银河微电:2022年年度报告

2022年年度报告
公司代码：688689公司简称：银河微电
转债代码：118011转债简称：银微转债常州银河世纪微电子股份有限公司
2022年年度报告
1/2152022年年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是√否
三、重大风险提示
详情敬请参阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“四、风险因素”相关内容。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、公司负责人杨森茂、主管会计工作负责人李福承及会计机构负责人（会计主管人员）周浩刚
声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，每10股派发现金红利2.20元（含税）。截至2022年12月31日，公司总股本为128895000股，以此为基数计算，合计拟派发现金红利
28356900.00元（含税），占2022年度合并报表中归属于母公司股东的净利润的32.83%。2022年度公司不送红股，不进行公积金转增股本。
如在实施权益分派股权登记日前，因可转债转股/回购股份/股权激励授予股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例，并将另行公告具体调整情况。
上述利润分配预案已经公司第三届董事会第三次会议及第三届监事会第三次会议审议通过，独立董事及监事会均发表明确同意意见，尚需提交股东大会审议。
八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
九、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告内容涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述因存在不确定性，不构成公司对投资者的实质承诺，提请投资者注意投资风险。
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十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况否
十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否
十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否
十三、其他
□适用√不适用
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目录
第一节释义.................................................4
第二节公司简介和主要财务指标........................................6
第三节管理层讨论与分析..........................................11
第四节公司治理..............................................35
第五节环境、社会责任和其他公司治理....................................53
第六节重要事项..............................................62
第七节股份变动及股东情况.........................................85
第八节优先股相关情况...........................................93
第九节债券相关情况............................................94
第十节财务报告..............................................95载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表备查文件目录
载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿
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第一节释义
一、释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、本公司、上指常州银河世纪微电子股份有限公司
市公司、银河微电
银河星源指常州银河星源投资有限公司，本公司控股股东恒星国际 指 恒星国际有限公司（Action Star International Limited），本公司股东银江国际指常州银江投资管理中心（有限合伙），本公司股东银冠投资指常州银冠投资管理中心（有限合伙），本公司股东清源知本指常州清源知本创业投资合伙企业（有限合伙），本公司股东聚源聚芯指上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙），本公司股东银河电器指常州银河电器有限公司，本公司子公司银河半导体指常州银河世纪半导体科技有限公司，本公司子公司银河进出口指常州银河世纪微电子进出口有限公司，本公司子公司银河寰宇指泰州银河寰宇半导体有限公司，本公司孙公司优曜半导体指上海优曜半导体科技有限公司，本公司参股公司数明半导体指上海数明半导体有限公司，本公司参股公司恒星贰号指常州恒星贰号实业投资合伙企业（有限合伙）银汐实业指常州银汐实业投资有限公司华海诚科指江苏华海诚科新材料股份有限公司中国证监会指中国证券监督管理委员会上交所指上海证券交易所
IDM 指 Integrated Device Manufacture 的缩写，又称纵向一体化经营，指半导体行业集产品设计、芯片制造、封装测试、销售服务一体化整合
的经营模式，能够实现设计、制造环节的协同优化，充分挖掘技术潜力，有条件率先试验并推行新的半导体技术，为诸多领先分立器件厂商采用。
半导体分立器件、指以半导体材料为基础的，具有固定单一特性和功能的电子器件。
分立器件
集成电路指将一定数目的二极管、三极管、电阻、电容和电感等集成在一个芯片里，从而实现电路或者系统功能的电子器件。
小信号器件 指 耗散功率小于 1W（或者额定电流小于 1A）的分立器件。
功率器件 指 耗散功率不小于 1W（或者额定电流不小于 1A）的分立器件。
光电器件指利用半导体光-电子（或电-光子）转换效应制成的各种功能器件。
二极管指是一种具有正向导通、反向截止功能特性的半导体分立器件。
三极管指全称为半导体三极管，包括双极晶体管、场效应晶体管等。
MOSFET、MOS 管 指 是金属（metal）-氧化物（oxide）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，属于电压控制型器件。
桥式整流器指用多只（四只、六只等）二极管芯片以桥式整流方式连接，并用绝缘模塑料封装成整体，具有将单相（三相）交流电转换成直流电功能的半导体分立器件。
光电耦合器指是由发光二极管和光敏三极管合并使用，以光作为媒介传递信号的光电器件。
轴向二极管指在同一轴线上两端引出引线的半导体二极管。
芯片指如无特殊说明，本文所述芯片专指半导体分立器件芯片，系通过在硅晶圆片上进行抛光、氧化、扩散、光刻等一系列的工艺加工后，在一个硅晶圆
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片上同时制成许多构造相同、功能相同的单元，再经过划片分离后便得到单独的晶粒，即为芯片。
OJ 芯片 指 将做过 PN 结的晶圆片直接分离开所形成的（开放结）芯片，需要进行引线焊接、台面腐蚀，涂覆硅橡胶保护层等才能形成稳定的电性。
晶圆指是制造半导体芯片的硅单晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。
整流指用二极管将周期变化的交流电变成单向脉动直流电的过程。
开关指利用半导体分立器件模拟机械开关，起导通和截止的作用。
稳压指利用二极管反向击穿特性来稳定电子线路电压的过程。
封装测试、封测指封装是把芯片按一定工艺方式加工成具有一定外形和功能的器件的过程。
测试是把封装完的器件按一定的电性规格要求进行区分，把符合规格与不符合规格的产品分开的过程。
塑封指用注塑、挤压等方法将热塑性或热固性树脂施加在制件上包覆成特定外形而作为保护或绝缘层的一种作业。
共晶指在特定的温度下，两种或两种以上金属材料发生共晶物熔合形成良好欧姆接触的现象。
氧化指在特定气体成分、压力、温度等条件下，（在高温氧化炉内）晶圆表面生长一定厚度的致密 SiO2 薄膜的过程。
光刻指一种利用光照、感光剂（光刻胶）、掩膜版（其上有设计好的图形）配合
的复印技术，可以将掩膜版上的图形转移到晶圆上。
钝化 指 在半导体器件 PN结表面覆盖保护介质膜，防止表面污染的工艺过程。
LED 指 发光二极管
TVS 指 瞬态电压抑制二极管
FRD 指 快恢复二极管
HBM 指 人体放电模式，是一种静电放电的模式。
MM 指 机器放电模式，是一种静电放电的模式。
IPM 指 智能功率模块，Intelligent Power Module 的缩写，是一种先进的功率开关器件，内部集成了逻辑、控制、检测、保护电路、功率半导体器件（MOSFET或者 IGBT 等），使用起来方便不仅减小了系统的体积以及开发时间，也大大增强了系统的可靠性。
ESD 指 静电释放，Electro-Static discharge 的缩写，国际上习惯将用于静电防护的器材也统称为 ESD。
第二节公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况公司的中文名称常州银河世纪微电子股份有限公司公司的中文简称银河微电
公司的外文名称 Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.Ltd.公司的外文名称缩写 GALAXY MICROELECTRONICS公司的法定代表人杨森茂公司注册地址常州市新北区长江北路19号公司办公地址常州市新北区长江北路19号公司办公地址的邮政编码213022
公司网址 www.gmesemi.com
电子信箱 gmesec@gmesemi.cn
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二、联系人和联系方式
董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表姓名李福承岳欣莹联系地址常州市新北区长江北路19号常州市新北区长江北路19号
电话0519-688593350519-68859335
传真0519-851202020519-85120202
电子信箱 gmesec@gmesemi.cn gmesec@gmesemi.cn
三、信息披露及备置地点
公司披露年度报告的媒体名称及网址 《上海证券报》（https://www.cnstock.com/）、
《中国证券报》（https://www.cs.com.cn/）、《证券时报》（http://www.stcn.com/）、《证券日报》（http://www.zqrb.cn/）、《中国日报网》（https://cn.chinadaily.com.cn/）
公司披露年度报告的证券交易所网址 www.sse.com.cn公司年度报告备置地点公司证券事务部
四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股 上海证券交易所科创板 银河微电 688689 不适用
(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
五、其他相关资料
名称立信会计师事务所（特殊普通合伙）公司聘请的会计师事办公地址上海市黄浦区南京东路61号四楼务所（境内）
签字会计师姓名沈利刚、顾肖达名称中信建投证券股份有限公司报告期内履行持续督办公地址北京市朝阳区安立路66号4号楼
导职责的保荐机构签字的保荐代表人姓名梁宝升、王家海持续督导的期间2021年1月27日至2024年12月31日名称中信建投证券股份有限公司报告期内履行持续督办公地址北京市朝阳区安立路66号4号楼
导职责的保荐机构签字的保荐代表人姓名王家海、宣言持续督导的期间2022年8月2日至2024年12月31日
六、近三年主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位：元币种：人民币本期比主要会计数据2022年2021年上年同2020年期增减
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(%)
营业收入675957754.86832354020.45-18.79610235005.07归属于上市公司股东的净
86380356.62140871314.60-38.6869538921.58
利润归属于上市公司股东的扣
63439594.38129346071.87-50.9557125303.17
除非经常性损益的净利润经营活动产生的现金流量
106243370.60112890594.29-5.8974297702.95
净额本期末比上年
2022年末2021年末同期末2020年末
增减（%）归属于上市公司股东的净
1283571849.271074550646.2219.45576207759.20
资产
总资产1903586112.421390429749.3236.91809105481.52
(二)主要财务指标本期比上年主要财务指标2022年2021年2020年同期增减(%)
基本每股收益（元／股）0.671.12-40.180.72
稀释每股收益（元／股）0.671.12-40.180.72
扣除非经常性损益后的基本每股收益（元／股）0.491.03-52.430.59
加权平均净资产收益率（%）7.4914.32-6.8312.85
扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%）5.5013.17-7.6710.56
研发投入占营业收入的比例（%）增加1.27个
6.985.715.79
百分点报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
报告期内，公司实现营业收入675957754.86元，同比减少18.79%；实现归属于上市公司股东的净利润86380356.62元，同比减少38.68%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润63439594.38元，同比减少50.95%。主要系本报告期内，消费类产品市场景气度低，产能利用不足，销售额下降。
报告期末，公司财务状况良好，总资产1903586112.42元，较报告期初增加36.91%。主要系本报告期内，公司向不特定对象发行可转换公司债券，收到募集资金所致。
基本每股收益、稀释每股收益同比减少40.18%，扣除非经常性损益后的基本每股收益同比减少52.43%，主要系归属于公司所有者的净利润减少。
七、境内外会计准则下会计数据差异
(一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
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(三)境内外会计准则差异的说明：
□适用√不适用
八、2022年分季度主要财务数据
单位：元币种：人民币
第一季度第二季度第三季度第四季度
（1-3月份）（4-6月份）（7-9月份）（10-12月份）营业收入172478617.64192791144.80156578199.34154109793.08归属于上市公司股
20034888.6733448224.6710673009.3822224233.90
东的净利润归属于上市公司股
东的扣除非经常性16645664.2126834043.844138352.0315821534.30损益后的净利润经营活动产生的现
27410701.8541649492.947942730.8629240444.95
金流量净额季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用√不适用
九、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位:元币种:人民币
附注（如非经常性损益项目2022年金额2021年金额2020年金额
适用）
非流动资产处置损益74435.45-2416990.90-112400.83
越权审批，或无正式批准文件，
8534773.64
或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准8759331.855018149.622879541.40定额或定量持续享受的政府补助除外计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益非货币性资产交换损益委托他人投资或管理资产的损
155380.23995971.821557819.04
益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益同一控制下企业合并产生的子
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公司期初至合并日的当期净损益与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益除同公司正常经营业务相关的
有效套期保值业务外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交
易性金融负债、衍生金融负债产
生的公允价值变动损益，以及处18312122.779248305.651403930.52置交易性金融资产、衍生金融资
产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回对外委托贷款取得的损益采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响受托经营取得的托管费收入除上述各项之外的其他营业外
-506965.95708149.83387499.57收入和支出系2022
年第四季其他符合非经常性损益定义的度高新技
损益项目174345.00术企业固定资产加计扣除
减：所得税影响额4027887.112028343.292237544.93少数股东权益影响额（税后）
合计22940762.2411525242.7312413618.41
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非
经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。
□适用√不适用
十、采用公允价值计量的项目
√适用□不适用
单位：元币种：人民币对当期利润的影响项目名称期初余额期末余额当期变动金额
交易性金融资产361359138.36769716240.28408357101.9218312122.77
应收款项融资5856872.3012304628.076447755.77-
其他权益工具投资10000000.0025390700.0015390700.00-
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合计377216010.66807411568.35430195557.6918312122.77
十一、非企业会计准则业绩指标说明
□适用√不适用
十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用√不适用
第三节管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
2022年，受地缘政治危机、全球通货膨胀、行业周期变动等复杂因素影响，公司部分客户对
计算机及周边产品、网络通信等消费类产品的需求明显下降。面对复杂的外部市场环境，公司围绕核心战略，采取积极的应对措施，不断强化晶圆制造能力和技术创新能力，持续优化产品结构，提升车规级产品产能，扩大车规级产品的市场占有率。2022年车规产品、MOS 产品取得较大幅度的增长，为公司继续优化产品结构、增强发展后劲打下坚实基础。
（一）经营情况
报告期内，经营业绩有所下降，实现营业收入675957754.86元，同比减少18.79%；实现归属于母公司所有者的净利润86380356.62元，同比减少38.68%。
报告期末，公司总体财务状况良好，期末总资产1903586112.42元，较报告期初增加36.91%；
期末归属于母公司的所有者权益1283571849.27元，较报告期初增加19.45%。
（二）项目情况
报告期内，公司顺利落实 IPO 募投项目建设，优化“半导体分立器件产业提升项目”的细节落地，为后期公司主营业务增长与方向选择提供支撑。2022年6月，项目相关基建完成竣工验收，转入内部装修工作，截至报告期末已近尾声。
同时，公司积极推进可转债发行及“车规级半导体器件产业化项目”启动实施，把握汽车电动化、智能化的发展机遇，提升车规级半导体分立器件产能，加快在汽车电子应用领域的布局，促进公司产品结构的调整，进一步强化公司 IDM模式下的经营能力。目前，芯片设计、试流等工作均稳步开展，部分优势封装已得到客户的认可。
（三）研发情况
报告期内，公司专注核心技术积累与新产品开发，坚持保障研发投入，全年累计投入4720.84万元，占营业收入比例为 6.98%，新增申请专利 60项，其中发明专利 12项，PCT全球专利 1项。
公司扎实推进多个研发项目，取得从芯片设计（低压 TVS、外延 FRD、高压专用规格）到新封装开发（TOLL、CSP、高密度跳线大片结构）、从质量等级提升（车规抛负载、大电流冲击）到复合器件（IPM、功率模块）、从传统半导体器件到第三代功率器件（IGBT、SiC）等的成果实现。不断提升公司技术创新能力，强化科创属性。
（四）管理情况
报告期内，公司积极落实组织架构优化，推进队伍建设、制度建设。管理层方面，公司顺利完成董监高换届选举，并对中层管理队伍适当调整，为基础功底扎实、专业经验丰富年轻管理人员提供更大平台、更多机会；部门结构方面，公司成立生产计划部，强化生产要素调度、提高生产效率，为后续项目、产品的规划及核算提供支撑保障，同时加强芯片及部分门类产品制造的集中管理，提升工艺、质量管控能力；内部制度方面，公司完善绩效考核制度、编制轮岗制度，完善了绩效考核制度，为高层次、高素质人员引进提供保障。
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
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公司是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业，致力于成为半导体分立器件细分领域的专业供应商及电子器件封测行业的优质制造商。公司以客户应用需求为导向，以封装测试专业技术为基础，积极拓展芯片设计技术、芯片制造技术、半导体器件的封测技术，逐步具备 IDM模式下的一体化经营能力，可以为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案，满足客户一站式采购的需求。
2、主要产品或服务情况
公司主营各类小信号器件（小信号二极管、小信号三极管、小信号 MOSFET）、功率器件（功率二极管、功率三极管、功率 MOSFET、桥式整流器），同时还生产车用 LED灯珠、光电耦合器等光电器件和少量三端稳压电路、线性恒流 IC等其他电子器件。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域，并可以为客户进行封测定制加工。
(二)主要经营模式
公司坚持以客户需求为导向，依托技术研发和品质管控能力，积极实施包括多门类系列化器件设计、部分品种芯片制造、多工艺平台封测生产以及销售服务的一体化整合（IDM），采用规模生产与柔性定制相结合的生产组织方式，以自主品牌产品直销为主满足客户的需求，从而实现盈利。
1、采购模式
公司采用“集中管理、分散采购”的模式，将供应链管理的规范性和适应产销需求的采购快捷灵活性有效地结合起来，并通过计划订单拉动和安全库存管控相结合的方式，达到兼顾快速交付订单和有效管控存货风险的要求。
2、生产模式
公司采用“以销定产，柔性组织”的生产模式。公司依据专业工艺构建产品事业部组织生产，以实现产能的规模效应和专业化管理。同时，公司以市场为导向，努力构造并不断优化适应客户需求的多品种、多批次、定制化、快捷交付的柔性化生产组织模式。
3、营销模式
公司依托自主品牌和长期积累的客户资源，采用直销为主、经销为辅的营销模式，并利用丰富的产品种类和专业化的支持，为客户提供一站式采购服务。公司建有较强的营销团队和集客户要求识别、产品设计、应用服务、失效分析等为一体的技术服务团队，依托丰富的产品种类和专业化的技术支持，为客户提供一站式采购服务。
4、研发模式
公司采用“自主研发、持续改善”的研发模式，并持续推动产学研合作不断深入。公司技术研发中心统一组织管理新产品研发以及技术储备研发活动，涵盖需求识别、产品设计、新材料导入、芯片设计制造、器件封测、模拟试验和验证、应用服务等各个技术环节，构建相互支撑、持续改善的系统性创新体系。
公司的主要经营模式在报告期内未发生重大变化，未来还将继续保持。公司将以技术创新为基础，积极整合各类资源，充分满足下游产业和客户对产品的需求，促进公司业务的持续健康发展。
(三)所处行业情况
1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）行业的发展阶段
公司主要从事半导体分立器件的研发、生产和销售，属于新一代信息技术领域的半导体行业。
半导体行业位于电子行业的中游，是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业。半导体产品按结构和功能可进一步细分为分立器件和集成电路，分立器件与集成电路共同构成半导体产业两大分支。近年来，分立器件占全球半导体市场规模的比例基本稳定维持在18%-20%之间。
与海外半导体产业进入成熟阶段不同，我国半导体处在奋起追赶的发展黄金窗口期，产业发展任重道远。近年来，我国分立器件企业紧跟国际先进技术发展，通过持续的技术创新不断推动
12/2152022年年度报告
产品升级，在技术研发和先进装备方面进行了大量的投资，并积极向中高端市场渗透，与国际厂商展开竞争，已经在消费电子等细分应用领域取得了一定的竞争优势。随着我国分立器件企业产品技术的不断提升，国内的终端应用客户也更加趋向于实施国产化采购，给国内半导体分立器件企业带来更多的发展机遇。
（2）行业的基本特点
半导体行业需要持续的高投入，具有资金密集、技术密集的特点，导致明显的头部集中格局。
以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额，2022年功率分立器件前十大公司中，只有安世半导体一家为中国公司，市场集中度较高。
半导体行业是研发最密集的行业，国际领先企业掌握着中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度高于国内企业，全球排名前三的半导体分立器件企业英飞凌、安森美及意法半导体2022年度研发费用分别占到营业收入的12.65%、7.21%及11.79%，高于国内同行业可比公司，在全球竞争中保持优势地位。
半导体行业下游需求领域广泛，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。我国已经成为全球制造业第一大国和全球最大电子产品消费市场，根据2021年度集成电路产业发展研究报告的数据显示，2021年中国半导体产业销售额同比增长17.1%，中国半导体产业销售收入占全球半导体市场38.8%。
根据中国半导体行业协会的数据显示，2012年至2021年我国半导体分立器件产业销售收入由1390亿元增长至3379.1亿元，年均复合增长率为10.37%，保持较高的增长速度。
半导体分立器件技术研发的重点是提高效率、增加性能和减少体积，不断发展新的器件理论和结构，促进各种新型分立器件的发明和应用。未来技术发展将会呈现以下几个特点：
*新型功率半导体分立器件将不断出现，替代原有市场应用的同时，还将开拓出新的应用领域。如美国 Gree公司研发出用于移动 WiMAX用途的新的高功率 Ga NRF功率晶体管，在 40v、3.3GHz下峰值脉冲输出功率达到创记录的 400W。从理论上讲，MOS控制的晶闸管（MCT）能实现更大的功率输出，但面临着包括原理和实现工艺等诸多方面的巨大挑战。
*新材料、新技术不断得到发展和应用。为了使现有功率半导体分立器件能适应市场需求的快速变化，需要启用新技术，不断改进材料性能或研发新的应用材料，继续优化完善结构设计、制造工艺和封装技术等，提高器件的性能，如第三代半导体材料 SiC、GaN等的应用。类金刚石碳
（Diamond Like Carbon DLC）具有优异的电、力学和热性能，DLC 作为一种性能优异的半绝缘
钝化材料，对 IGBT和 FRD等高压器件的 HV-H3TRB（高压、高温和高温反向偏置）性能也有显著改善作用。
*体积小型化、组装模块化、功能系统化趋势明显。电子信息产品的小型化、甚至微型化，必然要求其各部分零部件尽可能小型化、微型化、多功能。为适应整机装备效率和提高整机性能的可靠性、稳定性的需求，半导体分立器件将会趋向模块化、集成化。
（3）行业的主要技术门槛
半导体分立器件的研发及生产过程涉及半导体物理、微电子、材料学、机械工程、电子信息
等众多学科，需要综合掌握和应用器件设计、芯片制造、封装测试、应用试验等专业技术，属于技术密集型行业。随着下游应用场景不断更新和拓展，电子产品的升级频率更加快速，对半导体分立器件产品的性能参数、可靠性、稳定性等都有持续提升的要求，下游应用对供应商快速满足其新需求的配套设计能力和技术服务支持能力的需求也越来越高。因此，本行业对新进入者具有较高的技术壁垒。
2.公司所处的行业地位分析及其变化情况
从全球市场来看，半导体分立器件市场集中度较高，且由于国外企业的技术领先优势，几乎垄断了汽车电子、工业控制、医疗设备等利润率较高的应用领域。因此，总体而言，国内半导体分立器件企业与国际领先企业在规模及技术上都存在一定差距。
我国半导体分立器件市场呈现金字塔格局，第一梯队为国际大型半导体公司，凭借先进技术占据优势地位；第二梯队为国内少数具备 IDM经营能力的领先企业，通过长期技术积累形成了一定的自主创新能力，在部分优势领域逐步实现进口替代；第三梯队是从事特定环节生产制造的企业，如某种芯片设计制造、或几种规格封装测试。
13/2152022年年度报告
依托电子信息产业的快速发展，半导体分立器件市场一直保持着较好的发展势头。近年来，随着全球电子产品技术的升级换代，催生了新产品和新应用的不断涌现，尤其是电动汽车、5G应用等带来的衍生机会，进一步带动了分立器件应用领域的快速拓展。
公司通过长期的行业深耕，在多门类系列化器件设计、部分品种芯片制造、多工艺封装测试等环节均掌握了一系列核心技术，具备较强的根据客户需求进行产品定制，并采用多工艺制造平台提供生产来满足客户需求的能力，在国内属于具备一定技术优势的半导体分立器件商。公司是国内半导体分立器件领域首家加入国际汽车电子技术委员会的企业，在车规级器件及汽车市场具有一定的先发优势。
小信号器件一直是公司的核心优势产品，布局较早、具备先发优势，是该领域的知名品牌。
近年来随着公司在车规级功率器件方面的大力投入和发展，取得了较好的成长，目前已经在车载领域具有一定的市场影响力，尤其在中大功率 MOSFET 方面已属于国内半导体分立器件行业中规模较大的领先企业，车载领域的销售占比增幅明显。
客户认证是半导体分立器件行业的核心门槛之一，公司在计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域得到了诸多知名龙头客户的长期认可，并随着公司技术水平的不断提升，产品逐步进入工业控制、安防设备、汽车电子、医疗器械等应用领域，具备较强的客户认证优势。
3.报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
公司所处细分行业为半导体分立器件行业，硅材料平台目前仍然是主流的半导体分立器件工艺平台，并将在未来相当一段时间内占据主要市场，但新的半导体材料，如 SiC、GaN工艺平台正在逐步走向成熟。半导体分立器件的封测沿着尺寸更小、功率密度更高的方向发展，芯片逐步向高性能、高可靠性方向发展。车规级产品也是一个重要的发展方向。
在封测方面，目前业内从第一代产品到第五代产品均在量产过程中。在功率 MOSFET产品领域，Clip结构和 Wire Bonding 结构并存，其中 Clip 结构是创新发展方向。公司已实现 Clip结构的量产，包括 PDFN5×6，PDFN8×8，TOLL、DO-218等封装，且已实现车规级产品的量产。同时，在微型封装中，公司也成功开发出 Clip结构的 SOD-323HE封装，显著提升了器件的功率密度。
在芯片方面，公司从工艺和结构两个方面着手，积极推进技术研发活动，以满足持续提升产品性能和可靠性的需求。在功率二极管芯片方面，持续研发二极管芯片钝化结构和工艺提升，进一步改善反向特性和温度特性。在 MOSFET芯片方面，基于 SGT、Trench、深沟槽、多层外延、复合结构等技术平台，优化电荷平衡、优化栅极结构，进一步提升导通电阻、栅极电荷、低静态与动态损耗等性能。
半导体分立器件产业链主要包含器件的芯片设计、芯片制造、封装测试三大工艺环节，根据所涉及经营环节的不同，经营模式分为纵向一体化（IDM）以及垂直分工两种。由于分立器件在投资规模方面采用 IDM模式具备经济效益上的可行性，同时分立器件的产品设计和生产工艺都会对产品性能产生较大的影响，对器件设计与制造工艺的整合能力要求较高，因此业内领先企业一般都沿着逐步完善 IDM环节的模式发展。公司以封装测试专业技术为基础，逐步拓展部分功率二极管芯片的设计和制造能力，MOSFET芯片的设计能力，已经初步具备了 IDM模式下的一体化经营能力。
近年来，分立器件产品的国产化趋势日益明显，半导体的进口替代被提升到国家战略层面。
一方面国内厂商具备一定的效率和成本优势，并随着近年来国内半导体产业的发展，领先企业的产品结构不断升级，已经逐步具备了参与到中、高端市场竞争的能力。另一方面，为保证供应链的稳定性，之前主要依赖进口分立器件的诸多国内知名客户也纷纷转向寻找国内供应商。全球数字化转型，云服务、服务器、笔记本电脑、游戏和健康医疗的需求不断上升，5G、物联网、汽车、人工智能和机器学习等技术的快速发展，也一起推动了市场对半导体产品的需求。因此，借助于国家产业基金、金融和税收政策的支持，国内领先企业将成为进口替代和参与国际市场竞争的主力军，面向新兴电子产品的分立器件产品和工业级、车规级产品是重要发展方向。
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(四)核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
半导体分立器件制造过程的标准化程度高，技术一般与特定的工艺环节相结合，一旦解决某个工艺节点的特定问题，则该技术可以广泛应用于采用该种工艺的多个系列的产品。公司掌握了行业主流的半导体分立器件封装测试通用技术，并对组装、成型、测试过程进行工艺优化，实现精确控制，同时，在半导体分立器件芯片领域，逐步掌握了功率二极管部分品类芯片的设计和制造技术，具体如下：
（1）半导体分立器件封装测试通用技术使用该项核心技术的核心技术技术描述及特点主要产品
框架设计多排化使每条框架产品数增加，同时提高高密度阵列小信号二极管、光电
单位面积内的产品数，提高生产效率及降低材料消式框架设计耦合器、功率二极管、耗。以 SOT-23为例，使用该技术使每平方厘米产品技术桥式整流器
数从4.75颗提高至5.71颗，密度提高20%。
将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序，在芯片预焊技
提升焊接工序效率，减少芯片沾污方面有明显效果，桥式整流器术
焊接气孔由5%减少到3%以下。
在线式真空 以自动化流水线方式运行，预热及降温在移动过程 功率二极管、TVS、功烧结技术 中完成，真空烧结在固定工位进行，出入口采用自 率 MOSFET等动搬运结构。焊点机械强度大幅提高，焊点空洞率低至1%以下。
是多芯片堆叠封装的重要支撑技术，可以满足同种绝缘膜装片
或不同芯片堆叠的需求，使芯片底部与基岛连接处小信号二极管技术
不会有溢胶，并达到精准的装片效果。
在通用技术的基础上通过焊线工艺参数的特别控制
超低弧度焊及焊线方法的改进，使小信号器件封装焊线线弧高小信号二极管、小信线技术 度最低可以控制至 40um以下，从而实现产品超薄型 号三极管组 化，如 DFN0603厚度达到 0.25mm 以下。
装 点胶量 CPK 通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控
功率二极管、桥式整
技自动测量控制，提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量都流器术制技术在受控范围。
是通过特殊的点胶针头在点胶范围内均匀行走，达功率芯片画到胶量更均匀位置更可控，从而达到焊锡均匀、焊功率二极管
锡焊接技术接气孔减少的目的，可提升功率器件的性能和可靠性。
通过硅胶色膏配比调整硅胶透光率、控制点胶高度
光耦 CTR控 和控制芯片对照角度来进行精密调整控制技术来实光电耦合器
制技术 现目标 CTR参数的调整，调整后的 CTR一次对档率高。
通过使用新型焊片、芯片自动填装、低应力封装料低应力焊接
及后固化特殊处理工艺等措施及技术，降低封装应功率二极管封装技术力，提高产品的抗热应力能力和可靠性。
通过聚酰亚胺胶替代硅橡胶、引线结构优化排出胶
高温反向漏体气泡，结合二次上胶降低聚酰亚胺胶体缺陷等技功率二极管
电控制技术 术，提高 OJ芯片产品的高温性能，使产品在高温下反向漏电更小。。
跳线焊接技在框架焊接工艺中采用跳线完成芯片上表面的电极功率二极管、桥式整
术与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降低产品流器
15/2152022年年度报告潜在失效风险。
采用多注射头封装模具，多料筒、多注射头封装形MGP模封装 小信号二极管、功率式，优势在于可均衡流道，实现近距离填充，树脂技术二极管
利用率高，封装工艺稳定。
小信号二极管、小信
变速注塑技使用注塑速度由快变慢再变更慢的控制技术，有效号三极管、功率二极成术解决塑封过程对焊线冲弯问题及塑封体气孔问题。
管型
DFN封装低 采用优化的塑封模具设计、优选的包封材料，自主 二极管、三极管、技
应力成型技 开发的包封、后固化及成型工艺技术，降低成型应 MOSFETS、ESD保护二术术力，提高产品可靠性和安装性能。极管、稳压电路将发光芯片（IR）及接收芯片（PT）进行集成复合
光电产品复封装时，通过利用白色胶体透光率和芯片对照角度光电耦合器
合封装技术的控制，实现光、电及光电传输参数的控制，并实现输入与输出端绝缘隔离效果。
基于产品特针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制定小信号二极管、小信
性数据分析 测试方案，并用 PAT方法筛选出产品性能离散及有号三极管、功率二极的测试技术潜在失效模式的产品。
管、功率三极管、桥针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影
基于 FMEA的 式整流器、光电耦合响，通过分析量化，制定测试方案，筛选出生产过测试技术器程中的潜在异常品及有潜在失效模式的产品。
测全参数模拟通过器件电、热、环境、力全方位测试验证，器件广泛使用于公司能生试寿命试验验芯片设计仿真能力，基础数据的长期大量积累，为产的封装外形及相应技证技术器件研发设计的验证、生产制造质量保障、市场服的产品类别术务保障。
基于潜在失通过对产品制造过程中实时在线数据的收集，包括主要应用于以汽车行效风险的过环境、工艺参数、过程监测数据、100%测试的剔除业为代表的对市场失
程管控技术品的类型分布、解剖分析等，对该生产批次产品及效率要求极高的行业前后批次产品进行失效风险评估，并按风险等级采的产品取相应的措施，以实现汽车应用市场失效率低于
500PPB（千万分之五）的目标。
（2）功率二极管芯片制造技术使用该项核心技术的核心技术技术描述及特点主要产品
特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台平面结构芯片面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以无环高耐压终采用标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、功率二极管端技术 CVD等）制备技术，达到实现更大晶圆生产、提升产品稳定性、可靠性等目的。
采用多层（至少 3层）CVD 钝化膜技术，形成芯平面片表面所需的综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚芯片
酰亚胺钝化，平面玻璃电泳等保护技术，可以使制造
平面芯片具备 5um~20um的钝化介质层。多层 CVD技术平面结构芯片
钝化膜起到固定可动电荷、稳定耐压，隔离水汽表面多层钝化功率二极管渗透，绝缘电介质等功能，从而形成芯片表面所技术
需的综合钝化保护膜，相应产品性能稳定性优异。
聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中遇到的可靠性问题，提高器件极限条件下的稳定性、可靠性。
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平面结构功率特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免稳压二极管、了传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问功率二极管
TVS芯片设计 题，可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达及制备技术到提升产品一致性、稳定性、可靠性的目的。
平面结构高结通过芯片结构优化设计、主辅材料的优选，自主功率二极管温芯片制造技开发的芯片制造工艺，实现高达175℃以上的工术作结温能力。达到提升产品性能和可靠性的目的。
台面台面结构特种选择合适电阻率、厚度的单晶片，通过采用标准芯片 工艺功率 FRD 半导体工艺制备技术，达到设计的基区结构参数，功率二极管制造芯片设计及制实现二极管的正反向动态性能。可以针对不同应技术备技术用要求提供针对性优化产品系列。
上述技术来源均为公司自主研发，并独立享有相关知识产权成果。
公司半导体分立器件封装测试通用技术一般可用于多种封装，并最终应用于多种主营产品，功率二极管芯片制造技术主要用于生产稳压、整流、TVS、FRD等功率二极管芯片，最终应用于功率二极管产品。此外，公司全参数模拟寿命试验验证技术是基于大量经验数据对自主设计、生产产品进行针对性测试的技术，广泛应用于公司各类主营产品。公司多项核心技术成熟度高，可应用于车规级产品生产，为公司车规级产品线的拓展提供了技术保障。
国家科学技术奖项获奖情况
□适用√不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用√不适用
2.报告期内获得的研发成果
报告期内，公司继续加大技术研发的力度，通过加强研发团队建设、加强对外合作，充分利用公司研发资源，提升公司的自主创新能力和研发水平，巩固和保持公司产品和技术的领先地位，取得了一定的成效。报告期内，公司主要取得的研发成果如下：
（1）公司成功完成工业级和消费级可见光传感器产品的量产，成功进入感光测试设备和智能家电领域。
（2）公司完成了对第三代半导体晶圆切割、高温无铅焊接工艺的技术开发，并应用于新一代
TO-247、窄引脚 TO-220封装、贴片型 SMX封装产品。
（3）实现了高密度 SOD-723、SOT-523等产品的稳定量产，成功开发了贴片型功率器件封装
TOLL，完成了 Clip结构 SOD-323HE封装开发，将公司微型器件高密度化提升到新的水平，显著提升了微型器件的功率密度，扩展了功率器件的产品规格。
（4）RFID完成了系统架构设计，完成基本云平台工作分配；完成了芯片版图设计，即将进行晶圆试流片。
（5）IPM已完成产品开发，首款产品已量产，并扩展到 IPM封装测试代工业务。
（6）低成本消费级 SMA封装产品已成功量产。
（7）CSP封装技术完成总体技术路径验证，达成技术开发目标，研发成功了量产所需开发的技术成果。申请发明专利二项和 PCT专利一项。
（8）抛负载保护器件芯片、1000V/1200V/1600V 高压整流二极管芯片、外延台面 FR芯片开发完成，性能符合预期，达到量产指标。
报告期内，公司投入研发费用4720.84万元，研发投入总额占营业收入的比例为6.98%；公司申报国家专利60项，获得专利授权44项。截止报告期末，公司累计拥有有效专利219项，其中发明专利25项。
报告期内获得的知识产权列表本年新增累计数量
申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）发明专利1215025
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实用新型专利4843300194外观设计专利0000软件著作权0000其他0000合计6044350219
注：
（1）“本年新增”中的“获得数”为报告期末新获得的专利数；
（2）“累计数量”中的“获得数”为扣除失效专利后的有效专利数。
3.研发投入情况表
单位：元
本年度上年度变化幅度（%）
费用化研发投入47208435.0547515201.84-0.65
资本化研发投入---
研发投入合计47208435.0547515201.84-0.65
研发投入总额占营业收入比例（%）6.985.71增加1.27个百分点
研发投入资本化的比重（%）---研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用√不适用研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用√不适用
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4.在研项目情况
√适用□不适用
单位：元序预计总投本期投入累计投入技术项目名称进展或阶段性成果拟达到目标具体应用前景号资规模金额金额水平
建立有特色的 CSP工艺平台，开 主要应用于手机等通CSP 封 装 已完成全流程验证。达到技发0603和0402两种封装规格的国内讯设备、可穿戴设备、
1 ESD 保护器 370.00 224.44 369.75 术开发目标，量产所需开发
ESD 保护器件，封装厚度小于 领先 智能化终端等高密度件开发的技术都已形成技术成果。
0.25mm和 0.2mm 组装场合
工业级可见光传感器和民
可见光传感用级可见光传感器也已开设计开发可见光传感器，建立封国内主要用于安防、智能穿
2145.0052.42157.00
器的开发发完成，已转入正式批量生测技术平台，形成系列化产品领先戴、智能家居等领域产。
产品及工艺开发已完成，项
第三代半导建立第三代半导体器件封装工应用于电力及能源，车
目目标已达成，产品已实现国内
3体功率器件930.00366.901008.98艺平台，根据市场需求产品逐步载电源、白色家电、开了量产，规格型号持续系列先进封装研究系列化关电源等领域化中。
广泛应用于家电、电
新型微型器项目已完成，转入正式批量国内
4530.00112.65482.95推进微型封装技术的应用研究源、智能电表、照明、件开发生产。先进通信、汽车电子等行业
安全模块（芯片）通过国际标准
RFID完成了系统架构设计，NIST 测试等，申请专利 2 项以完成基本云平台工作分配；
上，其中发明 1项。功率模块产 RFID 芯片用于 ID 识完成了版图设计，即将进行品：别、智能仓储、无人零
智能芯片和 晶圆试流片；IPM 已完成开
1、已完成产品样件开发国内售等；功率模块用于变
5功率模块研2453.002120.582248.99发验证，首款产品已供货，
2、产品耐压 630V以上 领先 频电机驱动，主要应用
发 并对外提供 IPM封测服务；
3、绝缘耐压：2000V AC 1分钟 于变频空调、洗衣机、大功率 IGBT 产品已完成开
以上冰箱、汽车电子等发验证，首款 1200V 40A产
4、产品静电等级：
品已实现量产。
HBM>2000VMM>200V
6高密度功率470.00312.41484.29目前已进入批量验证阶段，在达到同类封装产品性能的前国内应用于各类小型电器
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二极管封装为正式量产进行前期准备。提下凸显成本优势先进充电器、通讯产品、家开发用电器等多种行业
1、实际瞬态功率吸收能力大于
车规级抛负芯片已完成初版验证，改版应用于燃油及新能源
8000W 国内
7载保护器件960.00943.28943.28进行中；封装已完成样件制汽车抛负载保护或大
2、满足 AEC-Q101标准要求 领先开发作，性能验证中。浪涌电压保护
3、满足 ISO7637-2标准要求
1、功率 1~3W，光通量≥300lm
倒装封装技
2、开发并实现共晶、芯片贴膜、术开发及不已完成产品设计和验证。正国内应用于新一代车灯照
8210.00184.61184.61围坝胶、划片切割技术
可见光收发在进行过程设计和验证。领先明系统。
3、白光、白转黄产品系列化
器件开发
4、产品符合 AEC-Q102标准要求
已完成平面及台面芯片的
1、产品反向耐压 VB＞
初版验证，改版进行中；封应用于工业高频整流工业级整流 1000V/1200V/1600V等三种规格 国内
9380.00403.56403.56装已完成结构更新设计，正领域，如大功率开关电
器开发 2、产品正向电压 VF