芯导科技:2022年半年度报告

2022年半年度报告
公司代码：688230公司简称：芯导科技上海芯导电子科技股份有限公司
2022年半年度报告
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重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、重大风险提示公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”中的“五、风险因素”部分内容。
三、公司全体董事出席董事会会议。
四、本半年度报告未经审计。
五、公司负责人欧新华、主管会计工作负责人兰芳云及会计机构负责人（会计主管人员）张娟声
明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案无
七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？否
十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否
十二、其他
□适用√不适用
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目录
第一节释义.................................................4
第二节公司简介和主要财务指标........................................6
第三节管理层讨论与分析..........................................10
第四节公司治理..............................................31
第五节环境与社会责任...........................................33
第六节重要事项..............................................35
第七节股份变动及股东情况.........................................51
第八节优先股相关情况...........................................58
第九节债券相关情况............................................59
第十节财务报告..............................................60载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表备查文件目录经公司负责人签名的公司2022年半年度报告文本原件报告期内在指定信息披露平台上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿
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第一节释义
在本报告书中除非文义另有所指下列词语具有如下含义：
常用词语释义
芯导科技、公司、本公司指上海芯导电子科技股份有限公司莘导企管指上海莘导企业管理有限公司
萃慧企管指上海萃慧企业管理服务中心（有限合伙）
中国证监会、证监会指中国证券监督管理委员会上交所指上海证券交易所
《公司法》指《中华人民共和国公司法》
《证券法》指《中华人民共和国证券法》
《公司章程》指《上海芯导电子科技股份有限公司章程》
报告期、本报告期、本年度指2022年1月1日-2022年6月30日
报告期末、本报告期末指2022年6月30日
元、万元、亿元指人民币元、人民币万元、人民币亿元
半导体产品指广义的半导体、电子元器件产品，包括集成电路芯片和其他电子元器件产品。
集成电路、IC 指 Integrated Circuit 即集成电路，是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。
功率半导体指对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的半导体器件。
芯片指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果。
TVS 指 Transient Voltage Suppresser，即瞬态电压抑制器，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件。它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌
吸收能力，可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压。
MOSFET 指 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（Field-effecttransistor），依照其“通道”的极性不同可分为 N-type 与P-type 的 MOSFET。
GaN HEMT 指 GaN(氮化镓) HEMT 即 High Electron Mobility
Transistor(高电子迁移率晶体管) 是一种用于新一代功率元器件的化合物第三代半导体材料。与普通的半导体材料硅相比具有更优异的物理性能。
肖特基二极管 指 肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），在通信电源、变频器等中比较常见。是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管芯片，具有反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降更低（仅 0.4V 左右）的特点。
ESD 指 静电保护二极管，是用来避免电子设备中的敏感
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电路受到静电放电影响的器件。
TMBS 指 Trench MOS Barrier Schottky Diode，沟槽 MOS型肖特基势垒二极管。
DC-DC 指 在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个
电压值的电能的转换电路，也称为直流转换电源。
IDM 指 Integrated Design and Manufacture，垂直整合制造模式。
Fabless 指 无晶圆厂集成电路设计企业，只从事集成电路研发和销售，而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成；也代指此种商业模式。
晶圆指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构而成为有特定电性功能之IC 产品。
封装指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。
测试指把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功
能的确认，以保证半导体元件符合系统的需求。
平面（Planar）工艺 指 平面工艺，是 MOSFET 产品常见的一种生产工艺。
沟槽（Trench）工艺 指 沟槽工艺，通常可以进一步提高 MOSFET 产品的沟道密度，减小芯片尺寸，降低导通电阻，拥有更低的导通电阻和栅漏电荷密度。
PSC 指 Prisemi Switch Charger，指芯导科技开关充电产品。
PB 指 Power Bank移动电源的电源管理。
ODM 指 Original Design Manufactuce，原始设计制造商。
它可以为客户提供从产品研发、设计制造到后期
维护的全部服务，客户只需向 ODM 服务商提出产品的功能、性能甚至只需提供产品的构思，ODM 服务商就可以将产品从设想变为现实。
NPN 指 半导体工艺中，通过参杂实现的 N 型+P 型+N 型三种结构层，用来实现器件的特殊的功能。
EOS 指 电气过应力，这里指大功率的瞬态电压电流的失效
E-MODE 指 增强型氮化镓器件，是一种常关型的器件。随之对应的 D-MODE 指耗尽型氮化镓器件，一种常开型器件。
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第二节公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况公司的中文名称上海芯导电子科技股份有限公司公司的中文简称芯导科技
公司的外文名称 Shanghai Prisemi Electronics Co.Ltd.公司的外文名称缩写 Prisemi公司的法定代表人欧新华
公司注册地址中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号公司注册地址的历史变更情况报告期内无
公司办公地址中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号；
上海市浦东新区张江集成电路设计产业园盛夏路565弄
54号（D幢）10-11层
公司办公地址的邮政编码201210；201203
公司网址 http://www.prisemi.com
电子信箱 investor@prisemi.com报告期内变更情况查询索引详见公司于2022年8月18日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露的公告
二、联系人和联系方式
董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表姓名兰芳云闵雨琦联系地址上海市浦东新区张江集成电路设计产业上海市浦东新区张江集成电路设计产
园盛夏路565弄54号（D幢）11层 业园盛夏路565弄54号（D幢）11层
电话021-60753051021-60753051
传真021-60870156021-60870156
电子信箱 investor@prisemi.com investor@prisemi.com
三、信息披露及备置地点变更情况简介
公司选定的信息披露报纸名称 上海证券报（www.cnstock.com）、中国证券报（www.cs.com.cn）、证券时报（www.stcn.com）、证券日报（www.zqrb.cn）
登载半年度报告的网站地址 www.sse.com.cn公司半年度报告备置地点公司证券部报告期内变更情况查询索引详见公司于2022年8月18日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露的公告
四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股 上海证券交易所科创板 芯导科技 688230 不适用
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(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
五、其他有关资料
□适用√不适用
六、公司主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位：元币种：人民币本报告期本报告期比上年主要会计数据上年同期
（1－6月）同期增减(%)
营业收入186612728.32263397486.22-29.15
归属于上市公司股东的净利润68580464.4063612347.207.81
归属于上市公司股东的扣除非经常性43638398.9461901816.51-29.50损益的净利润
经营活动产生的现金流量净额40035486.5649966925.50-19.88本报告期末比上本报告期末上年度末
年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产2120235129.822087654665.421.56
总资产2176624376.772148226007.941.32
(二)主要财务指标本报告期本报告期比上年同期增主要财务指标上年同期
（1－6月）减(%)
基本每股收益（元／股）0.821.01-18.81
稀释每股收益（元／股）0.821.01-18.81
扣除非经常性损益后的基本每股收0.520.99-47.47益（元／股）
加权平均净资产收益率（%）3.2336.47减少33.24个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净2.0635.48减少33.42个百分点
资产收益率（%）
研发投入占营业收入的比例（%）8.935.48增加3.45个百分点公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
报告期内，公司实现销售收入18661.27万元，较上年同期减少29.15%；实现归属于上市公司股东的净利润6858.05万元，较上年同期增长7.81%；本期归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为4363.84万元，较上年同期减少29.50%。
报告期内，由于受到全球疫情扩散、地缘政治形势及通货膨胀等因素的叠加影响，以智能手机为代表的消费电子领域市场规模受到了一定的冲击。根据 CINNO Research 数据，2022 年上半年中国市场智能机的销量约为1.34亿部，同比下降16.9%；终端销量的下滑也让下游客户在备货策略上更为保守，新产品的推出时间也存在一定的延迟。报告期内，上述因素给公司各业务带来
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了一定的影响，导致公司营业收入和归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润相比去年同期下降；报告期内公司以暂时闲置资金进行现金管理，导致公司的净利润相比去年同期增长。
经中国证券监督管理委员会《关于同意上海芯导电子科技股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可[2021]3364号）的批准，公司2021年12月于上海证券交易所向社会公众公开发行人民币普通股(A 股) 15000000.00 股，同时，报告期内，公司实施 2021 年年度利润分配及转增股本方案，转增24000000股，相比去年同期，股本和净资产增加，导致每股收益和加权平均净资产相比去年同期下降。
截至2022年6月30日，公司总资产217662.44万元，同比增长1.32%；归属于上市公司股东的净资产212023.51万元，同比增长1.56%；
公司根据市场发展趋势、下游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展。公司的第三代半导体 650V GaN HEMT 产品已经在多客户的项目中测试和验证，配合公司第三代半导体 650VGaN HEMT 器件的高整合度驱动器芯片已处于客户端测试阶段。报告期内，公司研发投入占营业收入的比例同比增加3.45个百分点，主要为公司研发人员增加致职工薪酬增长；新品测试开发费增加。
七、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位:元币种:人民币
非经常性损益项目金额附注（如适用）非流动资产处置损益
越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符合国家政策规
19038.32
定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益非货币性资产交换损益委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益
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同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益除同公司正常经营业务相关的有效套期
保值业务外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金
融负债产生的公允价值变动损益，以及27735302.80处置交易性金融资产、衍生金融资产、
交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回对外委托贷款取得的损益采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响受托经营取得的托管费收入除上述各项之外的其他营业外收入和支
-106819.06出其他符合非经常性损益定义的损益项目代扣代缴个人所得税手
65884.01
续费返还
减：所得税影响额2771340.61
少数股东权益影响额（税后）
合计24942065.46
将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用√不适用
八、境内外会计准则下会计数据差异
□适用√不适用
九、非企业会计准则业绩指标说明
□适用√不适用
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第三节管理层讨论与分析
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所属行业情况
1、行业发展情况
公司所处行业属于集成电路设计行业。根据国家统计局2017年修订的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司从事的相关业务属于“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据证监会《上市公司行业分类指引（2012年修订）》的行业划分，公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39）”。
半导体产业是全球性产业，全球产业景气度是中国半导体产业发展的大前提，但中国半导体产业的内生力更值得关注。半导体行业发源于欧美，日韩及中国台湾在产业转移中亦建立了先进的半导体工业体系。中国半导体起步晚，但近年来，国家高度重视半导体行业的发展，不断出台多项鼓励政策大力扶持包括功率半导体在内的半导体行业。随着国内大循环、国内国际双循环格局发展，国内功率半导体产品需求继续增加，国内功率半导体设计企业不断成长，未来发展空间巨大。
根据顾问机构 International Business Strategies（IBS）预测，到 2030 年中国的半导体市场供应将达到5385亿美元。2020-2030年中国市场的半导体供应量来自中国本土企业的比例将逐渐上升，到2030年将达到39.8%。预计到2030年，69%的消费量将来自中国本土公司，需求主要来自数据中心、消费电子、汽车、医疗等应用领域。
当前半导体产业正在发生深刻的变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等
优异的性能而受到行业关注，将成为新型的半导体材料。SiC、GaN 等半导体材料属于新兴领域，相关产品的技术开发具有应用战略性和前瞻性。GaN 功率器件开关频率高、导通电阻小、电容小、禁带宽度大、耐高温、能量密度高、功率密度大，可在高频情况下保持高效率水平工作，将有望被广泛运用于 5G 通讯、智能电网、快充电源、无线充电等领域。市场空间巨大。越来越多的企业加入了第三代半导体器件的开发行列。
展望未来，国产替代和创新浪潮仍是未来电子行业的发展主轴。国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要提出要加快发展现代产业体系，坚持自主可控、安全高效，加快补齐基础元器件的瓶颈短板，半导体产业未来发展可期。
2、行业地位
公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、上海市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市高新技术企业、上海市三星级诚信创建企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。
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公司自主研发的一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型 NPN 结构技术、
MOSFET 的沟槽优化技术、沟槽 MOS 型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节的占空比环
路控制技术、一种复合 DC-DC 电路、一种负载识别电路等核心技术显著提升了公司产品的技术
水平及市场竞争力，具有国内领先水平。一种 GaN HEMT 器件制备技术，优化了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，同时优化了终端结构，使得 GaN HEMT 产品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。公司已经正式发布具有自主专利技术的 GaN HEMT 产品，并在多个客户端进行验证，是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。
公司的功率器件及功率 IC 产品，具有高性能、低功耗、小尺寸的特点，产品市场目前主要被德州仪器（TI）、安森美（ON Semiconductor）、商升特半导体（Semtech Corporation）等国外半
导体厂商占据，国产化替代空间巨大。随着消费类电子产品的持续更新发展、市场规模持续扩展，公司产品的应用需求将进一步释放，市场前景广阔。
（二）主营业务情况
1、主要业务与产品
公司主营业务为功率半导体的研发与销售，公司功率半导体产品包括功率器件和功率 IC 两大类，公司产品可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。
（1）功率器件
公司功率器件产品主要包括瞬态电压抑制二极管（TVS）、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、肖特基势垒二极管（SBD）、氮化镓（GaN HEMT）等。其中，公司的 TVS 产品主要为 ESD 保护器件。各产品介绍如下：
产品名称产品图片主要功能应用领域具体应用
GaN 功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷。因此 GaN 功 消费类电 PD 快充、电源适配率器件作为开关子、安器、车载充电、服氮化镓（GaN和驱动应用时， 防、网络 务器电源、5G 基站HEMT）
特别适合于高频通讯、工电源的驱动和开关
应用场合，对提业等领域应用。
升变换器的效率和功率密度非常有利。
智能手机、平板电
具有静电防护、
脑、笔记本电脑、瞬态电压浪涌吸收等防过
POS 机、车载影音
抑制二极 ESD 保 电压功能，对电 消费类电娱乐系统等设备的
管护器件源线、信号线、子等领域
按键、触摸屏、（TVS） 输入输出端口等
USB、HDMI 等接进行保护。
口的保护。
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吸收瞬间大电流
IPC、NVR、无人
将两端电压箝制安防、网
机、网关、扫地机
普通在一个预定的数络通讯、
器人、车载影音娱
TVS 值上，从而对后 工业等领乐系统等设备的按面的电路进行保域键。
护。
智能手机、平板电
把输入电压的变消费类电脑、笔记本电脑、
金属-氧化物半导体 化转化为输出电 子、安 TWS、POS 机、无
场效应晶体管流的变化起到开防、网络人机、网关、扫地（MOSFET） 关或放大等作 通讯、工 机器人、车载影音用。业等领域娱乐系统等设备的驱动和开关应用。
智能手机、平板电
消费类电脑、笔记本电脑、
在变频器、开关
子、安 TWS、POS 机、无
肖特基势垒二极管电源、驱动电路
防、网络人机、网关、扫地（SBD） 中用作检波、电
通讯、工机器人、车载影音流整流。
业等领域娱乐系统等设备的整流和开关应用。
（2）功率 IC
公司的功率 IC 产品主要为电源管理 IC具体包括单节锂电池充电芯片、过压保护芯片、音频
功率放大器、DC-DC 类电源转换芯片、氮化镓驱动 IC 等。各产品介绍如下表所示：
应用产品名称产品图片主要功能具体应用领域
氮化镓器件及 IC消费类电
用于电力电子领域 在快速充电、LED
氮化镓驱动子、网络通
的能量转换开关及 照明、5G 通讯、
IC 讯、汽车等控制。云计算服务器及电领域动汽车等。
手机、平板、智能终端等便携式电子设备；车载记录用于给锂电池充电消费类电
单节锂电池仪、电话机、
并支持设备之间相子、安防等
充电芯片 TWS、移动电源、互充电。领域电子烟、玩具等锂电池供电设备的充电管理。
12/1352022年半年度报告
手机、平板、智能应用于电子产品的终端等便携式电子电源输入口处实现消费类电设备；车载记录过压保护芯
过压保护、短路保子、安防等仪、电话机、片
护、过温保护等功 领域 TWS、移动电源、能。电子烟、玩具等电源输入口的保护。
用于放大微弱的音
消费类电蓝牙音箱、智能音频信号以驱动扬声
音频功率放子、网络通箱、共享单车、扩器发出音量合适的
大器讯、安防等音器、玩具等的扬声音；内置防止破领域声器驱动。
音功能。
计算机 CPU、存储电压转换器将一定消费类电
器等模块的供电、
DC-DC 类电 的直流电压升高或 子、网络通
手机、平板、机顶
源转换芯片降低至合适值为设讯、安防、盒等终端产品内模备供电。工业等领域块的供电电源。
2、主要经营模式
公司自设立以来一直采用 Fabless 的经营模式进行产品研发和销售。在 Fabless 模式下，公司专注于功率半导体相关产品的设计，将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工，由外协厂商负责生产。
（1）产品研发模式
公司采用 Fabless 经营模式，产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注行业前沿技术，紧跟客户需求和市场变化趋势，打造自主研发的技术平台，并以此为基础，持续推进技术迭代，丰富产品种类和型号，拓展应用领域，从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。
（2）采购与生产模式
公司采用集成电路行业典型的 Fabless 经营模式，专注于功率半导体产品的研发和销售环节，晶圆制造和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。
（3）销售模式
根据行业、产品及市场情况，公司主要采取“经销为主，直销为辅”的销售模式。
二、核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和功率 IC 工艺设计方面积累了多项核心技术。
在功率器件方面：公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了 TVS、肖特基、稳压管等产
品的低漏电和高温下的可靠性，使产品在应用过程中更加安全和稳定；深槽隔离及穿通型 NPN 结
13/1352022年半年度报告
构技术实现了 TVS 产品的高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性，同时实现了产品封装的小型化，不但使产品在应用中减少了空间的占用，同时提升了浪涌防护能力，对产品的保护效果更加优异；
MOSFET 的沟槽优化技术实现了 MOSFET 产品的低导通阻抗、低损耗特性，使产品在应用中大幅降低了功耗，减少了发热；沟槽 MOS 型肖特基势垒二极管的改进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性，在使用过程中降低了产品功耗。
报告期内，公司积极布局第三代半导体 GaN HEMT，并在开发工作方面已取得显著成果，目前已经在多个客户的项目中进行产品验证。基于第三代半导体 GaN HEMT 的核心技术已经开发成功，相关专利已经获得批准，为产品量产提供了保障。通过此项技术公司的 GaN HEMT 产品将具备更好的参数性能，优化了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，提升产品的良率及可靠性，从而降低成本，使产品更具有市场竞争力。同时，基于此项技术，公司开发建立了高压 P-GaN HEMT 技术平台，为 GaN HEMT 产品的系列化打下了坚实的基础。
在功率 IC 方面：可连续调节占空比的环路控制技术使功率 IC 产品更快速响应负载变化，可调输出电压范围更大；一种复合 DC-DC 电路技术不需要额外补偿电路，可以使功率 IC 产品具有负载响应快、精度高的优点；一种负载识别电路技术不需要额外的采集装置，即可完成负载大小的识别，实现简单且高效。
报告期内，公司推出并量产的带路径管理充电新品，在主流软硬件兼容的基础上，突出了全面 EOS 防护能力，配合公司的 TVS 产品，可以轻松实现输入口和输出口+-450V 的浪涌水平，在保持大电流精度的同时，小电流精度也大幅度优于主流水平；公司的保护 IC 系列新品，在维持快速保护响应的同时，采用了小型化的封装，可以有效降低客户的布板空间；公司的负载开关 IC 系列新品，在维持持续 6A 负载能力的同时，将待机静态电流降低到远低于业界平均值的水平；全新一代直驱型 E-Mode 氮化镓驱动 IC，传统的电源控制器可以直接进行驱动，无需配置复杂的电平转换电路，使得产品具有最佳的整合度，并具有更高的可靠性，降低了客户开发难度，利于产品快速推向市场产生效益。
国家科学技术奖项获奖情况
□适用√不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用□不适用认定主体认定称号认定年度产品名称
中华人民共和国工业和信息化部国家级专精特新“小巨人”企业2021年度/
2.报告期内获得的研发成果
截至2022年6月30日，公司现行有效专利累计48项其中发明专利19项，另有集成电路布图设计专有权40项，商标5项。报告期内公司获得新增授权专利8项。
报告期内获得的知识产权列表
14/1352022年半年度报告
本期新增累计数量
申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）发明专利834519实用新型专利754529外观设计专利0000软件著作权0000其他104745合计16813793
3.研发投入情况表
单位：元
本期数上年同期数变化幅度（%）
费用化研发投入16671532.9914434506.0915.50资本化研发投入00
研发投入合计16671532.9914434506.0915.50研发投入总额占营业收入
8.935.48增加3.45个百分点比例（%）
研发投入资本化的比重（%）00研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用□不适用
本期研发费用较上年同期增长15.50%，主要原因为报告期内公司研发人员增加致职工薪酬增加；新产品测试开发费增加。
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用√不适用
15/1352022年半年度报告
4.在研项目情况
√适用□不适用
单位：万元预计总投本期投入金进展或阶段技术序号项目名称累计投入金额拟达到目标具体应用前景资规模额性成果水平
1 双路摆率可调 600 0 662.81 量产阶段 1.超低阻抗，18mΩ；2.低工作 国内 主要用于笔记本电脑
的大电流电源 电流 30uA；3.高精度、宽范围 领先 内部主板电源状态切
负载开关 摆率调整 换、USB 端口限流保护。
2 带 1.5 倍电荷 1150 175.30 844.60 持续研发阶 1.1W 功率下 0.01%的超低谐波 国内 主要应用于智能手
泵的 G 类音频 段 失真；2.听筒与功放二合一模 领先 机、平板电脑扬声器
功放式；3.各种安全保护机制。驱动
3 650V Gan-on- 500 117.86 416.41 持续研发阶 工作电压为 650V 等；器件耐压 国内 主要用于快充适配
si HEMT 功率 段 最高大于 800V；欧姆接触电阻 领先 器、电源等多种应
器件 小于 1?*mm。 用。
4 一种优化的低 153 32.88 124.08 量产阶段 采用 DFN0603-2L 封装； 国内 主要用于手机、智能
正向压降沟槽 Vf=0.6V@0.5A， 领先 平板电脑、TWS 等便MOS 结构肖 Ir50A 可穿戴式的消费类电
品 Ippmax>150A Ippmax>300A 等 子产品、5G 网络通讯
不同等级的大 Ipp 防护器件， 设备、5G 通讯终端设在信号线端口 Ippmax>15A， 备、物联网、AI 人工Ippmax>20A， Cj