芯导科技:2022年年度报告

2022年年度报告
公司代码：688230公司简称：芯导科技上海芯导电子科技股份有限公司
2022年年度报告
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重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是√否
三、重大风险提示公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”中的“四、风险因素”部分内容。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、公司负责人欧新华、主管会计工作负责人兰芳云及会计机构负责人（会计主管人员）张娟声
明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案公司2022年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润及资本公积金转增股本。本次利润分配及资本公积金转增股本方案如下：
1、公司拟向全体股东每10股派发现金红利6.00元（含税），截至2022年12月31日，公
司总股本84000000股，以此计算合计拟派发现金红利50400000.00元(含税)。本年度公司现金分红总额占2022年度归属于上市公司股东净利润的42.19%。
2、公司拟以资本公积金向全体股东每10股转增4股。截至2022年12月31日，公司总股
本84000000股，合计转增33600000股，转增后公司总股本增加至117600000股。
如在本方案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股、回购股份、股权激励授予股份回购注销、重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持每股分配及转增比例不变，相应调整每股分配总额和转增总额。上述事项已获公司第二届董事会第四次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议。
八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
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九、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况否
十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否
十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否
十三、其他
□适用√不适用
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目录
第一节释义.................................................4
第二节公司简介和主要财务指标........................................7
第三节管理层讨论与分析..........................................12
第四节公司治理..............................................46
第五节环境、社会责任和其他公司治理....................................60
第六节重要事项..............................................66
第七节股份变动及股东情况.........................................89
第八节优先股相关情况...........................................98
第九节债券相关情况............................................99
第十节财务报告.............................................100载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表
载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件备查文件目录经公司负责人签名的公司2022年年度报告文本原件报告期内在指定信息披露平台上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿
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第一节释义
一、释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义:常用词语释义
芯导科技、公司、本公司指上海芯导电子科技股份有限公司莘导企管指上海莘导企业管理有限公司
萃慧企管指上海萃慧企业管理服务中心（有限合伙）
中国证监会、证监会指中国证券监督管理委员会上交所指上海证券交易所
《公司法》指《中华人民共和国公司法》
《证券法》指《中华人民共和国证券法》
《公司章程》指《上海芯导电子科技股份有限公司章程》
报告期、本报告期、本年度指2022年1月1日-2022年12月31日
报告期末、本报告期末指2022年12月31日
元、万元、亿元指人民币元、人民币万元、人民币亿元
半导体产品指广义的半导体、电子元器件产品，包括集成电路芯片和其他电子元器件产品。
集成电路、IC 指 Integrated Circuit即集成电路，是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。
功率半导体指对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的半导体器件。
芯片指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果。
TVS 指 Transient Voltage Suppresser，即瞬态电压抑制器，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件。
它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪
涌吸收能力，可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压。
MOSFET 指 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（ Field-effecttransistor），依照其“通道”的极性不同，可分为 N-type与 P-type的 MOSFET。
GaN HEMT 指 GaN(氮化镓) HEMT 即 High Electron Mobility
Transistor(高电子迁移率晶体管) 是一种用于新一代功率元器件的化合物第三代半导体材料。
与普通的半导体材料硅相比，具有更优异的物理性能。
肖特基二极管 指 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），在通信电源、变频器等中比较常见。是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管芯片，具有反向恢复时间极短（可以小到几
5/1982022年年度报告纳秒），正向导通压降更低（仅 0.4V左右）的特点。
ESD 指 静电保护二极管，是用来避免电子设备中的敏感电路受到静电放电影响的器件。
TMBS 指 Trench MOS Barrier Schottky Diode，沟槽 MOS型肖特基势垒二极管。
DC-DC 指 在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电
压值的电能的转换电路，也称为直流转换电源。
OVP 指 过压保护，指被保护线路电压超过预定的最大值时，使电源断开或使受控设备电压降低的一种保护方式。
IDM 指 Integrated Design and Manufacture，垂直整合制造模式。
Fabless 指 无晶圆厂集成电路设计企业，只从事集成电路研发和销售，而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成；也代指此种商业模式。
晶圆指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之 IC产品。
封装指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。
测试指把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的需求。
平面（Planar）工艺 指 平面工艺，是 MOSFET产品常见的一种生产工艺。
沟槽（Trench）工艺 指 沟槽工艺，通常可以进一步提高 MOSFET产品的沟道密度，减小芯片尺寸，降低导通电阻，拥有更低的导通电阻和栅漏电荷密度。
PSC 指 Prisemi Switch Charger，指芯导科技开关充电产品。
PB 指 Power Bank，移动电源的电源管理。
PLC 指 Prisemi Linear Charger，指芯导科技线性充电管理产品
ODM 指 Original Design Manufactuce，原始设计制造商。
它可以为客户提供从产品研发、设计制造到后期
维护的全部服务，客户只需向 ODM 服务商提出产品的功能、性能甚至只需提供产品的构思，ODM服务商就可以将产品从设想变为现实。
NPN 指 半导体工艺中，通过参杂实现的 N型+P型+N型三种结构层，用来实现器件的特殊的功能。
EOS 指 电气过应力，这里指大功率的瞬态电压电流的失效。
E-MODE 指 增强型氮化镓器件，是一种常关型的器件。随之对应的 D-MODE指耗尽型氮化镓器件，一种常开型器件。
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第二节公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况公司的中文名称上海芯导电子科技股份有限公司公司的中文简称芯导科技
公司的外文名称 Shanghai Prisemi Electronics Co.Ltd.公司的外文名称缩写 Prisemi公司的法定代表人欧新华
公司注册地址中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号公司注册地址的历史变更情况报告期内无
公司办公地址中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号；
上海市浦东新区张江集成电路设计产业园盛夏路565弄54
号（D幢）10-11层公司办公地址的邮政编码201210；201203
公司网址 http://www.prisemi.com
电子信箱 investor@prisemi.com报告期内变更情况查询索引详见公司于2022年8月18日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露的公告
二、联系人和联系方式
董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表姓名兰芳云闵雨琦联系地址上海市浦东新区张江集成电路设计产业上海市浦东新区张江集成电路设计产业
园盛夏路 565弄 54号（D幢）11层 园盛夏路 565弄 54号（D幢）11层
电话021-60753051021-60753051
传真021-60870156021-60870156
电子信箱 investor@prisemi.com investor@prisemi.com
三、信息披露及备置地点
公司披露年度报告的媒体名称及网址 上海证券报（www.cnstock.com）、中国证券报（www.cs.com.cn）、证券时报（www.stcn.com）、
证券日报（www.zqrb.cn）
公司披露年度报告的证券交易所网址 www.sse.com.cn公司年度报告备置地点公司证券部报告期内变更情况查询索引详见公司于2022年8月18日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露的公告
四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股 上海证券交易所科创板 芯导科技 688230 不适用
(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
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五、其他相关资料
名称天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）
公司聘请的会计师事 办公地址 北京市海淀区车公庄西路 19 号 68 号楼 A-1务所（境内） 和 A-5区域
签字会计师姓名叶慧、徐福宽名称国元证券股份有限公司办公地址上海市浦东新区民生路1199弄1号证大五道报告期内履行持续督口大厦16楼导职责的保荐机构
签字的保荐代表人姓名罗欣、张琳
持续督导的期间2021.12.1-2024.12.31
六、近三年主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位：元币种：人民币本期比上年主要会计数据2022年2021年同期增减2020年(%)
营业收入336147850.09475649458.03-29.33368354094.50
归属于上市公司股119446314.26114526286.604.3074163820.94东的净利润
归属于上市公司股65411512.66108488346.23-39.7171603454.79东的扣除非经常性损益的净利润
经营活动产生的现64210970.1291553496.99-29.8757776403.98金流量净额本期末比上
2022年末2021年末年同期末增2020年末减（%）
归属于上市公司股2171100979.682087654665.424.00142639699.58东的净资产
总资产2212763331.582148226007.943.00214534389.18
(二)主要财务指标本期比上年同期增减主要财务指标2022年2021年2020年(%)
基本每股收益（元／股）1.421.77-19.771.18
稀释每股收益（元／股）1.421.77-19.771.18
扣除非经常性损益后的基本每0.781.68-53.571.14
股收益（元／股）
加权平均净资产收益率（%）5.6132.49减少26.88个百分点60.02
扣除非经常性损益后的加权平3.0730.78减少27.71个百分点57.95
均净资产收益率（%）
研发投入占营业收入的比例（%）10.356.19增加4.16个百分点6.40报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
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报告期内，公司实现营业收入33614.79万元，较上年同期减少29.33%；归属于上市公司股东的净利润11944.63万元，较上年同期增长4.3%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为6541.15万元，较上年同期减少39.71%。影响上述指标变动的主要原因是：
1、由于全球经济增长乏力，消费持续疲软，以智能手机为代表的消费电子领域市场规模受到了一定的冲击。受终端消费需求明显下降、下游品牌客户保守采购策略影响，公司产品出货量减少，营业收入较去年同期减少；
2、面对复杂多变的市场形势，为保证公司产品的竞争优势和可持续发展，公司有计划、有步
骤地进行技术开发，持续加大研发投入，研发投入较去年同期增加；
3、受美元汇率波动影响，汇兑收益较去年同期增加；
4、公司非经常性损益增加，主要为收到的政府补助及使用暂时闲置资金进行现金管理所产生
的收益较上年同期增加：
报告期内，公司总资产221276.33万元，同比增长3%；归属于上市公司股东的净资产
217110.10万元，同比增长4%，主要为净利润的增长所致。
经中国证券监督管理委员会《关于同意上海芯导电子科技股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可[2021]3364号）的批准，公司2021年12月于上海证券交易所向社会公众公开发行人民币普通股(A股) 15000000股，发行后的总股本为 60000000股。同时，报告期内，公司实施2021年年度利润分配及转增股本方案，转增24000000股，相比去年同期，股本和净资产增加，导致每股收益和加权平均净资产相比去年同期下降。
七、境内外会计准则下会计数据差异
(一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(三)境内外会计准则差异的说明：
□适用√不适用
八、2022年分季度主要财务数据
单位：元币种：人民币
第一季度第二季度第三季度第四季度
（1-3月份）（4-6月份）（7-9月份）（10-12月份）营业收入86567180.93100045547.3975200947.8474334173.93
归属于上市公司股东29908629.5438671834.8632731180.7818134669.08的净利润
归属于上市公司股东18067618.8225570780.1214547622.447225491.27
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的扣除非经常性损益后的净利润
经营活动产生的现金4006020.6536029465.9113121903.8611053579.70流量净额季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用√不适用
九、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位:元币种:人民币附注非经常性损益项目2022年金额（如适2021年金额2020年金额用）
非流动资产处置损益-50197.57-3374.1816165.72
越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与公6679538.323173800.00674589.87司正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益非货币性资产交换损益
委托他人投资或管理资产的损益58637253.95
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有效-5348326.773426374.722154095.69
套期保值业务外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融
负债、衍生金融负债产生的公允价
值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融
负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益
单独进行减值测试的应收款项、合
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同资产减值准备转回对外委托贷款取得的损益采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入54516.5110379.49和支出
其他符合非经常性损益定义的损益65884.01代扣代101642.60项目缴个人所得税手续费返还
减：所得税影响额6003866.85670882.26284485.13
少数股东权益影响额（税后）
合计54034801.606037940.372560366.15
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非
经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。
□适用√不适用
十、采用公允价值计量的项目
√适用□不适用
单位：元币种：人民币对当期利润的影项目名称期初余额期末余额当期变动响金额
交易性金1546876325.64346227998.87-1200648326.77-5348326.77融资产
其他债权304665561.64304665561.649665561.65投资
合计1546876325.64650893560.51-895982765.134317234.88非企业会计准则业绩指标说明
□适用√不适用
十一、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
√适用□不适用
公司因涉及商业秘密，对前5名中存在新增的供应商及客户名称进行豁免披露
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第三节管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
2022年度，在地缘政治局势复杂多变、宏观经济增速放缓及行业周期等诸多挑战的背景下，公司始终坚持以“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”作为公司使命，凭借优秀的研发能力及研发团队，通过多年的技术积累，已具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。
目前，公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台，公司针对 TVS 产品先后开发了平面工艺普通容值 TVS 技术平台、平面工艺低容值 TVS 技术平台、改进型台面工艺
TVS 技术平台、深槽隔离工艺 TVS 技术平台、穿通型 NPN 结构工艺 TVS 技术平台等；公司针对
MOSFET 产品先后开发了平面（Planar）工艺 MOSFET 技术平台、沟槽（Trench）工艺 MOSFET
技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺 MOSFET 技术平台、屏蔽栅工艺 MOSFET 技术平台等；公
司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽 MOS 型工艺肖特基（TMBS）技术
平台、改进型沟槽 MOS 型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；公司针对第三代半导体 GaN HEMT
产品开发了高压 P-GaN HEMT 技术平台；公司针对 IC 产品先后开发了 PSC 技术平台、过压保护
类技术平台、PB 技术平台、音频功放技术平台、DC-DC 技术平台，负载开关技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步，在技术平台下持续更新、迭代，研发出新一代产品投入市场。
（一）报告期内主要经营情况
报告期内，公司实现营业收入33614.79万元，较上年同期减少29.33%；实现归属于母公司所有者的净利润11944.63万元，较上年同期增长4.30%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润6541.15万元，较上年同期减少39.71%。
报告期末，公司总资产221276.33万元，同比增长3.00%；归属于母公司的所有者权益
217110.10万元，同比增长4.00%。
（二）报告期内重点任务完成情况
1、技术研发与创新
报告期内，公司根据市场发展趋势、下游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展；公司作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，一直坚持以自主技术创新为基础，坚持技术领先战略，增强公司的研发储备。
（1）功率器件研发方面：
* 在 TVS 产品方面：
A．公司具有深回退特性的低容 ESD 产品，已形成系列化，以多种参数规格，封装类型适用于 USB、Typce-C、HDMI 等多种应用的保护，并实现批量出货。具有深回退特性的低容 ESD，以其超低的钳位电压特性，既满足了目前集成电路产品的超低工作电压保护需求，同时，其低容的
12/1982022年年度报告特性，又满足了高速信号传输线的保护应用。
B．最新的超低容值（0.2pF）具有深回退特性的多电压档 ESD 系列产品，目前已经进入工程样品封装阶段。该产品可以为 5G 相关应用，特别是 5G 信号传输方面提供更低的容值和更低的钳位电压等方面性能。
C．在超低钳位电压、超大泄放电流的 TVS 产品方面，已经开发成功并实现量产，还在向更小的尺寸方向进行升级，同时，为满足未来更高充电功率的设计应用，针对更高充电功率保护产品，已经在开发全新的 TVS 产品。
* 在 MOSFET 产品方面：
A．中压超低导通电阻和超低栅极电荷的 SGT MOS，已形成 2-8mR，多种封装形式的系列产品，目前已进入推广阶段，在 PD 快充适配器、BLDC 驱动、光伏逆变器、BMS 等多个领域进行验证测试，并有部分产品已经完成验证。
B．低压超低导通电阻和超低栅极电荷的 MOSFET 产品，已形成 1.6-10mR，多种封装形式的系列产品，并处于推广阶段，部分产品已在终端客户产品应用中实现量产。该类型产品在手机、平板电脑、TWS、PD 快充、笔记本电脑、电动工具、BMS、电机控制等领域都有极为广泛的应用。接下来，还将向多规格、小型化方向升级。
公司将完善不同导通电阻和电压规格的 MOSFET 产品，不断拓展新的应用领域，提升MOSFET 产品的市场份额。
*在肖特基产品方面：
A．具有超低正向导通压降、大正向导通电流的超小封装尺寸（0.6*0.3mm）的肖特基产品进
入推广阶段，目前已实现量产。
B．正在开发的在小型封装中具有更低正向导通压降的肖特基产品，目前已经完成结构设计，进入流片阶段，正在进行工艺调试。开发成功后，性能将具有业界领先水平。
* 在 GaN HEMT 产品方面：
公司的第三代半导体 650V GaN HEMT 产品已经在多客户的项目中测试和验证通过，并已获取小批量订单。目前，具有 90-250mR 的系列 P-GaN 产品已进入多个客户的项目资源池中，等待客户正式启动项目后进入小批量试运营。此外，中低压 GaN HEMT 产品已经进入开发阶段。
GaN HEMT 产品具有高功率密度、高速度、高效率的功率等特点，在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于传统半导体材料，在快充电源、5G 通讯、智能电网等领域将具有广泛的应用前景。
（2）功率 IC 研发方面：
* 过流过压保护类 IC 产品实现系列化，并在知名品牌的穿戴类产品中广泛应用，获得了良好的口碑；
* 公司进一步加大对充电管理产品线的投入，大电流半压充电 IC 产品已进入流片验证阶段；
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*能够满足消费工业类终端的快充需求，具有高精度、高效率与高稳定性降压型高压大电流系列及升降压大电流系列产品，正在有序推进中；
* 大电流降压 DC-DC 产品具有高效率高可靠性的特点，已扩展到工控领域的应用；
*为了应对客户日益增长的功耗管理需求，扩展现有产品系列，已进行负载开关等新产品类别的开发；
* 在相关的新能源应用领域，公司坚持第三代半导体 GaN 氮化镓相关器件及驱动控制器的开发高整合度驱动器芯片已在客户端完成验证，性能表现良好，目前在等待客户后续项目计划；
2、供应链与客户管理不断完善
（1）供应链管理
公司成立至今，已先后与行业内多家知名的晶圆制造厂商和封装测试厂商建立了长期稳定的合作关系，积累了丰富的供应链资源，有效保证了产品的交付能力及质量。
报告期内，公司不断加强与现有供应商的紧密合作及管理，积极保障产能需求。同时，公司还不断拓展和完善供应链系统，优化供应链管理流程，提高管理效率。报告期内，公司已与多家晶圆制造厂商和封装测试厂商建立起了新的合作关系，多款新产品正在评估中，将逐步形成深度合作关系。这将对公司提升品牌影响力、产品竞争力及市场占有率有着积极的影响。
（2）客户管理
公司通过经销为主直销为辅的销售模式，已经建立起较为完整的营销网络，与小米通讯、TCL、传音等手机品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等业内知名的 ODM 手机厂商形成了长期稳定的合作关系，并围绕上述终端客户的需求积极开展功率半导体新产品的开发与合作；此外，公司产品亦成功应用于小米，华为，OPPO，安克，森海塞尔、VIVO、哈曼、倍思、飞利浦等品牌旗下的多款 TWS 耳机产品以及思摩尔、海派特、悦刻等品牌的电子烟产品。公司积极开拓新经销商并通过加强与优质经销商的合作，进一步开拓终端客户应用。
报告期内，公司产品新增穿戴方案客户魔样、电子烟客户同跃等。公司通过先进的研发技术能力、快速的客户服务响应速度以及优质的产品性能及质量，在行业中形成了良好的用户口碑和品牌影响力，从而对公司未来拓宽销售网络、推广新品具有积极作用。
3、推动知识产权体系建设
公司始终坚持自主研发技术，认真按照“激励创造、有效运用、依法保护、科学管理”的方针，在知识产权创造、运功、保护与管理等方面积极探索，形成分工清晰、责任落实、程序完善、合作协调的知识产权工作体系，进一步提升企业知识产权工作，提升企业创新能力和核心竞争力。
报告期内，公司新增知识产权申请28项，其中发明专利12项，实用新型专利9项，共17项知识产权获得授权，其中发明专利4项，实用新型专利9项。截至2022年12月31日，公司现行有效知识产权累计102项，其中发明专利20项，实用新型33项，另有集成电路布图设计专有权
43项，商标6项。
4、推进研发中心建设，不断充实人才队伍
14/1982022年年度报告
报告期内，公司积极推进公司募投项目的实施及研发中心的建设，完成募投项目及研发中心办公场地的购置与装修工作，新增的研发中心办公场地已正式启用。研发办公面积整体扩大后，能够进一步引进功率半导体领域的优秀人才，购置先进的研发及实验设备，对公司现有核心技术、主要产品以及战略规划中未来拟研发的新技术、新产品及新兴应用领域进行长期深入的研究和开发。
公司高度重视人才储备，报告期内不断新增吸纳各类优秀人才、扩充人才团队，持续完善人力资源管理体系、职级体系、培训体系，并通过建立有竞争力的薪酬体系和激励机制，充分调动员工积极性，推动公司人才队伍持续成长，保障公司未来业务发展。
5、参与投资产业基金，进一步优化投资结构
报告期内，公司以自有资金5000万元参与投资北京光电融合产业投资基金（有限合伙），加深了公司与北京燕东微电子股份有限公司等行业相关企业的合作，借助专业投资机构的资源，拓宽投资方式和渠道，把握公司所在行业相关创新应用领域的投资机会，优化公司投资结构，同时，还能进一步加强与相关公司的战略合作关系并带来相应的产业资源。
报告期内，公司董事会、监事会审议通过了《关于募投项目新增实施主体和实施地点并投资设立子公司的议案》，为保障募投项目的有效实施和管理，提高募集资金的使用效率，公司拟在无锡设立全资子公司芯导科技（无锡）有限公司，并新增该子公司为公司募集资金投资项目（“高性能分立功率器件开发和升级”、“高性能数模混合电源管理芯片开发及产业化”、“硅基氮化镓高电子迁移率功率器件开发项目”）实施主体之一，以上募投项目实施地点相应由上海调整为上海、无锡。截至本报告披露日，公司全资子公司芯导科技（无锡）有限公司已正式运营。
6、提升投资者关系管理水平，强化投资者回报
公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、
法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露制度》的要求，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完整，进一步提升公司规范运作水平和透明度。同时，不断提高公司投资者关系管理工作的专业性，加强投资者对公司的了解，促进公司与投资者之间的良性互动关系，切实维护全体股东利益，特别是中小股东的利益，努力实现公司价值最大化和股东利益最大化。
报告期内，公司通过上证路演中心以视频录播、网络文字互动的方式召开了2021年度暨2022
年第一季度业绩说明会、2022年半年度业绩说明会、2022年第三季度业绩说明会，针对公司经营
成果及财务指标的具体情况与投资者进行互动交流，对投资者普遍关注的问题进行回复说明，使广大投资者更全面深入地了解公司的经营情况与财务状况。
报告期内，公司严格执行利润分配相关制度，完成了2021年年度权益分派的实施工作，公司将继续做好经营管理工作，提升公司核心竞争力与盈利能力，努力为投资者创造中长期价值。
15/1982022年年度报告
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司主营业务为功率半导体的研发与销售，公司功率半导体产品包括功率器件和功率 IC 两大类，公司产品可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。
（1）功率器件
公司功率器件产品主要包括瞬态电压抑制二极管（TVS）、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、肖特基势垒二极管（SBD）、氮化镓（GaN HEMT）等。其中，公司的 TVS 产品主要为 ESD 保护器件。各产品介绍如下：
产品名称产品图片主要功能应用领域具体应用
GaN 功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷。因此 GaN 功 消费类电 PD 快充、电源适配率器件作为开关子、安器、车载充电、服氮化镓（GaN和驱动应用时， 防、网络 务器电源、5G 基站HEMT）
特别适合于高频通讯、工电源的驱动和开关
应用场合，对提业等领域应用。
升变换器的效率和功率密度非常有利。
智能手机、平板电
脑、笔记本电脑、
具有静电防护、消费类电
POS 机、汽车中控
浪涌吸收等防过子、安
系统、总线保护、
ESD 保 电压功能，对电 防、网络IPC、NVR、
护器件源线、信号线、通讯、汽
GPON、EPON 等设输入输出端口等车电子等
瞬态电压备的按键、触摸进行保护。领域抑制二极 屏、USB、HDMI管等接口的保护。
（TVS） IPC、NVR、无人吸收瞬间大电流
安防、网机、网关、扫地机将两端电压箝制
络通讯、器人、汽车中控系普通在一个预定的数
工业、汽 统、IPC、NVR、
TVS 值上，从而对后车电子等 GPON、EPON、光面的电路进行保
领域伏逆变、储能等设护。
备的按键。
智能手机、平板电
脑、笔记本电脑、消费类电
TWS、POS 机、无
把输入电压的变子、安
人机、网关、扫地
金属-氧化物半导体化转化为输出电防、网络
机器人、汽车中控
场效应晶体管流的变化，起到通讯、工系统、IPC、（MOSFET） 开关或放大等作 业、汽车
NVR、GPON、用。电子等领EPON、光伏逆变、域储能等设备的驱动和开关应用。
16/1982022年年度报告
智能手机、平板电
脑、笔记本电脑、
消费类电 TWS、POS 机、无
子、安人机、网关、扫地
在变频器、开关
防、网络机器人、汽车中控
肖特基势垒二极管电源、驱动电路
通讯、工 系统、IPC、（SBD） 中用作检波、电
业、汽车 NVR、GPON、流整流。
电子等领 EPON、光伏逆变、
域储能、家电、电源等设备的整流和开关应用。
（2）功率 IC
公司的功率 IC 产品主要为电源管理 IC具体包括单节锂电池充电芯片、过压保护芯片、音频
功率放大器、DC-DC 类电源转换芯片、氮化镓驱动 IC 等。各产品介绍如下表所示：
应用产品名称产品图片主要功能具体应用领域
氮化镓器件及 IC消费类电
用于电力电子领域 在快速充电、LED
氮化镓驱动子、网络通
的能量转换开关及 照明、5G 通讯、
IC 讯、汽车等控制。云计算服务器及电领域动汽车等。
手机、平板、智能终端等便携式电子设备；车载记录用于给锂电池充电消费类电
单节锂电池仪、电话机、
并支持设备之间相子、安防等
充电芯片 TWS、移动电源、互充电。领域电子烟、玩具等锂电池供电设备的充电管理。
手机、平板、智能应用于电子产品的终端等便携式电子电源输入口处实现消费类电设备；车载记录过压保护芯
过压保护、短路保子、安防等仪、电话机、片
护、过温保护等功 领域 TWS、移动电源、能。电子烟、玩具等电源输入口的保护。
用于放大微弱的音
消费类电蓝牙音箱、智能音频信号，以驱动扬音频功率放子、网络通箱、共享单车、扩声器发出音量合适
大器讯、安防等音器、玩具等的扬的声音；内置防止领域声器驱动。
破音功能。
17/1982022年年度报告
计算机 CPU、存储电压转换器将一定消费类电
器等模块的供电、
DC-DC 类电 的直流电压升高或 子、网络通
手机、平板、机顶
源转换芯片降低至合适值，为讯、安防、盒等终端产品内模设备供电。工业等领域块的供电电源。
(二)主要经营模式
公司自设立以来一直采用 Fabless 的经营模式进行产品研发和销售。在 Fabless 模式下，公司专注于功率半导体相关产品的设计，将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工，由外协厂商负责生产。
（1）产品研发模式
公司采用 Fabless 经营模式，产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注行业前沿技术，紧跟客户需求和市场变化趋势，打造自主研发的技术平台，并以此为基础，持续推进技术迭代，丰富产品种类和型号，拓展应用领域，从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。
（2）采购与生产模式
公司采用集成电路行业典型的 Fabless 经营模式，专注于功率半导体产品的研发和销售环节，晶圆制造和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。
（3）销售模式
根据行业、产品及市场情况，公司主要采取“经销为主，直销为辅”的销售模式。
(三)所处行业情况
1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司所处行业属于集成电路设计行业，根据国家统计局2017年修订的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司从事的相关业务属于“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。
2022年，由于受到地缘政治形势等多重因素影响，全球经济增长乏力，消费持续疲软，以智
能手机为代表的消费电子领域市场规模受到了一定的冲击。据半导体产业协会(SIA)公布数据显示，2022 年全球半导体销售额达到 5735 亿美元，同比增长 3.2％。同时，IDC 最新预测显示，
2022年智能手机出货量将下降9.1%，比上次预测下降2.6个百分点，达12.4亿部。
2022年以来，美国商务部工业与安全局（BIS）公布一系列管制措施，以进一步限制中国先进
的芯片制造和人工智能技术的发展。美国对中国半导体技术封锁态势难以转变，我国半导体产业国产化进程预期将持续推进。中国海关总署公布的数据显示，2022年中国进口集成电路5384亿块，进口金额2.76万亿美元，分别较2021年下降15.30%和0.90%。受复杂的外部环境因素影响，集成电路产业实现自主可控的要求越来越迫切，国产替代进口需求空间巨大，具有自主核心技术的国产芯片份额会有极大的提升。
公司产品主要包括功率器件和功率IC功率器件产品主要为TV（S 包括ESD保护器件）、MOSFET、
18/1982022年年度报告
肖特基等；功率 IC 产品主要为电源管理 IC。公司产品具有高性能、低损耗、低漏电、小型化的特点，可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。公司在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域的同时，也在积极将产品向汽车电子、新能源等领域拓展。
功率半导体行业属于是典型的知识密集型行业，需要融合多种专业技术，跨越多个学科领域，如半导体器件物理、电路设计、产品工艺、应用方案设计等，且技术更新速度快，需要从业人员持续不断地学习、积累，行业技术门槛较高。
公司的功率半导体产品，具有需要多种专业融合、对设计能力和持续创新能力要求高、需要对晶圆制造工艺及封装工艺具有深刻的理解和掌握等特点；产品结构设计技术和产品工艺设计技
术难度大、产品测试要求高；同时，品牌客户对企业的认证周期长、对产品的测试验证要求高，一般的功率器件设计企业开拓品牌客户的难度较大，因此具有较高技术门槛。
2.公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、上海市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市高新技术企业、上海市三星级诚信创建企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。
公司自主研发的一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型 NPN 结构技术、
MOSFET 的沟槽优化技术、沟槽 MOS 型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节的占空比环
路控制技术、一种复合 DC-DC 电路、一种负载识别电路等核心技术显著提升了公司产品的技术
水平及市场竞争力，具有国内领先水平。一种 GaN HEMT 器件制备技术，优化了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，同时优化了终端结构，使得 GaN HEMT 产品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。公司已经正式发布具有自主专利技术的 GaN HEMT 产品，并在多个客户端进行验证，是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。
公司的功率器件及功率 IC 产品，具有高性能、低功耗、小尺寸的特点，产品市场目前主要被德州仪器（TI）、安森美（ON Semiconductor）、商升特半导体（Semtech Corporation）等国外半
导体厂商占据，国产化替代空间巨大。随着消费类电子产品的持续更新发展、市场规模持续扩展，公司产品的应用需求将进一步释放，市场前景广阔。
3.报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）半导体市场发展趋势
2022年，在贸易摩擦、全球通胀等多重因素导致需求收缩的背景下，半导体市场进入下行周期。根据 WSTS 的预测 2023 年全球半导体销售额将同比下降 4.1%，下滑至 5565 亿美元。ICInsights 预计，在经历 2023 年的周期性下滑之后，半导体销售额将出现反弹，并在未来三年实现更强劲的增长。到2026年，全球半导体销售额预计将攀升至8436亿美元，年复合增长率为
6.5%。
19/1982022年年度报告
由于中美科技摩擦不断，美对华技术封锁措施持续出台，加之全球多区域加强本土半导体产业的扶持，半导体产业呈现明显的逆全球化趋势。我国从中央到地区纷纷出台了多项支持半导体产业发展的政策，各地政府也加强建设集成电路等产业集群，旨在提升本土半导体制造业的规模，突破关键核心技术，解决“卡脖子”问题，加速推进我国半导体的国产化进程。
为推动半导体产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力，带动传统产业改造和产品升级换代，进一步促进国民经济持续、快速、健康发展，我国近年来推出了一系列支持半导体产业发展的政策，主要如下：
发布
法规、政策名称发布单位内容摘要时间
提出了五方面改革举措，包括优化电子电器产品准入管理制度、整合绿色产品评定《关于深化电子器行业管认证制度、完善支持基础电子产业高质量
2022年国务院理制度改革的意见》发展的制度体系、优化电子电器行业流通
管理制度、加强事前事中事后全链条全领域监管。
瞄准事关我国产业、经济和国家安全的若《关于健全社会主义市场干重点领域及重大任务，明确主攻方向和经济条件下关键核心技术
2022年发改委核心技术突破口，重点研发具有先发优势
攻关新型举国体制的意的关键技术和引领未来发展的基础前沿技见》术。
提出“实施重点产品高端提升行动，面向电路类元器件等重点产品，突破制约行业发展的专利、技术壁垒，补足电子元器件发展短板，保障产业链供应链安全稳《基础电子元器件产业发工业和信定。”“重点产品高端提升行动”中明确2021年展行动计划（2021-2023息化部在电路类元器件中重点发展耐高温、耐高年）》
压、低损耗、高可靠半导体分立器件及模块，小型化、高可靠、高灵敏度电子防护器件，高性能、多功能、高密度混合集成电路。
提出要“提高优质企业自主创新能工业和信力，……加大基础零部件、基础电子元器息化部、《关于加快培育发展制造件、基础软件、基础材料、基础工艺、高
2021年科技部、业优质企业的指导意见》端仪器设备、集成电路、网络安全等领域财政部等
关键核心技术、产品、装备攻关和示范应六部门用。”国家鼓励的集成电路线宽小于28纳米（含），且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第十年免征《新时期促进集成电路产企业所得税。国家鼓励的集成电路线宽小
2020年业和软件产业高质量发展国务院于65纳米（含），且经营期在15年以上的若干政策》的集成电路生产企业或项目，第一年至第五年免征企业所得税，第六年至第十年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。
20/1982022年年度报告
发布
法规、政策名称发布单位内容摘要时间
国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、
封装、测试企业和软件企业，自获利年度
起，第一年至第二年免征企业所得税，第
三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。
在“聚焦重点产业投资领域”中提出“加《关于扩大战略性新兴产快新一代信息技术产业提质增效。加快基业投资培育壮大新增长点国家发改础材料、关键芯片、高端元器件、新型显
2020年增长极的指导意见》发改委示器件、关键软件等核心技术攻关，大力高技〔2020〕1409号推动重点工程和重大项目建设，积极扩大合理有效投资。”将企业开展云计算、基础软件、集成电路《关于推动服务外包加快商务部等设计、区块链等信息技术研发和应用纳入
2020年转型升级的指导意见》
8部门国家科技计划（专项、基金等）支持范（商服贸发[2020]12号）围。
复杂的外部环境因素迫使集成电路产业实现自主可控要求越来越迫切，国产替代进口需求空间巨大，具有自主核心技术的国产芯片份额会有极大的提升。国内终端厂商逐步将供应链转移至国内，有助于真正发挥上下游联动发展的协同作用，半导体产业的国产替代持续加速进行，给中国本土企业带来了绝佳的市场机会。
当前半导体产业正在发生深刻的变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优
异的性能而受到行业关注，将成为新型的半导体材料。SiC、GaN等半导体材料属于新兴领域，相关产品的技术开发具有应用战略性和前瞻性。GaN功率器件开关频率高、导通电阻小、电容小、禁带宽度大、耐高温、能量密度高、功率密度大，可在高频情况下保持高效率水平工作，将有望被广泛运用于 5G通讯、智能电网、快充电源、无线充电等领域。市场空间巨大。越来越多的企业加
入了第三代半导体器件的开发行列。
展望未来，国产替代和创新浪潮仍是未来电子行业的发展主轴。国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要提出要加快发展现代产业体系，坚持自主可控、安全高效，加快补齐基础元器件的瓶颈短板，半导体产业未来发展可期。
（2）智能消费类电子领域
在经历2021年的出货量短暂复苏后，全球智能手机出货量出现第二轮出货量走低现象。根据IDC 2022 年 Q4 预测数据修正后，从 2022 年初全球智能手机出货量增长 1.6%调整至年末下降约
9.1%，出货量总量下降约至12.2-12.4亿部左右。由于消费者换机需求较弱，换机周期延长等因素，中国智能手机市场 2022 出货量创有史以来最大降幅，根据 IDC 统计，2022 年全年中国智能手机市场出货量约2.86亿台，同比下降13.2%；2022年第四季度中国智能手机市场的出货量约
7292万台，同比下降12.6%，环比基本持平。
21/1982022年年度报告
折叠机出货量逆势大幅上涨，具备较大的潜在市场空间。根据 IDC报告统计，2022年第四季度中国折叠屏手机的单季出货量再创新高，超过110万台。在中国智能手机整体出货量下滑13.2%的情况下，折叠屏手机逆势上涨，出货量约330万台，同比大幅增长118%，在国内智能机市场的市场份额由2021年的0.5%上升到1.2%。
2023年随着全球消费能力逐步恢复，IDC预计全球智能手机出货量将在 2023年同比增长 2.8%，
出货量总量约12.6-12.7亿部。
报告期内，公司积极推动产品升级迭代，基于自有的成熟设计模块，推陈出新，开发出了效率更高、更智能化的全系列充电芯片、保护芯片等产品。公司的 TVS 产品具备超薄的封装尺寸，已成功应用于客户折叠屏手机中，提高手机充电性能的同时可以改善机体厚度。公司针对移动终端小型化的场景推出了超小封装产品系列，以其高性能、低损耗、低漏电的特点，不但助力客户产品实现更紧凑的功能布局，打造轻巧精致的设备外观，更为其安全使用保驾护航。
（3）功率半导体
受益于双碳时代背景，以新能源汽车、新能源发电为代表的产业将迎来长期发展机会，功率器件作为核心零部件也将随着迎来发展机遇。功率器件持续迭代升级，向高压、高功率、低功耗方向发展。功率器件从二极管、晶闸管发展到 MOSFET、IGBT，再到第三代半导体器件，经历了长期的技术积累和产品迭代，技术门槛不断提高。随着电动汽车、新能源发电、工业控制等下游应用的快速发展，对高压、高电流、高频率、高功率的需求推动功率器件厂商不断优化升级，在更新换代的过程国产厂商有望实现新突破。全球功率半导体尤其是高端的功率器件主要被英飞凌、安森美、三菱、富士等欧美日大厂占据，国产厂商未来提升空间巨大。
(四)核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和功率 IC 工艺设计方面积累了多项核心技术。
在功率器件方面：公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了 TVS、肖特基、稳压管等产
品的低漏电和高温下的可靠性，使产品在应用过程中更加安全和稳定；深槽隔离及穿通型 NPN 结构技术实现了 TVS 产品的高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性，同时实现了产品封装的小型化，不但使产品在应用中减少了空间的占用，同时提升了浪涌防护能力，对产品的保护效果更加优异；
MOSFET 的沟槽优化技术实现了 MOSFET 产品的低导通阻抗、低损耗特性，使产品在应用中大幅降低了功耗，减少了发热；沟槽 MOS 型肖特基势垒二极管的改进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性，在使用过程中降低了产品功耗。
报告期内，公司积极布局第三代半导体 GaN HEMT，并在开发工作方面已取得显著成果。基
于第三代半导体 GaN HEMT 的核心技术开发成功，相关专利获得批准后，为产品量产化和系列化提供了保障。公司开发建立了高压 P-GaNHEMT 技术平台，基于此技术平台，公司的第三代半导
22/1982022年年度报告
体 650V GaN HEMT 产品已经在多客户的项目中测试和验证通过，并已获取小批量订单。配合公
司第三代半导体 650V GaN HEMT 器件的高整合度驱动器芯片处于客户端测试阶段，并在一些客
户端的验证过程中，性能表现良好，目前在等待客户后续项目计划。此外，高压 GaN HEMT 产品的系列化还在大力推进，同步也在开展中低压 GaN HEMT 产品的立项和开发工作，不断的丰富产品阵容、开发满足更多应用环境的第三代半导体 GaN HEMT 产品。
在功率 IC 方面：可连续调节占空比的环路控制技术使功率 IC 产品更快速响应负载变化，可调输出电压范围更大；一种复合 DC-DC 电路技术不需要额外补偿电路，可以使功率 IC 产品具有负载响应快、精度高的优点；一种负载识别电路技术不需要额外的采集装置，即可完成负载大小的识别，实现简单且高效。
报告期内，公司推出并量产的带路径管理充电新品，在主流软硬件兼容的基础上，突出了全面 EOS 防护能力，配合公司的 TVS 产品，可以轻松实现输入口和输出口+-450V 的浪涌水平，在保持大电流精度的同时，小电流精度也大幅度优于主流水平；公司的保护 IC 系列新品，在维持快速保护响应的同时，采用了小型化的封装，可以有效降低客户的布板空间；公司的负载开关 IC 系列新品，在维持持续 6A 负载能力的同时，将待机静态电流降低到远低于业界平均值的水平；全新一代直驱型 E-Mode 氮化镓驱动 IC，传统的电源控制器可以直接进行驱动，无需配置复杂的电平转换电路，使得产品具有最佳的整合度，并具有更高的可靠性，降低了客户开发难度，利于产品快速推向市场产生效益。
国家科学技术奖项获奖情况
□适用√不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用□不适用认定称号认定年度产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业2021年度/
2.报告期内获得的研发成果
截至2022年12月31日，公司现行有效知识产权累计102项，其中发明专利20项，实用新型33项，另有集成电路布图设计专有权43项，商标6项。报告期内，公司获得新增授权知识产权17项。
报告期内获得的知识产权列表本年新增累计数量
申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）发明专利1244920实用新型专利994733外观设计专利0000软件著作权0000其他745249合计2817148102
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3.研发投入情况表
单位：万元
本年度上年度变化幅度（%）
费用化研发投入3478.752942.7418.21
研发投入合计3478.752942.7418.21
研发投入总额占营业收入比例（%）10.356.194.16研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用√不适用研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用√不适用
4.在研项目情况
√适用□不适用
单位：万元进展或序预计总投本期投累计投技术项目名称阶段性拟达到目标具体应用前景号资规模入金额入金额水平成果
1 带 1.5 倍电荷泵 1150.00 256.93 926.23 持续研 1.1W 功率下 0.01%的超低谐波失真；2.听筒 国内 主要应用于智能手机、平
的 G 类音频功放 发阶段 与功放二合一模式；3.各种安全保护机制。 领先 板电脑扬声器驱动。
2 650V Gan-on-si 500.00 167.24 465.79 量产阶 工作电压为 650V 等；器件耐压最高大于 国内 主要用于快充适配器、电
HEMT 功率器件 段 800V；欧姆接触电阻小于 1?*mm。 领先 源等多种应用。
3 大功率充电及保 1500.00 567.13 1216.78 持续研 1.充电电流最高达 5A 以上，升压放电电流 国内 主要用于 5G 智能手机、护解决方案项目 发阶段 可到 2.4A；2.端口过压保护导通阻抗低至 领先 平板电脑充电系统。
60mΩ 以下；3.高速保护响应时间。
4 一种超低钳位电 480.00 276.13 553.36 量产阶 工作电压 3.3V-48V；钳位电压 5V-60V；漏 国内 主要用于手机、智能平板
压的深槽结构的 段 电流小于 1uA；封装类型主要采用 DFN 系 领先 电脑、TWS 等便携式、
TVS 产品系列 列。 可穿戴式的消费类电子产品、网络通讯、安防、工
24/1982022年年度报告业等多种应用。
5 超低导通阻抗、 500.00 400.75 586.63 量产阶 需要布局采用 DFNSOTTO 等封装形式的系 国内 主要用于手机、智能平板
超低栅极电荷的 段 列产品；产品耐压要涵盖 20-1000V 范围； 领先 电脑、TWS、PD 快充适
MOSFET Rdson 根据不同产品达到尽可能小；Qg 根 配器等消费类产品的充电
据不同产品越小越好。端口保护应用，以及锂电池保护等多种应用。
6高性能数模混合5709.00730.81752.29持续研组合式快充技术，配合自主研发快充协议芯国内主要用于手机、氮化镓快
电源管理芯片开 发阶段 片支持 PD3.0、BC1.2，支持最大 8A 大电流 领先 充充电器、平板电脑、笔
发及产业化 充电，效率达 99%以上。 记本、电动工具、IoT 设备等多种应用。
7 高性能分立功率 1910.00 149.94 149.94 持续研 采用 CSP DFN SOD 等小尺寸封装，工作电 国内 主要用于手机、智能平板
器件开发和升级- 发阶段 压将覆盖 1V~48V，在非信号线端口上，器 领先 电脑、TWS、AR、VR大功率高性能的件达到等便携式、可穿戴式的消
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