晶瑞电材_上市保荐书(申报稿)

国信证券股份有限公司关于
晶瑞电子材料股份有限公司
创业板以简易程序向特定对象发行股票的
上市保荐书
保荐机构（主承销商）（深圳市红岭中路1012号国信证券大厦16-26层）
二〇二二年一月保荐机构声明
本保荐机构及所指定的两名保荐代表人均是根据《中华人民共和国公司法》
《中华人民共和国证券法》等法律法规和中国证券监督管理委员会及深圳证券交
易所的有关规定，诚实守信，勤勉尽责，严格按照依法制订的业务规则和行业自律规范出具本上市保荐书，并保证所出具文件真实、准确、完整。
3-3-2深圳证券交易所：
国信证券股份有限公司（以下简称“国信证券”、“保荐机构”）接受晶瑞电
子材料股份有限公司（以下简称“晶瑞电材”、“发行人”或“公司”）的委托，担任其创业板以简易程序向特定对象发行股票之保荐机构。国信证券认为发行人符合《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》《创业板上市公司证券发行注册管理办法（试行）》（以下简称“《注册管理办法》”）《深圳证券交易所创业板上市公司证券发行上市审核规则》（以下简称“《审核规则》”）以及《深圳证券交易所创业板股票上市规则》（以下简称“《上市规则》”）等规定的创业板以简
易程序向特定对象发行股票的实质条件，同意向贵所保荐晶瑞电材以简易程序向特定对象发行股票并在贵所创业板上市。现将有关情况报告如下：
一、发行人基本情况
（一）发行人基本情况
公司名称（中文）：晶瑞电子材料股份有限公司
公司名称（英文）：Crystal Clear Electronic Material Co.Ltd
股票简称：晶瑞电材
股票代码：300655
法定代表人：吴天舒注册资本：34063.6403万元（截至2021年12月20日总股本数量，公司尚未完成工商变更手续）
成立日期：2001年11月29日
上市时间：2017年5月23日
上市地点：深圳证券交易所
公司住所：苏州市吴中经济开发区河东工业园善丰路168号
3-3-3统一社会信用代码：91320500732526198B公司经营范围：生产电子工业用超纯化学材料（硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、乙酸[含量＞80%]、2-丙醇、氟化铵、过氧化氢[20%≤含量≤60%]、氨溶液[10%＜含氨≤35%]）及液体消毒剂【过氧乙酸（含餐具洗涤剂）[含量≤43%，含水≥5%，含乙酸≥35%，含过氧化氢≤6%，含有稳定剂]、过氧化氢】，开发生产电子工业用超纯化学材料，销售公司自产产品；从事一般化学品和危险化学品（按有效的《危险化学品经营许可证》所列项目及方式经营）的批发业务（不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的，按国家有关规定办理申请）；提供相关技术服务、咨询和技术转让。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）（外资比例小于25%）
（二）主营业务情况
公司是一家微电子材料的平台型高新技术企业，围绕泛半导体材料和新能源材料两个方向，主导产品包括超净高纯试剂、光刻胶及配套材料、锂电池材料和基础化工材料等，广泛应用于半导体、锂电池、LED、平板显示和光伏太阳能电池等行业，具体应用到下游电子产品生产过程的清洗、光刻、显影、蚀刻、去膜等工艺环节。
（三）发行人核心技术
截至2021年9月30日，发行人及其控股子公司合计拥有专利85项，其中发明专利50项、实用新型专利35项，其中光刻胶相关的已获授权发明专利22项，主要有一种聚氨酯丙烯酸酯共聚物及其光刻胶组合物、一种马来酸酐开环改性支化低聚物制备的碱溶性光敏树脂及其光致抗蚀剂组合物、一种基于 RAFT聚合法制备深紫外光刻胶成膜树脂等。
发行人累计开发十多个新产品系列，并都已得到大型半导体客户的批量应用。其中，“新型正性光刻胶”、“新型负性光刻胶”、“光刻胶剥离液”等5项产品被认定为“江苏省高新技术产品”。公司其他核心技术及其应用情况具体如下：
序技术对应
技术名称技术水平、技术水平及技术优势号来源产品
1一种利用树脂提纯自主提供一种利用树脂提纯法生产超高纯异丙醇的
超
3-3-4序技术对应
技术名称技术水平、技术水平及技术优势号来源产品
法生产超高纯异丙开发方法，该方法利用气体为载体将异丙醇通入特别净高纯醇的方法设计的混合树脂交换柱中，以去除异丙醇中金属试剂阳离子杂质和阴离子杂质，大大简化提纯工艺流程，可大规模生产超高纯异丙醇，生产能耗低，生产成本低。
本技术利用各种提纯的手段将工业双氧水中的
超大规模集成电路杂质去除，主要研究抛光级离子交换树脂对于双自主
2用超净高纯双氧水氧水中微量金属离子的去除，高精度微孔过滤器
开发技术对于双氧水中不溶颗粒物的去除以及超高纯双氧水的分析技术。
本技术采用氧化剂氧化去除砷/亚硫酸根等难分
离物质的技术，使其在精馏过程中被完全去除；
超大规模集成电路自主改变、优化现有氢氟酸提纯工艺和工艺参数。同
3
用超纯氢氟酸技术开发时为防止生产设备本身杂质的渗出而采用进口
超纯提纯设备及相关控制系统、低温循环吸收技术，形成超纯氢氟酸批量生产。
本技术使用减压精馏工艺，通过控制回流比对塔柱进行清洗；采用高纯石英玻璃以及耐腐含氟塑
半导体用高纯自主料，确保产品不受沾污；同时采用精确控制设计，
4
HNO3 提纯技术 开发 保证塔釜内压力稳定；通过压力控制塔釜的进料
与成品的排料，使产品的杂质含量符合 SEMI G4标准。
本技术开发高纯盐酸采用低温减压精馏技术，按自主照化学除氯-常压精馏-循环过滤-减压精馏流程
5高纯盐酸技术
开发进行，控制减压精馏釜内压力，严格控制工艺参数，使产品的杂质含量符合 SEMI G4 标准。
本技术开发的水基清洗剂配方避免选用气味较
大的苯类、酮类等对人体、环境伤害较大的有机
一种电子行业用水自主溶剂，而设计用高效高沸点醇醚类等基于水基的
6
基清洗剂的技术开发绿色无味环保溶剂，常温下即可有效清除掩膜板表面覆盖的油墨、胶质类污垢，不腐蚀掩膜板及辅材，清洗剂清洗效率达到99.9%。
本技术利用蒸馏提纯，混合吸收等技术，产品单年产5000吨高纯电
自主 项金属离子含量＜0.1ppb，达到 SEMI G4 标准。
7子级氨水成套开发
开发 氨水浓度控制为 28.0-30.0%，颗粒（≥0.2μm）≤25技术
个/mL，单项阴离子含量≤20ppb。
i 线光刻胶是目前 IC 制造商大量使用的核心光刻自主
8 i 线光刻胶技术 胶，产品采用步进重复投影曝光（简称 Stepper），
开发
可以实现 0.35μm的分辨率。 光刻胶自主
9 TFT 用光刻胶技术 RZJ-3600 系列主要应用于 TFT 面板阵列制造。
开发
10负性光刻胶技术自主主要用于二极管、三极管和大功率器件的加工制
3-3-5序技术对应
技术名称技术水平、技术水平及技术优势号来源产品开发造。
CIS 的中文名称为环化聚异戊二烯，主要用于目负性光刻胶的原料技术前苏州瑞红的负性光刻胶的原料。目前全球能够
11
CIS 合成技术 引进 规模化生产 CIS 的厂商不超过 3 家，苏州瑞红是其中之一。
自主 可达成 150nm 至 250nm 分辨率需求，目前已经
12 KrF 光刻较技术
开发进入中试
RZJ-325 系列光刻胶主要针对高亮度 LED 用 PSS
PSS 用正性光刻胶 自主
13衬底的加工，替代进口。苏州瑞红从2014年推
技术开发出，已经进入国内代表性 LED 厂商。
RZJ-304 系列产品主要针对 LED 市场的应用，主LED 用正性光刻胶 自主 要用于 ITO/Metal/MESA 层的光刻加工，极限分
14
技术 开发 辨率 0.8μm，对各种材料都有很好的黏附性，对干法/湿法蚀刻工艺均有良好的适应性。
RZJ-390系列产品主要针对TP/LCD客户的应用，TP 用正性光刻胶技 自主
15 主要用于 ITO/金属层的光刻加工，极限分辨率达
术开发到 1μm。
本技术针对不同的 ITO表面涂层金属，实现高效、低成本、高精度 ITO 蚀刻配方的研制。完善并维高效 ITO 蚀刻液技 自主
16持客户现有工艺不变，或进一步将客户工艺简
术开发化，提高产能。对金属侧蚀量