银河微电:中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微电子股份有限公司2022年度持续督导跟踪报告

中信建投证券股份有限公司
关于常州银河世纪微电子股份有限公司
2022年度持续督导年度报告书
保荐机构名称：中信建投证券股份被保荐公司名称：常州银河世纪微电子股
有限公司份有限公司
联系方式：021-68801584
保荐代表人姓名：宣言联系地址：上海市浦东南路528号上海证券大厦北塔2203室
联系方式：021-68801574
保荐代表人姓名：王家海联系地址：上海市浦东南路528号上海证券大厦北塔2203室
经中国证券监督管理委员会（简称“中国证监会”）于2020年12月23日出
具《关于同意常州银河世纪微电子股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可〔2020〕3566号）同意注册，常州银河世纪微电子股份有限公司（以下简称“银河微电”、“公司”）首次向社会公开发行人民币普通股（A股）3210万股，每股面值1.00元，每股发行价格14.01元，募集资金总额449721000.00元，扣除总发行费用（不含增值税）63604175.47元后募集资金净额为
386116824.53元。
经中国证券监督管理委员会于2022年6月11日下发的证监许可[2022]1180号文“关于同意常州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券注册的批复”同意注册，公司向不特定对象发行可转换公司债券应募集资金人民币500000000.00元，扣除承销及保荐费用人民币6603773.58元（不含税），实际收到可转换公司债券认购资金人民币493396226.42元，其中，律师、审计及验资、资信评级、信息披露及发行手续费等其他发行费用不含税金额合计
1994339.63元，实际募集资金净额为人民币491401886.79元。
中信建投证券股份有限公司（简称“中信建投证券”、“保荐机构”）担任首次公开发行股票和向不特定对象发行可转换公司债券的保荐机构。根据《证券发行上市保荐业务管理办法》，由中信建投证券完成持续督导工作。根据《证券发行上市保荐业务管理办法》和《上海证券交易所上市公司自律监管指引第11号——持续督导》，中信建投证券出具本持续督导年度报告书。
一、持续督导工作情况序号工作内容持续督导情况
建立健全并有效执行持续督导工作制度，本保荐机构已建立健全并有效执行了
1并针对具体的持续督导工作制定相应的工持续督导工作制度，并制定了相应的工作计划。作计划。
根据中国证监会相关规定，在持续督导工本保荐机构于2020年3月及2021年12
2作开始前，与上市公司或相关当事人签署月与银河微电签订《保荐协议》，协议
持续督导协议，明确双方在持续督导期间明确了双方在持续督导期间的权利和的权利义务，并报上海证券交易所备案。义务，并报上海证券交易所备案。
本保荐机构通过日常沟通、定期或不
通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽
3定期回访、现场检查等方式，了解银
职调查等方式开展持续督导工作。河微电经营及规范运作等情况，对银河微电开展持续督导工作。
持续督导期间，按照有关规定对上市公司银河微电在2022年1月1日至2022年124违法违规事项公开发表声明的，应于披露月31日期间（以下简称“本持续督导前向上海证券交易所报告，经上海证券交期间”）未发生按有关规定需保荐机构易所审核后在指定媒体上公告。公开发表声明的违法违规情况。
持续督导期间，上市公司或相关当事人出现违法违规、违背承诺等事项的，应自发本持续督导期间，银河微电及相关当
5现或应当发现之日起五个工作日内向上海事人未发生违法违规或违背承诺等事
证券交易所报告，报告内容包括上市公司项。
或相关当事人出现违法违规、违背承诺等
事项的具体情况，保荐机构采取的督导措本持续督导期间，银河微电及其董事、督导上市公司及其董事、监事、高级管理
监事、高级管理人员遵守法律、法规、
人员遵守法律、法规、部门规章和上海证
6部门规章和上海证券交易所发布的业
券交易所发布的业务规则及其他规范性文
务规则及其他规范性文件，并切实履件，并切实履行其所做出的各项承诺。
行其所做出的各项承诺。
督导上市公司建立健全并有效执行公司治
在本持续督导期间，银河微电依照相
7理制度，包括但不限于股东大会、董事会、关规定进一步健全公司治理制度，并
监事会议事规则以及董事、监事和高级管严格执行相关公司治理制度。
理人员的行为规范等。
督导上市公司建立健全并有效执行内控制度，包括但不限于财务管理制度、会计核本持续督导期间，银河微电的内控制
8算制度和内部审计制度，以及募集资金使度符合相关法规要求并得到了有效执
用、关联交易、对外担保、对外投资、衍行，能够保证公司的规范运行。
生品交易、对子公司的控制等重大经营决策的程序与规则等。序号工作内容持续督导情况督导公司建立健全并有效执行信息披露制度，审阅信息披露文件及其他相关文件并在本持续督导期间，银河微电严格执
9有充分理由确信上市公司向上海证券交易
行信息披露制度。
所提交的文件不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。
对上市公司的信息披露文件及向中国证监
会、上海证券交易所提交的其他文件进行
事前审阅，对存在问题的信息披露文件应及时督促上市公司予以更正或补充，上市在本持续督导期间，上市公司未发生公司不予更正或补充的，应及时向上海证信息披露文件及向中国证监会、上海
10券交易所报告。
证券交易所提交的其它文件存在问
对上市公司的信息披露文件未进行事前审题，而不予更正或补充的情况。
阅的，应在上市公司履行信息披露义务后五个交易日内，完成对有关文件的审阅工作对存在问题的信息披露文件应及时督促
上市公司更正或补充，上市公司不予更正关注上市公司或其控股股东、实际控制人、
董事、监事、高级管理人员受到中国证监
本持续督导期间，银河微电及其控股
11会行政处罚、上海证券交易所纪律处分或股东、实际控制人、董事、监事、高
者被上海证券交易所出具监管关注函的情级管理人员未发生该等事项。
况，并督促其完善内部控制制度，采取措施予以纠正。
持续关注上市公司及控股股东、实际控制
本持续督导期间，银河微电及其控股
12人等履行承诺的情况，上市公司及控股股股东、实际控制人等不存在未履行承
东、实际控制人等未履行承诺事项的，及诺的情况。
时向上海证券交易所报告。
关注公共传媒关于上市公司的报道，及时针对市场传闻进行核查。经核查后发现上市公司存在应披露未披露的重大事项或与本持续督导期间，银河微电不存在应
13披露的信息与事实不符的，应及时督促上披露未披露的重大事项或与披露的信
市公司如实披露或予以澄清；上市公司不息与事实不符的情况。
予披露或澄清的，应及时向上海证券交易所报告。序号工作内容持续督导情况发现以下情形之一的，保荐机构应督促上市公司做出说明并限期改正，同时向上海证券交易所报告：（一）上市公司涉嫌违反
《上市规则》等上海证券交易所相关业务规则；（二）证券服务机构及其签名人员出
具的专业意见可能存在虚假记载、误导性本持续督导期间，银河微电未发生相
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陈述或重大遗漏等违法违规情形或其他不关情况。
当情形；（三）上市公司出现《保荐办法》
第七十一条、第七十二条规定的情形；（四）上市公司不配合保荐机构持续督导工作；
（五）上海证券交易所或保荐机构认为需要报告的其他情形。
制定对上市公司的现场检查工作计划，明确现场检查工作要求，确保现场检查工作质量。上市公司出现以下情形之一的，应自知道或应当知道之日起十五日内或上海
证券交易所要求的期限内，对上市公司进行专项现场检查：（一）存在重大财务造假本保荐机构已制定了现场检查的相关
15嫌疑；（二）控股股东、实际控制人及其关工作计划，并明确了现场检查工作要
联人涉嫌资金占用；（三）可能存在重大违求。
规担保；（四）控股股东、实际控制人及其
关联人、董事、监事或者高级管理人员涉
嫌侵占上市公司利益；（五）资金往来或者
现金流存在重大异常；（六）上海证券交易所要求的其他情形。
本持续督导期间，银河微电不存在未
16持续关注上市公司的承诺履行情况。履行承诺的情况，本保荐机构将持续
关注上市公司的承诺履行情况。
二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况
在本持续督导期间，保荐机构和保荐代表人未发现银河微电存在重大问题。
三、重大风险事项
在本持续督导期间，公司主要的风险事项如下：
（一）核心竞争力风险
1、新产品开发风险半导体产业的下游是各类电子电器产品，随着终端产品在例如轻薄化、高功
率密度等方面要求的不断提高，以及汽车电子、工业控制等新的应用场景不断涌现，客户对公司不断优化现有产品性能并根据其提出的要求进行新产品开发的能力要求较高。
在产品优化及开发过程中，公司需要根据客户要求进行器件整体设计，包括芯片的性能指标、结构，所采用的封装规格，芯片与封装的结合工艺以及成品检测方法等，对公司技术能力要求较高，同时还需保证产品具有较好的成本效益。
如公司无法持续满足客户对新产品开发的要求，将造成公司业绩增长放缓，对盈利能力造成负面影响。
2、技术研发不及预期风险
公司依靠核心技术开展生产经营，只有不断推进新的芯片结构和生产工艺、封装规格、测试技术等方面的储备技术的研发，才能为公司在进行产品设计时提供更大的技术空间和多工艺平台的可能性，以便更好的满足客户需求。
公司主要依靠自主研发形成核心技术，但由于分立器件是多种学科技术的复合产品，技术复杂程度高，新技术从研发至产业化的过程具有费用投入大、研发周期长、结果不确定性高等特点。另外，由于基础技术的研发课题、研发方向具备一定的前瞻性、先导性，研发成果存在着一定的市场化效果不及预期，或被国外已有技术替代的风险。因此，如果公司的研发活动未取得预期结果，或者研发结果产业化进程不及预期，将使公司大额研发投入无法实现成果转化，影响公司经营业绩。
3、核心技术人员流失及技术泄密风险
半导体分立器件行业是技术密集型行业，公司的产品性能、创新能力、新产品开发均依赖于稳定的技术团队以及自主创新能力，如果公司核心技术人员流失或发生核心技术泄密的情况，就很有可能会削弱公司的市场竞争能力，影响公司在行业内的竞争地位。
（二）经营风险
1、募投项目产能消化的风险公司于2021年1月进行首次公开发行，于2022年7月向不特定对象发行可
转换公司债券，其中可转换公司债券的募投项目为车规级产品，目标为乘用车市场。根据公开信息，2023年1月-2月，乘用车市场出现了不同程度的销量下滑，涉及新能源汽车与传统燃油汽车。如未来乘用车市场景气度不佳的趋势延续，公司募投项目的产能消化将随之受到影响，进而影响到公司的盈利能力。
2、原材料价格波动风险
报告期内，公司材料成本占成本的比例超过60%，对公司毛利率的影响较大。
公司所需的主要原材料价格与硅、铜、石油等大宗商品价格关系密切，受到市场供求关系、国家宏观调控、国际地缘政治等诸多因素的影响。如果上述原材料价格出现大幅波动，将直接导致公司产品成本出现波动，进而影响公司的盈利能力。
3、寄存销售模式下的存货管理风险
报告期内，公司针对部分客户的订单排程需求，先将产成品发送至客户端寄存仓库，待客户实际领用并与公司对账确认后确认收入，在确认收入前，作为公司的发出商品核算。由于该部分存货脱离公司直接管理，尽管公司与客户建立了健全的风险防范机制，但在极端情况下依然存在存货毁损、灭失的风险。
4、芯片外购比例较高风险
芯片属于分立器件的核心部件，虽然公司掌握半导体二极管等芯片设计的基本原理，具备对分立器件芯片性能识别以及自制部分功率二极管芯片的能力，但不具备制造生产经营所需全部芯片的能力。公司生产经营模式以封测技术为基础，外购芯片占公司芯片需求的比例较高，如果部分芯片由于各种外部原因无法采购，将对公司生产经营产生重大不利影响。
5、环保风险
公司生产过程中会产生废水、废气、废渣等污染性排放物，如果处理不当会污染环境，产生不良后果。公司已严格按照有关环保法规及相应标准对上述污染性排放物进行了有效治理，使“三废”的排放达到了环保规定的标准，各项目也通过了有关部门的环评审批，但随着国家和社会对环境保护的日益重视，相关部门可能颁布和采用更高的环保标准，将进一步加大公司在环保方面的投入，增加公司的经营成本，从而影响公司的经营业绩。
6、固定资产折旧的风险
固定资产折旧的风险随着扩建项目的陆续投产使用，将新增较大量的固定资产，使得新增折旧及摊销费用较大。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平，则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。
（三）财务风险
1、存货减值风险
报告期末，公司存货账面价值为15809.68万元，占公司总资产比例为8.31%。
报告期内，针对存货中在产品和产成品余额较高的状况，公司通过完善存货管理制度促使存货在资产总额中所占比例基本保持合理水平，但如果市场形势发生重大变化，公司未能及时加强生产计划管理和库存管理，可能出现存货减值风险。
2、汇率波动风险
报告期内，公司出口销售收入占主营业务收入比例超过25%。公司境外销售货款主要以美元结算，汇率的波动给公司业绩带来了一定的不确定性。近年来我国央行不断推进汇率的市场化进程、增强汇率弹性，汇率的波动将影响公司以美元标价外销产品的价格水平及汇兑损益，进而影响公司经营业绩。
（四）行业风险
1、与国际领先企业存在技术差距的风险
目前公司在部分高端市场的研发实力、工艺积累、产品设计与制造能力及品
牌知名度等各方面与英飞凌、安森美、罗姆、德州仪器等厂商相比存在技术差距。
未来如果公司不能及时准确地把握市场需求和技术发展趋势，无法持续研发出具有商业价值、符合下游市场需求的新产品，缩小与同行业国际领先水平的技术差距，则无法拓展高性能要求领域的收入规模，将对公司未来进一步拓展汽车电子、智能移动终端、可穿戴设备等新兴市场产生不利影响，甚至部分传统产品存在被迭代的风险。
2、市场竞争风险
国际市场上，经过60余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业，在全球竞争中保持优势地位，几乎垄断汽车电子、工业控制、医疗设备等利润率较高的应用领域。国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧，公司如果研发效果不达预期，不能满足新兴市场及领域的要求，公司市场份额存在下降的风险。
3、产业政策变化的风险
在产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国半导体分立器件行业整体的技术水平、生产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。如果国家降低对相关产业扶持力度，将不利于国内半导体分立器件行业的技术进步，加剧国内市场对进口半导体分立器件的依赖，进而对公司的持续盈利能力及成长性产生不利影响。
（五）宏观环境风险
1、宏观经济波动风险
半导体分立器件行业是电子器件行业的子行业，电子器件行业渗透于国民经济的各个领域，行业整体波动与宏观经济形势具有较强的关联性。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、网络通信、汽车电子等下游领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响，半导体分立器件行业的景气度也将随之受到影响。下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响，进而影响公司盈利水平。
2、国际经贸摩擦波动风险国际经贸关系随着国家之间政治关系的发展和国际局势的变化而不断变化，
经贸关系的变化对于宏观经济发展以及特定行业景气度可以产生深远影响。在全球主要经济体增速放缓的背景下，贸易保护主义及国际经贸摩擦的风险仍然存在，国际贸易政策存在一定的不确定性，如未来发生大规模经贸摩擦，可能影响境外客户及供应商的商业规划，存在对公司业绩造成不利影响的风险。
3、税收优惠政策变动的风险
公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、部分项目加计扣除等。公司及子公司银河电器均系高新技术企业，公司分别于2016年11月、2019年12月、2022年11月通过审批被认定为高新技术企业，子公司银河电器分别于2017年11月、2020年12月通过审批被认定为高新技术企业，因此报告期内发行人、银河电器减按15%的税率征收企业所得税。如果未来未取得高新技术企业资质，或者所享受的其他税收优惠政策发生变化，将会对公司业绩产生一定影响。
四、重大违规事项
在本持续督导期间，银河微电不存在重大违规事项。
五、主要财务指标的变动原因及合理性
2022年，公司主要财务数据如下所示：
单位：元本期比上年同期增减主要会计数据2022年2021年（%）
营业收入675957754.86832354020.45-18.79
归属于上市公司股东的净利润86380356.62140871314.60-38.68归属于上市公司股东的扣除非
63439594.38129346071.87-50.95
经常性损益的净利润
经营活动产生的现金流量净额106243370.60112890594.29-5.89本期末比上年度末增主要会计数据2022年末2021年末减（%）
归属于上市公司股东的净资产1283571849.271074550646.2219.45
总资产1903586112.421390429749.3236.91
公司主要财务指标如下表所示：本期比上年同期增减主要财务指标2022年2021年（%）
基本每股收益（元／股）0.671.12-40.18
稀释每股收益（元／股）0.671.12-40.18扣除非经常性损益后的基本每股
0.491.03-52.43收益（元／股）
加权平均净资产收益率（%）7.4914.32减少6.83个百分点扣除非经常性损益后的加权平均
5.5013.17减少7.67个百分点
净资产收益率（%）
研发投入占营业收入的比例（%）6.985.71增加1.27个百分点
2022年，公司主要财务数据及指标变动的原因如下：
1、报告期内，公司实现营业收入675957754.86元，同比减少18.79%；实
现归属于母公司所有者的净利润86380356.62元，同比减少38.68%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润63439594.38元，同比减少
50.95%。
公司2022年度业绩下降额原因为消费类产品市场景气度低，导致销售额下降，产能利用不足。
公司归母净利润的下滑幅度大于营业收入下滑幅度，主要系：（1）公司根据
2022年度市场情况适当降低了产品的售价，导致公司毛利有所下降；（2）公司
首次公开发行募投项目的投入导致公司新增了较多资产，折旧有所增加，产品单位成本有所上升；（3）公司部分业务开支相对固定，导致各项期间费用的下降幅度不及营业收入的下降幅度，同时公司于2022年度向不特定对象发行可转换公司债券，新增的可转债利息费用导致公司财务费用上升较多；（4）2022年度行业景气度有所下降，公司根据市场情况计提了存货跌价准备，产生了较大的资产减值损失。
公司扣非前后的归母净利润相差较大，非经常性损益大于2021年度，主要系公司2022年度可转换公司债券募集资金到账，整体金额较大，公司将其与部分自有资金一并进行现金管理，对应产生的公允价值变动及投资收益高于2021年度。
2、报告期末，公司财务状况良好，总资产1903586112.42元，较报告期初增加36.91%；归属于母公司的所有者权益1283571849.27元，较报告期初增加
19.45%。主要系本报告期内，公司向不特定对象发行可转换公司债券，收到募集资金所致。
3、经营活动产生的现金流量净额106243370.60元，同比减少5.89%，主要
系报告期内公司营业收入减少，销售商品收到的现金减少所致。
4、基本每股收益、稀释每股收益同比减少40.18%，扣除非经常性损益后的
基本每股收益同比减少52.43%，主要系归属于公司所有者的净利润减少。
综上，公司2022年主要财务数据及财务指标变动具有合理性。
六、核心竞争力的变化情况
半导体分立器件制造过程的标准化程度高，技术一般与特定的工艺环节相结合，一旦解决某个工艺节点的特定问题，则该技术可以广泛应用于采用该种工艺的多个系列的产品。公司掌握了行业主流的半导体分立器件封装测试通用技术，并对组装、成型、测试过程进行工艺优化，实现精确控制，同时，在半导体分立器件芯片领域，逐步掌握了功率二极管部分品类芯片的设计和制造技术，具体如下：
（一）半导体分立器件封装测试通用技术使用该项核心技术的核心技术技术描述及特点主要产品
框架设计多排化使每条框架产品数增加，同时提高高密度阵列小信号二极管、光电
单位面积内的产品数，提高生产效率及降低材料消式框架设计耦合器、功率二极管、耗。以 SOT-23为例，使用该技术使每平方厘米产技术桥式整流器
品数从4.75颗提高至5.71颗，密度提高20%。
将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序，在芯片预焊技
组提升焊接工序效率，减少芯片沾污方面有明显效果，桥式整流器术
装焊接气孔由5%减少到3%以下。
技 在线式真空 以自动化流水线方式运行，预热及降温在移动过程 功率二极管、TVS、术 烧结技术 中完成，真空烧结在固定工位进行，出入口采用自 功率MOSFET等动搬运结构。焊点机械强度大幅提高，焊点空洞率低至1%以下。
是多芯片堆叠封装的重要支撑技术，可以满足同种绝缘膜装片
或不同芯片堆叠的需求，使芯片底部与基岛连接处小信号二极管技术
不会有溢胶，并达到精准的装片效果。在通用技术的基础上通过焊线工艺参数的特别控制超低弧度焊及焊线方法的改进，使小信号器件封装焊线线弧高小信号二极管、小信线技术 度最低可以控制至 40um以下，从而实现产品超薄 号三极管型化，如 DFN0603厚度达到 0.25mm 以下。
点胶量 CPK 通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控
功率二极管、桥式整
自动测量控制，提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量都流器制技术在受控范围。
是通过特殊的点胶针头在点胶范围内均匀行走，达功率芯片画到胶量更均匀位置更可控，从而达到焊锡均匀、焊功率二极管
锡焊接技术接气孔减少的目的，可提升功率器件的性能和可靠性。
通过硅胶色膏配比调整硅胶透光率、控制点胶高度
光耦 CTR控 和控制芯片对照角度来进行精密调整控制技术来实光电耦合器
制技术 现目标 CTR 参数的调整，调整后的 CTR一次对档率高。
通过使用新型焊片、芯片自动填装、低应力封装料低应力焊接
及后固化特殊处理工艺等措施及技术，降低封装应功率二极管封装技术力，提高产品的抗热应力能力和可靠性。
通过聚酰亚胺胶替代硅橡胶、引线结构优化排出胶
高温反向漏体气泡，结合二次上胶降低聚酰亚胺胶体缺陷等技功率二极管
电控制技术 术，提高 OJ芯片产品的高温性能，使产品在高温下反向漏电更小。。
在框架焊接工艺中采用跳线完成芯片上表面的电极
跳线焊接技功率二极管、桥式整
与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降低产品术流器潜在失效风险。
采用多注射头封装模具，多料筒、多注射头封装形MGP模封装 小信号二极管、功率式，优势在于可均衡流道，实现近距离填充，树脂技术二极管
利用率高，封装工艺稳定。
小信号二极管、小信
变速注塑技使用注塑速度由快变慢再变更慢的控制技术，有效号三极管、功率二极成术解决塑封过程对焊线冲弯问题及塑封体气孔问题。
管型
DFN封装低 采用优化的塑封模具设计、优选的包封材料，自主 二极管、三极管、技
应力成型技 开发的包封、后固化及成型工艺技术，降低成型应 MOSFETS、ESD保术术力，提高产品可靠性和安装性能。护二极管、稳压电路将发光芯片（IR）及接收芯片（PT）进行集成复合
光电产品复封装时，通过利用白色胶体透光率和芯片对照角度光电耦合器
合封装技术的控制，实现光、电及光电传输参数的控制，并实现输入与输出端绝缘隔离效果。
基于产品特针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制定小信号二极管、小信测 性数据分析 测试方案，并用 PAT方法筛选出产品性能离散及有 号三极管、功率二极试的测试技术潜在失效模式的产品。管、功率三极管、桥技
基于 FMEA 针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影 式整流器、光电耦合术
的测试技术响，通过分析量化，制定测试方案，筛选出生产过器程中的潜在异常品及有潜在失效模式的产品。
全参数模拟通过器件电、热、环境、力全方位测试验证，器件广泛使用于公司能生寿命试验验芯片设计仿真能力，基础数据的长期大量积累，为产的封装外形及相应证技术器件研发设计的验证、生产制造质量保障、市场服的产品类别务保障。
基于潜在失通过对产品制造过程中实时在线数据的收集，包括主要应用于以汽车行效风险的过环境、工艺参数、过程监测数据、100%测试的剔除业为代表的对市场失
程管控技术品的类型分布、解剖分析等，对该生产批次产品及效率要求极高的行业前后批次产品进行失效风险评估，并按风险等级采的产品取相应的措施，以实现汽车应用市场失效率低于
500PPB（千万分之五）的目标。
（二）功率二极管芯片制造技术使用该项核心技术的核心技术技术描述及特点主要产品
特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台平面结构芯片面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以无环高耐压终采用标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、功率二极管端技术 CVD等）制备技术，达到实现更大晶圆生产、提升产品稳定性、可靠性等目的。
采用多层（至少 3层）CVD 钝化膜技术，形成芯片表面所需的综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳等保护技术，可以使平面芯片具备 5um~20um的钝化介质层。多层平面结构芯片
平面 CVD钝化膜起到固定可动电荷、稳定耐压，隔离表面多层钝化功率二极管
芯片水汽渗透，绝缘电介质等功能，从而形成芯片表技术
制造面所需的综合钝化保护膜，相应产品性能稳定性技术优异。聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中遇到的可靠性问题，提高器件极限条件下的稳定性、可靠性。
平面结构功率特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免稳压二极管、了传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问功率二极管
TVS芯片设计 题，可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达及制备技术到提升产品一致性、稳定性、可靠性的目的。
平面结构高结通过芯片结构优化设计、主辅材料的优选，自主功率二极管温芯片制造技开发的芯片制造工艺，实现高达175℃以上的工术作结温能力。达到提升产品性能和可靠性的目的。
台面台面结构特种选择合适电阻率、厚度的单晶片，通过采用标准芯片 工艺功率FRD 半导体工艺制备技术，达到设计的基区结构参数，功率二极管制造芯片设计及制实现二极管的正反向动态性能。可以针对不同应技术备技术用要求提供针对性优化产品系列。上述技术来源均为公司自主研发，并独立享有相关知识产权成果。
公司半导体分立器件封装测试通用技术一般可用于多种封装，并最终应用于多种主营产品，功率二极管芯片制造技术主要用于生产稳压、整流、TVS、FRD等功率二极管芯片，最终应用于功率二极管产品。此外，公司全参数模拟寿命试验验证技术是基于大量经验数据对自主设计、生产产品进行针对性测试的技术，广泛应用于公司各类主营产品。公司多项核心技术成熟度高，可应用于车规级产品生产，为公司车规级产品线的拓展提供了技术保障。
七、研发支出变化及研发进展
（一）研发支出及变化情况
单位：元
项目本年度上年度变化幅度（%）
费用化研发投入47208435.0547515201.84-0.65
资本化研发投入---
研发投入合计47208435.0547515201.84-0.65
研发投入总额占营业收入比例（%）6.985.71增加1.27个百分点
研发投入资本化的比重（%）---
（二）2022年取得的研发成果
报告期内，公司继续加大技术研发的力度，通过加强研发团队建设、加强对外合作，增加配置及充分利用公司研发资源，提升公司的自主创新能力和研发水平，巩固和保持公司产品和技术的领先地位，取得了一定的成效。报告期内，公司主要取得的研发成果如下：
（1）公司成功完成工业级和消费级可见光传感器产品的量产，成功进入感光测试设备和智能家电领域。
（2）公司完成了对第三代半导体晶圆切割、高温无铅焊接工艺的技术开发，并应用于新一代 TO-247、窄引脚 TO-220封装、贴片型 SMX封装产品。
（3）实现了高密度 SOD-723、SOT-523等产品的稳定量产，成功开发了贴
片型功率器件封装 TOLL，完成了 Clip结构 SOD-323HE封装开发，将公司微型器件高密度化提升到新的水平，显著提升了微型器件的功率密度，扩展了功率器件的产品规格。
（4）RFID 完成了系统架构设计，完成基本云平台工作分配；完成了芯片版图设计，正在进行芯片布图设计，即将进行晶圆试流片。
（5）IPM已完成产品开发，首款产品已量产，并扩展到 IPM封装封测代工业务。
（6）低成本消费级 SMA封装产品已成功量产。
（7）CSP封装技术完成总体技术路径验证，达成技术开发目标，研发成功
了量产所需开发的技术成果。申请发明专利二项和 PCT专利一项。
（8）抛负载保护器件芯片、1000V/1200V/1600V高压整流二极管芯片、外
延台面 FR芯片开发完成，性能符合预期，达到量产指标。
报告期内，公司投入研发费用4720.84万元，研发投入总额占营业收入的比例为6.98%；公司申报国家专利60项，获得专利授权44项。截止报告期末，公司累计拥有有效专利219项，其中发明专利25项。
报告期内新增及报告期末累计的知识产权列表如下：
项目本年新增累计数量
申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）发明专利1215025实用新型专利4843300194外观设计专利0000软件著作权0000其他0000合计6044350219
注：
（1）“本年新增”中的“获得数”为报告期末新获得的专利数；
（2）“累计数量”中的“获得数”为扣除失效专利后的有效专利数。（三）在研项目情况
单位：万元序预计总投本期投累计投技术项目名称进展或阶段性成果拟达到目标具体应用前景号资规模入金额入金额水平
建立有特色的 CSP工艺平台， 主要应用于手机等通已完成全流程验证。达到技术CSP封装 ESD 开发 0603和 0402两种封装规 国 内 讯设备、可穿戴设备、
1370.00224.44369.75开发目标，量产所需开发的技
保护器件开发 格的 ESD保护器件，封装厚度 领先 智能化终端等高密度术都已形成技术成果。
小于 0.25mm和 0.2mm 组装场合
工业级可见光传感器和民用设计开发可见光传感器，建立可见光传感器国内主要用于安防、智能穿
2145.0052.42157.00级可见光传感器也已开发完封测技术平台，形成系列化产
的开发领先戴、智能家居等领域成，已转入正式批量生产。品
第三代半导体产品及工艺开发已完成，项目建立第三代半导体器件封装工应用于电力及能源，车国内
3功率器件封装930.00366.901008.98目标已达成，产品已实现了量艺平台，根据市场需求产品逐载电源、白色家电、开
先进研究产，规格型号持续系列化中。步系列化关电源等领域广泛应用于家电、电
新型微型器件项目已完成，转入正式批量生国内
4530.00112.65482.95推进微型封装技术的应用研究源、智能电表、照明、开发产。先进通信、汽车电子等行业
RFID完成了系统架构设计， 安全模块（芯片）通过国际标RFID 芯片用于 ID 识
完成基本云平台工作分配；完 准 NIST 测试等，申请专利 2别、智能仓储、无人零
成了版图设计，即将进行晶圆项以上，其中发明1项。功率智能芯片和功国内售等；功率模块用于变
5 2453.00 2120.58 2248.99 试流片；IPM 已完成开发验 模块产品：
率模块研发领先频电机驱动，主要应用证，首款产品已供货，并对外1、已完成产品样件开发于变频空调、洗衣机、
提供 IPM 封测服务；大功率 2、产品耐压 630V以上
冰箱、汽车电子等
IGBT产品已完成开发验证， 3、绝缘耐压：2000VAC 1分首款 1200V 40A 产品已实现 钟以上量产。4、产品静电等级：
HBM>2000VMM>200V应用于各类小型电器
高密度功率二目前已进入批量验证阶段，为在达到同类封装产品性能的前国内
6470.00312.41484.29充电器、通讯产品、家
极管封装开发正式量产进行前期准备。提下凸显成本优势先进用电器等多种行业
1、实际瞬态功率吸收能力大于
芯片已完成初版验证，改版进应用于燃油及新能源车规级抛负载 8000W 国 内
7960.00943.28943.28行中；封装已完成样件制作，汽车抛负载保护或大
保护器件开发 2、满足 AEC-Q101标准要求 领先性能验证中。浪涌电压保护
3、满足 ISO7637-2标准要求
1、功率 1~3W，光通量≥300lm
倒装封装技术2、开发并实现共晶、芯片贴膜、
开发及不可见已完成产品设计和验证。正在围坝胶、划片切割技术国内应用于新一代车灯照
8210.00184.61184.61
光收发器件开进行过程设计和验证。3、白光、白转黄产品系列化领先明系统。
发 4、产品符合 AEC-Q102标准要求
1 、 产 品 反 向 耐 压 VB ＞
已完成平面及台面芯片的初
1000V/1200V/1600V 等三种规 应用于工业高频整流
工业级整流器版验证，改版进行中；封装已国内
9380.00403.56403.56格领域，如大功率开关电
开发完成结构更新设计，正在进行先进
2、产品正向电压 VF