银河微电:中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微电子股份有限公司2023年半年度持续督导跟踪报告

中信建投证券股份有限公司
关于常州银河世纪微电子股份有限公司
2023年半年度持续督导跟踪报告
根据《证券发行上市保荐业务管理办法（2023年修订）》、《上海证券交易所科创板股票上市规则（2020年12月修订）》、《上海证券交易所上市公司自律监管指引第11号——持续督导》等相关规定，中信建投证券股份有限公司（以下简称“中信建投证券”、“保荐机构”）作为常州银河世纪微电子股份有限公司（以下简称“银河微电”、“公司”）的首次公开发行股票和向不特定对象发行可转换公司债券的保荐机构，对银河微电进行持续督导，并出具本持续督导跟踪报告。
一、持续督导工作情况序号工作内容持续督导情况
建立健全并有效执行持续督导工作制度，并针本保荐机构已建立健全并有效执行了持续对具体的持续督导工作制定相应的工作计划督导工作制度，并制定了相应的工作计划。
根据中国证监会相关规定，在持续督导工作开本保荐机构于2020年3月与银河微电签订始前，与上市公司或相关当事人签署持续督导《保荐协议》，协议明确了双方在持续督协议，明确双方在持续督导期间的权利义务，导期间的权利和义务，并报上海证券交易并报上海证券交易所备案所备案。
持续督导期间，按照有关规定对上市公司违法银河微电在2023年1月1日至2023年6月30违规事项公开发表声明的，应于披露前向上海日期间（以下简称“本持续督导期间”）未证券交易所报告，并经上海证券交易所审核后发生按有关规定需保荐机构公开发表声在指定媒体上公告明的违法违规情况。
持续督导期间，上市公司或相关当事人出现违法违规、违背承诺等事项的，应自发现或应当本持续督导期间，银河微电及相关当事人发现之日起五个工作日内向上海证券交易所报未发生违法违规或违背承诺等事项。
告
本保荐机构通过日常沟通、定期或不定期
通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽职调回访、现场检查等方式，了解银河微电经查等方式开展持续督导工作营及规范运作等情况，对银河微电开展持续督导工作。
1序号工作内容持续督导情况
本持续督导期间，银河微电及其董事、监督导上市公司及其董事、监事、高级管理人员
事、高级管理人员遵守法律、法规、部门
遵守法律、法规、部门规章和上海证券交易所
6规章和上海证券交易所发布的业务规则
发布的业务规则及其他规范性文件，并切实履及其他规范性文件，并切实履行其所做出行其所做出的各项承诺的各项承诺。
督导上市公司建立健全并有效执行公司治理制
在本持续督导期间，银河微电依照相关规度，包括但不限于股东大会、董事会、监事会
7定进一步健全公司治理制度，并严格执行议事规则以及董事、监事和高级管理人员的行
相关公司治理制度。
为规范等
督导上市公司建立健全并有效执行内控制度，包括但不限于财务管理制度、会计核算制度和本持续督导期间，银河微电的内控制度符
8内部审计制度，以及募集资金使用、关联交易、合相关法规要求并得到了有效执行，能够
对外担保、对外投资、衍生品交易、对子公司保证公司的规范运行。
的控制等重大经营决策的程序与规则等督导上市公司建立健全并有效执行信息披露制度，审阅信息披露文件及其他相关文件，并有在本持续督导期间，银河微电严格执行信
9充分理由确信上市公司向上海证券交易所提交息披露制度。
的文件不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏
对上市公司的信息披露文件及向中国证监会、上海证券交易所提交的其他文件进行事前审阅，对存在问题的信息披露文件及时督促公司予以更正或补充，公司不予更正或补充的，应在本持续督导期间，上市公司未发生信息及时向上海证券交易所报告；对上市公司的信
披露文件及向中国证监会、上海证券交易
10息披露文件未进行事前审阅的，应在上市公司所提交的其它文件存在问题，而不予更正
履行信息披露义务后五个交易日内，完成对有或补充的情况。
关文件的审阅工作，对存在问题的信息披露文件应及时督促上市公司更正或补充，上市公司不予更正或补充的，应及时向上海证券交易所报告
关注上市公司或其控股股东、实际控制人、董
事、监事、高级管理人员受到中国证监会行政本持续督导期间，银河微电及其控股股
11处罚、上海证券交易所纪律处分或者被上海证东、实际控制人、董事、监事、高级管理
券交易所出具监管关注函的情况，并督促其完人员未发生该等事项。
善内部控制制度，采取措施予以纠正
2序号工作内容持续督导情况
持续关注上市公司及控股股东、实际控制人等
本持续督导期间，银河微电及其控股股履行承诺的情况，上市公司及控股股东、实际
12东、实际控制人等不存在未履行承诺的情
控制人等未履行承诺事项的，及时向上海证券况。
交易所报告
关注公共传媒关于上市公司的报道，及时针对市场传闻进行核查。经核查后发现上市公司存本持续督导期间，银河微电不存在应披露在应披露未披露的重大事项或与披露的信息与
13未披露的重大事项或与披露的信息与事
事实不符的，及时督促上市公司如实披露或予实不符的情况。
以澄清；上市公司不予披露或澄清的，应及时向上海证券交易所报告
发现以下情形之一的，督促上市公司做出说明并限期改正，同时向上海证券交易所报告：（一）涉嫌违反《上市规则》等相关业务规则；（二）证券服务机构及其签名人员出具的专业意见可
能存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏等违本持续督导期间，银河微电未发生相关情
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法违规情形或其他不当情形；（三）公司出现况。
《保荐办法》第六十七条、第六十八条规定的情形；（四）公司不配合持续督导工作；（五）上海证券交易所或保荐人认为需要报告的其他情形
制定对上市公司的现场检查工作计划，明确现本保荐机构已制定了现场检查的相关工
15场检查工作要求，确保现场检查工作质量作计划，并明确了现场检查工作要求。
上市公司出现以下情形之一的，保荐人应自知道或应当知道之日起十五日内或上海证券交易
所要求的期限内，对上市公司进行专项现场检
查：（一）控股股东、实际控制人或其他关联
方非经营性占用上市公司资金；（二）违规为
本持续督导期间，银河微电未发生应进行他人提供担保；（三）违规使用募集资金；（四）
16专项现场检查的相关情形。
违规进行证券投资、套期保值业务等；（五）关联交易显失公允或未履行审批程序和信息披
露义务；（六）业绩出现亏损或营业利润比上
年同期下降50%以上；（七）上海证券交易所要求的其他情形
二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况无。
3三、重大风险事项
公司目前面临的风险因素主要如下：
（一）核心竞争力风险
1、新产品开发风险
半导体产业的下游是各类电子电器产品，随着终端产品在例如轻薄化、高功率密度等方面要求的不断提高，以及汽车电子、工业控制等新的应用场景不断涌现，客户对公司不断优化现有产品性能并根据其提出的要求进行新产品开发的能力要求较高。
在产品优化及开发过程中，公司需要根据客户要求进行器件整体设计，包括芯片的性能指标、结构，所采用的封装规格，芯片与封装的结合工艺以及成品检测方法等，对公司技术能力要求较高，同时还需保证产品具有较好的成本效益。如公司无法持续满足客户对新产品开发的要求，将造成公司业绩增长放缓，对盈利能力造成负面影响。
2、技术研发不及预期风险
公司依靠核心技术开展生产经营，只有不断推进新的芯片结构和生产工艺、封装规格、测试技术等方面的储备技术的研发，才能为公司在进行产品设计时提供更大的技术空间和多工艺平台的可能性，以便更好的满足客户需求。
公司主要依靠自主研发形成核心技术，但由于分立器件是多种学科技术的复合产品，技术复杂程度高，新技术从研发至产业化的过程具有费用投入大、研发周期长、结果不确定性高等特点。
另外，由于基础技术的研发课题、研发方向具备一定的前瞻性、先导性，研发成果存在着一定的市场化效果不及预期，或被国外已有技术替代的风险。因此，如果公司的研发活动未取得预期结果，或者研发结果产业化进程不及预期，将使公司大额研发投入无法实现成果转化，影响公司经营业绩。
3、核心技术人员流失及技术泄密风险
半导体分立器件行业是技术密集型行业，公司的产品性能、创新能力、新产品开发均依赖于稳定的技术团队以及自主创新能力，如果公司核心技术人员流失或发生核心技
4术泄密的情况，就很有可能会削弱公司的市场竞争能力，影响公司在行业内的竞争地位。
（二）经营风险
1、原材料价格波动风险
报告期内，公司材料成本占成本的比例较高，对公司毛利率的影响较大。公司所需的主要原材料价格与硅、铜、石油等大宗商品价格关系密切，受到市场供求关系、国家宏观调控、国际地缘政治等诸多因素的影响。如果上述原材料价格出现大幅波动，将直接导致公司产品成本出现波动，进而影响公司的盈利能力。
2、寄存销售模式下的存货管理风险
报告期内，公司针对部分客户的订单排程需求，先将产成品发送至客户端寄存仓库，待客户实际领用并与公司对账确认后确认收入，在确认收入前，作为公司的发出商品核算。由于该部分存货脱离公司直接管理，尽管公司与客户建立了健全的风险防范机制，但在极端情况下依然存在存货毁损、灭失的风险。
3、芯片外购比例较高风险
芯片属于分立器件的核心部件，虽然公司掌握半导体二极管等芯片设计的基本原理，具备对分立器件芯片性能识别以及自制部分功率二极管芯片的能力，但不具备制造生产经营所需全部芯片的能力。公司生产经营模式以封测技术为基础，外购芯片占公司芯片需求的比例较高，如果部分芯片由于各种外部原因无法采购，将对公司生产经营产生重大不利影响。
4、环保风险
公司生产过程中会产生废水、废气、废渣等污染性排放物，如果处理不当会污染环境，产生不良后果。公司已严格按照有关环保法规及相应标准对上述污染性排放物进行了有效治理，使“三废”的排放达到了环保规定的标准，各项目也通过了有关部门的环评审批，但随着国家和社会对环境保护的日益重视，相关部门可能颁布和采用更高的环保标准，将进一步加大公司在环保方面的投入，增加公司的经营成本，从而影响公司的经营业绩。
5、固定资产折旧的风险
5固定资产折旧的风险随着扩建项目的陆续投产使用，将新增较大量的固定资产，使
得新增折旧及摊销费用较大。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平，则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。
（三）财务风险
报告期内，公司出口销售收入占主营业务收入比例超过25%。公司境外销售货款主要以美元结算，汇率的波动给公司业绩带来了一定的不确定性。近年来我国央行不断推进汇率的市场化进程、增强汇率弹性，汇率的波动将影响公司以美元标价外销产品的价格水平及汇兑损益，进而影响公司经营业绩。
（四）行业风险
1、与国际领先企业存在技术差距的风险
目前公司在部分高端市场的研发实力、工艺积累、产品设计与制造能力及品牌知名
度等各方面与英飞凌、安森美、罗姆、德州仪器等厂商相比存在技术差距。未来如果公司不能及时准确地把握市场需求和技术发展趋势，无法持续研发出具有商业价值、符合下游市场需求的新产品，缩小与同行业国际领先水平的技术差距，则无法拓展高性能要求领域的收入规模，将对公司未来进一步拓展汽车电子、智能移动终端、可穿戴设备等新兴市场产生不利影响，甚至部分传统产品存在被迭代的风险。
2、市场竞争风险
国际市场上，经过60余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业，在全球竞争中保持优势地位，几乎垄断汽车电子、工业控制、医疗设备等利润率较高的应用领域。
国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧，公司如果研发效果不达预期，不能满足新兴市场及领域的要求，公司市场份额存在下降的风险。
3、产业政策变化的风险
6在产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国半导体分立器件行业整体的技术水
平、生产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。如果国家降低对相关产业扶持力度，将不利于国内半导体分立器件行业的技术进步，加剧国内市场对进口半导体分立器件的依赖，进而对公司的持续盈利能力及成长性产生不利影响。
（五）宏观环境风险
1、宏观经济波动风险
半导体分立器件行业是电子器件行业的子行业，电子器件行业渗透于国民经济的各个领域，行业整体波动与宏观经济形势具有较强的关联性。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、网络通信、汽车电子等下游领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响，半导体分立器件行业的景气度也将随之受到影响。下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响，进而影响公司盈利水平。
2、国际经贸摩擦波动风险
国际经贸关系随着国家之间政治关系的发展和国际局势的变化而不断变化，经贸关系的变化对于宏观经济发展以及特定行业景气度可以产生深远影响。在全球主要经济体增速放缓的背景下，贸易保护主义及国际经贸摩擦的风险仍然存在，国际贸易政策存在一定的不确定性，如未来发生大规模经贸摩擦，可能影响境外客户及供应商的商业规划，存在对公司业绩造成不利影响的风险。
3、税收优惠政策变动的风险
公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、部分项目加计扣除等。
公司及子公司银河电器均系高新技术企业，公司分别于2016年11月、2019年12月通过审批被认定为高新技术企业，子公司银河电器分别于2017年11月、2020年12月通过审批被认定为高新技术企业，因此报告期内公司、银河电器减按15%的税率征收企业所得税。如果未来未取得高新技术企业资质，或者所享受的其他税收优惠政策发生变化，将会对公司业绩产生一定影响。
四、重大违规事项
7本持续督导期间，公司不存在重大违规事项。
五、主要财务指标的变动原因及合理性
2023年1-6月，公司主要财务数据如下表所示：
单位：元本报告期比上年同期
主要会计数据2023年1-6月2022年1-6月增减(%)
营业收入329986288.74365269762.44-9.66
归属于上市公司股东的净利润30523573.8853483113.34-42.93归属于上市公司股东的扣除非经常
17786538.0643479708.05-59.09
性损益的净利润
经营活动产生的现金流量净额48854475.4169060194.79-29.26本报告期末比上年度主要会计数据本报告期末上年度末
末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产1287135141.911283571849.270.28
总资产1902127588.651903586112.42-0.08
2023年1-6月，公司主要财务指标如下表所示：
本报告期比上年同
主要财务指标2023年1-6月2022年1-6月期增减(%)
基本每股收益（元／股）0.240.42-42.86
稀释每股收益（元／股）0.240.42-42.86扣除非经常性损益后的基本每股收
0.140.34-58.82益（元／股）
加权平均净资产收益率（%）2.374.91减少2.54个百分点扣除非经常性损益后的加权平均净
1.383.99减少2.61个百分点
资产收益率（%）
研发投入占营业收入的比例（%）6.487.76减少1.28个百分点
2023年1-6月，公司主要财务数据及指标变动的原因如下：
1、2023年上半年公司实现营业收入329986288.74元，同比减少9.66%；实现归
属于母公司所有者的净利润30523573.88元，同比减少42.93%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润17786538.06元，同比减少59.09%。主要系本报告期内，消费类产品市场景气度低，产能利用不足，销售额下降所致。
公司归母净利润的下滑幅度大于营业收入下滑幅度，主要系公司部分业务开支相对
8固定，导致各项期间费用的下降幅度不及营业收入的下降幅度，同时公司于2022年度
向不特定对象发行可转换公司债券，新增的可转债利息费用导致公司财务费用上升较多。
2、报告期末，公司财务状况良好，总资产1902127588.65元，较报告期初减少
0.08%；归属于母公司的所有者权益1287135141.91元，较报告期初增加0.28%。
综上，公司2023年1-6月主要财务数据及财务指标变动具有合理性。
六、核心竞争力的变化情况
半导体分立器件制造过程的标准化程度高，技术一般与特定的工艺环节相结合，一旦解决某个工艺节点的特定问题，则该技术可以广泛应用于采用该种工艺的多个系列的产品。公司掌握了行业主流的半导体分立器件封装测试通用技术，并对组装、成型、测试过程进行工艺优化，实现精确控制，同时研发出了新型封装结构采用的 Clip 焊接技术、双面散热封装技术；在半导体分立器件芯片领域，逐步掌握了功率二极管部分品类芯片的设计和制造技术，并研发掌握了 SGT结构中低压MOS晶圆制造工艺技术，具体如下：
使用该项核心技现有核心技术技术描述及特点术的主要产品
小信号二极管、
高密度阵框架采用多排高密度化设计使每条框架产品数增加，同光电耦合器、功
列式框架时提高单位面积内的产品数，提高生产效率及降低材料率二极管、桥式设计技术消耗。
整流器
将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序，在提升芯片预焊
焊接工序效率、减少芯片沾污方面有明显效果，焊接气桥式整流器技术
孔由5%减少到3%以下，提高产品质量及可靠性。
点胶量
通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控制，提CPK 自动 功率二极管、桥
高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量都在受控范测量控制式整流器组装围。技术技术通过特殊设计的高温针头在装片基岛范围内均匀行走，功率芯片
达到焊锡量分布均匀平整，位置可控，从而可达到装片画锡焊接功率二、三极管
后芯片四周溢锡均匀、BLT 厚度稳定可控、焊接空洞减技术
少的目的，提升功率器件的性能和可靠性。
焊接过程中通入甲酸可以将框架表面的氧化铜还原，使甲酸真空功率二极管、桥
框架表面无氧化层，提升塑封料与框架之间的结合强焊接技术式整流器度，降低产品分层异常。
高温反向 SKY 芯片采用多层钝化和多次金属化表面，在封装过程功率肖特基二极
漏电控制中增加焊接后化学清洗，极大程度降低器件的高温漏管技术电，提高产品的高温可靠性。
9通过精准的锡量控制，使芯片与与芯片之间焊锡层厚度
多层叠焊和覆盖面积控制达到最优，并实现多层芯片的串联，从高压二极管、功技术而可以实现超高耐压或特殊功能要求的器件，实现单芯率二极管片不能实现的功能。
通过将 LED 芯片 PN 结输出进行特殊设计，组装过程中将芯片直接与基板上的正负极共晶焊接，无线焊接缩短LED 倒装
了热源到基板的热流路径，具有较低的热阻。同时倒装 LED 灯珠封装技术结购使产品具有更好的抗大电流冲击稳定性和光输出性能，尺寸可以做到更小，光学更容易匹配。
采用特殊的框架设计和制造工艺，框架的密度是普通蚀小信号开关二极
超薄超小刻工艺的2倍以上，封装采用我司先进的超薄超小芯片管、肖特基二极
DFN 封装 的封装工艺，最终封装产品塑封体厚度可以做到管、PIN二极管、
技术 0.22mm 以下，塑封体外形可以做到市面上最小的 0201ESD 二极管外形。
在现有的底部散热封装外形的结构基础上，通过设计厚尺寸 clip 并用于芯片与框架之间的连接，产品塑封后对双面散热功率二极管、功
上模面采用独特的打磨工艺获得平整裸露 Clip 散热面，封装技术 率 MOS
从而实现产品底部和顶部均带散热功能，极大程度提高产品的散热能力，从而提高功率产品的电流能力。
在塑封前于芯片表面喷涂一种特殊的隔离溶胶，该溶胶基于塑封与芯片、框架及塑封料均具有有极强的粘接力和强密着功率二极管、功
前喷涂涂性，并可以在芯片与塑封料之间、框架和塑封料之间起率三极管、功率层的防分 到很好的缓冲作用，因此可有效解决芯片、框架与塑封 MOS、SiC 肖特层技术 料之间受热力容易产生的的分层异常，提升功率器件的 基、SiCMOSPCT 能力和可靠性。
在框架焊接工艺中采用 clip 完成芯片上表面的电极与框 功率二极管、桥
Clip 焊接
架的连接，有效降低芯片所受应力，降低产品潜在失效式整流器、功率技术风险。 MOS采用对塑封模具、框架结构等设计，选用 AutomoldingAuto模自 系统实现自动塑封，生产过程中可实现分段开合模、分 小信号二极管、动封装技段注塑等特殊应用功能，满足有特殊注塑工艺要求产品小信号三极管、术 的生产，整个过程几乎不受作业人员操作不当影响，生 功率 MOS成型
产效率高，制程受控。
技术通过将不同工位的刀具系统集成在同一副系统或模具光耦器件上，实现在切筋成型过程中所有工序一体完成，极大节光电耦合器、隔管脚一体
约设备占据场地空间以及提升工序生产效率，同时保证离驱动成型技术产品成型稳定性。
小信号二极管、
基于产品小信号三极管、
针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制定测试特性数据功率二极管、功方案，并用 PAT 方法筛选出产品性能离散及有潜在失效分析的测率三极管、桥式模式的产品。
测试试技术整流器、光电耦技术合器基于光学
通过光学影像监测功能对产品的外观进行监测，配合产影像的全
线的生产设备，可以实现产品100%外观监测，将不符所有封装产品自动产品
合标准产品有效剔除，检测效率极高。
测量技术
10基于开尔
通过对高压测试座的结构进行特殊优化设计并采用带文接触方
回路检测功能的高压测试仪器，从而避免高压测试过程式的多颗所有光电耦合器
中因产品引脚与测试座接触不良而发生漏测，提高测试串联高压的生产效率和剔除有效性。
测试技术
基于针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影响，通FMEA 的 过分析量化，制定测试方案，筛选出生产过程中的潜在 所有产品测试技术异常品及有潜在失效模式的产品。
该工艺在传统沟槽 MOSFET 器件 PN 结垂直耗尽的基础
MOS SGT 结构
上引入了水平耗尽，通过改变 MOSFET内部电场的形态，芯片中低压
将传统的三角形电场变为类似压缩的梯形电场，从而进中低压大功率制造 MOS晶圆
一步减小 EPI 层的厚度，降低导通电阻 Rds(on)。 MOS工艺制造工艺
SGTMOSFET 配合先进封装，非常有助于提高系统的效能技术技术和功率密度
特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台面结构平面结构
挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以采用标准半导芯片无环
体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、CVD 等）制备技术， 功率二极管高耐压终
达到实现更大晶圆生产、提升产品稳定性、可靠性等目端技术的。
采用多层 CVD钝化膜技术，形成芯片表面所需的综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳等保护技术，可以使平面芯片具备 5um~20um的钝化介平面结构质层。多层 CVD 钝化膜起到固定可动电荷、稳定耐压，芯片表面
隔离水汽渗透，绝缘电介质等功能，从而形成芯片表面功率二极管多层钝化
所需的综合钝化保护膜，相应产品性能稳定性优异。聚技术
酰亚胺钝化，平面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中遇到的可靠性问题，提高器件极限条件下的稳定性、可靠性。
平面平面结构
芯片功率稳压特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免了传统制造二极管、台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以采用技术 功率二极管 TVS芯片 标准半导体工艺制备技术制备，达到提升产品一致性、设计及制稳定性、可靠性的目的。
备技术大功率
TVS产品 采用平面和台面结构相结合的方式，有效增加芯片的接功率二极管
提升功率触面积，提升产品的功率能力技术
TVS芯片
采用特殊的芯片结构及深结工艺，改变单双向 TVS芯片VC 恒定制
IPP/VC 曲线，在 IPP范围内芯片的 VC保持在一个较小范 功率 TVS二极管造工艺控围，提升产品功率和电压抑制保护能力。
制技术
稳压管扩散时采用特殊的气体的方式，对芯片表面缺陷、杂质ZZK 改善 浓度分布等进行有效的改善，大大降低产品的动态电 稳压二极管技术阻。
11采用一种特殊的组合工艺，结合了刀刮法、光阻法和电
台面 PEG特殊 泳法的优势，钝化层根据需要排序进行生长，一方面钝芯片钝化工艺化过程中不会带入其他杂质，玻璃内部不产气泡和黑渣高可靠性要求功制造保护应用点，另一方面形成的玻璃钝化层非常致密，芯片的击穿率二极管技术技术硬特性和耐高温特性大大提高，可应用于高可靠性要求的应用场合。
公司半导体分立器件封装测试通用技术一般可用于多种封装，并最终应用于多种主营产品，功率二极管芯片制造技术主要用于生产稳压、整流、TVS、FRD等功率二极管芯片，最终应用于功率二极管产品。MOS芯片制造工艺技术主要是 SGT结构中低压MOS晶圆制造工艺技术，用于中低压大功率MOSFET产品。此外，公司全参数模拟寿命试验验证技术是基于大量经验数据对自主设计、生产产品进行针对性测试的技术，广泛应用于公司各类主营产品。公司多项核心技术成熟度高，可应用于车规级产品生产，为公司车规级产品线的拓展提供了技术保障。
七、研发支出变化及研发进展
（一）研发支出及变化情况
单位：元
项目本期数上期数变化幅度（%）
费用化研发投入21398632.4928329825.07-24.47
资本化研发投入---
研发投入合计21398632.4928329825.07-24.47研发投入总额占营业收入比
6.487.76减少1.28个百分点例（%）
研发投入资本化的比重（%）---
12（二）在研项目情况
本持续督导期间，公司的在研项目情况如下：
单位：万元项目预计总投本期投累计投技术序号进展或阶段性成果拟达到目标具体应用前景名称资规模入金额入金额水平
1.安全模块（芯片）通过国际标准 NIST 测试等，申请专利2项以上，其中发明专利1
1.RFID 基本完成，进入 1.RFID 芯片用于 ID 识别、智项。
智能芯片总结和验收阶段；能仓储、无人零售等；
2.功率模块产品：国内
1 和功率模 2294.60 52.34 2301.33 2.IPM 已实现量产；大功 2.功率模块用于变频电机驱
2.1 产品耐压 630V 以上 领先
块研发 率 IGBT 产品已完成开 动，主要应用于变频空调、
2.2 绝缘耐压：2000V AC 1 分钟以上发，首款产品已送样。洗衣机、冰箱、汽车电子等。
2.3 产品静电等级：HBM>2000VMM>200V
2.4完成产品功能验证
倒装封装 1.功率 1~3W，光通量≥300lm技术开发2.开发并实现共晶、芯片贴膜、围坝胶、划国内应用于新一代车灯照明系
2及不可见260.0079.24263.85项目已完成。片切割技术领先统。
光收发器3.白光、白转黄产品系列化
件开发 4.产品符合 AEC-Q102 标准要求
开发外延低压芯片，两款典型规格：
外延低压
1.SF58G，尺寸 73mil，片厚 310±15um， 应用于各类充电器、开关电
系列芯片样品已完成，转入小批量国内
3 400.00 272.29 272.29 VB＞640vVF＜1.55vtrr＜35ns 源、通讯产品、家用电器等及产品开阶段。领先
2.SF86G，尺寸 73mil，片厚 310±15um， 多个行业。
发
VB＞430vVF＜1.35vTrr＜50ns
广泛应用于交/直流电源、汽
双向高压 1.sipos+电泳形成 10-25um 玻璃保护
车、家用电器、仪器仪表、
台面 TVS 样品已完成，转入小批量 2.项目所涉及的产品 HTRB 能力都满足 国内
4400.00215.80215.80共模/差模保护、电机干扰抑
芯片及产 阶段。 1000h 先进制、继电器、接触器噪音的
品开发3.批次合格率＞97%，圆片出率＞98%抑制等各个领域。
5功率器件1000.00346.82346.821.低压器件产品工艺研1.低压器件产品工艺研究：国内广泛应用于家电、电源、智
13封装结究完成了样件阶段，转1.1降低生产工艺中应力影响，在生产工艺领先能电表、照明、通信、汽车
构、封装入小批量阶段上适应浅结芯片电子等行业。
材料研究 2. SOD-323HE 已进入小 1.2 可靠性：符合汽车产品可靠性试验标准
及产品开批量阶段。1.3良率指标:测试良率＞98.5%，单站异发常率＜0.3%
2.SOD-323HE 封装开发：
2.1 产效率大于 30K/H，月产能达到 10KK
2.2良率≥98%，内部无分层，空洞比例≤
10%，单个最大空洞比例≤3%
2.3PCT≥96H，HTRB≥1000H
1.高频开关二极管芯片
电压：VR:120V-185V trr≤4ns IR≤60nA
可靠性：175℃条件下 HTRB≥1000h
6英寸平应用于电力及能源，车载电
高频开关二极管和功率片良率：≥98%面芯片技源、家电、开关电源、智能
6稳压芯片两个产品大类2.功率稳压芯片
术及产品国内电表、照明、通信、汽车电
420.00 208.18 208.18 均处于设计验证阶段。 主要电压档位：6.2V、15V、18V 电压精
开发先进子等领域。
度：±5% 耗散功率：≥0.35W
可靠性：满功率工作寿命满足≥1000h，片良率≥98%，对档率≥96%
1.高结合力低分层的封装工艺研究：
系列产品全制程符合
1. 高结合力低分层的封 “IPC-JEDEC_J-STD-020D”分层标准，产
装工艺研究项目已转入品无分层
高电流密 小批量阶段。 2.DFN 封装中大功率 MOS 器件开发：
度功率器 2. DFN 封装中大功率 2.1 研发纳米银装片、烧结工艺技术和超厚
国内广泛应用于工业控制、开关
7 件技术研 1400.00 857.35 857.35 MOS 器件开发项目目前 DFN 封装的切割技术
领先电源、汽车电子等行业。
究及产品 处于样品阶段。 2.2 DFN8080 典型产品 GSC0465ZT 耐压值开发 3. PDFN56 封装 CLIP 技 达 600V 以上；
术开发项目目前处于样 2.3 DFN3333 典型产品 BL120N03 阻抗与品阶段。普通产品相比提升10%；
2.4 DFN 系列产品免除胶工艺，简化工艺过程，降低生产成本。
143. PDFN56 封装 CLIP 技术开发：
3.1 PDFN5*6 双 clip 初期具备月产能
力>3KK 能力，最终匹配设备增加到位产能
10KK/月；
3.2 完成 PDFN5*6 双散热产品的预研及样
品试制、工艺定型；
3.3 器件可实现超低阻抗(＜1mΩ）
1.氮化镓材料的芯片测试技术研究，形成测
试工艺规范
高可靠度2.研究并掌握车规级光耦的塑封技术，满足
第三代半车规级产品可靠性需求国内广泛应用于工业控制、开关
8250.0083.0983.09进入小批量试验阶段。
导体光耦3.开发实现高可靠度第三代半导体领先电源、汽车电子等行业。
产品开发 BL817H 系列产品达到 2KK/月产能
4.全线成品率>98%
5.产品满足现有 UL/VDE 认证要求
1.实现基于深度学习的半导体封装表面缺
陷检测；
2.加快产品检测的速度，检测速度>20FPS；
3.检测划痕，破损，溢胶，气孔四种缺陷；
基于深度4.将图像采集部分得到的缺陷图片加载到
学习的半深度学习模型之中，进行缺陷检测；其中
第一代检测算法已基本国内用于公司包封工序后的封装
9导体封装50.0024.7424.74深度学习模型需要大量的缺陷图片进行训
完成转入样机阶段。领先体表面缺陷100%自动检测。
缺陷检测练，理论上训练集的图片越多，训练出来技术的模型更强大，更具有鲁棒性；
5.产品的图像采集和缺陷检测均在机械传
动平台上进行，机械传动平台由放料模块、XY 轴移动平台、报警提示模块等硬件结构构成。
合计/6474.602139.854573.45////
15（三）2023年1-6月取得的研发成果
报告期内，公司致力于自主研发和创新，丰富产品矩阵，通过加强研发团队建设、加强对外合作，增加配置及充分利用公司研发资源，提升公司的自主创新能力和研发水平，巩固和保持公司产品和技术的领先地位，取得了一定的成效。
报告期内，公司投入研发费用2139.86万元，研发投入总额占营业收入的比例为
6.48%；公司申报国家专利14项，获得专利授权19项。截止报告期末，公司累
计拥有有效专利237项，其中发明专利25项。
报告期内，公司主要取得的其它研发成果如下：
1、验证了外延台面芯片技术可行性，完成了两款典型产品的样品试制。
2、验证了半光阻工艺可行性，拓展了公司台面芯片技术路径。
3、解决了部分封装产品的分层问题，为全面解决分层问题打下来基础。
4、研发了 PDFN 系列功率封装关键技术，完善了拓展封装系列，丰富产品
规格的技术储备。
5、完成了氮化镓光耦产品的技术方案设计。
6、完成了6吋芯片工艺平台的部分关键技术开发。
7、完成了倒装技术光电产品，保持了公司在车灯照明领域的持续竞争能力。
8、完成了首款 RFID 芯片设计，拥有自主知识产权，为下一步产业化奠定了坚实的基础。
报告期内新增及报告期末累计的知识产权列表如下：
本期新增累计数量项目
申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）发明专利805825实用新型专利619306212外观设计专利0000软件著作权0000其他0000合计1419364237
注：
16（1）“本期新增”中的“获得数”为报告期内新获得的专利数；
（2）“累计数量”中的“获得数”为扣除失效专利后的有效专利数。
八、新增业务进展是否与前期信息披露一致不适用。
九、募集资金的使用情况及是否合规
2021年1月，公司首次公开发行股票实际募集资金净额为人民币38611.68万元。2022年7月，公司向不特定对象发行可转换公司债券实际募集资金净额为人民币49140.19万元。
截至2023年6月30日，公司募集资金使用情况如下：
单位：万元承诺投资项募集资募集资金承调整后投资截至期末累截至报告期末目金来源诺投资总额总额计投入金额累计投入进度半导体分立首次公开发
器件产业提26690.7328190.7327748.8898.43行股票升项目研发中心提首次公开发
5514.235514.234613.0983.66
升项目行股票车规级半导首次公开发
体器件产业-4894.004894.00100.00行股票化项目首次公开发
超募资金6406.7212.72--行股票车规级半导发行可转换
体器件产业40000.0040000.001378.543.45债券化项目补充流动资发行可转换
10000.009140.192000.0021.88
金债券
合计88611.6887751.8740634.51-47117.36具体内容详见2023年8月29日在上海证券交易所网站披露的《常州银河世纪微电子股份有限公司关于2023年半年度募集资金存放与实际使用情况的专项报告》。
银河微电2023年上半年募集资金存放和使用情况符合《上市公司监管指引第2号——上市公司募集资金管理和使用的监管要求》、《上海证券交易所科创板股票上市规则》及《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——
17规范运作》等法规和文件的规定，银河微电对募集资金进行了专户存储和专项使用，并及时履行了相关信息披露义务，不存在募集资金使用违反相关法律法规的情形。
十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情况
本持续督导期间，公司控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员持有的股份未发生质押、冻结及减持情况。
截至2023年6月30日，公司控股股东、实际控制人、现任董事、监事、高级管理人员直接和间接持有公司股份的情况如下：
直接持股数量间接持股数量质押情况姓名职务（万股）（万股）（万股）
杨森茂董事长-7817.58-
岳廉董事-629.52-
李恩林董事-30.00-
董事、总经理、核心技
刘军0.9030.00-术人员
孟浪董事、副总经理0.90-
杨兰兰独立董事---
王普查独立董事---
沈世娟独立董事---
李月华监事会主席-8.00-
朱伟英核心技术人员-25.00-
周建平监事-17.00-
高宝华职工监事-2.00-
技术总监、核心技术人
郭玉兵-10.00-员
曹燕军副总经理0.9012.00-
李福承董事会秘书、财务总监0.6012.00-
庄建军核心技术人员0.606.00-
贾东庆核心技术人员-4.00-
十一、上海证券交易所或保荐机构认为应当发表意见的其他事项
18无。
（以下无正文）
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