银河微电:中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微电子股份有限公司2021年度持续督导跟踪报告

中信建投证券股份有限公司
关于常州银河世纪微电子股份有限公司
2021年度持续督导年度报告书
保荐机构名称：中信建投证券股份被保荐公司名称：常州银河世纪微电子股
有限公司份有限公司
联系方式：021-68801584
保荐代表人姓名：梁宝升联系地址：上海市浦东南路528号上海证券大厦北塔2203室
联系方式：021-68801574
保荐代表人姓名：王家海联系地址：上海市浦东南路528号上海证券大厦北塔2203室
经中国证券监督管理委员会（简称“中国证监会”）于2020年12月23日出
具《关于同意常州银河世纪微电子股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可〔2020〕3566号）同意注册，常州银河世纪微电子股份有限公司（以下简称“银河微电”、“公司”）首次向社会公开发行人民币普通股（A股）3210万股，每股面值1.00元，每股发行价格14.01元，募集资金总额449721000.00元，扣除总发行费用（不含增值税）63604175.47元后募集资金净额为386116824.53元。中信建投证券股份有限公司（简称“中信建投证券”、“保荐机构”）担任本次公开发行股票的保荐机构。根据《证券发行上市保荐业务管理办法》，由中信建投证券完成持续督导工作。根据《证券发行上市保荐业务管理办法》和《上海证券交易所上市公司自律监管指引第11号——持续督导》，中信建投证券出具本持续督导年度报告书。
一、持续督导工作情况序号工作内容持续督导情况
建立健全并有效执行持续督导工作制度，本保荐机构已建立健全并有效执行了
1并针对具体的持续督导工作制定相应的工持续督导工作制度，并制定了相应的工作计划。作计划。
根据中国证监会相关规定，在持续督导工本保荐机构于2020年3月与银河微电
2作开始前，与上市公司或相关当事人签署签订《保荐协议》，协议明确了双方在
持续督导协议，明确双方在持续督导期间持续督导期间的权利和义务，并报上的权利义务，并报上海证券交易所备案。海证券交易所备案。序号工作内容持续督导情况本保荐机构通过日常沟通、定期或不
通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽
3定期回访、现场检查等方式，了解银
职调查等方式开展持续督导工作。河微电经营及规范运作等情况，对银河微电开展持续督导工作。
持续督导期间，按照有关规定对上市公司银河微电在2021年1月27日至2021年4违法违规事项公开发表声明的，应于披露12月31日期间（以下简称“本持续督前向上海证券交易所报告，经上海证券交导期间”）未发生按有关规定需保荐机易所审核后在指定媒体上公告。构公开发表声明的违法违规情况。
持续督导期间，上市公司或相关当事人出现违法违规、违背承诺等事项的，应自发本持续督导期间，银河微电及相关当
5现或应当发现之日起五个工作日内向上海事人未发生违法违规或违背承诺等事
证券交易所报告，报告内容包括上市公司项。
或相关当事人出现违法违规、违背承诺等
事项的具体情况，保荐机构采取的督导措本持续督导期间，银河微电及其董事、督导上市公司及其董事、监事、高级管理
监事、高级管理人员遵守法律、法规、
人员遵守法律、法规、部门规章和上海证
6部门规章和上海证券交易所发布的业
券交易所发布的业务规则及其他规范性文
务规则及其他规范性文件，并切实履件，并切实履行其所做出的各项承诺。
行其所做出的各项承诺。
督导上市公司建立健全并有效执行公司治
在本持续督导期间，银河微电依照相
7理制度，包括但不限于股东大会、董事会、关规定进一步健全公司治理制度，并
监事会议事规则以及董事、监事和高级管严格执行相关公司治理制度。
理人员的行为规范等。
督导上市公司建立健全并有效执行内控制度，包括但不限于财务管理制度、会计核本持续督导期间，银河微电的内控制
8算制度和内部审计制度，以及募集资金使度符合相关法规要求并得到了有效执
用、关联交易、对外担保、对外投资、衍行，能够保证公司的规范运行。
生品交易、对子公司的控制等重大经营决策的程序与规则等。
督导公司建立健全并有效执行信息披露制度，审阅信息披露文件及其他相关文件并在本持续督导期间，银河微电严格执
9有充分理由确信上市公司向上海证券交易
行信息披露制度。
所提交的文件不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。序号工作内容持续督导情况对上市公司的信息披露文件及向中国证监
会、上海证券交易所提交的其他文件进行
事前审阅，对存在问题的信息披露文件应及时督促上市公司予以更正或补充，上市在本持续督导期间，上市公司未发生公司不予更正或补充的，应及时向上海证信息披露文件及向中国证监会、上海
10券交易所报告。
证券交易所提交的其它文件存在问
对上市公司的信息披露文件未进行事前审题，而不予更正或补充的情况。
阅的，应在上市公司履行信息披露义务后五个交易日内，完成对有关文件的审阅工作对存在问题的信息披露文件应及时督促
上市公司更正或补充，上市公司不予更正关注上市公司或其控股股东、实际控制人、
董事、监事、高级管理人员受到中国证监
本持续督导期间，银河微电及其控股
11会行政处罚、上海证券交易所纪律处分或股东、实际控制人、董事、监事、高
者被上海证券交易所出具监管关注函的情级管理人员未发生该等事项。
况，并督促其完善内部控制制度，采取措施予以纠正。
持续关注上市公司及控股股东、实际控制
本持续督导期间，银河微电及其控股
12人等履行承诺的情况，上市公司及控股股股东、实际控制人等不存在未履行承
东、实际控制人等未履行承诺事项的，及诺的情况。
时向上海证券交易所报告。
关注公共传媒关于上市公司的报道，及时针对市场传闻进行核查。经核查后发现上市公司存在应披露未披露的重大事项或与本持续督导期间，银河微电不存在应
13披露的信息与事实不符的，应及时督促上披露未披露的重大事项或与披露的信
市公司如实披露或予以澄清；上市公司不息与事实不符的情况。
予披露或澄清的，应及时向上海证券交易所报告。
发现以下情形之一的，保荐机构应督促上市公司做出说明并限期改正，同时向上海证券交易所报告：（一）上市公司涉嫌违反
《上市规则》等上海证券交易所相关业务规则；（二）证券服务机构及其签名人员出
具的专业意见可能存在虚假记载、误导性本持续督导期间，银河微电未发生相
14
陈述或重大遗漏等违法违规情形或其他不关情况。
当情形；（三）上市公司出现《保荐办法》
第七十一条、第七十二条规定的情形；（四）上市公司不配合保荐机构持续督导工作；
（五）上海证券交易所或保荐机构认为需要报告的其他情形。序号工作内容持续督导情况制定对上市公司的现场检查工作计划，明本保荐机构已制定了现场检查的相关
15确现场检查工作要求，确保现场检查工作工作计划，并明确了现场检查工作要质量。上市公司出现以下情形之一的，应求。
自知道或应当知道之日起十五日内或上海本持续督导期间，银河微电不存在未
16持续关注上市公司的承诺履行情况。履行承诺的情况，本保荐机构将持续
关注上市公司的承诺履行情况。
二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况
在本持续督导期间，保荐机构和保荐代表人未发现银河微电存在重大问题。
三、重大风险事项
在本持续督导期间，公司主要的风险事项如下：
（一）核心竞争力风险
1、新产品开发风险
半导体产业的下游是各类电子电器产品，随着终端产品在例如轻薄化、高功率密度等方面要求的不断提高，以及汽车电子、工业控制等新的应用场景不断涌现，客户对公司不断优化现有产品性能并根据其提出的要求进行新产品开发的能力要求较高。
在产品优化及开发过程中，公司需要根据客户要求进行器件整体设计，包括芯片的性能指标、结构，所采用的封装规格，芯片与封装的结合工艺以及成品检测方法等，对公司技术能力要求较高，同时还需保证产品具有较好的成本效益。
如公司无法持续满足客户对新产品开发的要求，将造成公司业绩增长放缓，对盈利能力造成负面影响。
2、技术研发不及预期风险
公司依靠核心技术开展生产经营，只有不断推进新的芯片结构和生产工艺、封装规格、测试技术等方面的储备技术的研发，才能为公司在进行产品设计时提供更大的技术空间和多工艺平台的可能性，以便更好的满足客户需求。
公司主要依靠自主研发形成核心技术，但由于分立器件是多种学科技术的复合产品，技术复杂程度高，新技术从研发至产业化的过程具有费用投入大、研发周期长、结果不确定性高等特点。另外，由于基础技术的研发课题、研发方向具备一定的前瞻性、先导性，研发成果存在着一定的市场化效果不及预期，或被国外已有技术替代的风险。因此，如果公司的研发活动未取得预期结果，或者研发结果产业化进程不及预期，将使公司大额研发投入无法实现成果转化，影响公司经营业绩。
3、核心技术人员流失及技术泄密风险
半导体分立器件行业是技术密集型行业，公司的产品性能、创新能力、新产品开发均依赖于稳定的技术团队以及自主创新能力，如果公司核心技术人员流失或发生核心技术泄密的情况，就很有可能会削弱公司的市场竞争能力，影响公司在行业内的竞争地位。
（二）经营风险
1、原材料价格波动风险
报告期内，公司材料成本占成本的比例超过60%，对公司毛利率的影响较大。
公司所需的主要原材料价格与硅、铜、石油等大宗商品价格关系密切，受到市场供求关系、国家宏观调控、国际地缘政治等诸多因素的影响。如果上述原材料价格出现大幅波动，将直接导致公司产品成本出现波动，进而影响公司的盈利能力。
2、寄存销售模式下的存货管理风险
报告期内，公司针对部分客户的订单排程需求，先将产成品发送至客户端寄存仓库，待客户实际领用并与公司对账确认后确认收入，在确认收入前，作为公司的发出商品核算。由于该部分存货脱离公司直接管理，尽管公司与客户建立了健全的风险防范机制，但在极端情况下依然存在存货毁损、灭失的风险。
3、芯片外购比例较高风险
芯片属于分立器件的核心部件，虽然公司掌握半导体二极管等芯片设计的基本原理，具备对分立器件芯片性能识别以及自制部分功率二极管芯片的能力，但不具备制造生产经营所需全部芯片的能力。公司生产经营模式以封测技术为基础，外购芯片占公司芯片需求的比例较高，如果部分芯片由于各种外部原因无法采购，将对公司生产经营产生重大不利影响。
4、未来持续巨额资金投入风险
半导体行业具有技术强、投入高、风险大的特征。企业为保证竞争力，需要在研发、制造等各环节持续不断进行资金投入。在研发环节，公司需要持续进行研发投入来跟随市场需求完成产品的开发或者升级换代；在制造环节，产线的扩建或新建都需要巨额的资本开支及研发投入。
（三）财务风险
1、存货减值风险
报告期末，公司存货账面价值为14230.29万元，占公司总资产比例分为
10.23%。
报告期内，针对存货中在产品和产成品余额较高的状况，公司通过完善存货管理制度促使存货在资产总额中所占比例基本保持合理水平，但如果市场形势发生重大变化，公司未能及时加强生产计划管理和库存管理，可能出现存货减值风险。
2、汇率波动风险
报告期内，公司出口销售收入占主营业务收入比例超过25%。公司境外销售货款主要以美元结算，汇率的波动给公司业绩带来了一定的不确定性。近年来我国央行不断推进汇率的市场化进程、增强汇率弹性，汇率的波动将影响公司以美元标价外销产品的价格水平及汇兑损益，进而影响公司经营业绩。
报告期内，公司汇兑损益金额为285.48万元（负数为收益），如未来公司主要结算外币的汇率出现大幅不利变动，或公司对于结汇时点判断错误，将对公司业绩造成一定影响。
（四）行业风险
1、与国际领先企业存在技术差距的风险
目前公司在部分高端市场的研发实力、工艺积累、产品设计与制造能力及品牌知名度等各方面与英飞凌、安森美、罗姆、德州仪器等厂商相比存在技术差距。
未来如果公司不能及时准确地把握市场需求和技术发展趋势，无法持续研发出具有商业价值、符合下游市场需求的新产品，缩小与同行业国际领先水平的技术差距，则无法拓展高性能要求领域的收入规模，将对公司未来进一步拓展汽车电子、智能移动终端、可穿戴设备等新兴市场产生不利影响，甚至部分传统产品存在被迭代的风险。
2、市场竞争风险
国际市场上，经过60余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业，在全球竞争中保持优势地位，几乎垄断汽车电子、工业控制、医疗设备等利润率较高的应用领域。
国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧，公司如果研发效果不达预期，不能满足新兴市场及领域的要求，公司市场份额存在下降的风险。
3、产业政策变化的风险
在产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国半导体分立器件行业整体的技术水平、生产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。如果国家降低对相关产业扶持力度，将不利于国内半导体分立器件行业的技术进步，加剧国内市场对进口半导体分立器件的依赖，进而对公司的持续盈利能力及成长性产生不利影响。
（五）宏观环境风险
1、宏观经济波动风险
半导体分立器件行业是电子器件行业的子行业，电子器件行业渗透于国民经济的各个领域，行业整体波动与宏观经济形势具有较强的关联性。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、网络通信、汽车电子等下游领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响，半导体分立器件行业的景气度也将随之受到影响。下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响，进而影响公司盈利水平。
2、国际经贸摩擦风险
经贸关系随着国家之间政治关系的发展和国际局势的变化而不断变化，在经济全球化日益深化的背景之下，经贸关系的变化对于我国的宏观经济发展以及特定行业景气度可以产生深远影响。报告期各期，公司外销收入占比均超过25%，海外市场是公司重要的收入来源，并促进公司产品结构、客户结构持续提升。在全球主要经济体增速放缓的背景下，贸易保护主义及国际经贸摩擦的风险仍然存在，国际贸易政策存在一定的不确定性，如未来发生大规模经贸摩擦，存在对公司业绩造成不利影响的风险。
3、税收优惠政策变动的风险
公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、部分项目加计扣除等。公司及子公司银河电器均系高新技术企业，发行人分别于2016年11月、
2019年12月通过审批被认定为高新技术企业，子公司银河电器分别于2017年11月、2020年12月通过审批被认定为高新技术企业，因此报告期内发行人、银河电器减按15%的税率征收企业所得税。如果未来未取得高新技术企业资质，或者所享受的其他税收优惠政策发生变化，将会对公司业绩产生一定影响。
四、重大违规事项
在本持续督导期间，银河微电不存在重大违规事项。
五、主要财务指标的变动原因及合理性
2021年，公司主要财务数据如下所示：
单位：元本期比上年同期增减主要会计数据2021年2020年（%）
营业收入832354020.45610235005.0736.40
归属于上市公司股东的净利润140871314.6069538921.58102.58本期比上年同期增减主要会计数据2021年2020年（%）归属于上市公司股东的扣除非
129346071.8757125303.17126.43
经常性损益的净利润
经营活动产生的现金流量净额112890594.2974297702.9551.94本期末比上年度末增主要会计数据2021年末2021年末减（%）
归属于上市公司股东的净资产1074550646.22576207759.2086.49
总资产1390429749.32809105481.5271.85
公司主要财务指标如下表所示：
本期比上年同期增减主要财务指标2021年2021年（%）
基本每股收益（元／股）1.120.7255.56
稀释每股收益（元／股）1.120.7255.56扣除非经常性损益后的基本每股
1.030.5974.58收益（元／股）
加权平均净资产收益率（%）14.3212.85增加1.47个百分点扣除非经常性损益后的加权平均
13.1710.56增加2.61个百分点
净资产收益率（%）
研发投入占营业收入的比例（%）5.715.79减少0.08个百分点
2021年，公司主要财务数据及指标变动的原因如下：
1、报告期内，公司实现营业收入832354020.45元，同比增加36.40%；实
现归属于母公司所有者的净利润140871314.60元，同比增加102.58%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润129346071.87元，同比增加
126.43%，主要得益于消费电子市场需求旺盛和国产化替代持续加快。随着公司
新增产能逐步释放，市场供应能力提升，营业收入增加较多。持续不断的研发投入，产品结构调整及产品性能提升，产品毛利率提升，最终净利润增加所致。
2、报告期末，公司财务状况良好，总资产1390429749.32元，较报告期初
增加71.85%；归属于母公司的所有者权益1074550646.22元，较报告期初增加
86.49%。主要系公司向社会公开发行普通股，及公司归属于上市公司股东的净利润增加所致。
3、经营活动产生的现金流量净额11289.06万元，同比增加51.94%，主要系报告期内公司营业收入增长，回款较快，销售商品收到的现金增加所致。
4、基本每股收益、稀释每股收益同比增长55.56%，扣除非经常性损益后的
基本每股收益同比增长74.58%，主要归属于公司所有者的净利润增长。
综上，公司2021年主要财务数据及财务指标变动具有合理性。
六、核心竞争力的变化情况
分立器件制造过程标准化程度高，技术一般与特定的工艺环节相结合，一旦解决某个工艺节点的特定问题，则该技术可以广泛应用于采用该种工艺的多系列产品。公司掌握了行业主流的分立器件封装测试通用技术，对涉及的组装、成型、测试过程进行工艺优化实现精确控制，并逐步掌握了功率二极管部分品类芯片的设计和制造技术，具体如下：
（一）分立器件封装测试技术使用该项核心技术的核心技术技术描述及特点主要产品
框架设计多排化使每条框架产品数增加，同时提高高密度阵列小信号二极管、光电
单位面积内的产品数，提高生产效率及降低材料消式框架设计耦合器、功率二极管、耗。以 SOT-23为例，使用该技术使每平方厘米产技术桥式整流器
品数从4.75颗提高至5.71颗，密度提高20%。
将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序，在芯片预焊技
提升焊接工序效率，减少芯片沾污方面有明显效果，桥式整流器术
焊接气孔由5%减少到3%以下。
在线式真空 以自动化流水线方式运行，预热及降温在移动过程 功率二极管、TVS、烧结技术 中完成，真空烧结在固定工位进行，出入口采用自 功率MOSFET等动搬运结构。焊点机械强度大幅提高，焊点空洞率组低至1%以下。
装
是多芯片堆叠封装的重要支撑技术，可以满足同种技绝缘膜装片
或不同芯片堆叠的需求，使芯片底部与基岛连接处小信号二极管术技术
不会有溢胶，并达到精准的装片效果。
在通用技术的基础上通过焊线工艺参数的特别控制
超低弧度焊及焊线方法的改进，使小信号器件封装焊线线弧高小信号二极管、小信线技术 度最低可以控制至 40um以下，从而实现产品超薄 号三极管型化，如 DFN0603厚度达到 0.25mm 以下。
点胶量 CPK 通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控
功率二极管、桥式整
自动测量控制，提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量都流器制技术在受控范围。
功率芯片画是通过特殊的点胶针头在点胶范围内均匀行走，达功率二极管
锡焊接技术到胶量更均匀位置更可控，从而达到焊锡均匀、焊接气孔减少的目的，可提升功率器件的性能和可靠性。
通过硅胶色膏配比调整硅胶透光率、控制点胶高度
光耦 CTR控 和控制芯片对照角度来进行精密调整控制技术来实光电耦合器
制技术 现目标 CTR 参数的调整，调整后的 CTR一次对档率高。
通过使用新型焊片、芯片自动填装、低应力封装料低应力焊接
及后固化特殊处理工艺等措施及技术，降低封装应功率二极管封装技术力，提高产品的抗热应力能力和可靠性。
通过聚酰亚胺胶替代硅橡胶、引线结构优化排出胶
高温反向漏体气泡，结合二次上胶降低聚酰亚胺胶体缺陷等技功率二极管
电控制技术 术，提高 OJ芯片产品的高温性能，使产品在高温下反向漏电更小。。
在框架焊接工艺中采用跳线完成芯片上表面的电极
跳线焊接技功率二极管、桥式整
与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降低产品术流器潜在失效风险。
采用多注射头封装模具，多料筒、多注射头封装形MGP模封装 小信号二极管、功率式，优势在于可均衡流道，实现近距离填充，树脂技术二极管
利用率高，封装工艺稳定。
小信号二极管、小信
变速注塑技使用注塑速度由快变慢再变更慢的控制技术，有效号三极管、功率二极成术解决塑封过程对焊线冲弯问题及塑封体气孔问题。
管型
DFN封装低 采用优化的塑封模具设计、优选的包封材料，自主 二极管、三极管、技
应力成型技 开发的包封、后固化及成型工艺技术，降低成型应 MOSFETS、ESD保术术力，提高产品可靠性和安装性能。护二极管、稳压电路将发光芯片（IR）及接收芯片（PT）进行集成复合
光电产品复封装时，通过利用白色胶体透光率和芯片对照角度光电耦合器
合封装技术的控制，实现光、电及光电传输参数的控制，并实现输入与输出端绝缘隔离效果。
基于产品特针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制定小信号二极管、小信
性数据分析 测试方案，并用 PAT方法筛选出产品性能离散及有号三极管、功率二极的测试技术潜在失效模式的产品。
管、功率三极管、桥针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影
基于 FMEA 式整流器、光电耦合响，通过分析量化，制定测试方案，筛选出生产过的测试技术器程中的潜在异常品及有潜在失效模式的产品。
测
基于潜在失通过对产品制造过程中实时在线数据的收集，包括主要应用于以汽车行试
效风险的过环境、工艺参数、过程监测数据、100%测试的剔除业为代表的对市场失技
程管控技术品的类型分布、解剖分析等，对该生产批次产品及效率要求极高的行业术
前后批次产品进行失效风险评估，并按风险等级采的产品取相应的措施，以实现汽车应用市场失效率低于
500PPB（千万分之五）的目标。
全参数模拟通过器件电、热、环境、力全方位测试验证，器件广泛使用于公司能生寿命试验验芯片设计仿真能力，基础数据的长期大量积累，为产的封装外形及相应证技术器件研发设计的验证、生产制造质量保障、市场服的产品类别。务保障。
（二）功率二极管芯片制造技术使用该项核心技术的核心技术技术描述及特点主要产品
特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台平面结构芯片面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以无环高耐压终采用标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、功率二极管端技术 CVD等）制备技术，达到实现更大晶圆生产、提升产品稳定性、可靠性等目的。
采用多层（至少 3层）CVD 钝化膜技术，形成芯片表面所需的综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳等保护技术，可以使平面芯片具备 5um~20um的钝化介质层。多层平面结构芯片
平面 CVD钝化膜起到固定可动电荷、稳定耐压，隔离表面多层钝化功率二极管
芯片水汽渗透，绝缘电介质等功能，从而形成芯片表技术
制造面所需的综合钝化保护膜，相应产品性能稳定性技术优异。聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中遇到的可靠性问题，提高器件极限条件下的稳定性、可靠性。
平面结构功率特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免稳压二极管、了传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问功率二极管
TVS芯片设计 题，可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达及制备技术到提升产品一致性、稳定性、可靠性的目的。
平面结构高结通过芯片结构优化设计、主辅材料的优选，自主功率二极管温芯片制造技开发的芯片制造工艺，实现高达175℃以上的工术作结温能力。达到提升产品性能和可靠性的目的。
台面台面结构特种选择合适电阻率、厚度的单晶片，通过采用标准芯片 工艺功率FRD 半导体工艺制备技术，达到设计的基区结构参数，功率二极管制造芯片设计及制实现二极管的正反向动态性能。可以针对不同应技术备技术用要求提供针对性优化产品系列。
上述技术来源均为公司自主研发，并独立享有相关知识产权成果。
公司封测环节的工艺技术一般可用于多种封装，并最终应用于多种主营产品，功率二极管芯片制造技术主要用于生产稳压、整流、TVS、FRD等功率二极管芯片，最终应用于功率二极管产品。此外，公司全参数模拟寿命试验验证技术是基于大量经验数据对自主设计、生产产品进行针对性测试的技术，广泛应用于公司各类主营产品。七、研发支出变化及研发进展
（一）研发支出及变化情况
单位：元
项目本年度上年度变化幅度（%）
费用化研发投入47515201.8435356638.0834.39
资本化研发投入---
研发投入合计47515201.8435356638.0834.39
研发投入总额占营业收入比例5.715.79减少0.08个百
（%）分点
研发投入资本化的比重（%）0.000.00
研发费用较上年同期增加34.39%，主要系公司在研项目有序推进，研发费用随各项目合理投入所致。
（二）2021年取得的研发成果
报告期内，公司根据年度研发计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作，根据项目要求配置先进设备，按项目特点和需求合理配置研发团队，加强对外合作，充分利用公司研发资源，提升公司的自主创新能力和研发水平，巩固和保持公司产品和技术的领先地位，取得了一定成效。报告期内，公司主要取得的研发成果如下：
（1）公司成功推出结温高达175℃的功率整流桥产品，达到工业级可靠性标准，性能对标业界先进水准。
（2）三种高密度封装 SOD-123、DIP-4L、TO-252等高密度封装产品实现稳定量产，提升了公司相关产品的生产效率和产能。
（3）DFN1010-4L/DFN1610-2L/3810-9L/2020-8L等 DFN 系列产品封测工艺
平台顺利投产，除了丰富自有产品系列外，更助力公司代工业务成长。
（4）公司推出一款可见光传感器产品，可广泛应用于扫地机器人、安防、智能家居等领域，拓展了公司的产品门类。
（5）完成开发 DO-218 封装 6600W 车规级大功率 TVS 器件，主要性能
达到国内先进水平。（6）将玻璃电泳技术用于平面 TVS芯片，提升产品反向特性，降低了对封装工艺的技术要求，提升了 TVS产品可靠性。
（7）优化了平面工艺双向结构，开发出 100mil以上尺寸的双向 TVS产品。
（8）针对快恢复二极管芯片，研究开发了软恢复特性优化工艺，开发出了
200V/400V/600V软恢复特性超快恢复二极管芯片。
（9）针对芯片制程的清洗工序进行了专项技术优化，改进了控制系统，提升了清洗效果。
针对半导体分立器件的汽车等高端应用需求，对封装密封性包括分层问题、冷热冲击、高温稳定性等项目展开专项研究，增加了公司在车规级产品上的规格系列。
（10）小信号器件方面，完成了 SOD-323T、高密度 SOD-123、封装开
发 SOD-723 、 SOT-523 封 装 已 进 入 小 批 量 试 生 产 阶 段 ； 完 成 了
DFN1610-2L/3810-9L/2020-8L 等第四代封装产品开发。超薄 WLCSP 工艺DFN0603-2L 完成技术预研。CSP封装 ESD 保护器件进度处于工艺验证阶段；
完成了 RFID集成电路各功能模块设计进入流片及验证阶段。
（11）功率器件方面，完成了高密度 SMC封装功率二极管、KBP封装功率
整流桥、薄型 SMBF 封装二极管、薄膜光伏专用器件开发，完成了第三代半导体功率器件封装研究项目中的切割工艺研究、无铅高温焊料焊接工艺研究、在线
式真空烧结技术研究、GaN和 SiC测试技术研究等专项研究，TO-247封装已进入样品试制验证阶段。IPM功率模块产品已完成了样品试制前的准备工作。
（12）光电器件方面，高密度光耦封装产品和MOS继电器光耦产品开发成功，进入量产阶段；可见光传感器完成了工业级产品开发，民用级产品处于调整芯片设计阶段；完成车用新型固态光源分立器件开发。
报告期内，公司投入研发费用4751.52万元，研发投入总额占营业收入的比例为5.71%；公司申报国家专利19项，获得专利授权16项。截止报告期末，公司累计拥有有效专利202项，其中发明专利24项。报告期内新增及报告期末累计的知识产权列表如下：
项目本年新增累计数量
申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）发明专利103824实用新型专利1816252178外观设计专利0000软件著作权0000其他0000
合计1916290202（三）在研项目情况
单位：万元序预计总投本期投入累计投入技术项目名称进展或阶段性成果拟达到目标具体应用前景号资规模金额金额水平已完成试验线的安
建立有特色的 CSP 工艺平台，开 主要应用于手机等通讯装调试及0603封装
CSP封装 ESD 发 0603 和 0402 两种封装规格的 国内 设备、可穿戴设备、智
1 220.00 115.91 145.31 尺寸 5V/10pF产品的
保护器件开发 ESD 保护器件，封装厚度小于 领先 能化终端等高密度组装设计，正在推进关键
0.25mm和 0.2mm 场合
技术的开发验证
关键工艺开发，产品家电、电源、智能电表、MOS 继电器 扩展光耦类产品品种，开发实现 国内
2400.00458.37458.37及工艺设计、材料验照明、通信、工业控制
光耦封装开发 MOS继电器光耦批量生产 领先证及小样试制阶段等行业有广泛应用薄膜光伏用旁针对不同于传统的薄膜光伏应用设备调试及样品试国内
3路二极管产品162.00200.73200.73场景，开发新型旁路二极管产品，光伏
制阶段领先研发提升公司在光伏市场的竞争力
车用新型固态紧跟车灯市场发展方向，针对新的国内
4 光源分立器件 90.00 117.80 117.80 样品试制阶段 产品需求开发车用 LED光源，实 汽车照明
先进开发现产品的升级替代
大电流功率器 采用 Clip 工艺技术
件新结构封装 的 PDFN3*3/5*6 产 优化产品和工艺设计，增加产品规 国内 应用于高功率充电器，
5446.00351.52481.50
技术的研发项品研发进入工程试格，拓展大电流功率器件产品系列先进白色家电、电源等领域目验阶段
第三代半导体关键工艺开发，产品建立第三代半导体器件封装工艺国内应用于电力及能源，车
6970.00642.07642.07
功率器件封装及工艺设计、小样试平台，根据市场需求产品逐步系列先进载电源、白色家电、开研究制阶段化关电源等领域在保持较低生产成本的前提下，满家电、电源、照明、工
高可靠性 OJ 足应用端对性能的要求。满足汽车 国内
7424.00429.15429.15小样试制阶段业控制、汽车电子等行
产品开发电子等高机械应力应用环境的需领先业有广泛应用求。
目前处行应用于各类小型电器充高密度功率二目前项目处于产品在达到同类封装产品性能的前提业内
8450.00171.89171.89电器、通讯产品、家用
极管封装开发设计阶段下凸显成本优势较高电器等多种行业的水平
通过材料、结构、工艺各方面改进优化，提高轴向塑封产品的抗冷热高耐温变能力家电、电源、智能电表、关键工艺开发及小温循冷热温循冲击能力。目标指国内
9关键工艺及产420.00492.43492.43照明、通信、工业控制
样试制阶段 标，按公司加速试验标准：A温循 领先品研发等行业有广泛应用
试验 500周期合格率 100%，B 耐焊接热试验合格率100%
功率器件产品家电、电源、智能电表、工艺及设备验证阶采用环保材料优化功率器件工艺国内
10质量水平能力180.00215.49215.49照明、通信、工业控制段过程，提升产品性能及可靠性能力先进提升研究等行业有广泛应用工业级可见光传感器已转入小批试生
可见光传感器设计开发可见光传感器，建立封测国内主要用于安防、智能穿
1190.0082.57104.59产准备阶段，民用级
的开发技术平台，形成系列化产品。领先戴、智能家居等领域可见光传感器进入
第三版芯片验证阶段。
平面玻璃电泳提升平面芯片技术能力，提升性家电、电源、智能电表、国内
12工艺研究及产370.00425.24425.24小批量试验阶段能、降低成本，进一步增强公司优照明、通信、工业控制
领先品开发势产品的竞争力等行业有广泛应用针对终端应用中满足更高的开关
软恢复特性高频率，提高效率，降低电磁干扰家电、电源、智能电表、关键工艺开发及小国内
13 耐久芯片工艺 150.00 187.59 187.59 (EMI)和峰值反向电压应力等更高 照明、通信、工业控制
样试制阶段领先
的开发需求，开发高性能开关二极管，实等行业有广泛应用现高端产品替代。
SOD-123-12R 、
微型器件及光 DIP-4L-12R 、 推进高密度封装技术的应用研究， 广泛应用家电、电源、国内
14 耦高密度封装 865.00 362.05 580.71 TO-252-4R三种高密 优化产品结构和工艺设计，降低材 智能电表、照明、通信
先进
开发度封装产品均已达料成本，提升作用效率等行业到研发预计成果
广泛应用家电、电源、新型微型器件产品及工艺设计阶国内
15530.00370.30370.30推进微型封装技术的应用研究智能电表、照明、通信
开发段先进等行业
安全模块（芯片）验安全模块（芯片）通过国际标准证成功，发表国际论 NIST测试等5申请专利2项以上，RFID芯片用于 ID识别、
文 2 篇， SCI 和 EI 其中发明 1项。功率模块产品：
智能仓储、无人零售等；
智能芯片和功 各一篇；目前 IPM 的 1、已完成产品样件开发； 国内
161256.00128.41128.41功率模块用于变频电机
率模块研发 框架已经开发完成 2、产品耐压 630V以上； 领先驱动，主要应用于变频并送样测试，相关的 3、绝缘耐压：2000V AC 1 分钟空调、洗衣机、冰箱等设备工装正在加工以上
过程中 4 、 产 品 静 电 等 级 ：HBM>2000VMM>200V合
/7023.004751.525151.58////
计八、新增业务进展是否与前期信息披露一致不适用。
九、募集资金的使用情况及是否合规
2021年1月，公司首次公开发行股票实际募集资金净额为人民币38611.68万元。截至2021年12月31日，公司募集资金使用情况如下：
单位：元项目金额
前次募集资金净额386116824.53
减：募投项目支出178576840.35
其中：募集资金置换预先投入金额26179927.69
2021年募投项目支出152396912.66
加：理财收益及利息收入扣除手续费5106595.25
其中：2021年理财收益及利息收入扣除手续费5106595.25
2021年12月31日募集资金余额212646579.43
其中：2021年12月31日现金管理余额110000000.00
2021年12月31日募集资金专户余额102646579.43具体内容详见2022年3月14日在上海证券交易所网站披露的《常州银河世纪微电子股份有限公司2021年度募集资金存放与使用情况专项报告》。
银河微电2021年度募集资金的存放与使用符合《上市公司监管指引第2号——上市公司募集资金管理和使用的监管要求》、《上海证券交易所科创板股票上市规则》及《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》
等法律法规的相关规定，对募集资金进行了专户存储和专项使用，不存在变相改变募集资金投向和损害股东利益的情况，不存在违规使用募集资金的情形。
十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情况
本持续督导期间，公司控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员持有的股份未发生质押、冻结及减持情况。截至2021年12月31日，公司控股股东、实际控制人、现任董事、监事、高级管理人员直接和间接持有公司股份的情况如下：
直接持股数量间接持股数量质押情况姓名职务（万股）（万股）（万股）
杨森茂董事长-7817.5825-
岳廉董事，总经理-629.5225-董事，副总经理，董金银龙事会秘书（2021年-30.0000-
10月辞任）
李恩林董事，副总经理-30.0000-刘军董事-30.0000-
于燮康独立董事---
李兴尧独立董事---
刘永宝独立董事---
朱伟英监事会主席-25.0000-
周建平监事-17.0000-
郭玉兵职工监事-10.0000-
茅礼卿技术总监-7.0000-
关旭峰财务总监-25.0000-
李福承董事会秘书-12.0000-半导体芯片事业部副总经理兼工程技
贺子龙-10.0000-术部经理（2021年3月离职）
十一、上海证券交易所或保荐机构认为应当发表意见的其他事项无。
（以下无正文）