅片的产品规格，保持项目新增产能利用率维持在较高水平。新增产能的消化措施具体如下：
（1）快速增长的下游需求为新增产能的消化提供市场基础
得益于 5G 通信、物联网、人工智能、云计算、大数据等技术的规模化应用，智能手机、便携式设备、物联网产品、云基础设施、汽车电子等下游终端产品的芯片需求快速增长，半导体硅片的需求水平也随之不断提升。据 SEMI 统计，全球半导体硅片（不含 SOI 硅片）的市场规模从 2014 年的 76.26 亿美元提高至 2020年的 111.71 亿美元。SEMI 预计，到 2022 年，全球半导体硅片市场规模将超过120 亿美元。
在下游终端产品芯片需求快速增长的背景下，全球主要芯片制造企业也不断加大 300mm 生产线的资本开支、提升芯片制造产能。SEMI 预计 2020 年至 2024年全球将新增 30 余家 300mm 芯片制造企业，其中中国台湾将新增 11 家、中国大陆将新增 8 家，中国大陆的 300mm 芯片制造产能在全球的占比将从 2015 年的8%提高至 2024 年的 20%。综上，全球 300mm 芯片制造企业积极扩产及国内产能占比逐步提升在为国内半导体硅片企业带来大规模扩产契机的同时，也为项目新增产能的消化提供良好的市场基础。
（2）进一步提高规模效应，稳定供货能力
首发募投项目产能爬坡完成后，公司 300mm 半导体硅片产能将达到 30 万片/月，但与全球前五大硅片企业平均超过 100 万片/月的产能规模相比，仍有较大差距。根据 SEMI 的市场统计和预测，全球 300mm 半导体硅片 2020 年出货量约627 万片/月，预计 2022 年将超过 700 万片/月；而中国大陆 300mm 芯片制造企业 2020 年末安装产能约为 85 万片/月，预计 2022 年 300mm 安装产能将超过 120万片/月，从材料端保质、保量地满足快速增长的国家需求刻不容缓。
与此同时，在全球半导体产业日趋集中的市场环境下，面对龙头企业领先优势不断扩大、产能不断扩充的现状，只有生产能力达到相当规模，才能够成为国际大型芯片制造企业半导体硅片的长期稳定供应商。
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本次募投项目实施后，公司 300mm 半导体硅片的产能将大幅提升，进一步缩小与全球前五大硅片企业的产能差距，通过更为显著的规模效应提升公司综合竞争力以及向下游芯片制造企业稳定供货的能力，为项目新增产能消化奠定基础。
（3）贴近客户需求，增强公司在半导体硅片领域的市场竞争力
芯片制造企业对各类原材料的质量有着严苛的要求，对供应商的选择非常慎重，进入芯片制造企业的供应商名单具有较高的壁垒。半导体硅片企业的产品进入芯片制造企业的供应链需要经历较长的时间，其对于一个新产品认证的认证周期至少需要 9-18 个月。
公司凭借国内领先的技术和产品品质，经过近几年的快速发展，目前已成为中芯国际、长江存储、华虹宏力、华力微、长鑫存储等知名芯片制造企业的供应商。通过与知名芯片制造企业的合作，公司对于客户的核心需求、产品变动趋势、最新技术要求理解更深刻。未来，公司将继续贴近客户需求，研发生产符合市场需求的产品，提高客户满意度，增强在半导体硅片领域的竞争力，为本次募投项目新增产能的消化奠定产品基础。
（4）持续推动公司产品通过下游客户认证
经过持续的努力，公司目前已成为中国少数具有一定国际竞争力的半导体硅片企业，已通过 300mm 半导体硅片产品认证的客户数量逐年增加，产品得到了众多国内外客户的认可。
目前，公司 300mm 半导体硅片部分产品已获得中芯国际、华虹宏力、华力微、长江存储、长鑫存储等多家国内知名芯片制造企业的认证通过，基本实现对国内芯片制造企业成熟制程至先进制程的逻辑芯片用 300mm 半导体硅片以及包
括 DRAM、3D-NAND、NOR Flash 在内的存储芯片用 300mm 半导体硅片需求的覆盖。
未来，公司将基于与国内外主流芯片制造企业已经建立的良好业务合作关系，持续推动公司 300mm 半导体硅片各类产品的产品认证，同时进一步开拓新8-1-1-23
的下游芯片制造企业，提升公司客户认证优势，为本次募投项目新增产能的消化奠定客户基础。”6、补充风险提示发行人已在募集说明书“第五节 与本次发行相关的风险因素”之“一、（三）
集成电路制造用 300mm 高端硅片研发与先进制造项目的客户认证进度、产能利用率不及预期或新增产能无法消化的风险”中修改并补充披露如下：
“（三）集成电路制造用 300mm 高端硅片研发与先进制造项目新增产能无法消化的风险
根据行业惯例，公司集成电路制造用 300mm 高端硅片研发与先进制造项目新增加的 300mm 半导体硅片产品仍需再次通过现有客户以及新增客户的产品认证。通常情况下，面向半导体集成电路制造常规应用的抛光片和外延片产品认证周期一般为 9-18 个月。随着全球芯片制造技术的不断推进，客户对半导体硅片的技术指标要求也在不断提高，若本项目新增加的 300mm 半导体硅片产品无法满足客户不断提高的技术指标要求，新产品的客户认证进度存在一定不确定性。
若后续宏观环境持续恶化、国际贸易摩擦加剧或半导体行业出现趋势性下降导致下游需求不足，亦或公司未能按计划扩大 300mm 半导体硅片的销售或按计划推动产品的客户认证进度，可能导致本次新增产能无法消化。以本项目进入达产稳定期的销量、收入和净利润水平作为比较基数，假设其他因素不变，产能利用率自满产降至 70%、80%和 90%三种情况下的收入和净利润及其变动情况如下：
单位：万元情形一：产能利用率水平为90%项目 金额 变动金额 变动比例
营业收入 176268.31 -19585.36 -10.00%
净利润 23277.60 -10134.21 -30.33%
情形二：产能利用率水平为80%项目 金额 变动金额 变动比例
营业收入 156682.94 -39170.73 -20.00%
净利润 13143.39 -20268.42 -60.66%
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情形三：产能利用率水平为70%项目 金额 变动金额 变动比例
营业收入 137097.57 -58756.10 -30.00%
净利润 3540.22 -29871.59 -89.40%根据上表，如果该项目因下游需求变化、客户认证进度不及预期导致新增产能无法消化，则本项目的预计效益可能无法按计划实现。”1.2 发行人目前已量产 200mm 高端硅基材料，本次拟使用 20 亿元募集资金投入 300mm 高端硅基材料研发中试项目。
请发行人披露：本次募投项目的预计效益情况。
请发行人说明：（1）结合 300mm 高端硅基材料与公司目前已量产 200mm 高端硅基材料在技术工艺、技术先进性等方面的区别，论证公司当前技术、人才等储备用以研发与制造 300mm 高端硅基材料的技术可行性，是否存在重大不确定性风险；（2）结合公司现有同类项目单位产能投资额，说明本次募投项目投资数额的测算过程，测算依据及谨慎性；（3）目前全球已实现量产 300mm 硅基材料的企业、存量产能及市场竞争情况；（4）新增产能的消化措施及是否存在无法消化的风险，并根据实际情况补充风险提示。
请保荐机构和申报会计师对本次各募投项目投资数额的测算依据、过程、结果的合理性，公司本次各募投项目金额是否超过实际募集资金需求量，发表明确意见。
答复：
一、发行人披露：本次募投项目的预计效益情况
发行人已在募集说明书“第三节 本次募集资金运用的可行性分析”之“二、
（二）300mm 高端硅基材料研发中试项目”中补充披露如下：
“7、项目预计效益情况本项目计算期为 10 年，其中项目建设期为 3.5 年，计算期的第 5 年能够达到预计产能。经测算，本项目达产后可实现年平均营业收入 146496.00 万元，实8-1-1-25现年平均净利润 35349.07 万元，年平均毛利率为 31.60%。本项目内部收益率（税后）为 12.06%，投资回收期（税后）为 7.56 年。”二、发行人说明：
（一）结合 300mm 高端硅基材料与公司目前已量产 200mm 高端硅基材料
在技术工艺、技术先进性等方面的区别，论证公司当前技术、人才等储备用以研发与制造 300mm 高端硅基材料的技术可行性，是否存在重大不确定性风险1、300mm 高端硅基材料与公司目前已量产 200mm 高端硅基材料在技术工艺、技术先进性等方面的区别高端硅基材料广泛应用于制造射频前端芯片、功率器件、传感器、 硅光子器件等芯片产品。随着 5G 通信、物联网、人工智能成为新兴应用的主流趋势，高端硅基材料的高性能、低功耗优势愈发凸显，上述技术的广泛应用在带动300mm 高端硅基材料需求量明显增加。
（1）技术工艺的区别
300mm 高端硅基材料的生产工艺流程与 200mm 高端硅基材料相似，但与300mm 半导体硅片和 200mm 及以下半导体硅片的技术差别类似，300mm 高端硅基材料制造对热处理等关键步骤以及抛光、清洗、键合、离子注入等核心技术及生产工艺均有着更高的要求。
目前，公司已量产 200mm 高端硅基材料一般应用于 130nm 以上制程的射频前端芯片、功率芯片等芯片的生产；而 300mm 高端硅基材料能够用于 90nm、65nm、55nm 或 40nm 及以下制程的射频前端芯片、物联网芯片等芯片的生产，并能应用于 12nm技术节点的平面制程工艺，具有更好的集成度优势和功耗优势。
（2）技术先进性的区别
与半导体硅片的尺寸发展过程类似，近年来，受 5G 通信、汽车电子、人工智能等终端市场推动，随着射频技术、传感器技术、功率器件技术的发展，以及基于高端硅基材料制造工艺的不断提升，高端硅基材料技术开始逐步由 200mm向 300mm 转移。
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与基于 200mm 高端硅基材料的芯片制造技术相比，基于 300mm 高端硅基材料的芯片制造技术具有更先进的工艺制程、更高的芯片性能以及更高的集成度。相对应的，基于不同尺寸的芯片制造技术，对 300mm 高端硅基材料也提出了更高的技术指标要求。
由于高端硅基材料主要由抛光片经过氧化、键合、离子注入等工艺处理后形成，除了与 300mm 半导体硅片相似的表面粗糙度、表面金属沾污水平、表面颗粒等技术标准，顶层硅厚度的均匀性、边缘未键合区宽度也是高端硅基材料重要的技术指标。与 200mm 高端硅基材料相比，300mm 高端硅基材料的技术先进性具体如下：
200mm 高端硅基材料
300mm 高端主要技术指标
硅基材料 采用 Simbond 技 Smart Cut
TM
BSOI 硅片
术的 SOI 硅片 技术
≤150 ≤200
表面颗粒 ≤200 ≤200（≥0.09μm） （≥0.16μm）
表面金属沾污水平 ≤1E10cm-2 ≤5E10cm-2 ≤3E10cm-2 ≤3E10cm-2
边缘未键合区宽度 ≤3mm - ≤5mm ≤5mm±0.5μm（E-SOI 技术顶层硅厚度均匀性 ±5nm ±12.5nm ±12.5nm可达±0.1μm）
表面粗糙度 ≤0.1nm - ≤0.4nm ≤0.4nm
2、公司当前技术、人才储备等用以研发与制造 300mm 高端硅基材料的技术可行性
（1）技术储备
通过多年的研发积累，公司在高端硅基材料领域已积累了较为丰富的工艺技术研发经验，目前掌握了拥有自主知识产权的 SIMOX、Bonding、Simbond 等先进的 SOI 硅片制造技术。其中，300mm 高端硅基材料研发中试项目实施主体新傲科技的高端硅基 SOI 材料研发和产业化曾荣获“国家科学技术进步一等奖”、“上海市科学技术进步一等奖”、“中国科学院杰出科技成就奖”等国家级及省部级科技类重要奖项。
300mm 高端硅基材料是以 300mm 半导体硅片为衬底，经过氧化、退火、键合、离子注入、表面处理等工艺处理后制备而成，其涉及的关键技术包括 300mm衬底技术和氧化、键合、剥离、离子注入等高端硅基材料制备技术。公司已经完8-1-1-27
成了应用于 300mm 高端硅基材料衬底硅片的开发工作，填补了国内 300mm 高端硅基材料衬底的技术空白。目前，公司实施该募投项目的主要技术储备包括如下：
序号 技术名称 技术来源 关键参数
1 多晶硅薄膜的制备技术 自主研发 谐波质量因子 5000，氧含量