银河微电:关于常州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券申请文件审核问询函的回复报告（2021年度数据更新稿）

常州银河世纪微电子股份有限公司审核问询函的回复报告关于常州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券申请文件审核问询函的回复报告
（2021年度数据更新稿）
保荐机构（主承销商）（北京市朝阳区安立路66号4号楼）
二〇二二年三月
8-1-1-1常州银河世纪微电子股份有限公司审核问询函的回复报告
上海证券交易所：
根据贵所于2022年1月21日出具的上证科审（再融资）〔2022〕16号《关于常州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券申请文件的审核问询函》（以下简称“问询函”）的要求，中信建投证券股份有限公司（以下简称“中信建投证券”、“保荐机构”或“保荐人”）作为常州银河世纪微电
子股份有限公司（以下简称“银河微电”、“发行人”或“公司”）向不特定对
象发行可转换公司债券的保荐机构（主承销商），会同发行人及发行人律师国浩律师（南京）事务所（以下简称“国浩律师”、“发行人律师”、“律师”）和
申报会计师立信会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“立信会计师”、“申报会计师”、“会计师”）等相关各方，本着勤勉尽责、诚实守信的原则，就问询函所提问题逐项进行认真讨论、核查与落实，并逐项进行了回复说明。具体回复内容附后。
关于回复内容释义、格式及补充更新披露等事项的说明：
1、如无特殊说明，本回复中使用的简称或名词释义与《常州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书（申报稿）》中的释义相同。
2、本回复中若出现总计数尾数与所列数值总和尾数不符的情况，均为四舍五入所致。
3、本回复的字体代表以下含义：
问询函所列问题黑体（加粗）对问询函所列问题的回复宋体对原募集说明书所列内容宋体
对募集说明书的修改、补充楷体（加粗）
本次2021年度数据更新内容楷体（加粗）
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目录
1.关于车规级半导体器件产业化项目.....................................4
2.关于融资规模.............................................27
3.关于收益预测.............................................41
4.关于财务性投资............................................49
5.关于经营情况.............................................56
6.关于其他问题.............................................67
保荐机构总体意见.............................................89
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1.关于车规级半导体器件产业化项目
1.1根据募集说明书和申报材料，（1）本次募投项目之一为车规级半导体器
件产业化项目；（2）公司目前产品主要应用于家电、计算机及周边设备及网络
与通信等领域，在汽车电子等高端应用领域的产品相对较少，公司计划逐步提高公司高端半导体分立器件产品的市场占比；（3）公司车规级半导体分立器件
产品暂无独立生产线，需与现有消费级半导体分立器件共用生产线，但车规级产品对设备要求更高；（4）截至2021年11月30日，公司车规级产品在手订单
2950.43万元。经测算，本项目完全达产后年均销售收入为40598.80万元；（5）
近年来MOSFET、IGBT等新型器件快速发展，在部分要求较高的应用场景电路功能实现方式发生了变化，导致对二极管、三极管产品的局部迭代。
请发行人说明：（1）本次募投项目涉及产品的具体类型和应用场景，车规级半导体器件相比其他应用领域对产品性能、生产工艺及技术先进性要求的差异，是否存在相关资质认证，若有，请说明具体内容；（2）对比前次募投项目产品和公司现有产品结构，说明本次募投项目是否涉及新产品；结合公司目前汽车电子领域分立器件的生产、销售、技术储备情况，说明募投项目所需技术与发行人现有核心技术、在研项目的对应关系，是否涉及新技术，是否具备开展相关技术研发的基础，研发工作是否存在重大不确定性；（3）车规级半导体器件生产设备相比发行人现有设备的要求差异，本次募投项目中拟购买的设备是否具有专用性，与现有设备是否可以通用；（4）结合产品市场规模、市场竞争格局、未来发展趋势和公司的在手订单及订单开拓计划，说明本次募投项目的产能消化措施；（5）结合车规级半导体器件技术迭代情况及当前行业主流水平，说明公司募投项目相关技术相较于行业主流水平的优劣势，公司应对技术迭代的具体措施，是否存在技术被迭代的风险。
【发行人说明】
一、本次募投项目涉及产品的具体类型和应用场景，车规级半导体器件相
比其他应用领域对产品性能、生产工艺及技术先进性要求的差异，是否存在相关资质认证，若有，请说明具体内容；
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（一）本次募投项目涉及产品的具体类型和应用场景
本次募投项目涉及产品为车规级半导体分立器件，主要应用于汽车电子领域，是汽车电子的基础元器件，在各类汽车电子中发挥整流、开关、混频等功能；
同时，还可以应用于高端消费品与精密工业制品。
在实际应用中，半导体分立器件和半导体集成电路（IC）共同协作完成具体线路功能的实现。其中，集成电路的主要作用在于线路主体功能的实现（收发、控制、监测、调整等）；分立器件主要配合集成电路强化或者配合功能的实现，如给集成电路供电；为线路提供简单的电压基准或者将局部线路中的电压范围钳
位到预期的电压内；防止线路供电反接；吸收静电、线路浪涌冲击等保护功能；
对高电压、大电流等进行整流、开关、放大等具体控制。
以最主要的应用领域汽车电子为例，本次募投项目涉及产品具体类型和应用场景如下：
应用场景银河微电配套能力产品类型具体用途
前灯-DC/DC 转换、电池防反、主
控 IC 开关控制、BLDC 电机驱动、
小信号三极管/功率三极管 步进电机驱动、全桥驱动、LED 驱
智能车载照明系统需要先进的 LED 驱 -MOSFET 动、调光等
动解决方案，包括 LED 灯串开路、过载 尾灯-DC/DC 升降压转换、LED 驱汽车照明 等检测功能和 PWM、恒流等控制功能。 动控制等LED 公司拥有适用于汽车 LED 照明的分立 前灯-主控 IC 供电、信号控制器整
小信号二极管/功率二极管
Lighting 器件完整配套方案，包括大功率 LED 驱 流等-肖特基二极管
动 MOSFET、电源管理 IC 供电器件、 尾灯-低压线路高频整流
电机驱动器和 ESD 保护器件等 小信号二极管
前/尾灯-LIN/CAN 总线保护等
-ESD 保护二极管功率二极管
前/尾灯-过载过流保护、箝位等
-瞬态抑制二极管
ADAS 雷达-电池防反、DC/DC 转
信号三极管/功率三极管换开关等
先进辅助系统 ADAS广泛使用图像传感 -MOSFET ADAS ECU-主控 IC 开关、比较器
器和激光雷达探测器，公司提供了全面驱动、电源管理高速开关等先进辅助
的分立器件产品组合，包括控制雷达开小信号二极管驾驶系统 ADAS 雷达/ECU-CAN 总线保护
关的高频器件、系统 DC/DC 转换的功率 -ESD 保护二极管
ADAS
MOSFET、专用于图像信号处理的高频 功率二极管
ADAS 雷达-高频开关等
三极管等-极快恢复二极管
小信号三极管/功率三极管
ADAS ECU-低压线路放大、开关等
-双极型/数字三极管
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应用场景银河微电配套能力产品类型具体用途
功率二极管 ADAS 雷达-线路过载保护等
-瞬态抑制二极管 ADASECU-过压保护、箝位等
小信号三极管/功率三极管
电机驱动、主控 IC 开关控制等
-MOSFET
小信号二极管/功率二极管
高频开关、续流等
-肖特基二极管完整的动力解决方案包含多个重要的拓动力传动功率二极管扑结构，公司分立器件产品在其中的多旁路整流等系统-极快恢复二极管个模块中起到关键的作用功率二极管
抛负载保护、箝位等
-瞬态抑制二极管小信号二极管
CAN 总线保护
-ESD 保护二极管
汽车安全系统主要包括车身电子稳定系 小信号三极管/功率三极管 电机驱动、高速开关、DC/DC 转换
统、防抱死制动系统等，主动安全应用 -MOSFET 等日渐依赖传感器、有刷和无刷电机以及功率二极管-整流二极管线路整流等
微控制器来提高性能和可靠性。公司提小信号二极管/功率二极管主动安全高频开关、整流等
供一系列标准和专用分立器件以支持上-肖特基二极管系统
述安全性应用，如用于驱动器驱动的专功率二极管抛负载保护等
用功率 MOSFET 系列、应用于智能 IC -瞬态抑制二极管
和 MEMS 加速度传感器及陀螺仪的保 小信号三极管/功率三极管
高频开关，耦合多级信号放大等护类器件等-双极型三极管
小信号三极管/功率三极管 继电器控制、过载保护、DC/DC 升
车身控制模块（BCM）主要借助高质量 -MOSFET 降压转换等
的电子器件来实现各种车身、安全性和功率二极管-肖特基二极管快速切换高低逻辑电平等
车身控制 舒适性功能，公司的功率 MOSFET、功 功率二极管高频整流、DC/DC 续流等
率肖特基及高功率 TVS 等为整个车身 -极快恢复二极管控制系统带来高可靠性性能功率二极管
过载过压保护、箝位等
-瞬态抑制二极管小信号二极管
CAN 总线保护、USB 接口保护等
-ESD 保护二极管
信息娱乐系统方案必须具备高速信号处 小信号三极管/功率三极管 DC/DC 转换、电池防反、液晶屏显
理能力、更大的车载带宽、安全的外部 -MOSFET 驱动等
信息娱乐通信链路和一流的音频放大器等功能，功率二极管过压过载保护，箝位等系统为完善这些高端功能，公司推出了的极-瞬态抑制二极管快信号反应速度的 MOSFET、高频信号 小信号三极管/功率三极管
高频开关、低压线路放大等
传输的线路整流和保护器件-数字三极管
小信号二极管/功率二极管
高速开关、高频整流等
-肖特基二极管
BMS 电池管理系统是 EV/HEV 车辆重 功率二极管 高功率抛负载保护、中低功率过载新能源汽
要的电子控制单元，包括电池监控单元-瞬态抑制二极管保护等车电池管
和电池平衡单元。在多电池组中，没有小信号二极管/功率二极管理系统高频开关、整流等
两个电池是完全相同的，它们在电池容-肖特基二极管
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应用场景银河微电配套能力产品类型具体用途
量、自放电、阻抗、温度特性和电池老小信号二极管/功率二极管低压保护等
化方面各不相同。这些差异通常会随着-稳压二极管使用寿命而增加并损坏电池。公司提供小信号二极管LIN/CAN 总线保护等
广泛的分立器件解决方案组合 -ESD 保护二极管
小信号三极管/功率三极管 DC/DC 转换、主控 IC 开关、电池
-MOSFET 防反等
小信号三极管/功率三极管
信号放大、高速开关等
-双极型/数字三极管
半桥/全桥驱动直流电机、永磁同步
小信号三极管/功率三极管
公司拥有广泛的分立器件产品组合专用 电机、感应电机、DC/DC 转换、高
-MOSFET
新能源汽于新能源汽车领域的电机控制系统：用速开关等
车电动机于电机驱动的先进封装的功率小信号二极管/功率二极管
高频开关、整流等
控制系统 MOSFET，和 32 位 MCU 与电压调节器 -肖特基二极管配套应用的保护类器件功率二极管
过载保护、箝位等
-瞬态抑制二极管由上表，本次募投项目涉及产品的应用场景遍布现代汽车各个组成系统，在新能源汽车上的应用相较于传统燃油车更为广泛，新增了电池管理系统、电动机控制系统等应用场景。
（二）车规级半导体器件相比其他应用领域对产品性能、生产工艺及技术先进性要求的差异
按照不同的应用场景及技术参数要求，半导体分立器件可以分为消费级、工业级、车规级、军工级四个层次，各层次对产品性能的要求如下：
消费级工业级车规级军工级
应用 手机、PC 等 工业控制 汽车电子 军工应用
温度0-70℃-40℃-85℃-40℃-150℃-55℃-150℃
湿度低根据环境0-100%0-100%
振动/冲击低较高高最高
寿命1-3年5-10年15年＞15年出错率＜3%＜1%00
测试标准 JESD47 等 JESD47 等 AEC-Q100 等 MIL-STD-883 等系统成本低较高高最高
防水、防腐、防潮增强封装、高低增强封装、高低温特殊要求防水等等温和散热等和散热等可靠性低较高高最高
从终端应用的角度，车规级产品要求更高的可靠性，具体表现在车规级产品
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拥有更高的结温、更多的电压和电流余量，在相同的工作条件下拥有更多的实际设计余量，从而提高实际工作寿命时间，以满足15年以上的汽车设计寿命要求；
车规级产品参数分布范围更集中，随温度变化更稳定，从而提高应用设计的容差，满足更恶劣的应用环境使用要求；出于安全考虑，车规级产品更注重耐某些电应力的瞬态过载能力，避免异常干扰对线路功能的影响；由于现代汽车系统电子化程度不断提高，对组成部件的可靠性要求相应提高，因此车规级半导体器件的可靠性要求是以 PPM（百万分之一）为单位，远高于消费级与工业级产品。同时，现代汽车作为成熟工业体系，已经进入到大规模生产阶段，同款车型年产量可以达到数十万辆，因此对产品质量的一致性要求较高。
上述要求作为设计输入，在产品设计、技术开发、生产工艺等方面形成相应的具体要求，表现在：
芯片方面，为了满足性能稳定、更强的耐瞬态冲击能力、更高的工作温度范围等，增加切割道尺寸，更好地避免切割应力、切割损伤层对芯片造成损伤的潜在风险；采用复合钝化层设计，增加钝化层厚度，控制厚度均匀性，提升参数一致性和环境耐受能力，达到更高结温能力。芯片结构设计方面，增加图形倒角弧度，使电场分布更均匀，并提高耐瞬态冲击能力；优化反向参数设计，提升产品瞬态过电压能力；优化二极管结构和掺杂设计，提升二极管动态参数性能。芯片工艺方面，杂质源的均匀分布技术，扩散炉恒温区温度精密控制技术等达到 PN结更平整，杂质分布更理想的要求。
封装设计方面，引入局部封装环境控制技术，采用密闭轨道设计，惰性气体保护等方式，更好控制材料氧化风险；更精密的材料性能匹配、材料与模具的匹配精度设计，降低封装过程及产品内部的机械应力，提升产品工作温度范围；采用框架结构精密设计技术，在与芯片的可靠连接、与塑封料的紧密粘接、与镀层的良好结合、与焊料的良好浸润等方面达到更优的性能；优选更高等级的塑封料，在流动性、结合力、应力、密封性和散热能力等方面性能更优，从而保证成品在密封性、散热能力、抗机械应力等方面达到更优的能力，并为成品的可靠性提供重要保证。
在生产工艺方面，首先在过程设计阶段，对各工序的潜在失效模式及后果进
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具体的控制方式有提升产线的过程能力，保证批量产品与设计样品保持高度的一致；提升过程参数的监控，保持工艺参数的稳定；加强过程探测能力，保证一旦有不良产生，可以在第一时间发现并采取措施；引入新的工艺技术，如真空焊接工艺，可明显降低焊接空洞，提升焊接质量；增加过程中 100%X-RAY 在线测试、
100%机器视觉检测等，剔除过程异常品、结构异常品。
在测试方面，除了规格书中标称的参数测试外，从器件特性出发，增加参数测试项目；从过程异常可能导致的后果出发，增加参数测试项目，并增加不同测试条件下参数的对比判断，尽可能剔除有风险产品；导入 PAT/SBL/SYL 等测试技术，剔除批量产品中参数分布异常但符合规格书参数上下限的产品，剔除风险产品。
本次募投项目生产工艺流程充分体现了上述要求。与公司传统产品相比，本次募投项目在芯片制造环节新增部分车规级芯片，对所有产品均进行等离子清洗、回流、绝缘测试等环节，此外还新增了芯片测试、自动全检、X-RAY 全检和两次外观检查，具体如下（其中橙色部分为体现车规级产品特殊要求的环节）：
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在技术先进性方面，汽车厂商出于对可靠性要求的严格要求，对新技术的认定项目多，认定周期长，对技术的成熟度、稳定性要求高。例如铜线球焊技术在
2006 年前已开始在消费级产品中使用，但相关的车规级 AEC-Q006 标准到 2015年才发布；再如汽车微控制器（MCU），虽然微控制的技术已发展到 14nm 以下，但汽车用微控制器已通过认定的最先进的是 28nm。类似地，对于分立器件而言，其封装类型仍以第三代封装为主，国际领先企业逐步有部分第四代功率封装/第五代小信号封装开始导入汽车应用场景。
（三）是否存在相关资质认证，若有，请说明具体内容
由于对产品性能、可靠性及一致性的要求更高，车规级半导体器件在工业级器件的基础上，有着更严格的标准。IATF16949 标准和 AEC 系列标准是半导体企业进入汽车产业链的基本条件。
IATF 16949：2016 标准是以 ISO9001：2015 为基础，协同当前汽车行业中不同的体系评审和认证标准开发的国际质量体系标准。相比 ISO9001：2015 标准，IATF 16949：2016 标准者针对汽车行业新增关于安全相关的部件和过程的要求、有嵌入式软件的产品要求，并强化对于产品可追溯性的要求和次级供应商管理及开发的要求。 1IATF 16949:2016 标准核心工具之一的 PPAP 要求车规级器件需拥有详细完整的数据和文件，并在文件中列出芯片制造商所需采取的生产和质量保证程序。截至本回复出具日，银河微电已经取得 IATF 16949：2016 标准认证。
车规级器件主要遵循的 AEC（Automotive Electronics Council，汽车电子委员会）系列标准有 AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q001/Q002/Q003 等，目前已成为公认的车规级元器件通用测试标准。其中，AEC-Q101 是针对半导体分立器件的，主要在于预防产品各种可能发生的状况或潜在的失效机理，引导供货商在开发的过程中就能生产出符合此规范的产品。AEC-Q101 标准对每一个申请的个案进行严格的质量与可靠度确认，即确认制造商所提出的产品数据表、使用目的、功能说明等是否符合当初宣称的功能，以及在多次使用后是否能始终如一。此标
1 Production Parts Approval Process，生产件批准程序，用来确定供货商在零件实际量产的过程已经正确理
解了客户的工程设计记录和规格中的所有要求，并评估其是否具有持续满足这些要求的潜在能力，从而保证器件的质量。
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准的最大目标是提高产品在整车应用环境下的良品率，这对供应商来说，无论是在产品的尺寸、合格率或者成本控制上都是很大的挑战。AEC-Q101 详细规范了对于半导体分立器件的各项要求，也代表了车规级器件制造商对产品安全的要求。截至本回复出具日，银河微电已经取得二极管、三极管、MOSFET 等产品门类的 AEC-Q101 标准认证。
此外，车规级器件在整车厂还需要进行整车搭载测试，整车试验项目主要包含六大部分，即整车可靠性试验、NVH 试验、HVAC 试验、EMC 试验、化学分析试验以及整车道路性能试验。对于零部件开发来讲，试验分为 DV（设计验证）和 PV（过程验证），试验要求具体体现试验方法、试验内容、试验设备、试验次数、验收标准等等，如电压缓慢上升和下降时的性能试验、非正常电压性能试验、长时间过载性能试验、在一般电压下运行的极限温度试验、温度的梯度试验、
大气及热冲击的老化试验、耐久性试验、设备的外部应力试验、跌落试验、振动
试验、ESD 抗静电试验、EMC 电磁兼容试验、EMI 电磁辐射试验、ISO-7637 抗干扰试验等多达150个检测项目。
二、对比前次募投项目产品和公司现有产品结构，说明本次募投项目是否
涉及新产品；结合公司目前汽车电子领域分立器件的生产、销售、技术储备情况，说明募投项目所需技术与发行人现有核心技术、在研项目的对应关系，是否涉及新技术，是否具备开展相关技术研发的基础，研发工作是否存在重大不确定性；
（一）对比前次募投项目产品和公司现有产品结构，说明本次募投项目是否涉及新产品
公司的现有产品以各类小信号器件（小信号二极管、小信号三极管）、功率器件（功率二极管、功率三极管、桥式整流器）为主，同时还生产光电器件和少量的其他电子器件。
前次募投项目“半导体分立器件产业提升项目”主要在当前核心技术的基础上，将小信号器件向超薄超小型方向创新，将功率器件向大功率低功耗方向发展，并进一步拓展光电器件的生产种类。
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本次募投产品按产品门类分，主要为小信号器件与功率器件；按产品电性分，主要为整流二极管、肖特基二极管、稳压二极管、ESD 保护二极管、瞬态抑制
二极管（TVS）、快恢复二极管、MOSFET、双极型三极管和整流桥，主要有以下新产品：
在产品封装类型方面，本次募投产品涉及 SOD-123、TO-252、PDFN5*6、TO-247、SMA SMAF、DO-218 等 20 多种封装，其中部分为新封装类型（例如DO-218、TO-247、TOLL、PDFN8*8 等），具有功率大、散热能力强、封装应力小、封装精度高、密封性好等特点。
在芯片类型方面，本次募投项目涉及的新产品为车规级芯片（用于快恢复二极管/整流二极管/瞬态抑制二极管/开关二极管等产品），与公司原有自产的消费级与工业级功率器件芯片相比，具有工作结温高（可达175℃）、耐冲击能力强、反向漏电流小、参数一致性好、恢复特性好等特点。
在开发目标与性能参数方面，本次募投产品为车规级，与公司原有的消费级和工业级产品相比，在温度适应能力、抗干扰能力、使用寿命与可靠性要求等方面均具有更高的要求，具体参见本回复第1题第一小题之“（二）车规级半导体器件相比其他应用领域对产品性能、生产工艺及技术先进性要求的差异”。
（二）结合公司目前汽车电子领域分立器件的生产、销售、技术储备情况，说明募投项目所需技术与发行人现有核心技术、在研项目的对应关系，是否涉及新技术，是否具备开展相关技术研发的基础，研发工作是否存在重大不确定性
公司在汽车电子领域主要销售的产品为功率二极管，此外还有一定数量的光电器件。报告期内，公司在汽车电子领域的销售情况如下：
单位：万元
2021年2020年2019年
销售收入2071.321716.201686.72
占主营业务收入比重2.56%2.88%3.26%
报告期内，公司汽车电子领域销售金额及占主营业务收入的比例较低，在生产上暂时没有实现专线管理。
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公司在成立初期就将汽车电子作为未来发展的重要目标，并不断推动车规级产品的研发与积淀。2006 年，公司开始导入汽车行业质量管理体系 TS16949：
2002；2016 年，公司二极管、三极管、MOSFET 等产品门类通过 AEC-Q101 测
试认证；2018 年，公司通过 IATF16949:2016 质量管理体系认证，并于同年正式加入国际汽车电子协会技术委员会。通过在汽车电子领域的多年深耕布局，公司积累了多项技术储备。截至本回复出具日，公司本次募投项目所需技术均有公司自主开发的核心技术支撑，对应关系如下：
使用该项核募投项目现有核心技术技术描述及特点心技术的主所需技术要产品小信号二极
框架设计多排化使每条框架产品数增加，同时提高单管、光电耦合
高密度阵列式位面积内的产品数，提高生产效率及降低材料消耗。
器、功率二极
框架设计技术 以 SOT-23 为例，使用该技术使每平方厘米产品数从管、桥式整流
4.75颗提高至5.71颗，密度提高20%。
器
点胶量 CPK 通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控制，功率二极管、
组装自动测量控制提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量都在受控桥式整流器技术技术范围。
是通过特殊的点胶针头在点胶范围内均匀行走，达到功率芯片画锡
胶量更均匀位置更可控，从而达到焊锡均匀、焊接气功率二极管焊接技术
孔减少的目的，可提升功率器件的性能和可靠性。
在框架焊接工艺中采用跳线完成芯片上表面的电极
功率二极管、
跳线焊接技术与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降低产品潜桥式整流器在失效风险。
分立器件采用多注射头封装模具，多料筒、多注射头封装形式，小信号二极成型 MGP 模封装
封装测试优势在于可均衡流道，实现近距离填充，树脂利用率管、功率二极技术技术高，封装工艺稳定。管基于产品特性针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制定测小信号二极数据分析的测 试方案，并用 PAT 方法筛选出产品性能离散及有潜 管、小信号三试技术在失效模式的产品。极管、功率二极管、功率三
针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影响，基于 FMEA的 极管、桥式整
通过分析量化，制定测试方案，筛选出生产过程中的测试技术流器、光电耦测试潜在异常品及有潜在失效模式的产品。
合器技术
通过对产品制造过程中实时在线数据的收集，包括环主要应用于境、工艺参数、过程监测数据、100%测试的剔除品以汽车行业基于潜在失效
的类型分布、解剖分析等，对该生产批次产品及前后为代表的对风险的过程管
批次产品进行失效风险评估，并按风险等级采取相应市场失效率控技术的措施，以实现汽车应用市场失效率低于 500PPB（千 要求极高的万分之五）的目标。行业的产品
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使用该项核募投项目现有核心技术技术描述及特点心技术的主所需技术要产品
特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台面结平面结构芯片构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以采用标准无环高耐压终 半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、CVD 等） 功率二极管
端技术制备技术，达到实现更大晶圆生产、提升产品稳定性、可靠性等目的。
采用多层（至少 3 层）CVD 钝化膜技术，形成芯片表面所需的综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺平面钝化，平面玻璃电泳等保护技术，可以使平面芯片具功率二极
芯片 平面结构芯片 备 5um~20um 的钝化介质层。多层 CVD 钝化膜起到管芯片制
制造表面多层钝化固定可动电荷、稳定耐压，隔离水汽渗透，绝缘电介功率二极管造
技术技术质等功能，从而形成芯片表面所需的综合钝化保护膜，相应产品性能稳定性优异。聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中遇到的可靠性问题，提高器件极限条件下的稳定性、可靠性。
平面结构功率特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免了传稳压二极管、统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以功率二极管
TVS 芯片设计 采用标准半导体工艺制备技术制备，达到提升产品一及制备技术致性、稳定性、可靠性的目的。
上述技术来源均为公司自主研发，并独立享有相关知识产权成果。公司在研项目与部分核心技术的对应关系如下：
项目名称拟达到目标技术水平核心技术成果转化
采用物理不可克隆技术采集物理指纹的方法，进行 RFID 集成电路设计与开发，形成 RFID功率芯片画锡焊接技术产品；
智能芯片和功跳线焊接技术
IPM 封装及产品开发，拓展功率模块类产品系 国内领先率模块研发基于产品特性数据分析列的测试技术
TOLL 封装外形开发，提供更高功率的MOSFET 贴片封装，增加 MOSFET 产品规格。
第三代半导体
建立第三代半导体器件封装工艺平台，根据市功率器件封装国内先进功率芯片画锡焊接技术场需求产品逐步系列化研究
针对终端应用中满足更高的开关频率，提高效软恢复特性高率，降低电磁干扰(EMI)和峰值反向电压应力耐久芯片工艺国内领先跳线焊接技术
等更高需求，开发高性能开关二极管，实现高的开发端产品替代。
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项目名称拟达到目标技术水平核心技术成果转化
通过材料、结构、工艺各方面改进优化，提高高耐温变能力轴向塑封产品的抗冷热温循冷热温循冲击能
关键工艺及产 力。目标指标，按公司加速试验标准：A 温循 国内领先 MGP 模封装技术品研发 试验 500 周期合格率 100%，B 耐焊接热试验合格率100%车用新型固态
紧跟车灯市场发展方向，针对新的产品需求开基于产品特性数据分析光源分立器件国内先进
发车用 LED 光源，实现产品的升级替代 的测试技术开发
除上述已应用于具体产品生产的核心技术外，公司还储备了部分车规级产品相关技术，具体如下：
工艺环节技术名称技术描述及特点涉及产品
台面结构特种工选择合适电阻率、厚度的单晶片，通过优化的结构设计，艺功率 FRD 芯 精准的工艺控制，达到设计的基区结构参数，实现二极管芯片制造功率二极管片设计及制备技的正反向动态性能。可以针对不同应用要求提供针对性优术化产品系列。
以自动化流水线方式运行，预热及降温在移动过程中完功率二极管、在线式真空烧结
焊接 成，真空烧结在固定工位进行，出入口采用自动搬运结构。 TVS 、 功 率技术
焊点机械强度大幅提高，焊点空洞率低至 1%以下。 MOSFET 等小信号二极
使用注塑速度由快变慢再变更慢的控制技术，有效解决塑管、小信号三包封变速注塑技术
封过程对焊线冲弯问题及塑封体气孔问题。极管、功率二极管主要应用于
通过对产品制造过程中实时在线数据的收集，包括环境、以汽车行业
基于潜在失效风工艺参数、过程监测数据、100%测试的剔除品的类型分布、为代表的对
测试技术险的过程管控技解剖分析等，对该生产批次产品及前后批次产品进行失效市场失效率
术风险评估，并按风险等级采取相应的措施，以实现汽车应要求极高的
用市场失效率低于 500PPB（千万分之五）的目标。
行业的产品
本次募投项目强化了公司在车规产品芯片部分的布局，需要新研发芯片技术，如用于功率二极管芯片的超薄芯片制备技术，将完成了芯片内部结构制程的圆片，通过精密的加工工艺设计和控制，将应力、机械碰撞等导致的翘曲，破损等控制在预期的范围内，达到制备 100um 以下晶圆厚度的能力。较低的厚度在相同芯片尺寸下能获得更低的正向压降，有助于降低器件自身的功耗。公司针对本次募投项目，拟开发的新技术如下：
工艺环节技术名称技术描述及特点涉及产品
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将完成了芯片内部结构制程的圆片，通过精密的加工工艺设计和控制，将应力、机械碰撞等导致的翘曲，超薄芯片制备 破损等控制在预期的范围内，达到制备 100um 以下功率二极管技术晶圆厚度的能力。
较低的厚度在相同芯片尺寸下能获得更低的正向压功率二极管芯片降，有助于降低器件自身的功耗。
制造-平面芯片制功率器件芯造
在芯片背面形成一层或者多层金属以及改变原金属片，包括二极芯片背面金属层材质，形成新的金属层的技术。提供芯片与引线框 管、MOSFET化及二次金属架或者外部线路达到可靠的电连接及机械连接的基等芯片的初化技术底。次加工或者再加工
公司具备开展相关技术研发的基础，主要原因如下：
首先，公司历来对技术创新研发非常重视，报告期内不断加大研发投入力度，研发投入具体情况如下：
单位：万元项目2021年度2020年度2019年度
研发费用4751.523535.663221.85
营业收入83235.4061023.5052789.38
研发费用占当年营业收入比重5.71%5.79%6.10%
报告期内，公司持续进行研发投入，研发费用呈波动上升趋势，占公司营业收入的比重较为稳定且与同行业可比公司平均水平较为接近，为本次募投相关技术研发提供资金基础。
其次，公司不断吸纳半导体行业专业技术人才，核心技术人员其均具有丰富的行业经验与扎实的专业知识。截至2021年末，公司拥有研发人员160人，占公司总人数的比重为14.72%。研发团队是公司技术水平持续提升、产品逐渐高端化发展的重要支撑力量，为公司本次募投相关技术研发提供人才基础。
再次，公司已形成高效科学的研发流程管理机制，通过制订《产品质量先期策划控制程序》和《研发项目管理制度》来规范公司产品研发的管理，并通过多方论证的方式，强化产品质量先期策划活动（APQP），以达到防错、增效、降本和持续改善的目的，确保公司的技术研发工作更加高效，为公司本次募投相关技术研发提供制度基础。
8-1-1-17常州银河世纪微电子股份有限公司审核问询函的回复报告最后，近年来，公司不断向产业上游延伸，逐步掌握了各类二极管、三极管、桥式整流器芯片设计能力，以及部分功率二极管、整流桥芯片的制造能力，并基于对终端应用的理解及大量的产品设计经验数据，形成了较强的一体化设计能力。经过在半导体分立器件领域不断开展技术研发和技术创新，公司积累了大量的核心技术储备，为公司本次募投相关技术研发提供技术积累基础。
综上所述，公司具备开展本次募投项目相关技术研发的基础，研发工作不存在重大不确定性。
三、车规级半导体器件生产设备相比发行人现有设备的要求差异，本次募
投项目中拟购买的设备是否具有专用性，与现有设备是否可以通用；
首先，鉴于本次车规级半导体器件产品的工艺流程与其它产品有所区别，部分工艺环节需要采用专用设备。以本次募投项目拟购买的检测设备为例，如装片焊线工序的在线 100%自动全检设备、包封后的在线 100% X-RAY 自动全检设备、
真空焊接设备等，均具有专用性。
其次，车规级产品具有更高性能、更低失效率、更高可靠性与一致性等要求，且生产过程控制点要求更多，需要设备提供更多的实时数据输出和更多的高精度可调功能，要求采用更高精度或更强功能的设备。例如：芯片制造方面，采用高精度减薄机，可以将 8 寸以内的晶圆减薄到 100um 以下，可以提升二极管的正向导通压降、MOSFET 的导通阻抗等性能，并能满足超薄封装对芯片厚度的要求；封装制造方面，以固晶机为例，由于车规级产品采用密闭轨道设计，而一般产品为非密闭轨道设计，因此为降低氧化风险，在装片精度误差方面，车规级产品的设备为左右误差