芯导科技:2023年半年度报告

2023年半年度报告
公司代码：688230公司简称：芯导科技上海芯导电子科技股份有限公司
2023年半年度报告
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重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确
性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、重大风险提示公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”中的“五、风险因素”部分内容。
三、公司全体董事出席董事会会议。
四、本半年度报告未经审计。
五、公司负责人欧新华、主管会计工作负责人兰芳云及会计机构负责人（会计主管人员）张娟
声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案无
七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？否
十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否
十二、其他
□适用√不适用
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目录
第一节释义.................................................4
第二节公司简介和主要财务指标........................................6
第三节管理层讨论与分析..........................................10
第四节公司治理..............................................33
第五节环境与社会责任...........................................35
第六节重要事项..............................................36
第七节股份变动及股东情况.........................................53
第八节优先股相关情况...........................................60
第九节债券相关情况............................................61
第十节财务报告..............................................62载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表备查文件目录经公司负责人签名的公司2023年半年度报告文本原件报告期内在指定信息披露平台上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿
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第一节释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
芯导科技、公司、本公司指上海芯导电子科技股份有限公司
无锡芯导指芯导科技（无锡）有限公司，公司全资子公司莘导企管指上海莘导企业管理有限公司
萃慧企管指上海萃慧企业管理服务中心（有限合伙）
中国证监会、证监会指中国证券监督管理委员会上交所指上海证券交易所
《公司法》指《中华人民共和国公司法》
《证券法》指《中华人民共和国证券法》
《公司章程》指《上海芯导电子科技股份有限公司章程》
报告期、本报告期、本年度指2023年1月1日-2023年6月30日
报告期末、本报告期末指2023年6月30日
元、万元、亿元指人民币元、人民币万元、人民币亿元
半导体产品指广义的半导体、电子元器件产品，包括集成电路芯片和其他电子元器件产品。
集成电路、IC 指 Integrated Circuit即集成电路，是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。
功率半导体指对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的半导体器件。
芯片指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果。
TVS 指 Transient Voltage Suppresser，即瞬态电压抑制器，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件。它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌
吸收能力，可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压。
MOSFET 指 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟 电 路 与 数 字 电 路 的 场 效 晶 体 管 （ Field-effecttransistor），依照其“通道”的极性不同，可分为 N-type与 P-type的 MOSFET。
GaN HEMT 指 GaN(氮化镓) HEMT 即 High Electron Mobility
Transistor(高电子迁移率晶体管) 是一种用于新一代功率元器件的化合物第三代半导体材料。与普通的半导体材料硅相比，具有更优异的物理性能。
肖特基二极管 指 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），在通信电源、变频器等中比较常见。是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管芯片，具有反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降更低（仅 0.4V左右）的特点。
ESD 指 静电保护二极管，是用来避免电子设备中的敏感电路受到静电放电影响的器件。
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TMBS 指 Trench MOS Barrier Schottky Diode，沟槽 MOS型肖特基势垒二极管。
DC-DC 指 在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压
值的电能的转换电路，也称为直流转换电源。
IDM 指 Integrated Design and Manufacture，垂直整合制造模式。
Fabless 指 无晶圆厂集成电路设计企业，只从事集成电路研发和销售，而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成；也代指此种商业模式。
晶圆指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之 IC 产品。
封装指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。
测试指把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的需求。
平面（Planar）工艺 指 平面工艺，是 MOSFET产品常见的一种生产工艺。
沟槽（Trench）工艺 指 沟槽工艺，通常可以进一步提高 MOSFET 产品的沟道密度，减小芯片尺寸，降低导通电阻，拥有更低的导通电阻和栅漏电荷密度。
PSC 指 Prisemi Switch Charger，指芯导科技开关充电产品。
PB 指 Power Bank，移动电源的电源管理。
PLC 指 Prisemi Linear Charger，指芯导科技线性充电管理产品
ODM 指 Original Design Manufactuce，原始设计制造商。
它可以为客户提供从产品研发、设计制造到后期维
护的全部服务，客户只需向 ODM 服务商提出产品的功能、性能甚至只需提供产品的构思，ODM服务商就可以将产品从设想变为现实。
NPN 指 半导体工艺中，通过参杂实现的 N型+P型+N型三种结构层，用来实现器件的特殊的功能。
Cascode 指 共源共栅级联结构，通常是将低压 N-MOSFET器件和常开型 GaN HEMT器件进行连接合封，形成一个整体常态关断状态器件。
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第二节公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况公司的中文名称上海芯导电子科技股份有限公司公司的中文简称芯导科技
公司的外文名称 Shanghai Prisemi Electronics Co.Ltd.公司的外文名称缩写 Prisemi公司的法定代表人欧新华
公司注册地址中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号公司注册地址的历史变更情况报告期内无
公司办公地址中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号；
上海市浦东新区张江集成电路设计产业园盛夏路565弄
54号（D幢）10-11层
公司办公地址的邮政编码201210；201203
公司网址 http://www.prisemi.com
电子信箱 investor@prisemi.com报告期内变更情况查询索引无
二、联系人和联系方式
董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表姓名兰芳云闵雨琦联系地址上海市浦东新区张江集成电路设计产上海市浦东新区张江集成电路设计产
业园盛夏路565弄54号（D幢）11层 业园盛夏路565弄54号（D幢）11层
电话021-60753051021-60753051
传真021-60870156021-60870156
电子信箱 investor@prisemi.com investor@prisemi.com
三、信息披露及备置地点变更情况简介
公司选定的信息披露报纸名称 上海证券报（www.cnstock.com）、中国证券报（www.cs.com.cn）、证券时报（www.stcn.com）、证券日报（www.zqrb.cn）
登载半年度报告的网站地址 www.sse.com.cn公司半年度报告备置地点公司证券部报告期内变更情况查询索引无
四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股 上海证券交易所科创板 芯导科技 688230 不适用
(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
五、其他有关资料
□适用√不适用
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六、公司主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位：元币种：人民币本报告期本报告期比上年主要会计数据上年同期
（1－6月）同期增减(%)
营业收入131160155.43186612728.32-29.72
归属于上市公司股东的净利润38269379.7268580464.40-44.20
归属于上市公司股东的扣除非经常性11030495.2643638398.94-74.72损益的净利润
经营活动产生的现金流量净额29590563.2140035486.56-26.09本报告期末比上本报告期末上年度末
年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产2163645377.902171100979.68-0.34
总资产2207970882.392212763331.58-0.22
(二)主要财务指标本报告期本报告期比上年同主要财务指标上年同期
（1－6月）期增减(%)
基本每股收益（元／股）0.330.58-43.10
稀释每股收益（元／股）0.330.58-43.10
扣除非经常性损益后的基本每股收0.090.37-75.68益（元／股）
加权平均净资产收益率（%）1.753.23减少1.48个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净0.502.06减少1.56个百分点
资产收益率（%）
研发投入占营业收入的比例（%）16.248.93增加7.31个百分点公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
报告期内，公司实现营业收入13116.02万元，较上年同期减少29.72%，其中：第二季度实现营收7706.12万元，环比增长42.44%；实现归属于上市公司股东的净利润3826.94万元，较上年同期减少44.20%，其中：第二季度实现2234.68万元，环比增长40.35%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1103.05万元，较上年同期减少74.72%，其中：第二季度实现
875.26万元，环比增长284.24%。每股收益0.33元，较上年同期减少43.1%，扣除非经常性损益
后的每股收益0.09元，较上年同期减少75.68%。报告期内公司股份支付费用467.50万元，剔除股份支付影响，2023年上半年公司净利润为4294.44万元，较上年同期减少37.38%。影响上述指标变动的主要原因是：
1、受全球经济环境因素影响，与2022年上半年相比，以智能手机为代表的消费电子领域市
场依旧疲软，终端市场需求不及预期，受下游品牌客户保守采购策略影响，公司销售规模受到了一定的冲击，产品销售价格承压，营业收入较去年同期减少；
2、面对复杂多变的市场形势，为保证公司产品的竞争优势和可持续发展，公司有计划、有步
骤地进行技术开发，持续加大研发投入，研发投入较去年同期增加；
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3、受美元汇率波动影响，汇兑收益较去年同期减少；
4、公司非经常性损益增加，主要为使用暂时闲置资金进行现金管理所产生的收益较上年同期增加。
报告期内，公司总资产220797.09万元，同比增减少0.22%；归属于上市公司股东的净资产
216364.54万元，同比减少0.34%。
七、境内外会计准则下会计数据差异
□适用√不适用
八、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位:元币种:人民币
非经常性损益项目金额附注（如适用）非流动资产处置损益
越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照
10000.00
一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益非货币性资产交换损益委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的
30123974.20
公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回对外委托贷款取得的损益
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采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支出40025.65其他符合非经常性损益定义的损益项目代扣代缴个人所得税
91427.33
手续费返还
减：所得税影响额3026542.72
少数股东权益影响额（税后）
合计27238884.46
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非
经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。
□适用√不适用
九、非企业会计准则业绩指标说明
□适用√不适用
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第三节管理层讨论与分析
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所属行业情况
1、行业发展情况
公司所处行业属于集成电路设计行业，根据国家统计局2017年修订的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司从事的相关业务属于“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。
2023年上半年，受地缘政治形势、全球经济环境、行业周期等因素影响，集成电路行业整体
尚处于低位，以智能手机为代表的消费电子领域整体表现低迷，终端市场需求不及预期。据半导体产业协会(SIA)报告显示，2023 年第二季度全球半导体销售总额为 1245 亿美元，比 2023 年第一季度增长4.7%，但比2022年第二季度下降17.3%。2023年6月全球销售额为415亿美元，同比增长1.7%，这是全球芯片销售额连续第四个月实现小幅上升。同时，报告显示，我国6月半导体销售额也实现了环比3.2%的增长。
根据 Canalys 发布的研究数据，2023 年上半年，全球智能手机出货量达 5.28 亿部，同比下降12%，中国智能手机市场出货量为1.32亿部，同比下滑8%。2023年第一季度全球智能手机出货量约为2.698亿部，同比下降13%；第二季度全球智能手机出货量约为2.582亿部，同比减少
10%。与第一季度相比，第二季度全球智能手机出货量下滑幅度有所放缓。
2022年以来，美国及其盟国从半导体生产设备、设计软件到相关原料等对中国实施了一系列
管制措施，以进一步限制中国先进的芯片制造和人工智能技术的发展。受复杂的外部环境因素影响，集成电路产业实现自主可控的要求越来越迫切，国产替代进口需求空间巨大，具有自主核心技术的国产芯片份额会有极大的提升。
公司产品主要包括功率器件和功率IC功率器件产品主要为TV（S 包括ESD保护器件）、MOSFET、
肖特基等；功率 IC 产品主要为电源管理 IC。公司产品具有高性能、低损耗、低漏电、小型化的特点，可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。公司在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域的同时，也在积极将产品向汽车电子、光伏储能等领域拓展。根据 Yole 报告，在新能源汽车和储能等应用的推动下，全球功率半导体器件市场将从 2020年达175亿美元增长至2026年的262亿美元，年均复合增长率达6.96%。
功率半导体行业属于典型的知识密集型行业，需要融合多种专业技术，跨越多个学科领域，如半导体器件物理、电路设计、产品工艺、应用方案设计等，且技术更新速度快，需要从业人员持续不断地学习、积累，行业技术门槛较高。
公司的功率半导体产品，具有需要多种专业融合、对设计能力和持续创新能力要求高、需要对晶圆制造工艺及封装工艺具有深刻的理解和掌握等特点；产品结构设计技术和产品工艺设计技
术难度大、产品测试要求高；同时，品牌客户对企业的认证周期长、对产品的测试验证要求高，一般的功率器件设计企业开拓品牌客户的难度较大，因此具有较高技术门槛。
2、行业地位
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公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、上海市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市高新技术企业、上海市三星级诚信创建企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。
公司自主研发的一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型 NPN 结构技术、MOSFET
的沟槽优化技术、沟槽 MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节的占空比环路控制技术、
一种复合 DC-DC 电路、一种负载识别电路等核心技术显著提升了公司产品的技术水平及市场竞争力，具有国内领先水平。一种 GaN HEMT器件制备技术，优化了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，同时优化了终端结构，使得 GaN HEMT产品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。公司已经正式发布具有自主专利技术的 GaN HEMT产品，并在多个客户端进行验证，是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。
公司的功率器件及功率 IC产品，具有高性能、低功耗、小尺寸的特点，产品市场目前主要被德州仪器（TI）、安森美（ON Semiconductor）、商升特半导体（Semtech Corporation）等国外
半导体厂商占据，国产化替代空间巨大。随着公司产品不断向汽车电子、光伏储能等领域拓展，公司产品的应用需求将进一步释放，市场前景广阔。
（二）主营业务情况
1、主要业务与产品
公司主营业务为功率半导体的研发与销售，公司功率半导体产品包括功率器件和功率 IC 两大类，公司产品可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。
（1）功率器件
公司功率器件产品主要包括瞬态电压抑制二极管（TVS）、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、肖特基势垒二极管（SBD）、氮化镓（GaN HEMT）等。其中，公司的 TVS产品主要为ESD保护器件。各产品介绍如下：
产品名称产品图片主要功能应用领域具体应用
GaN功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷。因此 GaN功 消费类电 PD 快充、电源适配率器件作为开关子、安器、车载充电、服
氮化镓（GaN HEMT） 和驱动应用时， 防、网络 务器电源、5G基站特别适合于高频通讯、工电源的驱动和开关
应用场合，对提业等领域应用。
升变换器的效率和功率密度非常有利。
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智能手机、平板电
脑、笔记本电脑、
具有静电防护、消费类电
POS 机、汽车中控
浪涌吸收等防过子、安
系统、总线保护、
ESD保 电压功能，对电 防、网络IPC、NVR、GPON、
护器件源线、信号线、通讯、汽
EPON等设备的按输入输出端口等车电子等
键、触摸屏、USB、瞬态电压进行保护。领域HDMI等接口的保抑制二极护。
管（TVS）
IPC、NVR、无人吸收瞬间大电流
安防、网机、网关、扫地机将两端电压箝制
络通讯、器人、汽车中控系普通在一个预定的数
工业、汽 统、IPC、NVR、
TVS 值上，从而对后车电子等 GPON、EPON、光伏面的电路进行保
领域逆变、储能等设备护。
的按键。
智能手机、平板电
脑、笔记本电脑、消费类电
TWS、POS机、无人
把输入电压的变子、安
机、网关、扫地机
金属-氧化物半导体化转化为输出电防、网络
器人、汽车中控系
场效应晶体管流的变化，起到通讯、工统、IPC、NVR、（MOSFET） 开关或放大等作 业、汽车
GPON、EPON、光伏用。电子等领逆变、储能等设备域的驱动和开关应用。
智能手机、平板电
脑、笔记本电脑、消费类电
TWS、POS机、无人
子、安
在变频器、开关机、网关、扫地机
防、网络
肖特基势垒二极管电源、驱动电路器人、汽车中控系
通讯、工（SBD） 中用作检波、电 统、IPC、NVR、
业、汽车流整流。 GPON、EPON、光伏电子等领
逆变、储能、家域
电、电源等设备的整流和开关应用。
（2）功率 IC
公司的功率 IC产品主要为电源管理 IC具体包括单节锂电池充电芯片、过压保护芯片、音频
功率放大器、DC-DC类电源转换芯片、氮化镓驱动 IC等。各产品介绍如下表所示：
应用产品名称产品图片主要功能具体应用领域
氮化镓器件及 IC消费类电
用于电力电子领域 在快速充电、LED
氮化镓驱动子、网络通
的能量转换开关及 照明、5G 通讯、
IC 讯、汽车等控制。云计算服务器及电领域动汽车等。
12/1572023年半年度报告
手机、平板、智能终端等便携式电子设备；车载记录用于给锂电池充电消费类电
单节锂电池仪、电话机、
并支持设备之间相子、安防等
充电芯片 TWS、移动电源、互充电。领域电子烟、玩具等锂电池供电设备的充电管理。
手机、平板、智能应用于电子产品的终端等便携式电子电源输入口处实现消费类电设备；车载记录过压保护芯
过压保护、短路保子、安防等仪、电话机、片
护、过温保护等功 领域 TWS、移动电源、能。电子烟、玩具等电源输入口的保护。
用于放大微弱的音
消费类电蓝牙音箱、智能音频信号，以驱动扬音频功率放子、网络通箱、共享单车、扩声器发出音量合适
大器讯、安防等音器、玩具等的扬的声音；内置防止领域声器驱动。
破音功能。
计算机 CPU、存储电压转换器将一定消费类电
器等模块的供电、
DC-DC类电 的直流电压升高或 子、网络通
手机、平板、机顶
源转换芯片降低至合适值，为讯、安防、盒等终端产品内模设备供电。工业等领域块的供电电源。
2、主要经营模式
公司自设立以来一直采用 Fabless的经营模式进行产品研发和销售。在 Fabless 模式下，公司专注于功率半导体相关产品的设计，将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工，由外协厂商负责生产。
（1）产品研发模式
公司采用 Fabless 经营模式，产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注行业前沿技术，紧跟客户需求和市场变化趋势，打造自主研发的技术平台，并以此为基础，持续推进技术迭代，丰富产品种类和型号，拓展应用领域，从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。
（2）采购与生产模式
公司采用集成电路行业典型的 Fabless经营模式，专注于功率半导体产品的研发和销售环节，晶圆制造和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。
（3）销售模式
根据行业、产品及市场情况，公司主要采取“经销为主，直销为辅”的销售模式。
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二、核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和功率 IC工艺设计方面积累了多项核心技术。
在功率器件方面：公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了 TVS、肖特基、稳压管等产
品的低漏电和高温下的可靠性，使产品在应用过程中更加安全和稳定；深槽隔离及穿通型 NPN 结构技术实现了 TVS 产品的高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性，同时实现了产品封装的小型化，不但使产品在应用中减少了空间的占用，同时提升了浪涌防护能力，对产品的保护效果更加优异；
MOSFET 的沟槽优化技术实现了 MOSFET 产品的低导通阻抗、低损耗特性，使产品在应用中大幅降低了功耗，减少了发热；沟槽 MOS 型肖特基势垒二极管的改进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性，在使用过程中降低了产品功耗。报告期内，公司不断丰富产品阵容、开发满足更多应用环境的第三代半导体 GaN HEMT产品。在大力推进高压 GaN HEMT产品系列化的同时，中低压 GaN HEMT产品已经进入流片阶段，cascode结构的 GaN HEMT也正在开发中。
在功率 IC 方面：可连续调节占空比的环路控制技术使功率 IC 产品更快速响应负载变化，可调输出电压范围更大；一种复合 DC-DC电路技术不需要额外补偿电路，可以使功率 IC产品具有负载响应快、精度高的优点；一种负载识别电路技术不需要额外的采集装置，即可完成负载大小的识别，实现简单且高效。通过衬底控制实现反向电流控制保护，有效解决系统多路电源复用安全控制问题。报告期内，公司不断完善过流过压保护类 IC 产品、充电管理产品、开关保护等 IC产品的性能与参数，拓展了限流负载开关产品，丰富了开关保护 IC品类，不断更新系列化产品以形成整体方案。
国家科学技术奖项获奖情况
□适用√不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用□不适用认定主体认定称号认定年度产品名称
中华人民共和国工业和信息化部国家级专精特新“小巨人”企业2021年度/
2.报告期内获得的研发成果
截至2023年6月30日，公司现行有效知识产权累计106项，其中发明专利20项，实用新型
33项，另有集成电路布图设计专有权47项，商标6项。报告期内，公司获得新增授权知识产权
11项。
报告期内获得的知识产权列表本期新增累计数量
申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）发明专利105020实用新型专利144833外观设计专利0000
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软件著作权0000其他475653合计611154106
注：已失效知识产权未纳入上表统计。
3.研发投入情况表
单位：元
本期数上年同期数变化幅度（%）
费用化研发投入21300643.3216671532.9927.77
研发投入合计21300643.3216671532.9927.77
研发投入总额占营业收入比例（%）16.248.93增加7.31个百分点研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用√不适用研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用√不适用
15/1572023年半年度报告
4.在研项目情况
√适用□不适用
单位：万元进展或预计总投本期投累计投序号项目名称阶段性拟达到目标技术水平具体应用前景资规模入金额入金额成果
1 带 1.5 倍电 1150.00 37.88 964.11 持续研 1.1W 功率下 0.01%的超低谐波失 国内领先 主要应用于智能手机、平板电脑
荷泵的 G 类 发阶段 真；2.听筒与功放二合一模式；3. 扬声器驱动。
音频功放各种安全保护机制。
2 大功率充电 1500.00 98.74 1315.52 持续研 1.充电电流最高达 5A以上，升压 国内领先 主要用于 5G智能手机、平板电脑
及保护解决 发阶段 放电电流可到 2.4A；2.端口过压 充电系统。
方案项目 保护导通阻抗低至 60mΩ以下；3.高速保护响应时间。
3高性能数模5709.00676.561428.85持续研组合式快充技术，配合自主研发快国内领先主要用于手机、氮化镓快充充电
混合电源管 发阶段 充协议芯片支持 PD3.0、BC1.2， 器、平板电脑、笔记本、电动工具、
理芯片开发 支持最大 8A 大电流充电，效率达 IoT 设备等多种应用。
及产业化99%以上。
4 高性能分立 3195.00 507.30 1003.68 持续研 采用 CSPDFNSOD等小尺寸封装，开 国内领先 主要用于手机、智能平板电脑、功率器件开 发阶段 发具有超低导通阻抗超低栅极电 TWS、AR、VR、PD快充适配器等消
发和升级-超 荷的中低压 MOSFET产品，耐压在 费类产品，以及 BMS锂电池管理与低导通阻抗、 20~150VRdson