拓荆科技:2022年年度报告摘要

公司代码：688072公司简称：拓荆科技拓荆科技股份有限公司
2022年年度报告摘要第一节重要提示
1本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。
3本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4公司全体董事出席董事会会议。
5天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是√否
7董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司拟以实施权益分派股权登记日的总股本为基数，向全体股东每10股派发现金红利2.60元（含税）。截至2022年12月31日，公司总股本为126478797股，以此计算合计拟派发现金红利
32884487.22元（含税）。本年度公司现金分红占本期归属于上市公司股东的净利润比例为8.92%，占本期实现的可供分配利润的比例为10.26%。本次利润分配方案不送红股，不进行资本公积转增股本。
如在实施权益分派股权登记日前，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。
公司第一届董事会第二十一次会议和第一届监事会第十二次会议审议通过了《关于公司2022年度利润分配方案的议案》，公司独立董事已对上述利润分配方案发表了同意的独立意见，本次利润分配方案尚需提交公司2022年年度股东大会审议。
8是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用第二节公司基本情况
1公司简介
公司股票简况
√适用□不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所股票简称股票代码变更前股票简称及板块
A股 上海证券交易所 拓荆科技 688072 不适用科创板公司存托凭证简况
□适用√不适用联系人和联系方式
联系人和联系方式董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表姓名赵曦刘锡婷办公地址辽宁省沈阳市浑南区水家辽宁省沈阳市浑南区水家900号
900号
电话024-24188000-8089024-24188000-8089
电子信箱 Dongban@piotech.cn ir@piotech.cn
2报告期公司主要业务简介
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务情况
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。同时，公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。
2、主要产品情况
报告期内，公司不断完善现有量产薄膜设备系列产品性能，保持产品核心竞争力，进一步提升量产产品的市场占有率。同时，持续丰富公司产品品类，拓展工艺应用领域。公司 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及键合系列产品情况如下：
（1）PECVD 系列产品
* PECVD产品产品型号 产品图片 产品应用情况
PF-300T 在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装
等领域已实现产业化应用，可以沉积 SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG 等通用介质
薄膜材料，以及 LoKⅠ、LoKⅡ、ACHM、ADCⅠ、HTN、a-Si等先进介质薄膜材料，可实现 8英寸与 12英寸 PECVD 设备兼容，具有高产能，低生产成本优PF-300T eX势。
在集成电路存储芯片制造领域已实现产业化应
NF-300H 用，适用于沉积时间需求较长的薄膜工艺，如Thick TEOS 介质材料薄膜。
* UV Cure产品产品型号产品图片应用领域在集成电路芯片制造领域已实现产业化应用。该PF-300T
设备可以与 PECVD成套使用，为 PECVD HTN、LokUpsilon
II 等薄膜沉积进行紫外线固化处理。
（2）ALD系列产品
* PE-ALD产品
产品型号产品图片产品应用情况在集成电路逻辑芯片、存储制造及先进封装
PF-300T
领域已实现产业化应用，可以沉积高温、低Astra
温、高质量的 SiO2、SiN等介质薄膜材料。
主要应用于集成电路存储芯片制造领域，正NF-300H
在进行产业化验证，可以沉积高温、低温、Astra
高质量的 SiO2、SiN等介质薄膜材料。
* Thermal-ALD 产品产品型号产品图片产品应用情况
主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片
PF-300T
制造领域，正在进行产业化验证，可以沉Altair
积 Al2O3等金属化合物薄膜材料。
主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片
TS-300
制造领域，正在进行产业化验证，可以沉Altair
积 Al2O3等金属化合物薄膜材料。
（3）SACVD 系列产品
产品型号产品图片产品应用情况广泛应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领
PF-300T域，可以沉积 SA TEOS等介质薄膜材料，可实现SA
8英寸与 12英寸 SACVD设备兼容。
广泛应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领
PF-300T域，可以沉积 BPSG、SAF等介质薄膜材料，可实SAF
现 8英寸与 12英寸 SACVD设备兼容。
（4）HDPCVD 系列产品产品型号产品图片产品应用情况
主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领
PF-300T域，正在进行产业化验证，可以沉积 SiO2、FSG、Hesper
PSG等介质薄膜材料。
主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领
TS-300S域，正在进行产业化验证，可以沉积 SiO2、FSG、Hesper
PSG等介质薄膜材料。
（5）混合键合系列产品
*晶圆对晶圆键合产品
产品型号产品应用情况主要应用于晶圆级三维集成芯片制造领域，正在进行产业化验Dione 300证，可实现12寸晶圆对晶圆的混合键合和熔融键合。
*芯片对晶圆键合表面预处理产品产品型号产品应用情况
主要应用于晶圆级三维集成芯片制造领域，正在进行产业化验证，Pollux主要应用于晶圆及切割后芯片的表面活化及清洗。
注：随着公司产品种类的不断丰富，公司持续完善产品型号命名规则。报告期内，经履行公司内部决策程序，对公司产品型号名称进行调整，结合设备平台类型及反应腔类别重新命名产品型号。
报告期内，公司主营业务未发生重大变化。
(二)主要经营模式
（1）盈利模式
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售薄膜沉积设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
（2）研发模式
公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的半导体薄膜沉积设备研发技术团队。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的基石。公司根据客户需求、半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台，调试性能参数，在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。
（3）采购模式
公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、明确参数要求，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制；针对特定零部件，公司存在提供图纸及参数，并向供应商提供原材料，委托供应商完成定制化加工的情形。
为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、良品率、运营能力等多维度进行定期评估，保证供应商能力水平。公司与主要供应商签订了《采购框架合同》，根据采购需求，通过订单方式向供应商采购。公司根据研发计划、生产计划、BOM 清单和物料库存情况，由计划部制定采购计划，物料管理运营部实施采购计划，经验收合格完成采购入库。
（4）生产模式
公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据 Demo 订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的 Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。
（5）销售和服务模式
报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。
经过多年的努力，公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。
公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标
操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或 Demo 订单）签订与执行、产品安装
调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。
报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
(三)所处行业情况
1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）行业的发展阶段、基本特点*半导体设备行业
半导体行业的发展水平与国家科技水平息息相关，其发展情况已成为全球各国经济、社会发展的风向标，是衡量一个国家现代化程度和科技实力的重要标志。半导体设备作为半导体产业链的技术先导者，是半导体产业发展的基础和技术进步的原动力。随着半导体技术的迭代升级，半导体元器件逐步向精密化、微小化发展，对制造工艺技术不断提出挑战，半导体设备的重要地位日益凸显。
纵观半导体行业的发展历史，呈现明显的周期性波动，主要由于行业技术迭代、下游应用创新驱动、终端应用的供需关系等因素叠加全球经济波动所致。从全球范围来看，2020年以来，受到全球消费电子、汽车电子等下游供应短缺刺激，全球半导体市场需求爆发，行业景气度上升，半导体设备行业保持高速增长态势。根据 SEMI 数据统计，2022 年度，受行业景气度转换的影响，全球半导体制造设备的销售额较上年同期实现小幅增长，达到1076亿美元。从中国大陆市场来看，
2022年中国大陆半导体设备销售额为283亿美元，连续第三年成为全球最大半导体设备市场。
目前全球半导体设备市场主要由国际厂商主导。伴随着我国对半导体产业不断的政策扶持、加大投入力度，加速了国内半导体设备产业的发展和布局，并迎来了巨大的成长机遇。
*薄膜沉积设备行业
半导体产业的发展衍生出巨大的半导体设备市场，而应用于集成电路领域的设备通常可分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺设备（封装测试）两大类。其中，晶圆制造设备的市场规模约占总体设备市场规模的86%，而薄膜沉积设备则是集成电路前道生产工艺中的三大核心设备之一。2022年全球薄膜沉积设备市场规模约为229亿美元，同比2021年实现小幅增长，而中国大陆市场也保持增长趋势，具有广阔的市场空间。
薄膜沉积设备主要包括 CVD设备和 PVD设备。公司主要聚焦在 CVD设备细分领域内的 PECVD、ALD、SACVD 及 HDPCVD。不同种类的薄膜沉积设备适用于不同工艺制程对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等不同要求。在 2021 年全球各类薄膜沉积设备市场份额中，PECVD 是薄膜设备中占比最高的设备类型，占整体薄膜沉积设备市场的 33%，ALD 设备占比约为 11%，SACVD 和 HDPCVD属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比约为6%。薄膜沉积设备占比情况数据来源：SEMI
*三维集成领域设备行业
三维集成领域设备是三维集成芯片、Chiplet 等芯片先进架构设计的技术基础。混合键合设备为代表的三维集成专用设备尚处于产品导入期，业界目前已经在存储器、图像传感器和逻辑芯片领域初步实现产业化。随着“后摩尔时代”的来临，三维集成领域将进入成长期，混合键合设备作为关键设备，其细分市场届时也将迎来指数级增长。
（2）主要技术门槛
半导体设备行业属于技术密集型行业，涉及化学、等离子体物理、流体力学、射频及微波学、电气控制及自动化、软件工程、机械工程等多种科学技术及工程领域学科知识的综合应用，具有技术壁垒高、产品验证周期长的特点。
*薄膜沉积技术
半导体行业通常是“一代产品、一代工艺、一代设备”，晶圆制造要超前下游应用开发新一代工艺，而半导体设备要超前晶圆制造开发新一代设备。薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备，其技术的发展支撑了集成电路制造工艺的发展，跟随摩尔定律的节奏，每隔18-24个月便要推出更先进的制造工艺，不断追求技术革新。
在薄膜沉积设备研制过程中，其反应腔设计、腔体内关键件设计、气路设计、温度控制及射频控制需要在基础理论知识深刻理解外，结合整机设计思路和产线工艺理解，技术壁垒较高。此外，集成电路制造不同技术路线及不同工序所需要的薄膜材料种类不同，薄膜沉积设备需要针对不同材料本身的物理、化学性质，进行工艺开发，以实现不同材料的沉积功能。
由于薄膜是芯片结构的功能材料层，在芯片完成制造、封测等工序后一般会留存在芯片中，薄膜的技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，薄膜沉积设备所需要的验证时间较长。
随着集成电路制造产线向更小线宽发展，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求，因此，技术门槛也在日益提升。
*混合键合技术
由于“后摩尔时代”集成电路制程无法持续向更小线宽发展，键合设备将持续推动芯片性能的提高和行业的发展。键合设备提供的关键指标是键合面的质量，包括对准精度、键合强度以及界面空隙，其中对准精度影响芯片性能，键合强度和界面空隙影响芯片整体良率。键合设备的研制，对于高精密对准系统、微纳精密机械控制、图像处理和分析、套刻量测等技术需要极其深刻的理解和产业化实践经验，技术壁垒较高。随着“后摩尔时代”的来临，业界会对于键合设备性能将提出更高的要求。
2.公司所处的行业地位分析及其变化情况
从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业呈现出垄断竞争的局面，行业基本由应用材料
（AMAT）、先晶半导体（ASMI）、泛林半导体（Lam）、东京电子（TEL）等国际巨头垄断。在 CVD市场中，应用材料（AMAT）、泛林半导体（Lam）和东京电子（TEL）三大厂商占据了全球约 70%的市场份额。在晶圆级三维集成领域，键合设备市场主要由 EV Group公司、苏斯（SUSS）等公司高度垄断，占据全球超过 70%的市场份额。公司凭借十多年的技术积累，自主研制了包括 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 等薄膜设备系列产品，在国内主要集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线有广泛应用。同时，面向新的技术需求，公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备系列产品。目前薄膜系列产品在客户产线实现量产的设备性能指标已达到国际同类设备先进水平。公司目前是国内唯一一家产业化应用的集成电路 PECVD 设备、SACVD设备、HDPCVD设备厂商，也是国内领先的集成电路 ALD设备厂商。虽然公司产品的销售规模在稳步提升，但整体市场占有率与国际巨头尚有差距。
3.报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
*半导体设备市场需求稳步增长
纵观半导体行业的发展历史，虽然行业呈现明显的周期性波动，但整体增长趋势并未发生变化，而每一次技术变革是驱动行业持续增长的主要动力。在人工智能、电动汽车、新能源等新兴领域的快速发展拉动下，晶圆厂将持续进行资本开支，扩充产能，进而带动半导体设备的市场需求量。薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备，具有巨大的市场需求和增长空间。
根据SEMI预测信息，在2022年至2026年期间，下游芯片制造厂商将持续扩充产能，以满足需求增长，目前最新更新的366座厂房和产线中，258座在运营，108座计划在未来启建。根据集微咨询统计，中国大陆预计未来5年（2022年至2026年）还将新增
25座12英寸晶圆厂，总规划月产能超过160万片。截至2026年底，中国大陆12英寸晶
圆厂的总月产能将超过276.3万片。本土晶圆厂的产能扩建将引领半导体设备需求的持续增长。
*芯片制造工艺进步及结构复杂化提高薄膜设备需求
在90nm CMOS芯片工艺中，大约需要40道薄膜沉积工序。在FinFET工艺产线，大约需要超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级，进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。
不同工艺节点薄膜沉积工序对比在FLASH存储芯片领域，随着主流制造工艺已由2D NAND发展为3D NAND结构，结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加。而随着3D NAND FLASH芯片的堆叠层数不断增高，从32/64层逐步向更多层及更先进工艺发展，对于薄膜沉积设备的需求提升的趋势亦将延续。
2D NAND与3D NAND结构简图
资料来源：SEMI，广发证券在芯片工艺技术持续进步的趋势下，当难以通过光刻直接形成先进工艺的情况下，可以结合薄膜沉积设备（主要为ALD设备）与刻蚀设备相配合，采用自对准多重成像技术，实现更小尺寸的工艺，这将进一步促进ALD设备及相关设备的重要性及需求量的提升。
*先进制程对薄膜沉积设备提出更高要求
在晶圆制造过程中，薄膜起到产生导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、临时阻挡刻蚀等重要作用。随着芯片制造工艺不断走向精密化，对薄膜工艺性能提出了更高的技术要求，包括薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加，这也将拉动半导体高端薄膜设备的需求。
*“后摩尔时代”产生新的设备需求
三维集成领域通过芯片堆叠的形式，使单位面积内的晶体管数量增加从而提高芯片整体性能，是一种市场趋势的必然。由于摩尔定律的经济效益降低和物理极限的存在，业界不能再只依赖缩短工艺极限去实现芯片性能和复杂度的指数型提升，因此三维集成为代表的先进芯片架构是一种必然趋势。
混合键合设备能为全球半导体业界带来芯片模块间先进的通信速度，未来广泛应用于三维集成领域。业界的连接点间距缩短是行业的趋势，从引线键合采用的倒装设计（pitch≈1mm 级别）、再到 IC 载板（pitch≈100um 级别）、硅中介板（pitch≈10um 级别）、最终到混合键合（pitch≈1um级别）。而其中的技术趋势就是连接点的间距代表的芯片模块间通信速度不断提升，因此混合键合在保障芯片模块间通信速度方面是目前全球最先进的产业化方案之一。
3公司主要会计数据和财务指标
3.1近3年的主要会计数据和财务指标
单位：元币种：人民币本年比上年
2022年2021年2020年
增减(%)
总资产7313286512.912517728208.91190.471814069093.40归属于上市公司
3711530962.281192607665.60211.211122209674.37
股东的净资产
营业收入1705562723.82757960880.13125.02435627676.17归属于上市公司
368517550.1468486475.03438.09-11489015.66
股东的净利润归属于上市公司股东的扣除非经
178104100.53-82001875.37--57116203.25
常性损益的净利润经营活动产生的
247625867.82137480579.5180.12308912704.99
现金流量净额
加权平均净资产增加7.21个百分
13.135.92-1.11
收益率（%）点基本每股收益（元
3.180.72341.67不适用
／股）稀释每股收益（元
3.170.72340.28不适用
／股）
研发投入占营业22.2138.04减少15.83个百分28.19收入的比例（%）点
3.2报告期分季度的主要会计数据
单位：元币种：人民币
第一季度第二季度第三季度第四季度
（1-3月份）（4-6月份）（7-9月份）（10-12月份）营业收入107517692.90415699178.00468306876.31714038976.61归属于上市公司
-11878144.75120000836.87129370235.32131024622.70股东的净利润归属于上市公司股东的扣除非经
-21658876.2270809152.9962624489.5766329334.19常性损益后的净利润经营活动产生的
69512007.12191829634.38-378955611.77365239838.09
现金流量净额季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用√不适用
4股东情况
4.1普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前10
名股东情况
单位:股
截至报告期末普通股股东总数(户)6064年度报告披露日前上一月末的普通股股东
5763
总数(户)截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数（户）年度报告披露日前上一月末表决权恢复的
优先股股东总数（户）截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数（户）年度报告披露日前上一月末持有特别表决
权股份的股东总数（户）
前十名股东持股情况质押、标记或冻包含转融结情况股持有有限股东名称报告期内期末持股比例通借出股东售条件股股（全称）增减数量(%)份的限售性份数量份股份数量数量质状态国家集成电国路产业投资有
02512175519.862512175525121755无0
基金股份有法限公司人国投（上海）创业投资管理有限公司－国投（上其
海）科技成01729729713.681729729717297297无0他果转化创业投资基金企
业（有限合伙）境内中微半导体非设备（上海）
0106225478.401062254710622547无0国
股份有限公有司法人上海临芯投资管理有限
公司－嘉兴其
070121055.5470121057012105无0
君励投资合他伙企业（有限合伙）中合盛资本管理有限公
司－青岛润冻其
扬嘉禾投资062331584.93623315862331586233158结他合伙企业
（有限合伙）中国科学院国沈阳科学仪有
030000002.5730000003000000无0
器股份有限法公司人拓荆科技股份有限公司其
未确认持有-28000029702972.3529702972970297无0他人证券专用账户招商证券资境
管－招商银内
行－招商资非管拓荆科技
262467426246742.0826246743080974无0国
员工参与科有创板战略配法售集合资产人管理计划苏州聚源东方投资基金其
018001801.4218001801800180无0
中心（有限他合伙）中车资本（天津）股权投资基金管理有限公其
司－中车国016216221.2816216221621622无0他华（青岛）股权投资合伙企业（有限合伙）上述股东关联关系或一致行动的说明公司未知上述股东之间是否存在关联关系或一致行动关系。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的无说明存托凭证持有人情况
□适用√不适用截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
□适用√不适用
4.2公司与控股股东之间的产权及控制关系的方框图
□适用√不适用
4.3公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图
□适用√不适用4.4报告期末公司优先股股东总数及前10名股东情况
□适用√不适用
5公司债券情况
□适用√不适用
第三节重要事项
1公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
报告期内，公司产品持续保持竞争优势，同时受益于国内主要晶圆厂半导体设备需求增加以及国家政策对国产设备的大力支持，公司产品销量同比大幅增加，实现营业收入170556.27万元，较上年同期增长125.02%，营业收入大幅增长；实现归属于上市公司股东的净利润36851.76万元，较上年同期增长438.09%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润17810.41万元，较上年同期增加26010.60万元实现扭亏为盈，盈利能力持续增强。
2公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终
止上市情形的原因。
□适用√不适用